JPS62245602A - 温度検出器 - Google Patents
温度検出器Info
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- JPS62245602A JPS62245602A JP61089130A JP8913086A JPS62245602A JP S62245602 A JPS62245602 A JP S62245602A JP 61089130 A JP61089130 A JP 61089130A JP 8913086 A JP8913086 A JP 8913086A JP S62245602 A JPS62245602 A JP S62245602A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は温度検出器に関する。さらに詳しくはＬＯＯＫ
以下の低温において温度変化に対する半導体の抵抗値変
化の線形性がよい半導体温度検出器に関する。
以下の低温において温度変化に対する半導体の抵抗値変
化の線形性がよい半導体温度検出器に関する。
一般に接触型の温度検出器としては熱電対、白金などの
金属を使用した測温抵抗体、半導体を使用したサーミス
タなどがある。
金属を使用した測温抵抗体、半導体を使用したサーミス
タなどがある。
従来１００に以下の低温において使用される温度検出器
としては、電子回路によく使われる炭素ソリッド抵抗を
使用した温度検出器がある。このセンサーは温度が変化
することにより炭素ソリッド抵抗の抵抗値が変化するこ
とを利用して温度の測定を行うものであり、この抵抗は
グラファイトに粘土、シリカ、タルクなどの絶縁物の粉
末を加え、さらに結合材としてフェノール樹脂などを加
えて加熱成形したものである。
としては、電子回路によく使われる炭素ソリッド抵抗を
使用した温度検出器がある。このセンサーは温度が変化
することにより炭素ソリッド抵抗の抵抗値が変化するこ
とを利用して温度の測定を行うものであり、この抵抗は
グラファイトに粘土、シリカ、タルクなどの絶縁物の粉
末を加え、さらに結合材としてフェノール樹脂などを加
えて加熱成形したものである。
しかしながらこのような炭素ソリッド抵抗はグラファイ
トが非常に大きい異方性を有する物質でありその結晶軸
の方向によって金属的であったり、半導体的であったり
するのでグラファイトの抵抗値の温度依存性が複雑であ
り、またその抵抗値の再現性がよくないという問題があ
る。
トが非常に大きい異方性を有する物質でありその結晶軸
の方向によって金属的であったり、半導体的であったり
するのでグラファイトの抵抗値の温度依存性が複雑であ
り、またその抵抗値の再現性がよくないという問題があ
る。
さらにまた従来の温度検出器としてゲルマニウムを使用
したサーミスタがある。このサーミスタはリンなどの不
純物を混入したゲルマニウムの単結晶からなり温度の変
化によって抵抗値が変化し、この抵抗値の変化を検知し
て温度が測定される。
したサーミスタがある。このサーミスタはリンなどの不
純物を混入したゲルマニウムの単結晶からなり温度の変
化によって抵抗値が変化し、この抵抗値の変化を検知し
て温度が測定される。
しかしながらこのようなサーミスタは前記炭素ソリッド
抵抗と比較して前記抵抗値の再現性に優れているが磁場
の影響を受は易く、また広い温度範囲にわたって抵抗値
の温度依存性を一つの式として表わすことができず、ま
たサーミスタの価格が高くなるという問題がある。
抵抗と比較して前記抵抗値の再現性に優れているが磁場
の影響を受は易く、また広い温度範囲にわたって抵抗値
の温度依存性を一つの式として表わすことができず、ま
たサーミスタの価格が高くなるという問題がある。
本発明は前記のような従来の問題点に鑑みなされたもの
で１００Ｋ以下の低温においても抵抗値の温度依存の線
形性がよい温度検出器を提供することを目的とする。
で１００Ｋ以下の低温においても抵抗値の温度依存の線
形性がよい温度検出器を提供することを目的とする。
本発明の温度検出器は、半導体に不純物が添加されてｐ
型またはｎ型にドーピングされておりかつ非晶質または
一部に微結晶を含む非晶質となっている半導体層を有す
るものであり、１００に以下の温度において従来の温度
検出器と比較して感度がよくまた広い温度範囲にわたっ
て−３一 温度変化に対する抵抗値変化の線形性がよい。
型またはｎ型にドーピングされておりかつ非晶質または
一部に微結晶を含む非晶質となっている半導体層を有す
るものであり、１００に以下の温度において従来の温度
検出器と比較して感度がよくまた広い温度範囲にわたっ
て−３一 温度変化に対する抵抗値変化の線形性がよい。
そして前記不純物が添加される半導体は主として第４族
元素（］、Ｓｎｚ Ｇｅｓ Ｃなど）からなるもので、
