KR100197377B1 - 광로조절 장치의 제조방법 - Google Patents

광로조절 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘 웨이퍼(10)의 외곽에 복수 개의 신호 패드(20)가 형성되고, 상기 신호패드(20)와 전기적으로 연결된 다수개의 트랜지스터 패드(32)가 실리콘 웨이퍼의 중앙부에 형성되며, 상기 신호 패드(20) 및 상기 상기 트랜지스터 패드(20)의 상부에 보호층(331) 및 스톱층(332)이 순차적으로 형성된 구동 기판(310)의 상부에 액츄에이터를 형성하여 광로 조절 장치를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 구동 기판(310)의 상부에 희생층(330), 멤브레인(342), 하부 전극(343), 변형부(344), 상부 전극(345)을 적층한 후, 그 적층된 구조체를 픽셀단위로 패터닝함과 동시에 신호 패드용 개방부(a')를 형성하며, 신호 패드용 개방부(a')중 멤브레인(342), 스톱층(332), 보호층(331) 부분의 신호 패드용 개방부(a')의 선폭을 상기 신호 패드(20)의 선폭보다 작게 패터닝함으로써, 상기 신호 패드의 하부에 위치하는 산화막의 화학적 침해를 방지할 수 있다.

Description

광로 조절 장치의 제조 방법
제1도는 액츄에이터가 형성된 실리콘 웨이퍼부를 부분 확대 도시한 평면도.
제2도는 제1도에 표시된 선 A-A를 취한 단면도.
제3도(a) 내지 (e)는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도.
제4도는 본 발명에 따라서 신호 패드를 노출시킨 패턴을 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
310 : 구동 기판 331 : 보호층
332 : 스톱층 342 : 멤브레인
343 : 하부 전극 344 : 변형부
345 : 상부 전극
본 발명은 투사형 화상 표시 장치로 사용되는 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 실리콘 웨이퍼상에 형성된 신호 패드용 개방부의 완전 노출에 의하여 상기 웨이퍼상에 형성된 산화층이 식각 공정에 의하여 화학적 손상을 받는 것을 방지시키기 위한 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 광로 조절 장치는 제어시스템으로부터 인가되는 전기적 신호에 의하여 접속된 광속의 광로를 조절시키기 위한 장치로서, 제1도에 도시되어 있는 바와 같이 전기적 접점 단자로 작용하는 복수개의 트랜지스터 패드(120)가 내장된 구동 기판(110)상에 교번되어 순차적으로 적층된 다수의 층(142, 143, 144, 145)으로 구성된 액츄에이터(140)를 복수개 구비하고 있다.
이때, 상기 구동 기판(110)은 실리콘 웨이퍼(10)상에 형성되어 있으며 또한 상기 실리콘 웨이퍼(10)는 상기 트랜지스터 패드(120)에 소오스 신호 및 게이트 신호를 인가시킬 수 있도록 상기 구동 기판(110)의 테두리에 복수개 형성된 신호 패드(20)와 리드선(30)에 의하여 전기적으로 연결된다.
한편, 제1도에 표시된 선 A-A를 취한 제2도에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 신호 패드(20)는 상기 실리콘 웨이퍼의 구동 기판(110)상에 형성된 액츄에이터(140)를 구성하는 다수의 층(142, 143, 144, 145)의 일부뿐만 아니라 보호층(131) 및 스톱층(132)의 일부를 제거함으로서 완전 노출되는 신호 패드용 개방부(a)를 통해서 외부에 노출된다.
