Hintergrund der Erfindung
Gebiet der Erfindung
-
Diese Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur
Herstellung eines Substrats mit dielektrischer Trennung, welches
von einem Abstützkörper eingenommen wird, der aus
polykristallinem Silizium besteht und zur Verwendung bei einem
integrierten Halbleiterstromkreis vorgesehen ist.
Beschreibung des Standes der Technik
-
Da bei einem integrierten Halbleiterstromkreis die
Stromkreiselemente, wie bspw. Transistoren, Dioden und
Widerstände, integriert in einem Teil eines Einkristallsubstrats
ausgebildet sind, müssen diese integrierten
Stromkreiselemente elektrisch isoliert und getrennt sein. Als Maßnahmen
für die gegenseitige Trennung dieser Elemente stehen die pn
Grenzschichttrennung, die dielektrische Trennung, usw. zur
Verfügung. Die dielektrische Trennung hat den Vorteil eines
hohen Spannungsdurchschlages und einer kleinen parasitären
Kapazitanz im Vergleich mit der pn Grenzschichttrennung,
und sie erlaubt daher die Herstellung eines integrierten
Halbleiterstromkreises mit einem hohen Spannungsdurchschlag,
einer großer Kapazität und einer hohen
Betriebsgeschwindigkeit. Die Anwendung dieses Verfahrens hat daher Beachtung
erfahren.
-
Das herkömmliche Verfahren zur Herstellung eines Substrats
mit dielektrischer Trennung, wie dargestellt in den Fig. 2a
bis Fig. 2c, besteht aus einem Einschneiden von Nuten 15 in
einem Einkristall-Siliziumsubstrat 14, einem anschließenden
Niederschlag von polykristallinem Silizium auf der
Oberfläche des Einkristall-Siliziumsubstrats 14 unter Einschluß
der Nuten 15, wodurch eine polykristalline Siliziumschicht
17 ausgebildet wird, weiterhin einem Schleifen der
Oberfläche der polykristallinen Siliziumschicht 17 und danach
einem Schleifen der Rückseite des
Einkristall-Siliziumsubstrats 14 bis zu den Bodenbereichen der Nuten 15, wodurch
getrennte Einkristall-Siliziuminseln 18 entstehen und
danach ein Substrat 19 mit dielektrischer Trennung vollendet
wird.
-
Bei dem vorbeschriebenen Verfahren ergibt sich bei einer
Abscheidung des polykristallinen Siliziums bei einer
erhöhten Temperatur auf dem Einkristall-Siliziumsubstrat 13
eine Verwerfung von mehr als 100 um bei einem Wafer von 4
Inches. Das Substrat, bei welchem dieses Verwerfen andauert,
läßt sich nicht schnell über das Medium, wie bpsw. Wachs,
an einer Glasplatte während des Schleifens der Oberfläche
der polykristallinen Siliziumschicht 17 oder der Oberfläche
des Einkristall-Siliziumsubstrats 14 anhaften. Wenn das
Schleifen trotz der Verwerfung des Substrats durchgeführt
wird, dann haben die Einkristall-Siliziuminseln 18
ungleiche Dicken, wie dargestellt in Fig. 4, sodaß diese
Einkristall-Siliziuminseln 18 manchmal unvollständig getrennt
sein können. Wenn Susbstrate mit dielektrischer Trennung
von einer solchen schadhaften Qualität verwendet werden,
dann können keine integrierten Halbleiterelemente mit einer
befriedigenden hohen Ausbeute hergestellt werden. Zur
Lösung dieses Problems beschreibt die Japanische
Patentveröffentlichung SHO 56(1981)-35,024 ein Verfahren, bei
welchem abwechselnd polykristalline Siliziumschichten und
Oxidfilme übereinander angeordnet werden. Da die Stufe für
eine Abscheidung des polykristallinen Silizums kompliziert
ist, hat dieses Verfahren die Nachteile von hohen Kosten
und einer niedrigen Produktivität.