ａ−８ｉ系またはμａ−８ｉ系のもの［Ｓｊまたは他元
素を１〜９０原子％含むＳｔの合金（ＳｊＧｅ 。
元素（］、Ｓｎｚ Ｇｅｓ Ｃなど）からなるもので、
ａ−８ｉ系またはμａ−８ｉ系のもの［Ｓｊまたは他元
素を１〜９０原子％含むＳｔの合金（ＳｊＧｅ 。
ＳＩＣ、５ＩＳｎ、 ！１ｉｌＮなど）］であり、とり
わけ５ｉＧｅが抵抗が低いので好ましい。
わけ５ｉＧｅが抵抗が低いので好ましい。
以下本発明の実施例を図によって説明する。
第１図は本発明の温度検出器の第１の実施例（以下、実
施例１）を示す。図において、（１）はガラス製の絶縁
性基板であり、この絶縁性基板（１）ｌにはこれに固着
して半導体層（２）がその上面が絶縁性基板（１，）の
−Ｆ面とほぼ平行となるように設けられており、この半
導体層（２）は不純物としてリンを添加した微結晶を含
む非結晶水素化シリコンからなっている。
施例１）を示す。図において、（１）はガラス製の絶縁
性基板であり、この絶縁性基板（１）ｌにはこれに固着
して半導体層（２）がその上面が絶縁性基板（１，）の
−Ｆ面とほぼ平行となるように設けられており、この半
導体層（２）は不純物としてリンを添加した微結晶を含
む非結晶水素化シリコンからなっている。
そして半導体層（２）の上面の一部であって適宜の距離
だけ離れた２つの箇所の適宜の面積の部分には２つのア
ルミニウムの層状の電１（３ａ）、（３ｂ）か固着され
ている。ここで絶縁基板（１）の厚さは１胴〜５０００
廁、半導体層（２）の厚さは０．００３胴〜１０珊、電
極（３ａ）、（３ｂ）の厚さは０．０１週〜１胴である
のが好ましい。そして絶縁性基板（１）と半導体層（２
）と電極（３ａ）、（３ｂ）とにより温度検出器（４）
が構成されている。
だけ離れた２つの箇所の適宜の面積の部分には２つのア
ルミニウムの層状の電１（３ａ）、（３ｂ）か固着され
ている。ここで絶縁基板（１）の厚さは１胴〜５０００
廁、半導体層（２）の厚さは０．００３胴〜１０珊、電
極（３ａ）、（３ｂ）の厚さは０．０１週〜１胴である
のが好ましい。そして絶縁性基板（１）と半導体層（２
）と電極（３ａ）、（３ｂ）とにより温度検出器（４）
が構成されている。
以上のように構成された実施例１による温度検出器（４
）において、電極（３ａ）と電極（３ｂ）とを各々正と
負（これは逆であってもよい）の電源電極にリード線（
図示せず）によって接続し、半導体層（２）に直流電流
を流すことにより半導体層（２）の電極（３ａ）、電極
（３ｂ）間の抵抗値を測定し、これにより温度が測定さ
れる。
）において、電極（３ａ）と電極（３ｂ）とを各々正と
負（これは逆であってもよい）の電源電極にリード線（
図示せず）によって接続し、半導体層（２）に直流電流
を流すことにより半導体層（２）の電極（３ａ）、電極
（３ｂ）間の抵抗値を測定し、これにより温度が測定さ
れる。
次に実施例１の温度検出器の製造方法について説明する
。
。
第２図はその製造装置を示す。本装置は典型的なＣＶＤ
法による装置であり、図において［２１）は真空容器で
あり、この中にはカソード電極いとこれと対向してアノ
ード電極のが設けられている。アノード電極（至）内に
はヒータＱ４が設けられていて、このヒータ（２４Ｊは
ヒータ電源−により通電されてアノード電極のを加熱す
るようになっている。
法による装置であり、図において［２１）は真空容器で
あり、この中にはカソード電極いとこれと対向してアノ
ード電極のが設けられている。アノード電極（至）内に
はヒータＱ４が設けられていて、このヒータ（２４Ｊは
ヒータ電源−により通電されてアノード電極のを加熱す
るようになっている。
また真空容器（２１内へは原料ガスボンベ（２Ｇにより
原料ガスが流量コントローラーを経て原料ガス導入口（
３８）から供給されるようになっている。
原料ガスが流量コントローラーを経て原料ガス導入口（
３８）から供給されるようになっている。
そして真空容器（２１１内のガスはポンプ（３９）によ
り排ガス処理装置（３９ａ）を経て排出されるようにな
っている。そしてカソード電極［株］には高周波電源（
４０）により高周波電圧がマツチング回路（４０ａ）を
経て印加されるようになっている。そしてアノード電極
口上に半導体層（２）を形成すべき絶縁基板（１）が固
定して置かれるようになっている。
り排ガス処理装置（３９ａ）を経て排出されるようにな
っている。そしてカソード電極［株］には高周波電源（
４０）により高周波電圧がマツチング回路（４０ａ）を
経て印加されるようになっている。そしてアノード電極
口上に半導体層（２）を形成すべき絶縁基板（１）が固
定して置かれるようになっている。
以」二のような装置によりＳｉＨ４、ｐＨ３、■２から
なる混合ガス中でグロー放電することにより厚さが７０
０加のガラス製の絶縁性基板（１）（商品名：コーニン
