JPH0422248B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0422248B2 JPH0422248B2 JP8269484A JP8269484A JPH0422248B2 JP H0422248 B2 JPH0422248 B2 JP H0422248B2 JP 8269484 A JP8269484 A JP 8269484A JP 8269484 A JP8269484 A JP 8269484A JP H0422248 B2 JPH0422248 B2 JP H0422248B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- wafer
- chip
- view
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0102—Constructional details, not otherwise provided for in this subclass
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は電気光学効果を有する透明強誘電体
セラミツクスを利用した光シヤツタ素子に関し、
更に詳しくは、加熱セラミツクスよりなる多数の
チツプ基板を一列に配列してなる光シヤツタ素子
に関する。
セラミツクスを利用した光シヤツタ素子に関し、
更に詳しくは、加熱セラミツクスよりなる多数の
チツプ基板を一列に配列してなる光シヤツタ素子
に関する。
この種の光シヤツタ素子にあつては偏光方向が
互いに直交した一対の偏光子間に、電界の方向が
入射光の偏光方向と45゜の角度をなしてPLZT
（Pb、La、Zr、Ti）等の透明強誘電体セラミツ
クスよりなる基板を配置している。
互いに直交した一対の偏光子間に、電界の方向が
入射光の偏光方向と45゜の角度をなしてPLZT
（Pb、La、Zr、Ti）等の透明強誘電体セラミツ
クスよりなる基板を配置している。
そして、例えば第４図に示すようにPLZTより
なる基板（ウエハ）２１の表裏両面にくし歯状の
平面電極２２，２２を設けた構成を有している。
なる基板（ウエハ）２１の表裏両面にくし歯状の
平面電極２２，２２を設けた構成を有している。
しかしながら、このような従来のものにあつて
は、基板２１の厚さｔ、電極２２の幅ｗ、電極間
隔ｇ等をパラメータとして電界分布が変動するた
め、動作電圧や光透過率が大きく影響されてお
り、特に動作電圧を低くしようとして電極間隔ｇ
を狭くすると、電界分布が表面だけに集中してし
まうために動作電圧は下がらず、むしろ増大して
しまう場合がある。
は、基板２１の厚さｔ、電極２２の幅ｗ、電極間
隔ｇ等をパラメータとして電界分布が変動するた
め、動作電圧や光透過率が大きく影響されてお
り、特に動作電圧を低くしようとして電極間隔ｇ
を狭くすると、電界分布が表面だけに集中してし
まうために動作電圧は下がらず、むしろ増大して
しまう場合がある。
また、電極幅ｗはホトリソ（ホトエツチングプ
ロセス）技術による限界（10μm程度）があるた
め、特に電極間隔ｇを狭くした場合に開口率（光
の透過する面積／全面積）を大きくとれないため
に光透過率を大きくできない等の欠点を有してし
た。
ロセス）技術による限界（10μm程度）があるた
め、特に電極間隔ｇを狭くした場合に開口率（光
の透過する面積／全面積）を大きくとれないため
に光透過率を大きくできない等の欠点を有してし
た。
また、前記のような平面電極２２による電界分
布の不均一性を改善するために、第５図に示すよ
うに光透過性の基板（ウエハ）３１の表面に溝形
電極３２設けた構造のものも検討されている。
布の不均一性を改善するために、第５図に示すよ
うに光透過性の基板（ウエハ）３１の表面に溝形
電極３２設けた構造のものも検討されている。
しかしながら、このようなものにあつては、動
作電圧は平面電極２２に比べて低くすることがで
きるが、ダイシングによつて溝を形成するため
に、電極ｗは溝幅による制約を受けて20〜40μm
程度より狭くすることができず、電極間隔ｇを狭
くすると開口率が下がつて光透過率が低下してし
まうという欠点を有していた。
作電圧は平面電極２２に比べて低くすることがで
きるが、ダイシングによつて溝を形成するため
に、電極ｗは溝幅による制約を受けて20〜40μm
程度より狭くすることができず、電極間隔ｇを狭
くすると開口率が下がつて光透過率が低下してし
まうという欠点を有していた。
この発明は前記のような従来のもののもつ欠点
を排除して、電界分布の不均一性をさらに改善
し、特性を向上させた光シヤツタ素子を提供する
ことを目的とする。
を排除して、電界分布の不均一性をさらに改善
し、特性を向上させた光シヤツタ素子を提供する
ことを目的とする。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するため、本発明の光シヤツタ
素子は透明強誘電体セラミツクスよりなる多数の
チツプ基板を一列に積層し、各チツプ基板間にお
いて、光透過方向に沿つて貫通した内部層状電極
を設けており、これにより電極幅を狭くして、動
作電圧を低下させるとともに、光透過率も高くす
ることができる。
素子は透明強誘電体セラミツクスよりなる多数の
