DE69409257T2 - Integrierte silizium-vakuum-mikropackung für infrarot-geräte - Google Patents

Integrierte silizium-vakuum-mikropackung für infrarot-geräte

Info

Publication number
DE69409257T2
DE69409257T2 DE69409257T DE69409257T DE69409257T2 DE 69409257 T2 DE69409257 T2 DE 69409257T2 DE 69409257 T DE69409257 T DE 69409257T DE 69409257 T DE69409257 T DE 69409257T DE 69409257 T2 DE69409257 T2 DE 69409257T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
infrared
substrate
upper cover
elements
thermal conductivity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69409257T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69409257D1 (de
Inventor
Robert E. Shorewood Mn 55331 Higashi
Jeffrey A. Burnsville Mn 55337 Ridley
Thomas G. Roseville Mn 55113 Stratton
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honeywell Inc
Original Assignee
Honeywell Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=22603539&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE69409257(T2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Honeywell Inc filed Critical Honeywell Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE69409257D1 publication Critical patent/DE69409257D1/de
Publication of DE69409257T2 publication Critical patent/DE69409257T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/04—Casings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/04—Casings
    • G01J5/041—Mountings in enclosures or in a particular environment
    • G01J5/045—Sealings; Vacuum enclosures; Encapsulated packages; Wafer bonding structures; Getter arrangements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14649—Infrared imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

  • Die Erfindung liegt auf dem Gebiet von Infrarotsensoren sowie Infrarotbildprojektion oder -Strahlung und befaßt sich insbesondere mit dem Aufbau von Anordnungen aus kleinen Elementen.
  • Die thermische Isolation ist für thermisch arbeitende Infrarotgeräte (Detektor oder Strahler) sehr wichtig, im Gegensatz zu Quantensensoren oder -Strahlern, weil die Detektion oder Übertragung von Infrarotstrahlung direkt zum Temperaturanstieg in Beziehung steht, der vom Detektor oder Strahler des Geräts erzielt wird. Je besser die thermische Isolation des Detektors oder Strahlers ist, umso wirkungsvoller wird das Gerät Strahlung in Wärme umwandeln (Detektor) oder Wärme in Strahlung (Strahler). Eine Vakuumumhüllung stellt eine sehr effektive Maßnahme zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit dar. Sie verringert den Wärmefluß von einzelnen Inftarotelementen zu ihren Nachbarn und/oder zu umgebenden Oberflächen über Moleküle eines Umgebungsgases, indem sie solche Moleküle einfach eliminiert.
  • Da Mikrostruktur-Infrarotdetektoren und Strahler-Anordnungen sehr klein und zerbrechlich sind, kann es sein, daß die übliche Siliziumproduktions- und Packungstechnik für die Massenproduktion von solche Anordnungen aufweisenden Geräten ungeeignet ist. Typische Infraroteinheiten in solchen Anordnungen werden so aufgebaut, daß sie thermisch vom Chip und auch von ihren Nachbarn isoliert sind, so daß die Elemente im Abstand vom Substrat gehalten werden, um die thermische Isolation dadurch zu verstärken, daß man einen möglichst geringen physikalischen Kontakt zuläßt. Diese Brücken odet Tragstrukturen können besonders zerbrechlich sein, weshalb das Verfahren ihrer Einhüllung in ein Vakuum für die Ausbeute kritisch werden kann.
  • Ein Verfahren zum Einpacken der Form in einem Stapelprozeß erhöht erheblich die Ausbeute, verringert die Kosten und führt zugleich zu einer maximalen Leistungsfähigkeit dieser Geräte. Diese Art des Zusammenbaus ist für eine Massenproduktion thermisch arbeitender Infrarotgeräte bei niedrigen Kosten erforderlich. Das vorgeschlagene Zusammenpacken wird als Mikropackung bezeichnet.
  • Die Aufrechterhaltung eines effektiven Vakuums in einer abgedichteten Packung wird vielfach aufgrund von Ausgasungen der Oberfläche beeinträchtigt. Vielfach können Wärmebehandlungen dies auf ein Minimum reduzieren, jedoch bestimmt ein solches Ausgasen die effektive Lebensdauer des Gerätes, sofern nicht das Gas periodisch oder fortlaufend entfernt werden kann. Die Integration eines Getters in jeden einzelnen Chip ware eine Möglichkeit für die Aufrechterhaltung eines guten Vakuums für alle Chips, weil ein solches Gettermaterial, dem durch die Packungsoberflächen erzeugten Ausgasen entgegenwirkt.
  • Die hier vorgeschlagenen innovativen Strukturen führen zu erheblichen Kosteneinsparungen gegenüber herkömmlichen Packungsanordnungen, zur Möglichkeit der Erzielung wesentlich geringerer Packungsgrößen und haben das Potential, bei niedrigen Kosten die Ausbeute an gepackten Geräten stark zu erhöhen.
    • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Figur 1 ist eine Draufsicht auf die Ausgestaltung eines Wafers, wie er bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung eingesetzt wird;
  • Figur 2 ist ein seitlicher Schnitt durch den Wafer;
  • Figur 3 ist ein seitlicher Schnitt durch eine Einzelvorrichtung eines bevorzugten Chips gemaß der Erfindung;
  • Figur 4 ist ein seitlicher Schnitt einer anderen Ausführungsform des Chips;
  • Figur 5 zeigt eine seitliche Ansicht zweier Hauptkomponenten einer bevorzugten Ausführungsform auf der Chip-Ebene; und
  • Figur 6 ist die Draufsicht auf das Oberflächenmuster der Substratschicht (Oberseite) auf der Chipebene einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Es wird eine Konstruktionstechnik sowie ein hierdurch erzeugtes Infrarotgerät beschrieben.
  • Eine Scheibenanordnung mit Infrarotelementen (die als Detektoren oder Strahler, entweder einzeln oder als Flächengebilde ausgebildet sind) sieht eine kostensparende Methode des Zusammenbaus von Infraroteinrichtungen vor. Die Scheibe (Wafer) wird durch eine Deckkappe aus für Infrarotstrahlung transparentem Material mit einem Vakuum umgeben und im Vakuum gehalten, wobei die Deckkappe durch einen Lötrand im Abstand vom Wafer gehalten wird und in manchen Fällen im größeren Abstand von der Struktur des Deckkappenwafers gehalten wird. In beiden Fällen ergibt sich ein Zwischenraum minimaler thermischer Leitfähigkeit zwischen der Deckkappe und den Infrarotelementen, welcher evakuuiert werden oder mit einem minimal thermisch leitfähigem Fluid gefüllt werden kann. Der Abstand kann ganz oder teilweise durch den Lötrand, eine Ausnehmung in der Deckkappe oder eine zusätzliche Abstandsschicht erzielt werden, welche entweder an der Unterseite der Deckkappe oder auf der Oberseite des die Infrarotelemente aufweisenden Wafers eingefügt wird.