Zusammenfassung der Erfindung
-
Mit der Zwangsvorstellung zur Lösung des vorerwähnten
Problems ist diese Erfindung auf die Bereitstellung eines
Verfahrens zur Herstellung eines Substrats mit
dielektrischer Trennung ausgerichtet, welches von vollständig
getrennten Einkristall-Siliziuminseln einer gleichmäßigen
Dicke durch die Verbannung eines unerwünschten Verwerfens
des Substrats eingenommen wird.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
Die weiteren Ziele und kennzeichnenden Merkmale der
vorliegenden Erfindung werden aus der Offenbarung der folgenden
Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform der
Erfindung ersichtlich, wie dargestellt in den beigefügten
Zeichnungen, bei welchen
-
Fig. 1 ein Querschnitt ist, der ein Verfahren als eine
Ausführungsform dieser Erfindung bei der
Herstellung eines Substrats mit dielektrischer Trennung
zeigt.
-
Fig. 2 ist ein Querschnitt, der ein herkömmliches
Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit
dielektrischer Trennung zeigt.
-
Fig. 3 ist ein Querschnitt, der ein Substrat zeigt,
welches während der Abscheidung von polykristallinem
Silizium eine Verwerfung beibehalten hat.
-
Fig. 4 ist ein Querschnitt, der ein Substrat mit
dielektrischer Trennung zeigt, das durch ein Schleifen
eines Einkristall-Siliziums mit dem in Fig. 3
gezeigten Zustand erhalten wurde.
Detaillierte Beschreibung der
bevorzugten Ausführungsformen
-
Diese Erfindung ist auf ein Verfahren zur Herstellung von
getrennten Inseln eines Einkristall-Siliziums ausgerichtet,
welches durch eine dielektrische Schicht auf einem
Abstützkörper aus polykristallinem Silizium getrennt ist, bestehend
aus den Stufen:
-
einer Ausbildung eines thermischen Oxidfilms auf einer
ersten Hauptfläche eines Einkristall-Silizumsubstrats, bei
welchem Nuten in die erste Fläche eingeschnitten sind;
-
der Ausbildung durch ein CVD Verfahren eines irreversiblen,
thermisch schrumpfbaren Filmes aus Siliziumnitrid oder
Siliziumoxynitrid mit der Zusammensetzung SiOxNy bei y/x≥2
und mit einer Dicke in dem Bereich von 0.1 µm bis 0.5 µm an
der gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche des Einkristall-
Siliziumsubstrats;
-
einer nachfolgenden Ablagerung einer Schicht des
polykristallinen Siliziums auf der ersten Fläche des Substrats,
einer Glättung der Oberfläche dieser Schicht des
abgelagerten polykristallinen Siliziums durch ein Schleifen, und
danach
-
einem Schleifen der zweiten Fläche des Substrats für eine
Entfernung des reversiblen, thermisch schrumpfbaren Films
und des Siliziumeinkristalls, bis Inseln des
Siliziumeinkristalls getrennt durch Bereiche des thermischen Oxids
gebildet sind.
-
Die US-A-4 017 341 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung
eines integrierten Halbleiterstromkreises, bei welchem ein
thermischer Oxidfilm auf den beiden Hauptflächen eines
Einkristall-Siliziumsubstrats ausgebildet wird vor der
Ablagerung des polykristallinen Siliziums auf einer der beiden
Hauptflächen.
-
Der Term "irreversibler, thermisch schrumpfbarer Film", wie
er hier benutzt wird, bezieht sich auf eine hautdünne
Ablagerung, die auf der Rückseite des
Einkristall-Siliziumsubstrats ausgebildet wird und die während dessen Wachstum
das Phänomen einer thermischen Schrumpfung ähnlich
derjenigen induziert, die auf der Oberfläche und im Innern eines
Sintermetalls während der Erwärmung stattfindet. Diese
thermische Schrumpfung hat ein irreversibles Verhalten.