그러나, 상기 실리콘 웨이퍼에 형성된 산화층(111)의 일부는 상기 신호 패드용 개방부(a)를 통하여 노출되어 있으므로 다양한 식각 공정에 의하여 제거되며 이에 의해서 광로 조절 장치의 성능을 저하시킨다는 문제점이 야기된다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소시키기 위하여 안출된 것으로 실리콘 웨이퍼로 이루어진 광로 조절 장치의 구동 기판에 매트릭스 구조로 내장된 복수개의 트랜지스터 어레이에 소오스 신호 및 게이트 신호를 인가시키기 위한 신호 패드를 노출시킴으로서 상기 실리콘 웨이퍼상에 형성된 산화층의 식각 공정에 의하여 화학적 침해를 받는 것을 방지시키기 위한 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에서는, 실리콘 웨이퍼(10)의 외곽에 복수 개의 신호 패드(20)가 형성되고, 상기 신호패드(20)와 전기적으로 연결된 다수개의 트랜지스터 패드(32)가 실리콘 웨이퍼의 중앙부에 형성되며, 상기 신호 패드(20) 및 상기 상기 트랜지스터 패드(20)의 상부에 보호층(331) 및 스톱층(332)이 순차적으로 형성된 구동 기판(310)의 상부에 액츄에이터를 형성하여 광로 조절 장치를 제조하기 위한 방법에 있어서, 상기 신호 패드(20)와 전기적으로 연결된 트랜지스터 패드(320)가 복수개 형성된 구동 기판(310)상에 희생층(330)을 형성시키는 단계, 상기 희생층(330)을 패터닝하여 상기 트랜지스터 패드(320)의 수직 상방향을 제거하는 단계; 상기 희생층(330)이 제거된 부분을 포함한 상기 희생층(330)의 상부에 멤브레인(342)을 형성하는 단계;
상기 멤브레인(342)을 패터닝하여 상기 트랜지스터 패드(320)를 노출시키는 콘택홀을 형성시키는 단계; 상기 멤브레인(342)의 상부에 도전성 금속을 적층하여 하부 전극(343)을 형성하되, 상기 콘택홀을 통하여 상기 트랜지스터 패드(320)와 전기적으로 접속되게 형성하는 단계; 상기 하부 전극(343)의 상부에 압전 또는 전왜 세라믹을 적층하여 변형부(344)를 형성하는 단계; 상기 변형부(344)의 상부에 도전성 및 반사 특성이 양호한 금속을 적층하여 상부 전극(345)을 형성하는 단계; 상기 상부 전극(345), 변형부(344), 하부 전극(343), 멤브레인(342)을 순차적으로 패터닝하여 개별적으로 동작하는 픽셀 단위로 분리시킴과 동시에 상기 신호 패드(20)의 수직 상방향을 제거하는 단계; 상기 신호 패드(20)의 수직 상방향에 위치한 스톱층(332), 보호층(331)을 순차적으로 제거하여 신호 패드용 개방부(a')를 형성시키는 단계; 상기 희생층(330)을 제거시키는 단계를 포함하여 액츄에이터를 형성하되, 상기 멤브레인(342), 스톱층(332), 보호층(331)의 패터닝으로 형성되는 신호 패드용 개방부(a')의 선폭은 상기 신호 패드의 선폭보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같으며 종래 구성과 동일한 구성은 동일 도면 부호를 사용한다.
제3도(a) 내지 (e)는 본 발명의 일실시예에 따라서 실리콘 웨이퍼로 이루어진 구동 기판상에 액츄에이터를 형성시키는 방법을 순차적으로 도시한 공정도이고 제4도는 신호 패드용 개방부에 형성된 패턴을 도시한 단면도이다.
즉, 본 발명의 일실시예에 따른 광로 조절 장치의 제조 방법은 복수개의 신호 패드(20)가 형성된 실리콘 웨이파(10)상의 구동 기판(310)상에 소정 형상의 희생층(330)을 형성시키고 다수의 절연층(342, 344) 및 도전층(343, 345)을 교번적으로 적층시키는 단계와, 식각 공정에 의하여 상기 다수의 절연층(342, 344) 및 도전층(343, 345)을 패터닝시켜서 액츄에이터(340)를 형성시키는 단계와, 상기 희생층(340)을 제거하는 단계로 이루어진다.
