DE69220725D1 - Herstellungsverfahren eines Kondensatorelementes für ein DRAM - Google Patents

Herstellungsverfahren eines Kondensatorelementes für ein DRAM

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    • H10B12/00Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
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