JPH0298965A - 多素子赤外線検知センサ - Google Patents
多素子赤外線検知センサInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
多素子赤外線検知センサに関し、
多数の受光部が共通に接続されるアースラインの抵抗、
発熱及び受光部の検出性能のバラツキを減少させること
を目的とし、 櫛歯状に成形された光導電体層の各櫛歯の中央部に受光
部を設け、各受光部の両側にアース電極と出力電極を形
成するとともに、各櫛歯に共通な支持部に各アース電極
に共通なアースラインを形成した受光素子板と、上記多
数の受光部に対応する窓を有するアパーチャ板を備えた
多素子赤外線検知センサに於いて、上記アパーチャ板の
アースラインに対応する位置に、該アースラインに接す
る導電体層を形成した構成とした。
発熱及び受光部の検出性能のバラツキを減少させること
を目的とし、 櫛歯状に成形された光導電体層の各櫛歯の中央部に受光
部を設け、各受光部の両側にアース電極と出力電極を形
成するとともに、各櫛歯に共通な支持部に各アース電極
に共通なアースラインを形成した受光素子板と、上記多
数の受光部に対応する窓を有するアパーチャ板を備えた
多素子赤外線検知センサに於いて、上記アパーチャ板の
アースラインに対応する位置に、該アースラインに接す
る導電体層を形成した構成とした。
本発明は、多素子光検知センサに関し、特に、多素子赤
外線検知センサのアースラインの構成に関するものであ
る。
外線検知センサのアースラインの構成に関するものであ
る。
第3図は視野角を制限するアパーチャ板7を外した状態
の従来の多素子赤外線検知センサの分解斜視図を示すも
のである。受光素子板1はサファイア等のセラミック基
板la上に貼り付けられた光導電体層1bを櫛歯型に成
形し、その各櫛歯の後端部にアース電極3aを、また各
櫛歯に共通の支持部に各アース電板3aに共通なアース
ライン3bを蒸着によって形成し、該アースライン3b
は一端部(図面上左部)にある櫛歯に導かれてアースバ
ッド5を形成する一方、各櫛歯の中央部に受光部2を残
して、先端に出力電極4が前記アース電極3a、アース
ライン3bと同時蒸着によって形成された構成となって
いる。また、上記のように構成された光導電体層1bの
上面は各受光部2の視野を制限する窓6を有するアパー
チャ板7によって覆われるようになっている。
の従来の多素子赤外線検知センサの分解斜視図を示すも
のである。受光素子板1はサファイア等のセラミック基
板la上に貼り付けられた光導電体層1bを櫛歯型に成
形し、その各櫛歯の後端部にアース電極3aを、また各
櫛歯に共通の支持部に各アース電板3aに共通なアース
ライン3bを蒸着によって形成し、該アースライン3b
は一端部(図面上左部)にある櫛歯に導かれてアースバ
ッド5を形成する一方、各櫛歯の中央部に受光部2を残
して、先端に出力電極4が前記アース電極3a、アース
ライン3bと同時蒸着によって形成された構成となって
いる。また、上記のように構成された光導電体層1bの
上面は各受光部2の視野を制限する窓6を有するアパー
チャ板7によって覆われるようになっている。
上述した赤外線検知センサは例えば液体窒素温度に冷却
され、撮像素子として利用される。
され、撮像素子として利用される。
上記アースライン3bは受光部2の数が増大すればする
程長くなり、それだけ抵抗も大きくなって、アースバッ
ド5から遠い受光部2に必要な電流を供給するためには
アースライン3bに流す電流を大きくする必要が生じる
が、アースライン3bの電流を大きくするとアースライ
ン3bの発熱が増大し、赤外線検知センサの冷却が不充
分となって満足な性能が得られなくなる。また、受光部
2の数が多くなると、その距離に応じてアースバッド5
と各受光部2間の抵抗値が異なり、各受光部2の検出性
能にバラツキが生じるという問題が顕著になってくる。
程長くなり、それだけ抵抗も大きくなって、アースバッ
ド5から遠い受光部2に必要な電流を供給するためには
アースライン3bに流す電流を大きくする必要が生じる
が、アースライン3bの電流を大きくするとアースライ
ン3bの発熱が増大し、赤外線検知センサの冷却が不充
分となって満足な性能が得られなくなる。また、受光部
2の数が多くなると、その距離に応じてアースバッド5
と各受光部2間の抵抗値が異なり、各受光部2の検出性
能にバラツキが生じるという問題が顕著になってくる。
これらの問題を解決するためにはアースライン3bの膜
厚を厚くしてその抵抗値を低下させることが有効である
。しかしながら、アースライン3bは上記のように光導
電体層1bを櫛歯状に成形した後に蒸着によって形成し
ているので、素子の製造上充分な膜厚が得られない難点
がある。
厚を厚くしてその抵抗値を低下させることが有効である
。しかしながら、アースライン3bは上記のように光導
電体層1bを櫛歯状に成形した後に蒸着によって形成し
ているので、素子の製造上充分な膜厚が得られない難点
がある。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、ア
ースラインの抵抗、アースラインの発熱及び受光部の検
出性能のバラツキを減少させた多素子赤外線検知センサ
を提供することを目的とするものである。
ースラインの抵抗、アースラインの発熱及び受光部の検
出性能のバラツキを減少させた多素子赤外線検知センサ
を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために本発明は、第1図に示すよう
に多数の受光部2の一端に形成された多数のアース電極
3aに共通に連続して形成されるアースライン3bと上
記多数の受光部2に対応する窓6を有するアパーチャ板
7を備えた多素子赤外線検知センサに於いて、前記アパ
ーチャ板7のアースライン3bに対応する位置に、該ア
ースライン3bに接する導電体層8を形成した構成とし
ている。
に多数の受光部2の一端に形成された多数のアース電極
3aに共通に連続して形成されるアースライン3bと上
記多数の受光部2に対応する窓6を有するアパーチャ板
7を備えた多素子赤外線検知センサに於いて、前記アパ
ーチャ板7のアースライン3bに対応する位置に、該ア
ースライン3bに接する導電体層8を形成した構成とし
ている。
上記の構成によれば、各アース電極3aがアースライン