  • Im bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die Waferanordnung dann in ihre endgültigen Chipkomponenten zerschnitten, wobei die Integrität der einzelnen Vakuumzonen aufrechterhalten wird. Es wird bevorzugt, daß jeder Vakuumraum einen integralen Getter hat, um die Lebensdauer des Vakuums der Vorrichtung zu erhöhen.
    • Einzelbeschreibung des bevorzugten Ausführungsbeispiels
  • Die in Figur 1 gezeigte Scheibe dient nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung der Herstellung einer Gruppe von Geräten, wobei die Scheibe aus vielen Einrichtungen oder Chips 8 besteht, welche durch hier nicht beschriebene bekannte Prozesse hergestellt sind.
  • Figur 2 zeigt einen Schniff durch die Scheibe 7 von Figur 1 und weist eine daran befestigte Deckscheibe 9b auf Die Deckscheibe 9b sollte eine für Infrarotstrahlung durchlässige Scheibe sein. Wird sie in einem Vakuum angebracht, so werden alle auf einer Scheibe befindlichen Elemente gleichzeitig durch die Kappe abgedichtet. Dies stellt eine sehr wirksame Stapelfabrikationstechnik dar. Das Abstandsmaterial 11 hält die Scheiben 9 und 9b im Abstand und dichtet jeden einzelnen Chip 8 in seinem Bereich ab. Die gestrichelten Linien um den Bereich 84 zeigen, wo die zusammengefügten Scheiben unterteilt werden, um einen Chip entstehen zu lassen, welcher das Infrarotelement im Bereich 84 umfaßt.
  • In Figur 3 ist eine Einrichtung 10 gemäß der Erfindung auf der Elementen- oder Chipebene wiedergegeben, die aus zwei Hauptkomponenten besteht: einem Substrat oder Basischip 9 sowie einem oberen Deckel 12. Auf der Oberfläche des Deckels 12 befindet sich eine Antireflexionsschicht 13 und unterhalb seiner Oberfläche ist eine zweite Antireflexionsschicht 14 vorgesehen. Substanzen für solche Antireflexionsschichten sind bekannt. Der Zusammenbau der beiden Hälften gemäß der Erfindung läßt zwischen diesen einen Raum 21 entstehen. Dichtet man die beiden Scheiben, vorzugsweise mit einer Lötschicht 16, 16a gegeneinander ab, während sich diese in einem Vakuum befinden, so bleibt der Raum 21 selbst evakuuiert. Die Lötschicht kann durch Vakuumabscheidung sowie entweder Abheb- oder Durchmaskieren und Beschichten hergestellt werden. Die Scheibe oder der Chip mit den Mikrobolometern 20 oder anderen infrarotempfindlichen (pyroelektrischen, thermoelektrischen, usw.) Elementen wird zuerst hergestellt. Dieser Herstellungsteil ist nicht Teil der Erfindung und kann auf bekannte Weise erfolgen. Elektronische Elemente 25 können sich unterhalb der Deckschicht befinden und der Signalverarbeitung und/oder Schaltlünktion dienen, von der die Infrarotelemente 20 Gebrauch machen. Im allgemeinen ist eine Schicht 22 mit elektrischen Anschlüssen sowie eine Schicht 22a aus Mikrobolometern oder anderen infrarotempfindlichen oder Infrarotstrahlung abgebenden Elementen vorgesehen. Diese elektrischen Anschlüsse können passiviert, d.h. mit einer Schutzschicht aus beispielsweise Siliziumnitrid oder anderem bekannten Passivierungsmaterial beschichtet werden, so daß die Lötschicht darüber angebracht werden und eine Vakuumabdichtung bilden kann, ohne die Leitungen kurzzuschließen. Die Leitungen enden auf Anschlußkissen 18, so daß Drahtanschlüsse angebracht und mit anderen Schaltkreisen der infrarotempfindlichen Einrichtung verbunden werden können.
  • Die infrarotempfindlichen Elemente sind üblicherweise Dünnschichtstrukturen, welche zur thermischen Isolation oberhalb der Chipoberfläche gehalten werden. Solche Einrichtung sind bei den nachfolgenden Herstellungsschritten sehr bruchempfindlich. Figur 3 zeigt Elemente, wo diese thermische Isolation durch Wegatzen eines Teils des Substrats 22b erzeugt ist. Die Deckkappe muß sich im Abstand von den thermisch isolierten Elementen befinden, damit sie diese Elemente nicht berührt und folglich keine Wärme zu den Elementen oder von diesen wegleitet. Eine effektive Methode zur Gewährleistung guter Hohlraumdimensionen besteht darin, in die Oberfläche 15 der Deckkappe eine Ausnehmung einzuatzen. Mit dieser Ätzung sind, wenn das Lot geschmolzen ist, und die Scheiben zusammengepreßt sind, keine extremen Maßnahmen erforderlich, um zu verhindern, daß das Lot herausgedrückt wird. Dies hat zur Folge, daß der Abstand zwischen den Kissen 15a und 16 extrem klein werden könnte, wenn die Deckkappe abgeätzt wird. Selbst bei schlechter Verarbeitung bleibt der Hohkaum aufrechterhalten. Eine Metalischicht 15a, welche das Lot benetzen kann, ermöglicht es, das Lot 16, 16a auf der Oberfläche der Deckkappe in ein Muster zu bringen, um einen Ring oder einen Rahmen zu bilden, welcher die Anordnung thermisch isolierter Strukturen 20 umschließt. Ein ähnlicher Ring oder Rahmen aus vom Lot benetzbarem Metall kann auch vorzugsweise auf der Detektor/Strahler-Scheiben-Form erzeugt werden.