이때, 상기 식각 공정에 의하여 신호 패드용 개방부(a')는 소정 형상으로 패터닝되고 이에 의해서 상기 신호 패드(20)의 일부는 상기 신호 패드용 개방부(a')의 패턴을 통하여 노출된다.
먼저, 제3도(a)를 참조하면, 상기 구동 기판(310)은 도시되어 있지 않은 제어 시스템과 연결되어 있는 복수개의 트랜지스터를 매트릭스 형상으로 내장하고 있으며 또한 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결되어서 접점 단자로 작용하는 복수개의 패드(320)가 상기 구동 기판(310)의 표면상에 형성된다.
이때, 제1도에 도시되어 있는 바와 같이 상기 구동 기판(310)은 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있으며 상기 구동 기판(310)의 테두리를 따라서 상기 실리콘 웨이퍼상에는 상기 트랜지스터 패드(320)에 상기 제어 시스템으로부터 전기적 신호를 인가시키기 위한 신호 패드(20)가 복수개 형성되어 있다.
여기에서, 상기 구동 기판(310)상에 인이 함유된 실리콘 산화물 즉 포스포 실리게이트 글라스(PSG) 또는 다결정 실리콘을 스핀 온 코팅 공정(spin-on coating)과 같은 물리 기상 증착 공정(PVD:phisical vapour deposition) 또는 화학 기상 증착 공정 (CVD:chemical vapouy deposition)에 의하여 소정 두께로 적층시킴으로서 형성된 희생층(330)(sacrificial layer)(330)을 소정 형상으로 패터닝시킨다.
한편, 제3도(나)를 참조하면, 상기된 바와 같이 소정 형상의 희생층(330)이 형성된 상기 구동 기판(310)상에 화학 기상 증착 공정(CVD)에 의하여 실리콘 산화물을 상기 희생층(330)상에 소정 두께로 적층시킴으로서 멤브레인(342)을 형성시킨다.
이때, 본 발명의 일실시에에 따르면, 상기 멤브레인(342)은 암모니아(NH3) 및 실리콘을 함유하는 가스의 하기 식(①)와 같은 화학 반응에 의하여 형성된다.
또한, 제3도(c)를 참조하면, 상기 멤브레인(342)상에 진공 증착 공정 또는 스퍼터링 공정과 같은 물리 기상 증착 공정에 의하여 백금(Pt) 및 티타늄(Ti) 또는 이들중 하나의 원소와 같은 도전성 금속을 소정 두께로 증착시켜서 하부 전극(343)을 형성시킨다.
이때, 상기 하부 전극(343)은 본 발명이 속하는 분야의 당업자들에게 널리 공지되어 있는 바와 같이 상기 멤브레인(342)의 일부에 형성된 콘택홀(contact hole)을 통하여 상기 구동 기판(310)상에 내장된 트랜지스터 패드(320)와 전기적으로 연결되며 이에 의해서 상기 하부 전극(343)은 신호 전극으로 작용하게 된다.
또한, 상기 하부 전극(343)상에 졸-겔 공정(sol-gel) 또는 화학 기상 증착 공정에 의하여 Pb(Zr,Ti)O3또는 (Pb,La)(Zr,Ti)O3조성의 압전 세라믹 또는 Pb(Mg,Nb)O3조성의 전왜 세라믹을 소정 두께로 도포시켜서 변형부(344)를 형성시킨다.
여기에서, 상기 변형부(344)는 별도의 분극을 가하지 않아도 도시되어 있지 않은 제어 시스템으로부터 상기 하부 전극(343)에 인가되는 전기적 신호에 의하여 분극될 수 있을 정도의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 변형부(344)를 구성하고 있는 상기 세라믹 조성을 급가열 공정에 의하여 열처리시킴으로서 페로브스카이트(perovskite) 결정 구조를 형성시키며 이에 의해서 상기 변형부(344)는 상기된 바와 같이 제어 시스템으로부터 인가되는 전기장에 의하여 외형이 변하게 되는 압전 특성을 나타낸다.