3bと導電体層8とに共通に接続されるので、アースラ
イン3b端(アースバッド)と各受光部2間の抵抗が減
少し、また、アースライン3b端と各受光部2間の抵抗
値を均一化できる。
3bと導電体層8とに共通に接続されるので、アースラ
イン3b端(アースバッド)と各受光部2間の抵抗が減
少し、また、アースライン3b端と各受光部2間の抵抗
値を均一化できる。
以下、本発明の実施例を図面に基づき詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る多素子赤外線検知セン
サの分解斜視図であり、第2図はその縦断正面図である
。受光素子板1は従来と全く同様に構成される。すなわ
ち、セラミック基板la上の櫛歯型に成形された光導電
体itbの上面の一#1(図面上左端)の櫛歯を除く各
櫛歯上面の後端側にアース電極3a、先端側に出力電極
4、中央に受光部2を形成し、また上記アース電極3a
が各櫛歯に共通な支持部に形成されたアースライン3b
で共通に接続されて、一端の櫛歯(図面上左端部)に形
成されたアースバッド5に導かれる。
サの分解斜視図であり、第2図はその縦断正面図である
。受光素子板1は従来と全く同様に構成される。すなわ
ち、セラミック基板la上の櫛歯型に成形された光導電
体itbの上面の一#1(図面上左端)の櫛歯を除く各
櫛歯上面の後端側にアース電極3a、先端側に出力電極
4、中央に受光部2を形成し、また上記アース電極3a
が各櫛歯に共通な支持部に形成されたアースライン3b
で共通に接続されて、一端の櫛歯(図面上左端部)に形
成されたアースバッド5に導かれる。
また上記アースライン3b、出力電極4及びアースバン
ド5等が公知の金属蒸着法によって光導電体層1bに形
成されることも従来と同じである。
ド5等が公知の金属蒸着法によって光導電体層1bに形
成されることも従来と同じである。
一方、前記光導電体層1bの上面は、各受光部4の視野
を制限する窓6を有するアパーチャ板7で覆われる。こ
のアパーチャ板7は金属板からなり、その裏面を絶縁化
した後、黒化処理を施し、光の反射を防止するようにし
ている。また、このアパーチャ板7の裏面の上記アース
ライン3b及びアースバッド5に対応する位置には、該
アースライン3b及びアースバッド5に対応する形状に
形成された導電体層8が成形される。該導電体層8は、
例えば蒸着によって形成されるのであるが、アパーチャ
板7の裏面は平面状であるので、形成される蒸着膜の厚
みが制限されることはなく、長さに対して比較的抵抗の
少ないパターンを形成できる。そして、この導電体層8
は、アパーチャ板7を光導電体層lbの上面に重ねた時
にアースライン3b及びアースバッド5に密着するよう
になっている。
を制限する窓6を有するアパーチャ板7で覆われる。こ
のアパーチャ板7は金属板からなり、その裏面を絶縁化
した後、黒化処理を施し、光の反射を防止するようにし
ている。また、このアパーチャ板7の裏面の上記アース
ライン3b及びアースバッド5に対応する位置には、該
アースライン3b及びアースバッド5に対応する形状に
形成された導電体層8が成形される。該導電体層8は、
例えば蒸着によって形成されるのであるが、アパーチャ
板7の裏面は平面状であるので、形成される蒸着膜の厚
みが制限されることはなく、長さに対して比較的抵抗の
少ないパターンを形成できる。そして、この導電体層8
は、アパーチャ板7を光導電体層lbの上面に重ねた時
にアースライン3b及びアースバッド5に密着するよう
になっている。
上記の構成によれば、各受光部2はアースライン3b及
び導電体層8を介してアースバッド5に接続されること
になり、かつ、導電体層8の厚みを充分に大きくするこ
とができるので、アースバッド5と各受光部2間の抵抗
値は小さくなる。従って、アースバッド5から距離的に
遠い受光部2であっても電流を小さくすることができ、
アースライン3bの発熱を減少させることができる。ま
た、アースバッド5と各受光部2間の抵抗値のバラツキ
を小さくでき、各受光部2の出力性能を均一化させるこ
とができる。
び導電体層8を介してアースバッド5に接続されること
になり、かつ、導電体層8の厚みを充分に大きくするこ
とができるので、アースバッド5と各受光部2間の抵抗
値は小さくなる。従って、アースバッド5から距離的に
遠い受光部2であっても電流を小さくすることができ、
アースライン3bの発熱を減少させることができる。ま
た、アースバッド5と各受光部2間の抵抗値のバラツキ
を小さくでき、各受光部2の出力性能を均一化させるこ
とができる。
以上説明したように、本発明の多素子赤外線検知センサ
によれば、各受光部が光導電体層上に形成されたアース
ライン及びアパーチャ板裏面に形成された導電体層に共
通に接続されるので、アースライン端(アースバンド)
と各受光部間の抵抗値を低くでき、アースラインに流す
電流を小さくして、その発熱を減少させることができ、
また、各受光部の出力性能を均一化できる。
によれば、各受光部が光導電体層上に形成されたアース
ライン及びアパーチャ板裏面に形成された導電体層に共
通に接続されるので、アースライン端(アースバンド)
と各受光部間の抵抗値を低くでき、アースラインに流す
電流を小さくして、その発熱を減少させることができ、
また、各受光部の出力性能を均一化できる。
第1図は本発明の一実施例に係る多素子赤外線検知セン
サの分解斜視図であり、第2図はその縦断正面図、第3
図は従来の赤外線検知センサの分解斜視図である。 図中、
サの分解斜視図であり、第2図はその縦断正面図、第3
図は従来の赤外線検知センサの分解斜視図である。 図中、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔1〕櫛歯状に成形された光導電体層(1b)の各櫛歯
の中央部に受光部(2)を設け、各受光部(2)の両側
にアース電極(3a)と出力電極(4)を形成するとと
もに、各櫛歯に共通な支持部に各アース電極(3a)に
共通なアースライン(3b)を形成した受光素子板(1
)と、上記多数の受光部(2)に対応する窓(6)を有
するアパーチャ板(7)を備えた多素子赤外線検知セン
サに於いて、 上記アパーチャ板(7)のアースライン(3b)に対応
する位置に、該アースライン(3b)に接する導電体層
(8)を形成したことを特徴とする多素子赤外線検知セ
ンサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63252818A JPH0298965A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 多素子赤外線検知センサ |
US07/413,751 US5006711A (en) | 1988-10-05 | 1989-09-28 | Multielement infrared detector for thermal imaging |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63252818A JPH0298965A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 多素子赤外線検知センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0298965A true JPH0298965A (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=17242635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63252818A Pending JPH0298965A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 多素子赤外線検知センサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5006711A (ja) |
JP (1) | JPH0298965A (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5315434A (en) * | 1991-05-21 | 1994-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Infrared-transmissive lens and human body detecting sensor using the same |
WO1995017014A1 (en) * | 1993-12-13 | 1995-06-22 | Honeywell Inc. | Integrated silicon vacuum micropackage for infrared devices |
US6036872A (en) | 1998-03-31 | 2000-03-14 | Honeywell Inc. | Method for making a wafer-pair having sealed chambers |
DE19842403B4 (de) * | 1998-09-16 | 2004-05-06 | Braun Gmbh | Strahlungssensor mit mehreren Sensorelementen |
EP1369929B1 (en) * | 2002-05-27 | 2016-08-03 | STMicroelectronics Srl | A process for manufacturing encapsulated optical sensors, and an encapsulated optical sensor manufactured using this process |
US7773070B2 (en) * | 2004-05-21 | 2010-08-10 | Cypress Semiconductor Corporation | Optical positioning device using telecentric imaging |
US8101813B2 (en) * | 2008-10-30 | 2012-01-24 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Training progress indicator |
USD656852S1 (en) | 2010-08-06 | 2012-04-03 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Wetness indicator |
US9018434B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-04-28 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Absorbent articles with intricate graphics |
US9220640B2 (en) | 2010-12-30 | 2015-12-29 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Absorbent article including two dimensional code made from an active graphic |
DE112012005068B4 (de) * | 2011-12-05 | 2023-11-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Infraroterfassungselement, Infraroterfassungsmodul und Herstellungsverfahren derselben |
US9696053B2 (en) * | 2013-08-28 | 2017-07-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Thermal image sensor and air conditioner |
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1989
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Also Published As
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