  • Zwei Scheiben werden im Vakuum zusammengebracht, wobei man eine geeignete Scheibenverbindungseinrichtung einsetzt. Niedrige Wärmepegel können für diesen Verfahrensschritt vorgesehen sein (Lot fließt je nach Art des Lots zwischen 100 und 300ºC, wo derzeit eine 50:50-Mischung von Inpb bevorzugt wird und der Anwender andere von ihm bevorzugte Lote verwenden kann). Die Form wird im Vakuum abgedichtet und die bruchempfindlichen, thermisch isolierten Elemente werden gegen Beschädigung und Beeinträchtigung beim nachfolgenden Zersägen der Scheibe sowie der nachfolgenden Verarbeitung der Form durch den umgebenden Lot-Bördelrand geschützt. Sägelinien 27 für die Scheibe zeigen die eine Richtung an, in der die Form getrennt wurde, wobei die Unversehrtheit der Lotabdichtung aufrechterhalten wird. Vor dem Verbinden der beiden Teile 12 und 9 ist die Deckkappe 12 mit ihren Antireflexschichten 13 und 14 zu versehen.
  • Da die entstandene Packung nur die Dicke zweier Siliziumscheiben hat, ergibt sich im Vergleich zu Standardvakuumpackungen ähnlicher Einrichtungen eine wesentliche Verringerung hinsichtlich Volumen und Gewicht der Baugruppe. Dieser Aspekt ist für nahezu alle Anwendungen von Infrarotgeräten wichtig und erwünscht.
  • Um sicherzustellen, daß innerhalb der Mikropackung (Vakuumraum 21 auf Chipebene) ein niedriger Druck aufrechterhalten wird, ist es nützlich, sicherzustellen, daß sich innerhalb der Mikropackung keine stark ausgasenden Werkstoffe befinden. Da außerdem die internen Oberflächen der Infraroteinrichtung sowie das darüberliegende Fenster bzw. die Deckkappe wenigstens eine geringfügige Ausgasung zeigen, kann es notwendig oder zumindest nützlich sein, eine kleine Menge speziellen Gettermaterials innerhalb der Mikropackung vorzusehen. Die Funktion des Gettermaterials besteht darin, Ausgasungen zu absorbieren, welche andernfalls den Innendruck der Mikropackung erhöhen und damit die thermische Isolation der IR-Detektor- oder Strahler-Elemente verringern würden. Geeignete Gettermaterialien, wie dünne Schichten aus Barium, Vanadium, Eisen, Zirkon oder ihren Legierungen sind bekannt. Ehe diese Materialien als Getter wirken können, müssen sie durch kurzzeitiges Aufheizen auf eine hohe Temperatur aktiviert werden.
  • Zum Einschließen und Aktivieren kleiner Mengen von Gettermaterial in eine Mikropackung kann die erforderliche Menge von Gettermaterial monolithisch auf geeigneten Regionen der Infrarotform oder der Deckkappe aufgebracht werden. Die Bezugszeichen 23 und 24 zeigen Stellen, wo solche monolithische Getter vorzugsweise abgeschieden werden können. Das Gettermaterial kann entweder direkt auf diesen Oberflächen 24 oder auf themisch isolierten Mikrobrücken 23 von Werkstoffen wie Siliziunmitrid angebracht werden. Ein Vorteil des Abscheidens auf einer Mikrobrücke besteht darin, daß die thermischen Isolationseigenschaften der Mikrobrücke eine thermische Aktivierung des Gettermaterials durch eine kurzzeitige geringe Heizleistung ermöglichen, beispielsweise durch einen elektrischen Heizstrom oder eine Heizstrahlung, die von einem Infrarotlaser erzeugt wird. Dabei brauchen die benachbarten Teile der Inftaroteinrichtung oder des Fensters nicht merklich aufgeheizt zu werden.
  • Befindet sich das Gettermaterial auf einer thermisch isolierten Struktur, kann als alternative Heizmethode ein elektrischer Strom über ein Widerstandsheizelement geleitet werden, welches auf der Struktur hergestellt ist. Damit wird die Struktur genügend aufgeheizt, um das Gettermaterial zu aktivieren. Um elektrischen Strom an den Heizer zu legen, kann ein weiteres Lötmuster 23c gleichzeitig mit dem Lötring 16, 16a angebracht werden, um die Anschlußkissen auf der Deckkappe 23a mit den Anschlußkissen auf dem Chip 23b zu verbinden. Diese Kissen 23b bestehen aus einem Metall, welches das Lot benetzen und mit Leitungen 22 verbinden kann, welche zu Drahtanschlüssen für die Kissen 18 führen. Ein Loch durch die Scheibe 26 oberhalb der Kissen ermöglicht Zugang zu den abgedichteten Elementen zwecks Drahtanschluß. Falls erwünscht, kann anstelle des Vakuums oder der Vakuum/Getter-Füllung ein Atomgas oder ein Gas mit großen Molekülen, vorzugsweise ein nicht-reaktives Gas wie Xenon Verwendung finden. Xenon ist beispielsweise dafür bekannt, daß es nur ein Fünftel der thermischen Leitfähigkeit von Luft hat. Derzeit wird die Kombination eines evakuuierten Hohlraums und eines Getters jedoch bevorzugt.
  • Aus Kostengründen kann die Deckkappe 12 vorzugsweise aus einkristallinem Silizium bestehen mit niedriger Absorption im Bereich der Infrarot detektion oder -Strahlung.
  • Solches Material, welches für Infrarotstrahlung transparent ist, steht zur Verftigung. Statt dessen kann man ein Fenster in der Deckkappenscheibe oder die Deckkappenscheibe selbst aus einer dünnen Schicht polykristallinen Siliziums oder aus anderem Material wie Germanium, GaAs, usw. mit unterschiedlichen Durchlässigkeitsgraden herstellen. Sind die Strukturen 20 strahlungabgebende Strukturen, so kann Infrarotstrahlung durch die Deckkappe 12 hindurch übertragen werden. Sind es empfangende oder Detektorstrukturen, so kann Infrarotstrahlung aus der Umgebung durch die Deckkappe 12 hindurch empfangen werden.