グ７０５９、コーニング社製）上に厚さ１虜の微結晶を
含む非晶質水素シリコンの半導体層（２）が形成され、
さらにその上に真空蒸着法により厚さが０．３胴のアル
ミニウムの電極（３ａ）、（３ｂ）が形成されて温度検
出器（４）か製造される。
なる混合ガス中でグロー放電することにより厚さが７０
０加のガラス製の絶縁性基板（１）（商品名：コーニン
グ７０５９、コーニング社製）上に厚さ１虜の微結晶を
含む非晶質水素シリコンの半導体層（２）が形成され、
さらにその上に真空蒸着法により厚さが０．３胴のアル
ミニウムの電極（３ａ）、（３ｂ）が形成されて温度検
出器（４）か製造される。
次に本発明による温度検出器の他の実施例について説明
する。
する。
第３図は本発明による温度検出器の第２の実施例（以下
実施例２）を示す。図において（３１）は実施例１の絶
縁性基板（１）と同様の絶縁性基板であり、この基板（
３１）の−に面の一部であって適宜の距離だけ離れた２
つの箇所の適宜の面積の部分には２つのアルミニウムの
層状の電極（３３ａ）、（３３ｂ）が固着されている。
実施例２）を示す。図において（３１）は実施例１の絶
縁性基板（１）と同様の絶縁性基板であり、この基板（
３１）の−に面の一部であって適宜の距離だけ離れた２
つの箇所の適宜の面積の部分には２つのアルミニウムの
層状の電極（３３ａ）、（３３ｂ）が固着されている。
そしてさらに基板（３１）の上面にはこれに固着されて
かつ電極（３３ａ）、（３３ｂ）を覆う形で実施例１の
半導体層（２）と同材質の半導体層（３２）が形成され
ている。
かつ電極（３３ａ）、（３３ｂ）を覆う形で実施例１の
半導体層（２）と同材質の半導体層（３２）が形成され
ている。
ここで絶縁基板（３１）（７）厚さはＩＪＡｎ〜５ｏｏ
ｏｌ！ｍ１半導体層（３２）の厚さは０．００３ρ〜１
ｏｓ１１電極（３３ａ） 、（３３ｂ）の厚さは０，０
５ ｕｎ −１ｌ！ｍであるのか好ましい。そして絶縁
性基板（３１）と半導体層（３２）と電極（３３ａ）、
（３３ｂ）とにより温度検出器（３４）が構成されてい
る。
ｏｌ！ｍ１半導体層（３２）の厚さは０．００３ρ〜１
ｏｓ１１電極（３３ａ） 、（３３ｂ）の厚さは０，０
５ ｕｎ −１ｌ！ｍであるのか好ましい。そして絶縁
性基板（３１）と半導体層（３２）と電極（３３ａ）、
（３３ｂ）とにより温度検出器（３４）が構成されてい
る。
そして実施例２においては電極（３３ａ） 、電極（３
３ｂ）を経て半導体層（３２）に直流電流を流すことに
より実施例１と同様にして温度の測定が行なわれる。
３ｂ）を経て半導体層（３２）に直流電流を流すことに
より実施例１と同様にして温度の測定が行なわれる。
第４図は本発明による温度検出器の第３の実施例（以下
実施例３）を示す。図において（４１）は導電性基板で
あり、ステンレン、ＭＳＣｕ、 Ｐｅなどの金属または
ＴＯＯまたは結晶８１などが使用される。この導電性基
板（４１）上にはこれに固着して実施例１と同材質の半
導体層（４２）がその上面が導電性基板（４１）の上面
とほぼ平行となるように設けられている。そしてこの半
導体層（４２）の上面の適宜の面積の中央部にはこれと
接触してアルミニウムの層状の電極（４３）が固着され
ている。ここで導電性基板（４１）の厚さは５０加〜５
０００７ａｍ、導電体層（４２）ノ厚さは０．１ｍｌ〜
１ｏ加、電極（４３）の厚さは０．０５ｓ１〜１ｕｍで
あるのが好ましい。そして導電性基板（４１）と半導体
層（４２）と、電極（４３）とにより温度検出器（４４
）が構成されている。
実施例３）を示す。図において（４１）は導電性基板で
あり、ステンレン、ＭＳＣｕ、 Ｐｅなどの金属または
ＴＯＯまたは結晶８１などが使用される。この導電性基
板（４１）上にはこれに固着して実施例１と同材質の半
導体層（４２）がその上面が導電性基板（４１）の上面
とほぼ平行となるように設けられている。そしてこの半
導体層（４２）の上面の適宜の面積の中央部にはこれと
接触してアルミニウムの層状の電極（４３）が固着され
ている。ここで導電性基板（４１）の厚さは５０加〜５
０００７ａｍ、導電体層（４２）ノ厚さは０．１ｍｌ〜
１ｏ加、電極（４３）の厚さは０．０５ｓ１〜１ｕｍで
あるのが好ましい。そして導電性基板（４１）と半導体
層（４２）と、電極（４３）とにより温度検出器（４４
）が構成されている。
−８一
実施例３においては、電極（４３）と導電性基板（４１
）とが実施例１の電極（３ａ）と電極（３ｂ）とに対応
しており、電極（４３）と導電性基板（４Ｉ）を経て半
導体（４２）に直流電流を流すことにより実施例１と同
様にして温度の測定が行なイっれる。
）とが実施例１の電極（３ａ）と電極（３ｂ）とに対応
しており、電極（４３）と導電性基板（４Ｉ）を経て半
導体（４２）に直流電流を流すことにより実施例１と同