-
Der irreversible, thermisch schrumpfbare Film dieser
Erfindung wird vorzugsweise auf der Oberfläche des Einkristall-
Siliziumsubstrats durch das CVD Plasmaverfahren bei einer
Temperatur in dem Bereich von 300º bis 450ºC oder durch das
LPCVD Verfahren bei einer Temperatur in dem Bereich von
650º bis 850ºC durchgeführt.
-
Weil der irreversible, thermisch schrumpfbare Film bei
dieser Erfindung auf der Rückseite des
Einkristall-Siliziumsubstrats ausgebildet wird, welche die eingeschnittenen
Nuten aufweist und die thermische Oxidation unterlaufen
hat, unterliegt der irreversible, thermisch schrumpfbare
Film einer thermischen Schrumpfung während der Ablagerung
der polykristallinen Siliziumschicht und verursacht
folglich die Erzeugung einer Kraft bei dem Substrat, welche aus
sich heraus zu einem konvexen Verwerfen gegen die Seite der
polykristallinen Siliziumschicht tendiert. Als Folge der
Schrumpfung der polykristallinen Siliziumschicht, die
gleichzeitig abgelagert wurde, erzeugt das Substrat eine
Kraft, die aus sich heraus zu einem konkaven Verwerfen in
Richtung des polykristallinen Siliziums tendiert. Als
Ergebnis heben sich diese beiden Kräfte einer Verwerfung
gegenseitig auf und verhindern bei dem Substrat jegliche
Verwerfung. Das Substrat des Einkristalls, die auf der
vorderen Oberflächenseite abgelagerte polykristalline
Siliziumschicht und der auf der hinteren Oberflächenseite
abgelagerte irreversible, thermisch schrumpfbare Film erzeugen
während der Kühlung ein empfindliches Ungleichgewicht der
inneren Spannung als Folge ihrer wechselseitig
unterschiedlichen thermischen Expansionskoeffizienten. Dieses
Ungleichgewicht hält kaum einen Vergleich mit dem Gleichgewicht aus,
das zwischen der inneren Spannung und der Verwerfung als
Folge der thermischen Schrumpfung während der Ablagerung
der polykristallinen Siliziumschicht beibehalten wird und
welches die betroffene Sache dieser Erfindung darstellt.
Fig. 3 zeigt eine Verwerfung, die konkav gegen die Seite der
polykristallinen Siliziumschicht stattfindet. In J.
Electrochem. Soc., 124, Seite 1766 (1977), Suzuki et al wird diese
Verwerfung eher der thermischen Schrumpfung während der
Ablagerung des polykristallinen Siliziums zugeschrieben als
den unterschiedlichen thermischen Expansionskoeffizienten.
Diese Schlußfolgerung kann durch das Postulat logisch
erklärt werden, daß die Korngröße des polykristallinen
Siliziums während seiner Ablagerung thermisch schrumpft und
die darauf wachsenden Polykristalle gleichartig geschrumpft
werden. Wenn das Substrat in dem darauffolgenden Zustand
geschliffen wird, dann wird es an der Glasplatte genügend
befriedigend zum Anhaften gebracht, weil im wesentlichen
keine Verwerfung bei dem Substrat vorhanden ist. Die
polykristalline Siliziumschicht und dann der irreversible,
thermisch schrumpfbare Film und das
Einkristall-Siliziumsubstrat können so ideal geschliffen werden und die
Einkristall-Siliziuminseln können mit einer gleichmäßigen
Dicke und mit einer vollständigen Trennung voneinander
gebildet werden.
-
Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf ein
Arbeitsbeispiel beschrieben.