  • In Figur 4 ist ein Substrat 41 mit infrarotempfindlichen Elementen 44 dargestellt und bildet eine Vorrichtung 40. Für sehr große Anordnungen infrarotempfindlicher Elemente oder dünne Fenster in der Abdeckkappe kann die Belastung durch den atmosphärischen Druck auf die Abdeckkappe und den Chip ein Durchbiegen zur Folge haben, so daß die beiden inneren Oberflächen einander berühren. Man kann wenigstens einen Stützpfosten 43 einfügen, damit die Deckkappe 42 bei diesem Ausführungsbeispiel, welches in die Länge gezogen ist, ohne dabei seine Breite zu erhöhen, im Abstand gehalten bleibt. Dies ermöglicht das Einschließen sehr großer Anordnungen oder infrarotempfindlicher Strukturen, welche in Infrarot-Abbildungseinrichtungen wie Cameras, besonders nützlich sind. Figur 4 zeigt auch ein anderes Verfahren, mit dem die Deckkappe im Abstand von den thermisch isolierten Elementen gehalten werden kann. Ein Ständer 45 aus abgeschiedenem Material, beispielsweise Metall, kann gleichzeitig mit dem Stützpfosten 43 hergestellt werden, wodurch man das Erfordernis einer ausgeätzten Ausnehmung in der Deckkappe vermeidet. Falls erwünscht, kann ein vom Lot benetzbares Metall auf der Oberseite des Pfostens zum anschließenden Verlöten vorgesehen werden.
  • Bei einer anderen Ausführungsform kann das Gettermaterial auf einer thermisch isolierten Struktur 47 auf der Detektorlstrahler-Grundplatte angebracht werden. Elektrische Anschlüsse zum Gettermaterial zum Aufheizen können so wie in der Struktur gemäß Figur 3 mit den Leiterschichten 22 und den Anschlußkissen 18 vorgesehen sein.
  • Zur weiteren Integration des Elektronikteils des Gerätes kann man elektronische Bauelemente 48 in dem Deckkappen-Wafer herstellen und Anschlüsse hierfür in der gleichen Weise vorsehen, wie für das thermisch isolierte Gettermaterial in Figur 3, d.h. mit Anschlußkissen 23a, 23b, sowie Lot 23c. Ein Vorteil der Unterbringung der Elektronik in der Deckkappe liegt in der weiteren Volumenreduktion, einem verringerten elektrischen Rauschen aufgrund kürzerer Anschlußleitungen sowie einer Temperaturanpassung eng an die Grundplatte für die Infrarotelemente.
  • Eine Lotschicht wird gegenüber allen mit dieser Art Verbindung im Vakuum bekannten Strukturen bevorzugt. Jedoch können auch Ultraschall-Druckeinrichtungen angewandt werden, wenn sie geeignet aufgebaut sind, um die gesamte Struktur mit Stützpfosten oder Absetzen während der gesamten Zeit gegen die Oberfläche des Substrats 41 zu drücken.
  • Eine einfache Darstellung der Struktur 30 zeigt Figur 5. In diesem Fall wird ein Zwischenraum oder Loch 33 (im vorliegenden Fall durch Ätzen) hergestellt, um einen direkten Zugang zu den Anschlußkissen vorzusehen, so daß die nicht dargestellten Infrarotstrukturen im Substrat 31 eine elektrische Verbindung mit der Umgebung haben.
  • Eine Lotschicht 34 befindet sich auf der Unterseite der Deckkappe 32, und man sieht, wo eine solche Lotschicht in kalter Form bei einer bevorzugten Ausführungsform angeordnet sein kann.
  • In Figur 6 sind die interessierenden Bereiche 51 bis 59d auf einer Oberfläche 31 dargestellt. Im Zentrum der Strukturen befindet sich eine Fläche 51, auf der die infrarotempfindlichen Strukturen angeordnet werden. Der Bereich 52 kennzeichnet die Region, in der die Kanten des Hohlraums der Deckkappe angeordnet sind. Unterhalb hiervon befindet sich ein Bereich 53, wo die Lotschicht, beispielsweise die Lotschicht 34 von Figur 5 liegt. Die Außenkante 54 ist ebenfalls sichtbar. Drahtanschlußkissen 58a bis 59d befinden sich innerhalb des Bereichs 54. Die Fläche 55 ist die Öffnung 33, welche angebracht werden kann, wenn die Scheiben oder Grundplatten 31 und 32 zum Verkleben zusammengebracht werden. Damit sind die Anschlußkissen 58a bis 59d durch die Öffnung 33 hindurch zugangig.

Claims (11)

1. Infrarotempfindliche Baugruppe mit einem Substrat (9) mit einer inneren und einer äußeren Oberfläche sowie Detektorelementen (20) auf der inneren Oberfläche des Substrats, gekennzeichnetdurch einen aus einer für Infrarotstrahlung durchlässigen Scheibe gebildeten oberen Deckel (12) im Abstand von der inneren Oberfläche des Substrats (9), einer hermetischen Abdichtung (16) zwischen dem oberen Deckel (12) und der inneren Oberfläche des Substrats, wodurch eine Atmosphäre geringer thermischer Leitfähigkeit oberhalb der Infrarot- Detektorelemente (20) aufrechterhalten wird.
2. Infrarotabstrahlende Baugruppe mit einem Substrat (9) mit einer inneren und einer äußeren Oberfläche sowie Infrarot-Strahlungselementen (20) auf der inneren Oberfläche des Substrats, gekennzeichnet durch einen aus einer für Infrarotstrahlung durchlässigen Scheibe gebildeten oberen Deckel (12) im Abstand von der inneren Oberfläche des Substrats (9), einer hermetischen Abdichtung (16) zwischen dem oberen Deckel (12) und der inneren Oberfläche des Substrats, wodurch eine Atmosphäre geringer thermischer Leitfähigkeit oberhalb der Infrarot- Strahlungselemente (20) aufrechterhalten wird.
3. Baugruppe nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Atmosphäre niedriger thermischer Leitfähigkeit ein Vakuum ist.
4. Baugruppe nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Atmosphäre niedriger thermischer Leitfähigkeit ein Gas niedriger thermischer Leitfähigkeit ist.
5. Baugruppe nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die innere Oberfläche des Substrats (9) und der obere Deckel (12) weiterhin durch eine in den oberen Deckel (12) eingeätzte Vertiefting voneinander getrennt sind.
6. Baugruppe nach einem der vorangehenden Ansprüche mit einem Stützpfosten (43) oder einem Vorsprung (45), um den oberen Deckel (12, 42) im Abstand von den Infrarotelementen (20) zu halten.