様にして温度の測定が行なイっれる。
第５図は本発明による温度検出器の第４の実施例（以下
実施例４）を示す。図において（５１）は実施例１と同
材質の絶縁性基板である。そしてこの基板（５１）の上
面にはこれに固着してほぼこの」二面と同面積のアルミ
ニウムの層状の電極（５３ａ）が形成されている。そし
て電極（５３ａ）の上面にはこの面積より少し小さい面
積であって実施例１と同材質の半導体層（５２）が固着
されている。そしてさらに半導体層（５２）上面にはこ
の面積より少し小さい面積のアルミニウムの層状の電極
（５３ｂ）が形成されている。ここで絶縁性基板（５１
）の厚さは５０ｍ１〜５０００ｓｌ、半導体層（５２）
の厚さは０．１植〜１０加、電極（５３ａ）の厚さは０
．０５珊〜１ｌＸＩｌｓ電極（５３ｂ）の厚さは０．０
５胴〜１虜であるのが好ましい。そして絶縁性基板（５
１）と電極（５３ａ）と半導体層（５２）と電極（５３
ｂ）とにより温度検出器（５４）が構成されている。
実施例４）を示す。図において（５１）は実施例１と同
材質の絶縁性基板である。そしてこの基板（５１）の上
面にはこれに固着してほぼこの」二面と同面積のアルミ
ニウムの層状の電極（５３ａ）が形成されている。そし
て電極（５３ａ）の上面にはこの面積より少し小さい面
積であって実施例１と同材質の半導体層（５２）が固着
されている。そしてさらに半導体層（５２）上面にはこ
の面積より少し小さい面積のアルミニウムの層状の電極
（５３ｂ）が形成されている。ここで絶縁性基板（５１
）の厚さは５０ｍ１〜５０００ｓｌ、半導体層（５２）
の厚さは０．１植〜１０加、電極（５３ａ）の厚さは０
．０５珊〜１ｌＸＩｌｓ電極（５３ｂ）の厚さは０．０
５胴〜１虜であるのが好ましい。そして絶縁性基板（５
１）と電極（５３ａ）と半導体層（５２）と電極（５３
ｂ）とにより温度検出器（５４）が構成されている。
実施例４においては電極（５３ａ）と電極（５３ｂ）を
経て半導体層（５２〉に直流電流を流すことにより実施
例１と同様にして温度の測定が行なわれる。
経て半導体層（５２〉に直流電流を流すことにより実施
例１と同様にして温度の測定が行なわれる。
なお前記実施例１〜実施例４においては、半導体層が半
導体に不純物として周期律表第５族のリンを添加した微
結晶を含む非晶質リンである場合を示したが、これは周
期律表第３族のホウ素を不純物として添加したものであ
ってもよく、また微結晶を含む非晶質水素化シリコンに
替えて非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイドまた
はμｅ −８１のような一部に微結晶領域を有するもの
であってもよい。特に非晶質半導体層の抵抗値が大きく
なるばあいには非晶質半導体層の一部を微結晶化するこ
とにより半導体層の抵抗値を小さくすることも可能であ
る。
導体に不純物として周期律表第５族のリンを添加した微
結晶を含む非晶質リンである場合を示したが、これは周
期律表第３族のホウ素を不純物として添加したものであ
ってもよく、また微結晶を含む非晶質水素化シリコンに
替えて非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイドまた
はμｅ −８１のような一部に微結晶領域を有するもの
であってもよい。特に非晶質半導体層の抵抗値が大きく
なるばあいには非晶質半導体層の一部を微結晶化するこ
とにより半導体層の抵抗値を小さくすることも可能であ
る。
以上のように本発明による温度検出器は半導体に不純物
を添加してｎ型またはｎ型としかつ非晶質または一部に
微結晶を含む非晶質とした半導体層を有するようにした
ので、１００に以下の低温において従来の温度検出器と
比較して広い温度範囲にわたって温度変化に対する半導
体層の抵抗値変化の線形性が向上できる結果がある。
を添加してｎ型またはｎ型としかつ非晶質または一部に
微結晶を含む非晶質とした半導体層を有するようにした
ので、１００に以下の低温において従来の温度検出器と
比較して広い温度範囲にわたって温度変化に対する半導
体層の抵抗値変化の線形性が向上できる結果がある。
以下の第１表に本発明による温度検出器の線形性の効果
を示す。
を示す。
第 １ 表
第１表において◎は線形性がもっとも良いことを示し、
Ｏは次に線形性が良いことを示し、△はさらにその次に
線形性が良いことを示している。
Ｏは次に線形性が良いことを示し、△はさらにその次に
線形性が良いことを示している。
第１図は本発明の実施例１に係る温度検出器の断面図、
第２図は本発明の実施例１に係る温度検出器を製造する
装置の概略図、第３図は本発明の実施例２に係る温度検
出器の断面図、第４図は本発明の実施例３に係る温度検
出器の断面図、第５図は本発明の実施例４に係る温度検