그리고, 상기 변형부(344)상에 상기된 바와 같은 물리 기상 증착 공정에 의하여 전기 전도도 및 반사 특성이 양호한 알루미늄 또는 백금 및 티타늄과 같은 금속을 소정 두께로 증착시킴으로서 상부 전극(345)을 형성시킨다.
따라서, 상기 희생층(330)상에 상기 멤브레인(342), 하부 전극(343), 변형부(344) 및 상부 전극(345)으로 이루어진 액츄에이터(340)가 형성된다.
한편, 제3도(d)를 참조하면, 상기 액츄에이터(340)의 일단부는 이방성 에칭 특성이 양호한 반응성 이온 식각 공정(RIE) 또는 이온 밀링 공정 (ion milling)과 같은 건식 식각 공정에 의하여 제거되며 그 결과 상기 액츄에이터(340)는 개별적으로 작동 가능하도록 복수개 형성된다.
또한, 상기 액츄에이터(340)의 일단부를 제거시킴으로서 노출된 상기 희생층(330)은 불산(HF)을 함유하는 에칭 용액을 사용하는 습식 식각 공정에 의하여 식각 제거하며 이에 의해서 상기 액츄에이터(340)는 그의 일단부가 상기 구동 기판(310)으로부터 소정 간격으로 이격된 상태의 캔틸레버 형상으로 형성된다.
한편, 상기 습식 식각 공정에 따르면, 상기 에칭 용액의 식각 작용에 의한 식각율은 상기 에칭 용액의 pH 값에 따라서 변하게 되며 여기에서 상기 에칭 용액이 불산으로 이루어져 있는 경우에 상기 희생층(330)은 하기의 식(②)으로 표시된 화학 반응에 의하여 식각되어 제거된다.
즉, 상기 희생층(330)은 불산 이온(F-)의 식각 작용에 의해서 에칭되는 반면에 상기 식각 작용시 발생되는 수소 이온(H+)에 의해서 상기 에칭 용액의 pH 값이 변하게 되고 그 결과 상기 희생층(330)의 식각율이 변하게 된다.
따라서, 상기 희생층(330)의 식각율을 일정하게 유지시킬 수 있도록 상기 에칭 용액의 pH 값을 일정하게 유지시키기 위하여 상기 불화 수소에 불소화 암모늄(NH4F)과 같은 완충 용액을 첨가시킨다.
즉, 상기 에칭 용액에 첨가되는 상기 불소화 암모늄(NH4F)은 하기의 식(③)과 같은 화학 반응을 하게 되며 그 결과 발생되는 광이 불소 이온(F-)은 상기된 바와 같이 식각 작용에 의하여 소모된 불소 이온(F-)을 보충시키고 이에 의해서 상기 에칭 용액의 pH 값은 일정하게 유지된다.
한편, 상기된 바와 같이 다수의 층으로 구성된 액츄에이터(340)는 상기 구동 기판(310)상에 매트릭스 구조로 복수개 형성되어 있으며 이와 동시에 상기 신호 패드(20)를 노출시키기 위한 상기 신호 패드용 개방부(a')는 소정 형상으로 패터닝된다.
즉, 제4도에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 식각 공정에 의하여 상기 액츄에이터(340)를 구성하는 다수의 층들중 상기 신호 패드용 개방부(a')에 잔존하는 상부 전극, 변형부 및 하부 전극이 제거된 상태에서 상기 멤브레인(342)은 이방성 식각 특성이 양호한 건식 식각 공정에 의하여 소정 형상으로 패터닝되어서 상기 스톱층(332)의 일부를 노출시킨다.