7. Baugruppe nach einem der vorangehenden Ansprüche weiterhin umfassend: eine Gettereinrichtung (23) im Kontakt mit der Atmosphäre niedriger thermischer Leitfähigkeit sowie einer Aktivierungseinrichtung für das Gettermaterial (23), wodurch das Gettermaterial (23) aktiviert werden kann, um die thermische Leitfähigkeit der Atmosphäre niedriger thermischer Leitfähigkeit zu ändern.
8. Baugruppe nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Abdichtungsmittel (16) einen Lotrand umfassen.
9. Baugruppe nach einem der vorangehenden Ansprüche mit: einer Schicht (22) elektrischer Verbindungen zwischen der Oberflächenschicht des Substrats (9, 41), welche die Infrarotelemente (20) mit vom Substrat außerhalb der Abdichtung (16) getragenen Anschlußkissen (18) verbindet; und einer Öffnung (26, 23, 55) im oberen Deckel (12), die Zugang zu den Anschlußkissen (18) zwecks Anbringung von Anschlußdrähten gewährt.
10. Verfahren zum Herstellen einer Infrarotbaugruppe nach Anspruch 1 oder 2 mit einer Anordnung von Infrarotelementen mit den Schritten:
a) Evakuieren einer Kammer, welche ein eine Infrarotanordnung tragendes Substrat (9) und einen für Infrarotstrahlung transparenten Deckel (12) mit darin befindlicher Abdichtung (16) enthält;
b) Anlegen des Substrats (9) an die Abdichtung (16) am oberen Deckel (12), um einen abgedichteten Hohlraum (21) zwischen dem die Infrarotelemente tragenden Substrat und dem oberen Deckel (12) zu erzielen;
c) Aktivieren der Abdichtung (16), um eine permanente Abdichtung zwischen dem die Infrarotelemente tragenden Substrat (9) und dem oberen Deckel (12) zu erzielen.
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Infrarotbaugruppe ein Gettermaterial (23) aufweist, mit dem Schritt: Aktivieren des Gettermaterials (23) um die thermische Leitfähigkeit des abgedichteten Hohlraums (21) zu verändern.
DE69409257T 1993-12-13 1994-12-12 Integrierte silizium-vakuum-mikropackung für infrarot-geräte Expired - Lifetime DE69409257T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16649293A 1993-12-13 1993-12-13
PCT/US1994/014335 WO1995017014A1 (en) 1993-12-13 1994-12-12 Integrated silicon vacuum micropackage for infrared devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69409257D1 DE69409257D1 (de) 1998-04-30
DE69409257T2 true DE69409257T2 (de) 1998-09-10

Family

ID=22603539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69409257T Expired - Lifetime DE69409257T2 (de) 1993-12-13 1994-12-12 Integrierte silizium-vakuum-mikropackung für infrarot-geräte

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5895233A (de)
EP (1) EP0734589B1 (de)
JP (1) JPH09506712A (de)
CA (1) CA2179052C (de)
DE (1) DE69409257T2 (de)
WO (1) WO1995017014A1 (de)

Families Citing this family (148)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0773435A3 (de) * 1995-07-21 1998-03-11 Texas Instruments Incorporated Verfahren und Vorrichtungen zur Strahlungsmessung
GB2310952B (en) * 1996-03-05 1998-08-19 Mitsubishi Electric Corp Infrared detector
US6322670B2 (en) 1996-12-31 2001-11-27 Honeywell International Inc. Flexible high performance microbolometer detector material fabricated via controlled ion beam sputter deposition process
US6036872A (en) * 1998-03-31 2000-03-14 Honeywell Inc. Method for making a wafer-pair having sealed chambers
US6359333B1 (en) * 1998-03-31 2002-03-19 Honeywell International Inc. Wafer-pair having deposited layer sealed chambers
DE69908129D1 (de) * 1998-07-07 2003-06-26 Goodyear Tire & Rubber Verfahren zur herstellung eines kapazitiven sensors
US6252229B1 (en) * 1998-07-10 2001-06-26 Boeing North American, Inc. Sealed-cavity microstructure and microbolometer and associated fabrication methods
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
FR2791811B1 (fr) 1999-03-31 2002-06-14 Sofradir Composant electrique ou electronique encapsule de maniere etanche
US6222454B1 (en) * 1999-07-01 2001-04-24 Goal Electronics Inc. Non-contacting temperature sensing device
US6770503B1 (en) * 1999-10-21 2004-08-03 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Integrated packaging of micromechanical sensors and associated control circuits
US6652452B1 (en) 1999-10-25 2003-11-25 Advanced Medical Electronics Corporation Infrared endoscope with sensor array at the distal tip
US6514789B2 (en) * 1999-10-26 2003-02-04 Motorola, Inc. Component and method for manufacture
DE10004216C2 (de) * 2000-02-01 2002-09-19 Siemens Ag Vorrichtung zur Detektion von Wärmestrahlung und Verwendung der Vorrichtung
US6521477B1 (en) * 2000-02-02 2003-02-18 Raytheon Company Vacuum package fabrication of integrated circuit components
US6479320B1 (en) * 2000-02-02 2002-11-12 Raytheon Company Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components
US6441481B1 (en) * 2000-04-10 2002-08-27 Analog Devices, Inc. Hermetically sealed microstructure package
US6690014B1 (en) 2000-04-25 2004-02-10 Raytheon Company Microbolometer and method for forming
US6686653B2 (en) 2000-06-28 2004-02-03 Institut National D'optique Miniature microdevice package and process for making thereof
CA2312646A1 (en) * 2000-06-28 2001-12-28 Institut National D'optique Hybrid micropackaging of microdevices
JP2002094082A (ja) 2000-07-11 2002-03-29 Seiko Epson Corp 光素子及びその製造方法並びに電子機器
US6569754B2 (en) 2000-08-24 2003-05-27 The Regents Of The University Of Michigan Method for making a module including a microplatform
FR2816447B1 (fr) * 2000-11-07 2003-01-31 Commissariat Energie Atomique Dispositif de detection de rayonnements electromagnetiques tridimensionnel et procede de realisation de ce dispositif
US6657197B2 (en) 2000-12-22 2003-12-02 Honeywell International Inc. Small profile spectrometer
US6541772B2 (en) 2000-12-26 2003-04-01 Honeywell International Inc. Microbolometer operating system
US6559447B2 (en) 2000-12-26 2003-05-06 Honeywell International Inc. Lightweight infrared camera
US7365326B2 (en) * 2000-12-26 2008-04-29 Honeywell International Inc. Camera having distortion correction
US6627892B2 (en) 2000-12-29 2003-09-30 Honeywell International Inc. Infrared detector packaged with improved antireflection element
US6387723B1 (en) 2001-01-19 2002-05-14 Silicon Light Machines Reduced surface charging in silicon-based devices
FR2822541B1 (fr) * 2001-03-21 2003-10-03 Commissariat Energie Atomique Procedes et dispositifs de fabrication de detecteurs de rayonnement
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US6777681B1 (en) 2001-04-25 2004-08-17 Raytheon Company Infrared detector with amorphous silicon detector elements, and a method of making it