出器の断面図である。 （図面の主要符号） （２）、（３２）、 （４２）、（５２） ：半導体層 （３ａ）、（３ｂ）、 （３３ａ） 、（３１ｂ）、 （５８ａ） 、（５８ｂ）、 （４３） ：電極 （４）、（８４） （４４）、（５４） ；温度検出器 才１ 図 ４：温度検出器 才２図 巴 ７３図 ５３ａ 、 ５３ｂ ：電極□
第２図は本発明の実施例１に係る温度検出器を製造する
装置の概略図、第３図は本発明の実施例２に係る温度検
出器の断面図、第４図は本発明の実施例３に係る温度検
出器の断面図、第５図は本発明の実施例４に係る温度検
出器の断面図である。 （図面の主要符号） （２）、（３２）、 （４２）、（５２） ：半導体層 （３ａ）、（３ｂ）、 （３３ａ） 、（３１ｂ）、 （５８ａ） 、（５８ｂ）、 （４３） ：電極 （４）、（８４） （４４）、（５４） ；温度検出器 才１ 図 ４：温度検出器 才２図 巴 ７３図 ５３ａ 、 ５３ｂ ：電極□
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体に不純物が添加されてｐ型またはｎ型にドー
ピングされておりかつ非晶質または一部に微結晶を含む
非晶質となっている半導体層を有する温度検出器。 ２ 前記半導体が周期律表第４族の元素またはその化合
物からなり、前記不純物が周期律表第３族の元素からな
る特許請求の範囲第１項記載の温度検出器。 ３ 前記半導体が周期律表第４族の元素またはその化合
物からなり、前記不純物が周期律表第５族の元素からな
る特許請求の範囲第１項記載の温度検出器。 ４ 前記半導体層の厚さが０．００３〜１００μｍであ
る特許請求の範囲第１項記載の温度検出器。 ５ 前記半導体層を介しこれと接触して対向する２つの
電極が設けられた特許請求の範囲第１項記載の温度検出
器。 ６ 前記半導体がシリコンまたはシリコン化合物である
特許請求の範囲第２項または第３項記載の温度検出器。 ７ 前記半導体がゲルマニウムまたはゲルマニウム化合
物である特許請求の範囲第２項または第３項記載の温度
検出器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61089130A JPS62245602A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 温度検出器 |
| US06/905,204 US4754254A (en) | 1986-04-17 | 1986-09-09 | Temperature detector |
| EP87105643A EP0241932A3 (en) | 1986-04-17 | 1987-04-16 | Temperature detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61089130A JPS62245602A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 温度検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62245602A true JPS62245602A (ja) | 1987-10-26 |
| JPH0321081B2 JPH0321081B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=13962295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61089130A Granted JPS62245602A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 温度検出器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4754254A (ja) |
| EP (1) | EP0241932A3 (ja) |
| JP (1) | JPS62245602A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06196307A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-07-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体薄膜サーミスタおよび赤外線検出素子 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3784705T2 (de) * | 1986-10-24 | 1993-06-17 | Anritsu Corp | Mit einem duennschichtleiter versehener elektrischer widerstand und kraftsensor. |