이때, 상기 스톱층(332)의 일부는 반응성 이온 식각 공정(RIE)에 의하여 상기 멤브레인(342)의 패턴과 동일한 패턴으로 형성되어서 상기 보호층(331)의 일부를 노출시키며 상기 보호층(331)의 일부는 상기한 바와 같은 건식 식각 공정에 의하여 상기 스톱층(332)의 패턴과 동일한 패턴으로 형성된다.
여기에서, 상기 신호 패드용 개방부(a')상에 형성된 상기 멤브레인(342), 스톱층 및 보호층의 패턴은 상기 신호 패드(20)의 일부를 노출시키는 반면에 상기 신호 패드(20)사이에 위치되는 상기 산화층(311)의 일부는 노출시키지 않는다.
따라서, 상기 신호 패드용 개방부(a')에 잔존하는 상기 멤브레인(342)의 일부, 스톱층(332),의 일부 및 보호층(331)의 일부는 상기한 바와 같이 상기 신호 패드(20) 사이에 위치도는 상기 산화층(311)의 일부에 대한 보호막으로 작용한다.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시에를 단지 예시한 것으로 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따르면, 구동 기판상에 내장된 트랜지스터 패드에 전기적 신호를 인가시킬 수 있도록 리드선에 의하여 연결된 신호 패드를 부분 노출시킴으로서 상기 신호 패드를 개방시키기 위한 개방부에 위치되는 산화층의 일부가 화학적 침해를 받는 것을 방지한다.

Claims (1)

  1. 실리콘 웨이퍼(10)의 외곽에 복수 개의 신호 패드(20)가 형성되고, 상기 신호패드(20)와 전기적으로 연결된 다수개의 트랜지스터 패드(32)가 실리콘 웨이퍼의 중앙부에 형성되며, 상기 신호 패드(20) 및 상기 상기 트랜지스터 패드(20)의 상부에 보호층(331) 및 스톱층(332)이 순차적으로 형성된 구동 기판(310)의 상부에 액츄에이터를 형성하여 광로 조절 장치를 제조하기 위한 방법에 있어서, 상기 신호 패드(20)와 전기적으로 연결된 트랜지스터 패드(320)가 복수개 형성된 구동 기판(310)상에 희생층(330)을 형성시키는 단계, 상기 희생층(330)을 패터닝하여 상기 트랜지스터 패드(320)의 수직 상방향을 제거하는 단계; 상기 희생층(330)이 제거된 부분을 포함한 상기 희생층(330)의 상부에 멤브레인(342)을 형성하는 단계; 상기 멤브레인(342)을 패터닝하여 상기 트랜지스터 패드(320)를 노출시키는 콘택홀을 형성시키는 단계; 상기 멤브레인(342)의 상부에 도전성 금속을 적층하여 하부 전극(343)을 형성하되, 상기 콘택홀을 통하여 상기 트랜지스터 패드(320)와 전기적으로 접속되게 형성하는 단계; 상기 하부 전극(343)의 상부에 압전 또는 전왜 세라믹을 적층하여 변형부(344)를 형성하는 단계; 상기 변형부(344)의 상부에 도전성 및 반사 특성이 양호한 금속을 적층하여 상부 전극(345)을 형성하는 단계; 상기 상부 전극(345), 변형부(344), 하부 전극(343), 멤브레인(342)을 순차적으로 패터닝하여 개별적으로 동작하는 픽셀 단위로 분리시킴과 동시에 상기 신호 패드(20)의 수직 상방향을 제거하는 단계; 상기 신호 패드(20)의 수직 상방향에 위치한 스톱층(332), 보호층(331)을 순차적으로 제거하여 신호 패드용 개방부(a')를 형성시키는 단계; 상기 희생층(330)을 제거시키는 단계를 포함하여 액츄에이터를 형성하되, 상기 멤브레인(342), 스톱층(332), 보호층(331)의 패터닝으로 형성되는 신호 패드용 개방부(a')의 선폭은 상기 신호 패드의 선폭보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.
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