-
Die Fig. 1a bis Fig. 10 zeigen ein Verfahren zur Herstellung
des Substrats mit dielektrischer Trennung gemäß dieser
Erfindung. Zuerst wird ein Einkristall-Siliziumsubstrat 1 des
n Typs mit den Abmessungen 450 bis 750 µm in der Dicke und
100 bis 150 mm im Durchmesser sowie mit einer Hauptfläche
von (100) wie dargestellt in Fig. 1a hergestellt, und es
werden dann n&spplus; Schichten 2 durch ein Eindiffundieren von Sb
oder As in die vorderen und hinteren Oberflächen des
Einkristall-Siliziumsubstrats 1 ausgebildet, wie dargestellt
in Fig. 1b. Dann werden photolithographische Oxidfilme 3
von etwa 0.6 µm in der Dicke als Maskenmaterialien
ausgebildet, wie dargestellt in Fig. 1c, und Öffnungsbereiche 4
werden in Teilen des Oxidfilms 3 durch eine PEP Behandlung
gebildet unter Verwendung einer Glasmaske, wie dargestellt
in Fig. 1d. Danach wird ein anisotropisches Ätzen mit einer
Alkahätzlösung durchgeführt, die hauptsächlich aus KOH
besteht, um die Nuten 5 einzuschneiden, die 40 bis 75 µm in
der Breite und 28 bis 52 µm in der Tiefe messen, wie
dargestellt in Fig. 1e, und dann wird ein Oxidfilm 6 durch eine
chemische Oxidation ausgebildet, wie dargestellt in Fig. 1f.
Zu diesem Zeitpunkt erhält das Einkristall-Siliziumsubstrat
eine Verwerfung von 0 bis 40 µm.
-
Es wird dann auf der Oberfläche des
Einkristall-Siliziumsubstrats 1, die keine Nuten 5 aufweist, ein irreversibler,
thermisch schrumpfbarer Film 7 ausgebildet, wie dargestellt
in Fig. 1g. Dieser irreversible, thermisch schrumpfbare
Film 7 entwickelt eine Schrumpfung bei der Temperatur der
Ablagerung des polykristallinen Siliziums. Dieser Film ist
dafür vorgesehen, das Einkristall-Siliziumsubstrat 1
während der nächsten Stufe der Ablagerung des polykristallinen
Siliziums auf der Oberfläche des Substrats 1, welche die
Nuten 5 aufweist, zur Erzeugung einer Kraft zu veranlassen,
die aus sich selbst heraus eine konvexe Verwerfung gegen
die Seite der polykristallinen Siliziumschicht erzeugt und
die aus sich heraus verhindert, daß eine konkave Verwerfung
gegen die Seite der polykristallinen Siliziumschicht als
Folge der Schrumpfung der polykristallinen Siliziumschicht
stattfindet.
-
Das Material für den irreversiblen, thermisch schrumpfbaren
Film 7 erhält eine Schrumpfung bei der Temperatur der
Ablagerung des polykristallinen Siliziums, die in den Bereich
von 1100ºC bis 1250ºC fällt. Siliziumnitrid und
Siliziumoxynitrid (SiOxNy mit y/x ≥ 2) erfüllen dieses Erfordernis.
-
Dieser Film muß eine Dicke in dem Bereich von 0.1 bis
0.5 µm aufweisen. Wenn die Dicke des irreversiblen,
thermisch schrumpfbaren Films kleiner ist als 0.1 µm, dann ist
die thermische Schrumpfung bei der Temperatur der
Ablagerung der polykristallinen Siliziumschicht zu klein, um die
konkave Verwerfung des Substrats gegen die Seite der
polykristallinen Siliziumschicht nach der Ausbildung der
polykristallinen Siliziumschicht zu verringern. Wenn die Dicke
des irreversiblen, thermisch schrumpfbaren Films größer als
0.5 µm ist, dann ist die thermische Schrumpfung bei der
Temperatur der Ablagerung der polykristallinen
Siliziumschicht so groß, daß das Substrat nach der Ausbildung der
polykristallinen Siliziumschicht übermäßig stark gegen die
Seite der polykristallinen Siliziumschicht konvex verworfen
wird.