US6890834B2 (en) 2001-06-11 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic device and method for manufacturing the same
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
TW533188B (en) * 2001-07-20 2003-05-21 Getters Spa Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
TW583049B (en) * 2001-07-20 2004-04-11 Getters Spa Support with integrated deposit of gas absorbing material for manufacturing microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
US6646778B2 (en) 2001-08-01 2003-11-11 Silicon Light Machines Grating light valve with encapsulated dampening gas
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6856007B2 (en) * 2001-08-28 2005-02-15 Tessera, Inc. High-frequency chip packages
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
JP2003106895A (ja) 2001-10-01 2003-04-09 Nec Corp 熱型赤外線検出素子及びその製造方法
EP1310380A1 (de) * 2001-11-07 2003-05-14 SensoNor asa Eine mikro-mechanische Vorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung
FR2834282B1 (fr) 2001-12-28 2004-02-27 Commissariat Energie Atomique Procede de renforcement d'une microstructure mecanique
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
WO2003062773A1 (en) * 2002-01-24 2003-07-31 Pei Electronics, Inc. Compact integrated infrared scene projector
US6844606B2 (en) * 2002-02-04 2005-01-18 Delphi Technologies, Inc. Surface-mount package for an optical sensing device and method of manufacture
US6762072B2 (en) * 2002-03-06 2004-07-13 Robert Bosch Gmbh SI wafer-cap wafer bonding method using local laser energy, device produced by the method, and system used in the method
EP1495491B1 (de) * 2002-04-15 2020-12-16 Schott AG Verfahren zum verbinden von substraten und verbundelement
JP2003309271A (ja) 2002-04-18 2003-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路素子の実装構造および実装方法
US7276798B2 (en) * 2002-05-23 2007-10-02 Honeywell International Inc. Integral topside vacuum package
EP1369929B1 (de) * 2002-05-27 2016-08-03 STMicroelectronics Srl Herstellungsverfahren von verkapselten optischen Sensoren und so hergestellter verkapselter optischer Sensor
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6767751B2 (en) 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US7308314B2 (en) * 2002-06-06 2007-12-11 Advanced Medical Electronics Method and apparatus for sensory substitution, vision prosthesis, or low-vision enhancement utilizing thermal sensing
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
FR2842022B1 (fr) * 2002-07-03 2005-05-06 Commissariat Energie Atomique Dispositif de maintien d'un objet sous vide et procedes de fabrication de ce dispositif, application aux detecteurs intrarouges non refroidis
US6723579B2 (en) * 2002-07-12 2004-04-20 Analog Devices, Inc. Semiconductor wafer comprising micro-machined components and a method for fabricating the semiconductor wafer
DE10232190A1 (de) * 2002-07-16 2004-02-05 Austriamicrosystems Ag Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mit tiefliegenden Anschlußflächen
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US20040108588A1 (en) * 2002-09-24 2004-06-10 Cookson Electronics, Inc. Package for microchips
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
US6946644B2 (en) * 2002-12-19 2005-09-20 Honeywell International Inc. Sensor for multi-band radiation detection within a field of view
US7115893B1 (en) * 2002-12-19 2006-10-03 Honeywell International Inc. Chemical agent sensor having a stationary linear fringe interferometer
JP4342174B2 (ja) * 2002-12-27 2009-10-14 新光電気工業株式会社 電子デバイス及びその製造方法
US20040147056A1 (en) * 2003-01-29 2004-07-29 Mckinnell James C. Micro-fabricated device and method of making
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
US6958478B2 (en) 2003-05-19 2005-10-25 Indigo Systems Corporation Microbolometer detector with high fill factor and transducers having enhanced thermal isolation
JP2007528120A (ja) * 2003-07-03 2007-10-04 テッセラ テクノロジーズ ハンガリー コルラートルト フェレロェセーギュー タールシャシャーグ 集積回路装置をパッケージングする方法及び装置
US20050012212A1 (en) * 2003-07-17 2005-01-20 Cookson Electronics, Inc. Reconnectable chip interface and chip package
US7012326B1 (en) 2003-08-25 2006-03-14 Xilinx, Inc. Lid and method of employing a lid on an integrated circuit
WO2005031861A1 (en) * 2003-09-26 2005-04-07 Tessera, Inc. Structure and method of making capped chips including a flowable conductive medium
US20050067681A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 Tessera, Inc. Package having integral lens and wafer-scale fabrication method therefor
US7084010B1 (en) 2003-10-17 2006-08-01 Raytheon Company Integrated package design and method for a radiation sensing device
US7871660B2 (en) * 2003-11-14 2011-01-18 Saes Getters, S.P.A. Preparation of getter surfaces using caustic chemicals
US20050139984A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Tessera, Inc. Package element and packaged chip having severable electrically conductive ties
EP1695054A1 (de) * 2003-12-20 2006-08-30 Honeywell International Inc. Mehrbandsensor
JP2005241457A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Hamamatsu Photonics Kk 赤外線センサ及びその製造方法
US20050189635A1 (en) * 2004-03-01 2005-09-01 Tessera, Inc. Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips
US7332411B2 (en) * 2004-08-12 2008-02-19 Hewlett-Packard Development Company, Lp Systems and methods for wafer bonding by localized induction heating
US7204737B2 (en) * 2004-09-23 2007-04-17 Temic Automotive Of North America, Inc. Hermetically sealed microdevice with getter shield
GB0424934D0 (en) * 2004-11-12 2004-12-15 Qinetiq Ltd Infrared detector
CN100388448C (zh) * 2005-02-01 2008-05-14 探微科技股份有限公司 晶片级封装的方法
US20060183270A1 (en) * 2005-02-14 2006-08-17 Tessera, Inc. Tools and methods for forming conductive bumps on microelectronic elements
US8143095B2 (en) * 2005-03-22 2012-03-27 Tessera, Inc. Sequential fabrication of vertical conductive interconnects in capped chips
ITMI20050616A1 (it) * 2005-04-12 2006-10-13 Getters Spa Processo per la formazione di depositi getter miniaturizzati e depositi getrter cosi'ottenuti
DE102005024512B3 (de) * 2005-05-26 2007-02-08 Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh Verfahren zur Herstellung von in ein Gehäuse hermetisch dicht einlötbaren Fensterelementen
US7485956B2 (en) * 2005-08-16 2009-02-03 Tessera, Inc. Microelectronic package optionally having differing cover and device thermal expansivities