| US5426412A (en) * | 1992-10-27 | 1995-06-20 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Infrared detecting device and infrared detecting element for use in the device |
| CA2150502A1 (en) * | 1994-08-05 | 1996-02-06 | Michael F. Mattes | Method and apparatus for measuring temperature |
| DE19849471A1 (de) * | 1998-10-21 | 2000-04-27 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Integrierter hochohmiger polykristalliner Siliziumwiderstand und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US8710615B2 (en) * | 2011-08-31 | 2014-04-29 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with an amorphous semi-insulating layer, temperature sensor, and method of manufacturing a semiconductor device |
| DE102020122923A1 (de) | 2020-09-02 | 2022-03-03 | Tdk Electronics Ag | Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1543297A (fr) * | 1967-08-09 | 1968-10-25 | Radiotechnique Coprim Rtc | Résistances en couche mince à coefficient de température négatif et leur procédé de fabrication |
| FR2123179B1 (ja) * | 1971-01-28 | 1974-02-15 | Commissariat Energie Atomique | |
| DE2724498C2 (de) * | 1977-05-31 | 1982-06-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrischer Schichtwiderstand und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US4276535A (en) * | 1977-08-23 | 1981-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermistor |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP61089130A patent/JPS62245602A/ja active Granted
- 1986-09-09 US US06/905,204 patent/US4754254A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-04-16 EP EP87105643A patent/EP0241932A3/en not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06196307A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-07-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体薄膜サーミスタおよび赤外線検出素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0241932A3 (en) | 1989-06-07 |
| EP0241932A2 (en) | 1987-10-21 |
| JPH0321081B2 (ja) | 1991-03-20 |
| US4754254A (en) | 1988-06-28 |
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