-
Als Maßnahme für die Ausbildung des irreversiblen, thermisch
schrumpfbaren Films 7 wird das CVD Verfahren wünschenswert
angewendet sowie besonders wünschenswert das CVD
Plasmaverfahren, welches zu einer stabilen Steuerung des Anteils der
Siliziumatome und der Stickstoffatome oder des Anteils der
Siliziumatome, der Stickstoffatome und der Sauerstoffatome
in dem Film fähig ist. Die Temperatur während der Ausbildung
dieses Films soll wünschenswert in dem Bereich von 300ºC
bis 450ºC in dem Fall des CVD Plasmaverfahrens liegen. Wenn
der Film aus Siliziumnitrid bestehen soll, dann kann das
LPCVD Verfahren für die Ausbildung des Films übernommen
werden. In diesem Fall wird der Film bei einer Temperatur
in dem Bereich von 650ºC bis 850ºC ausgebildet.
-
Es wird dann ein polykristallines Silizium durch das
Epitaxial-Verfahren abgelagert, um eine polykristalline
Siliziumschicht 8 auf der Oberfläche des
Einkristall-Siliziumsubstrats 1 auszubilden, welche die Nuten 5 aufweist, wie
dargestellt in Fig. 1h. Während der Ausbildung der
polykristallinen Siliziumschicht 8 wird das Substrat durch die
Schrumpfung der polykristallinen Siliziumschicht zur
Erzeugung einer Kraft gebracht, die aus sich heraus zu einer
konkaven Verwerfung gegen die Seite der polykristallinen
Siliziumschicht 8 führt. Da der irreversible, thermisch
schrumpfbare Film 7, der auf der Rückseite des Einkristall-
Siliziumsubstrats 1 ausgebildet ist, während der Ablagerung
des polykristallinen Siliziums bei der Temperatur der
Ablagerung wie vorbeschrieben thermisch geschrumpft wird, wird
jedoch das Substrat zur Erzeugung einer Kraft veranlaßt,
die aus sich heraus zu einer konvexen Verwerfung gegen die
Seite der polykristallinen Siliziumschicht 8 tendiert. Als
ein Ergebnis heben sich daher diese Kräfte einer Verwerfung
gegenseitig auf und das Substrat verliert im wesentlichen
vollständig eine Verwerfung. Die Verwerfung des Substrats
nach dem Kühlen soll wünschenswert in dem Bereich von 0 bis
80 µm gegen die Seite der polykristallinen Siliziumschicht 8
liegen. Wenn die Verwerfung eine Größe von mehr als 80 µm
aufweist, dann kann das Einkristall-Siliziumsubstrat 1
nicht befriedigend geschliffen werden, weil das Substrat
bei der nachfolgenden Schleifstufe nicht an der Glasplatte
anhaften kann. Die erzeugten Einkristall-Siliziuminseln
haben daher keine gleichmäßige Dicke und sind nicht
vollständig voneinander getrennt.
-
Die Temperatur der Ablagerung des polykristallinen
Siliziums sollte wünschenswert in dem Bereich von 1100ºC bis
1250ºC liegen, und die Dicke der polykristallinen
Siliziumschicht 8 sollte wünschenswert in dem Bereich von 400 bis
700 µm liegen.
-
Die Größe der Verwerfung des Substrats wird nicht nur durch
die Dicke der polykristallinen Siliziumschicht 8 und die
Dicke des irreversiblen, thermisch schrumpfbaren Films 7
verändert, sondern auch durch die Dicke und den Durchmesser
des Einkristall-Siliziumsubstrats 1. Die Wahrscheinlichkeit
zu einem Verwerfen des Substrats nimmt ab in
Übereinstimmung mit der Zunahme der Dicke des
Einkristall-Siliziumsubstrats 1, und diese Wahrscheinlichkeit nimmt zu in
Übereinstimmung mit einer Zunahme des Durchmessers des Einkristall-
Siliziumsubstrats 1.
-
Die Oberfläche der polykristallinen Siliziumschicht 8 wird
dann geschliffen, wie dargestellt in Fig. 1i. Dieses
Schleifen wird durch eine herkömmliche Schleiftechnik
durchgeführt, wobei die Oberfläche der polykristallinen
Siliziumschicht 8 nach oben gewandt ist und das Substrat mit der
Glasplatte 9 bspw. mittels Wachs in Berührung gehalten wird.
Der Grund für die Anwendung dieses besonderen
Schleifverfahrens besteht darin, daß während der nächsten Stufe eines
Schleifens des irreversiblen, thermisch schrumpfbaren Films
7 und des Einkristall-Siliziumsubstrats 1 der
Oberflächenzustand der polykristallinen Siliziumschicht 8, die an der
Glasplatte 9 anhaftet, den Glättezustand der Oberfläche des
Einkristall-Siliziumsubstrats 1 beeinflußt, sodaß die
Oberfläche
der polykristallinen Siliziumschicht 8 vor dem
Schleifen geglättet werden muß. Da die Verwerfung des
Substrats so klein ist, daß sie allenfalls in den Bereich von
0 bis 80 µm fällt, kann das Substrat mit einer voll
befriedigenden Festigkeit an der Glasplatte 9 anhaften, sodaß als
ein Ergebnis davon die Oberfläche der polykristallinen
Siliziumschicht 8 glatt geschliffen werden kann. Die Dicke
der polykristallinen Siliziumschicht 8, die durch das
Schleifen entfernt werden soll (Schleifvorrat), soll
wünschenswert etwa in dem Bereich von 30 bis 60 µm liegen,
sodaß die Verwerfung des Substrats in dem Bereich von 0 bis
80 µm beibehalten wird.
-
Der irreversible, thermisch schrumpfbare Film 7 und das
Einkristall-Siliziumsubstrat 1 werden dann geschliffen, wie
dargestellt in Fig. 1j. Dieses Schleifen wird mit der
herkömmlichen Schleiftechnik durchgeführt, wobei der
irreversible, thermisch schrumpfbare Film 7 nach oben
ausgerichtet ist und das Substrat mit der Glasplatte 9 bspw.
mittels Wachs in Berührung gehalten wird. Da die Verwerfung
des Substrats so klein ist, daß sie in den Bereich von
bis 80 µm fällt, kann das Substrat mit einer genügenden
Festigkeit an der Glasplatte 9 anhaften und können deshalb
der irreversible, thermisch schrumpfbare Film 7 und das
Einkristall-Siliziumsubstrat 1 befriedigend geschliffen
werden. Durch eine Fortsetzung dieses Schleifens bis zu
einer vollständigen Trennung der Einkristall-Siliziuminseln
können die Einkristall-Siliziuminseln in dem erzeugten
Substrat mit einer dielektrischen Trennung eine
gleichmäßige Dicke annehmen.