チツプ基板を一列に積層し、各チツプ基板間にお
いて、光透過方向に沿つて貫通した内部層状電極
を設けており、これにより電極幅を狭くして、動
作電圧を低下させるとともに、光透過率も高くす
ることができる。
以下、図面に示すこの発明の実施例について説
明する。
明する。
第１図にはこの発明による光シヤツタ素子の一
実施例が示されており、この光シヤツタ素子は、
PLZT等の透明強誘電体セラミツクスよりなる多
数のチツプ基板を一列に積層したアレー構造を有
し、チツプ基板１間に、光透過方向に沿つて貫通
した内部層状電極２を設けた構造を有しており、
ｔはチツプ基板１の厚さ、ｗは電極２の幅、ｇは
電極間隔である。
実施例が示されており、この光シヤツタ素子は、
PLZT等の透明強誘電体セラミツクスよりなる多
数のチツプ基板を一列に積層したアレー構造を有
し、チツプ基板１間に、光透過方向に沿つて貫通
した内部層状電極２を設けた構造を有しており、
ｔはチツプ基板１の厚さ、ｗは電極２の幅、ｇは
電極間隔である。
そして、この光シヤツタ素子の製造工程は第２
図に示されており、まず厚さｇのPLZTセラミツ
クスのウエハ１′を用意し｛第２図ａ，ｂ参照｝、
このウエハ１′の表裏両面に、厚さｗ／２の金属
電極２′を互いに位相ずらして（その面方向にお
いて相対向する辺部が互いに平行なる金属電極
２′の非被着領域となるように）蒸着し｛第２図
ｃ，ｄ参照｝、これを幅ｔでダイシングして多数
のチツプ基板１を形成し、｛第２図ｅ，ｆ参照｝、
つぎに前記電極２′，２′どうしが接するようにむ
きを並べ変え、且つ１つおきのチツプ基板１間の
金属電極２′，２′が互いに位置をずらせるように
してこれにより厚さｇのウエハ１′から厚さｔの
チツプ基板１が一列に積層されたものを構成し
｛第２図ｇ，ｆ参照｝、つぎに圧着により電極２′，
２′どうしを密接して内部層状電極２を構成し
｛第２図ｉ，ｊ参照｝チツプ基板１、１の間隙お
よびその外側に電気絶縁材３を充填し、次に両面
（図示紙面と平行な面）に鏡面研磨を施し｛第２
図ｋ参照｝、さらに側面電極４，４を両側に取り
付けて電極２，２…を対向した一対のくし歯状電
極に構成する｛第２図ｌ，ｍ参照｝。
図に示されており、まず厚さｇのPLZTセラミツ
クスのウエハ１′を用意し｛第２図ａ，ｂ参照｝、
このウエハ１′の表裏両面に、厚さｗ／２の金属
電極２′を互いに位相ずらして（その面方向にお
いて相対向する辺部が互いに平行なる金属電極
２′の非被着領域となるように）蒸着し｛第２図
ｃ，ｄ参照｝、これを幅ｔでダイシングして多数
のチツプ基板１を形成し、｛第２図ｅ，ｆ参照｝、
つぎに前記電極２′，２′どうしが接するようにむ
きを並べ変え、且つ１つおきのチツプ基板１間の
金属電極２′，２′が互いに位置をずらせるように
してこれにより厚さｇのウエハ１′から厚さｔの
チツプ基板１が一列に積層されたものを構成し
｛第２図ｇ，ｆ参照｝、つぎに圧着により電極２′，
２′どうしを密接して内部層状電極２を構成し
｛第２図ｉ，ｊ参照｝チツプ基板１、１の間隙お
よびその外側に電気絶縁材３を充填し、次に両面
（図示紙面と平行な面）に鏡面研磨を施し｛第２
図ｋ参照｝、さらに側面電極４，４を両側に取り
付けて電極２，２…を対向した一対のくし歯状電
極に構成する｛第２図ｌ，ｍ参照｝。
次ぎに前記のものの作用について説明する。
前記のように構成すると、第２図ｎのように前
記電極２の厚さｗを数μm以下に狭くすることが
でき、また電極間隔ｇはウエハ１′の厚さで決ま
るから、たとえば300μm程度の狭さにすることが
でき、そのため低い動作電圧と高い光透過率とを
ともに得ることができる。
記電極２の厚さｗを数μm以下に狭くすることが
でき、また電極間隔ｇはウエハ１′の厚さで決ま
るから、たとえば300μm程度の狭さにすることが
でき、そのため低い動作電圧と高い光透過率とを
ともに得ることができる。
第３図にはこの発明による光シヤツタ素子の他
の実施例の製造工程が示されている。
の実施例の製造工程が示されている。
すなわち、厚さｇのウエハ１１′｛第３図ａ，
ｂ参照｝にまずテーパ面１５を形成し｛第５図
ｃ，ｄ参照｝、その後、テーパ面１５を含めてウ
エハ１１′の表裏両面に厚さｗ／２の金属電極１
２′を互いに位相をずらして蒸着し｛第３図ｅ，
ｆ参照｝、これを幅ｔでダイシング｛第３図ｇ参
照｝、つぎに前記電極１２′，１２′どうしが接す
るように向きを並べ変えて厚さｇのウエハ１１か
ら厚さｔのチツプ基板１１を多数一列に積層した
ものを構成するとともに、電極１２′，１２′どう
しを圧着して内部層状電極１２を構成し｛第３図
ｈ参照｝、テーパ面のない基板１１，１１の間隙
およびその外側に電気絶縁材１３を充填し、側面
電極１４，１４を両側面に取り付けて電極１２，
１２…を対向したくし歯状電極に構成すると共
に、両面に鏡面研磨を施す｛第３図ｉ参照｝。
ｂ参照｝にまずテーパ面１５を形成し｛第５図
ｃ，ｄ参照｝、その後、テーパ面１５を含めてウ
エハ１１′の表裏両面に厚さｗ／２の金属電極１
２′を互いに位相をずらして蒸着し｛第３図ｅ，
ｆ参照｝、これを幅ｔでダイシング｛第３図ｇ参
照｝、つぎに前記電極１２′，１２′どうしが接す
るように向きを並べ変えて厚さｇのウエハ１１か
ら厚さｔのチツプ基板１１を多数一列に積層した
ものを構成するとともに、電極１２′，１２′どう
しを圧着して内部層状電極１２を構成し｛第３図
ｈ参照｝、テーパ面のない基板１１，１１の間隙
およびその外側に電気絶縁材１３を充填し、側面
電極１４，１４を両側面に取り付けて電極１２，
１２…を対向したくし歯状電極に構成すると共
に、両面に鏡面研磨を施す｛第３図ｉ参照｝。
そして、このものにあつては、第２図に示すも
のと同様の作用を有するほか、内部層状電極１２
と両側電極１４との接続を容易に、かつ確実に行
うことができる。
のと同様の作用を有するほか、内部層状電極１２
と両側電極１４との接続を容易に、かつ確実に行
うことができる。
なお、第３図に示す実施例では電極１２′を蒸
着する部分にテーパ面１５を形成したか、電気絶
縁材１３を充填する部分にあらかじめテーパ面を
同様に形成してもよいことは勿論である。
着する部分にテーパ面１５を形成したか、電気絶
縁材１３を充填する部分にあらかじめテーパ面を
同様に形成してもよいことは勿論である。
また、実施例においてはチツプ基板を一列に配
設し長尺のものを示したが、この一列のアレイを
多数組合せて面状に形成できることは言うまでも
ない。
設し長尺のものを示したが、この一列のアレイを
多数組合せて面状に形成できることは言うまでも
ない。
この発明は前記のように構成したことにより、
電極幅を充分狭くすることができ、そのため開口
率を低下させずに電極間隔を狭くすることがで
き、したがつて、動作電圧を低くすることができ
るとともに、光透過率を高くすることができて光
シヤツタ素子の最も重要な２つの特性をともに向
上させることができるなどのすぐれた効果を有す
るものである。
電極幅を充分狭くすることができ、そのため開口
率を低下させずに電極間隔を狭くすることがで
き、したがつて、動作電圧を低くすることができ
るとともに、光透過率を高くすることができて光
シヤツタ素子の最も重要な２つの特性をともに向
上させることができるなどのすぐれた効果を有す
るものである。
第１図はこの発明一実施例を示す断面図、第２
図は第１図のものの製造工程を示し、ａ，ｂをウ
エハの正面図および端面図、ｃ，ｄは電極蒸着工
程の正面図および端面図、ｅ，ｆはダイシング工
程の正面図および端面図、ｇ，ｈは並べ変えた工
程の正面図および端面図、ｉ，ｊは電極接着工程
の正面図および斜視図、ｋは電気絶縁、鏡面研磨
工程の正面図、ｌ，ｍ，ｎは側面電極取り付け工
程の正面図、斜視図およびｎ−ｎ線に沿つて見た
断面図、第３図はこの発明の他の実施例の製造工
程を示し、ａ，ｂはウエハの正面図および端面
図、ｃ，ｄはテーパ面形成工程の正面図および端
面図、ｅ，ｆは電極蒸着工程の正面図および端面
図、ｇはダイシング工程の正面図、ｈは並び変
え・電極接着工程の正面図、ｉは電気絶縁・鏡面
研磨・側面電極取り付け工程の正面図、第４図ａ
は従来のものの一例を示す正面図、第４図ｂは第
４図ａのｂ−ｂ線に沿つて見た拡大断面図、第５
図は従来のものの他の例を示す断面図である。 １，１１……チツプ基板、１′，１１′……ウエ
ハ、２，１２……内部層状電極、２′，１２′……
金属電極、３，１３……電気絶縁材、４，１４…
…側面電極、１５……テーパ面、２１，３１……
基板（ウエハ）、２２……平面電極、３２……溝
形電極。
図は第１図のものの製造工程を示し、ａ，ｂをウ
エハの正面図および端面図、ｃ，ｄは電極蒸着工
程の正面図および端面図、ｅ，ｆはダイシング工
程の正面図および端面図、ｇ，ｈは並べ変えた工
程の正面図および端面図、ｉ，ｊは電極接着工程
の正面図および斜視図、ｋは電気絶縁、鏡面研磨
工程の正面図、ｌ，ｍ，ｎは側面電極取り付け工
程の正面図、斜視図およびｎ−ｎ線に沿つて見た
断面図、第３図はこの発明の他の実施例の製造工
程を示し、ａ，ｂはウエハの正面図および端面
図、ｃ，ｄはテーパ面形成工程の正面図および端
面図、ｅ，ｆは電極蒸着工程の正面図および端面
図、ｇはダイシング工程の正面図、ｈは並び変
え・電極接着工程の正面図、ｉは電気絶縁・鏡面
研磨・側面電極取り付け工程の正面図、第４図ａ
は従来のものの一例を示す正面図、第４図ｂは第
４図ａのｂ−ｂ線に沿つて見た拡大断面図、第５
図は従来のものの他の例を示す断面図である。 １，１１……チツプ基板、１′，１１′……ウエ
ハ、２，１２……内部層状電極、２′，１２′……
金属電極、３，１３……電気絶縁材、４，１４…
…側面電極、１５……テーパ面、２１，３１……
基板（ウエハ）、２２……平面電極、３２……溝
形電極。
Claims (1)
- １ 透明強誘電体セラミツクスよりなる多数のチ
ツプ基板を一列に積層し、該各チツプ基板間にお
いて光透過方向に沿つて貫通した内部層状電極を
設けると共に、該内部層状電極は対向した一対の
くし歯状電極となるように、１つおきのチツプ基
板間の内部層状電極を、光透過方向に沿つたいま
一対の対向面において電気的に接続したことを特
徴とする光シヤツタ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8269484A JPS60225824A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | 光シヤツタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8269484A JPS60225824A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | 光シヤツタ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60225824A JPS60225824A (ja) | 1985-11-11 |
| JPH0422248B2 true JPH0422248B2 (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=13781516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8269484A Granted JPS60225824A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | 光シヤツタ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60225824A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235923A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 光シヤツタ素子 |
| JPS62235921A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-16 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 光シヤツタ素子 |
| JPS63246721A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-13 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 光位相変調器 |
| JP2576640B2 (ja) * | 1989-10-13 | 1997-01-29 | 株式会社富士通ゼネラル | Ｐｌｚｔ表示ディバイスの製造方法 |
-
1984
- 1984-04-24 JP JP8269484A patent/JPS60225824A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60225824A (ja) | 1985-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6817725B2 (en) | Micro mirror unit and method of making the same | |
| EP0244442B1 (en) | Linear light valve arrays having transversely driven electro-optic gates and method of making such arrays | |
| JPH0732273B2 (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPH04159785A (ja) | 電歪効果素子 | |
| KR0147211B1 (ko) | 도전성 마이크로 브릿지의 제조방법 | |
| JPH0298965A (ja) | 多素子赤外線検知センサ | |
| EP0345047B1 (en) | Thermal imaging device | |
| KR20190011278A (ko) | 투명 압전 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| JPH0422248B2 (ja) | ||
| JP3944796B2 (ja) | 積層型アクチュエータとその圧電素子の製造方法 | |
| JP2021028975A (ja) | チップ部品 | |
| US4413886A (en) | Optical switch | |
| US6396618B1 (en) | Opposing electrode light modulator array and method for manufacturing the same | |
| JPS63122288A (ja) | 電歪効果素子 | |
| US11705285B2 (en) | Chip component | |
| JPH0256822B2 (ja) | ||
| JP3077522B2 (ja) | 圧電体素子、これを用いて構成された加速度センサ及び圧電体素子の製造方法 | |
| JP2004506332A (ja) | 電気分極を必要とする薄いピロ電気層を備えたピロ電気センサを製造する方法 | |
| JPH03250771A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2660758B2 (ja) | Ｐｌｚｔ表示ディバイスの製造方法 | |
| JP2021028974A (ja) | チップ部品 | |
| KR100197377B1 (ko) | 광로조절 장치의 제조방법 | |
| JPH05335644A (ja) | 積層型電歪／圧電素子 | |
| JPS60225825A (ja) | 光シヤツタ素子 | |
| JPH1065223A (ja) | サーモモジュール |