US7388284B1 (en) 2005-10-14 2008-06-17 Xilinx, Inc. Integrated circuit package and method of attaching a lid to a substrate of an integrated circuit
US20070114643A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Honeywell International Inc. Mems flip-chip packaging
US7491567B2 (en) * 2005-11-22 2009-02-17 Honeywell International Inc. MEMS device packaging methods
ITMI20052343A1 (it) 2005-12-06 2007-06-07 Getters Spa Processo per la produzione di dispositivi micromeccanici contenenti un materiale getter e dispositivi cosi'prodotti
US20070190747A1 (en) * 2006-01-23 2007-08-16 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer level packaging to lidded chips
US7936062B2 (en) * 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
US7462831B2 (en) 2006-01-26 2008-12-09 L-3 Communications Corporation Systems and methods for bonding
US7459686B2 (en) * 2006-01-26 2008-12-02 L-3 Communications Corporation Systems and methods for integrating focal plane arrays
US7655909B2 (en) * 2006-01-26 2010-02-02 L-3 Communications Corporation Infrared detector elements and methods of forming same
US20080029879A1 (en) * 2006-03-01 2008-02-07 Tessera, Inc. Structure and method of making lidded chips
US7470904B1 (en) * 2006-03-20 2008-12-30 Flir Systems, Inc. Infrared camera packaging
DE102006019080B3 (de) * 2006-04-25 2007-08-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Herstellungsverfahren für ein gehäustes Bauelement
US7501626B2 (en) 2006-06-02 2009-03-10 Honeywell International Inc. Micromechanical thermal sensor
US7718965B1 (en) 2006-08-03 2010-05-18 L-3 Communications Corporation Microbolometer infrared detector elements and methods for forming same
US8153980B1 (en) 2006-11-30 2012-04-10 L-3 Communications Corp. Color correction for radiation detectors
US20080128620A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-05 Krellner Theodore J Method of making a thermopile detector and package
US8604605B2 (en) 2007-01-05 2013-12-10 Invensas Corp. Microelectronic assembly with multi-layer support structure
DE102007024902B8 (de) * 2007-05-29 2010-12-30 Pyreos Ltd. Vorrichtung mit Membranstruktur zur Detektion von Wärmestrahlung, Verfahren zum Herstellen und Verwendung der Vorrichtung
US7713786B2 (en) * 2007-07-19 2010-05-11 Innovative Micro Technology Etching/bonding chamber for encapsulated devices and method of use
US7750301B1 (en) 2007-10-02 2010-07-06 Flir Systems, Inc. Microbolometer optical cavity tuning and calibration systems and methods
US20090114822A1 (en) * 2007-11-06 2009-05-07 Honeywell International Inc. Terahertz dispersive spectrometer system
US8981296B2 (en) 2007-11-06 2015-03-17 Honeywell International Inc. Terahertz dispersive spectrometer system
US7898498B2 (en) * 2008-03-20 2011-03-01 Honeywell International Inc. Transducer for high-frequency antenna coupling and related apparatus and method
US20110158282A1 (en) * 2008-08-28 2011-06-30 Opgal Optronic Industries Ltd. Method for detecting changes in a vacuum state in a detector of a thermal camera
FR2936868B1 (fr) 2008-10-07 2011-02-18 Ulis Detecteur thermique a micro-encapsulation.
JP2010127892A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Seiko Instruments Inc 赤外線センサ
JP5123223B2 (ja) * 2009-01-27 2013-01-23 パナソニック株式会社 赤外線センサ素子のパッケージ
US8451176B2 (en) * 2009-06-11 2013-05-28 Honeywell International Inc. Method for achieving intrinsic safety compliance in wireless devices using isolated overlapping grounds and related apparatus
FR2946777B1 (fr) * 2009-06-12 2011-07-22 Commissariat Energie Atomique Dispositif de detection et/ou d'emission de rayonnement electromagnetique et procede de fabrication d'un tel dispositif
EP2264765A1 (de) 2009-06-19 2010-12-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Gehäuse für eine Infrarot-Mikrovorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Gehäuses
US8471206B1 (en) * 2009-07-14 2013-06-25 Flir Systems, Inc. Infrared detector vacuum test systems and methods
US9658111B2 (en) 2009-10-09 2017-05-23 Flir Systems, Inc. Microbolometer contact systems and methods
US8729474B1 (en) 2009-10-09 2014-05-20 Flir Systems, Inc. Microbolometer contact systems and methods
US8362609B1 (en) 2009-10-27 2013-01-29 Xilinx, Inc. Integrated circuit package and method of forming an integrated circuit package
US8796798B2 (en) * 2010-01-27 2014-08-05 Ricoh Company, Ltd. Imaging module, fabricating method therefor, and imaging device
US8810028B1 (en) 2010-06-30 2014-08-19 Xilinx, Inc. Integrated circuit packaging devices and methods
US8765514B1 (en) 2010-11-12 2014-07-01 L-3 Communications Corp. Transitioned film growth for conductive semiconductor materials
US8608894B2 (en) * 2010-11-23 2013-12-17 Raytheon Company Wafer level packaged focal plane array
US8878071B2 (en) 2011-01-20 2014-11-04 International Business Machines Corporation Integrated device with defined heat flow
US8395229B2 (en) 2011-03-11 2013-03-12 Institut National D'optique MEMS-based getter microdevice
US9748214B2 (en) 2011-10-21 2017-08-29 Santa Barbara Infrared, Inc. Techniques for tiling arrays of pixel elements and fabricating hybridized tiles
US9163995B2 (en) 2011-10-21 2015-10-20 Santa Barbara Infrared, Inc. Techniques for tiling arrays of pixel elements
EP2828629B1 (de) 2012-03-23 2021-06-16 Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikrovorrichtung mit elektromagnetischer strahlung, wafer-element und verfahren zur herstellung eines derartigen mikrovorrichtung
CN102723345B (zh) * 2012-05-31 2015-04-01 苏州晶方半导体科技股份有限公司 红外传感器封装结构及其封装方法
US9427776B2 (en) 2012-08-23 2016-08-30 Raytheon Company Method of stress relief in anti-reflective coated cap wafers for wafer level packaged infrared focal plane arrays
FR2999805B1 (fr) 2012-12-17 2017-12-22 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un dispositif de detection infrarouge
FR2999803B1 (fr) 2012-12-17 2018-02-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif de detection infrarouge
US9771258B2 (en) * 2015-06-24 2017-09-26 Raytheon Company Wafer level MEMS package including dual seal ring
US9570321B1 (en) 2015-10-20 2017-02-14 Raytheon Company Use of an external getter to reduce package pressure
FR3047842B1 (fr) * 2016-02-12 2018-05-18 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Composant electronique a resistance metallique suspendue dans une cavite fermee
FR3066044B1 (fr) * 2017-05-02 2020-02-21 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Detecteur de rayonnement electromagnetique, encapsule par report de couche mince.