-
Wenn der thermisch schrumpfbare Film 7 geschaffen wird,
beeendet das Substrat offensichtlich die Erzeugung einer
Kraft, die aus sich heraus zu einer konvexen Verwerfung
gegen die Seite der polykristallinen Siliziumschicht 8
tendiert. Während des Schleifens tendiert daher das
Substrat zu einer konkaven Verwerfung gegen die Seite der
polykristallinen Siliziumschicht 8. Wenn die Festigkeit, mit
welcher das Substrat an der Glasplatte 9 anhaftet, schwach
ist, dann erleidet in diesem Fall das Substrat eine konkave
Verwerfung gegen die polykristalline Schicht 8. Wenn das
Schleifen trotz dieser konkaven Verwerfung fortgesetzt wird,
dann können die Einkristall-Siliziuminseln nicht
vollständig getrennt werden und können keine gleichmäßige Dicke
ergeben. Dieser Nachteil kann durch eine Entfernung des
Substrats von der Glasplatte nach dem Schleifen des
irreversiblen, thermisch schrumpfbaren Films 7 ausgeschlossen
werden, einer anschließenden Oxidationsbehandlung des
Substrats wie dargestellt in Fig. 11, welches die konkave
Verwerfung gegen die polykristalline Siliziumschicht 8 erzeugt
hat, und einer danach erfolgenden Entfernung des Oxidfilms
von der Oberfläche der Einkristall-Siliziumschicht und der
Oberfläche der polykristallinen Siliziumschicht, wodurch
die Verwerfung auf eine Größe korrigiert wird, die in den
Bereich von 0 bis 80 µm fällt. Die Fig. 1k bis im zeigen
den gerade beschriebenen Prozeß, der wahlweise übernommen
wird. Der Herstellungsprozeß geht dann von der Stufe 1j
direkt weiter zu derjenigen der Fig. 10, es sei denn, daß
die vorbeschriebene spezielle Situation gegeben ist. Die
Oxidation des Substrats wird durch ein herkömmliches
Verfahren durchgeführt. Bspw. wird die nasse Oxidation mit
H&sub2;O/O&sub2; bei 1150ºC über eine Dauer in dem Bereich von 3 bis
12 Stunden bewirkt. Als Folge dieser Oxidationsbehandlung
wird die Oberfläche des Einkristall-Siliziumsubstrats 1
oxidiert und zu einem Oxidfilm 10 umgewandelt, während die
polykristalline Siliziumschicht 8 zur Ausbildung eines
polykristallinen Siliziumschichtbereichs 11 gebracht wird,
bei welchem Sauerstoff an der Korngrenze von der Oberfläche
her zusätzlich zu dem Oxidfilm 10 eindiffundiert ist. Da
sich der Sauerstoff entlang der Korngrenze abgesondert hat,
wird die polykristalline Siliziumschicht 8 ausgeweitet,
sodaß als Folge davon die konkave Verwerfung des Substrats
gegen die Seite der polykristallinen Siliziumschicht 8 auf
ein Ausmaß verringert wird, welches etwa in den Bereich von
0 bis 80 µm fällt.
-
Der Oxidfilm 10 und das Einkristall-Siliziumsubstrat 1
werden in ihrem nachfolgenden Zustand durch die
herkömmliche Schleiftechnik geschliffen, wobei das Einkristall-
Siliziumsubstrat 1 nach oben gewandt ist und das Substrat
mit der Glasplatte 9 bspw. mittels Wachs in Berührung
gehalten wird, wie dargestellt in Fig. 1n. Da die Verwerfung
des Substrats zu diesem Zeitpunkt der Berührung klein ist,
haftet das Substrat genügend fest an der Glasplatte 9. Als
ein Ergebnis weist das erzeugte Substrat 13 mit einer
dielektrischen Trennung eine vollständige Trennung der
Einkristall-Siliziuminseln 12 auf, die auch zu einer
gleichmäßigen Dicke geschliffen sind, wie dargestellt in Fig. 1o.
-
Durch das vorbeschriebene Herstellungsverfahren kann ein
Substrat mit einer dielektrischen Trennung hergestellt
werden, das bei dem Substrat keine Verwerfung aufweist und
Einkristall-Siliziuminseln enthält, die auf eine
gleichmäßige Dicke bearbeitet und vollständig getrennt sind.
-
Aus der vorstehenden Beschreibung ist klar, daß das
Verfahren der Erfindung zur Herstellung eines Substrats mit
dielektrischer Trennung eine Verwerfung korrigieren kann,
die in dem Substrat erzeugt wurde, sodaß ein Substrat mit
dielektrischer Trennung hergestellt werden kann, bei dem
die Einkristall-Siliziuminseln mit einer gleichmäßigen
Dicke bearbeitet und vollständig getrennt sind. Die
vorliegende Erfindung garantiert so die Herstellung von
integrierten Halbleiterstromkreisen mit einer hohen Ausbeute.