JP7292077B2 (ja) * 2018-07-11 2023-06-16 三菱電機株式会社 パッケージ素子の製造方法およびパッケージ素子
FR3099953B1 (fr) * 2019-08-14 2021-07-30 Elichens Procédé de fabrication collective d'un détecteur pyroélectrique
JP7448381B2 (ja) * 2020-03-13 2024-03-12 セイコーインスツル株式会社 パッケージ及びパッケージの製造方法
EP3971543B1 (de) 2020-09-17 2024-02-07 Lynred Verfahren zur herstellung eines infrarotdetektors und zugehöriger infrarotdetektor
CN117480365A (zh) * 2021-06-03 2024-01-30 三菱电机株式会社 半导体传感器及其制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3577037A (en) * 1968-07-05 1971-05-04 Ibm Diffused electrical connector apparatus and method of making same
US3973146A (en) * 1974-03-18 1976-08-03 North American Philips Corporation Signal detector comprising field effect transistors
US4122479A (en) * 1975-01-31 1978-10-24 Hitachi, Ltd. Optoelectronic device having control circuit for light emitting element and circuit for light receiving element integrated in a semiconductor body
US4369458A (en) * 1980-07-01 1983-01-18 Westinghouse Electric Corp. Self-aligned, flip-chip focal plane array configuration
GB2116363B (en) * 1982-03-03 1985-10-16 Philips Electronic Associated Multi-level infra-red detectors and their manufacture
GB2121598A (en) * 1982-04-27 1983-12-21 Marconi Co Ltd Sealing optoelectronic packages
US4784970A (en) * 1987-11-18 1988-11-15 Grumman Aerospace Corporation Process for making a double wafer moated signal processor
JPH0298965A (ja) * 1988-10-05 1990-04-11 Fujitsu Ltd 多素子赤外線検知センサ
AU631734B2 (en) * 1990-04-18 1992-12-03 Terumo Kabushiki Kaisha Infrared ray sensor and method of manufacturing the same
EP0566156B1 (de) * 1992-04-17 1997-08-27 Terumo Kabushiki Kaisha Infrarotsensor und Verfahren für dessen Herstellung
US5318666A (en) * 1993-04-19 1994-06-07 Texas Instruments Incorporated Method for via formation and type conversion in group II and group VI materials

Also Published As

Publication number Publication date
EP0734589A1 (de) 1996-10-02
EP0734589B1 (de) 1998-03-25
JPH09506712A (ja) 1997-06-30
CA2179052A1 (en) 1995-06-22
WO1995017014A1 (en) 1995-06-22
CA2179052C (en) 2001-02-13
DE69409257D1 (de) 1998-04-30
US5895233A (en) 1999-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69409257T2 (de) Integrierte silizium-vakuum-mikropackung für infrarot-geräte
DE4102524C2 (de) Infrarotsensor
DE69313337T2 (de) Infrarotsensor und Verfahren für dessen Herstellung
DE4418207C1 (de) Thermischer Sensor/Aktuator in Halbleitermaterial
DE60026895T2 (de) Mikrodeckelgehäuse auf Scheibenniveau
DE69123575T2 (de) Thermischer infrarotdetektor des bolometertyps mit halbleiterfilm
DE102006019080B3 (de) Herstellungsverfahren für ein gehäustes Bauelement
DE60032199T2 (de) Verpackung auf Waferebene unter Verwendung einer Mikrokappe mit Vias
WO2017089604A1 (de) Thermischer infrarot-sensorarray im wafer-level-package
DE68923589T2 (de) Infrarot-Detektor.
EP1296122B1 (de) Sensor zum berührungslosen Messen einer Temperatur
DE69210735T2 (de) Ungekühlter Infrarot-Detektor und Herstellungsverfahren dazu
DE112013001011B4 (de) Thermopile Infrarot-Sensorstruktur mit hohem Füllgrad
WO2006122529A2 (de) Thermopile infrarot sensorarray
DE60304198T2 (de) Einrichtung zum halten eines objekts unter vakuum und verfahren zu ihrer herstellung und benutzung in nichtgekühlten infrarotsensoren
DE69105641T2 (de) Infrarotdetektoren und deren Herstellung.
DE3644874A1 (de) Hybridstruktur
DE102008027999A1 (de) Halbleitersensor
DE10351761A1 (de) Sensor für eine dynamische Grösse
DE102006045900A1 (de) Halbleitermodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE60007804T2 (de) Bolometrischer Detektor mit elektrischer Zwischenisolation und Verfahren zu seiner Herstellung
DE112013004116T5 (de) CMOS-Bolometer
DE19638373A1 (de) Halbleitersensor und sein Herstellungsverfahren
WO2004102140A1 (de) Infrarotsensor mit optimierter flächennutzung
DE3438764A1 (de) Thermoelektrischer detektor

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition