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Diese Erfindung betrifft im allgemeinen Gehäuse oder
Kapselungen elektronischer Leistungsbauteile mit einem flachen und
kompakten Aufbau und genauer ein Verfahren zum Vorsehen von im
wesentlichen induktivitätslosen elektrischen Anschlüssen oder
Verbindungen für solche Bauteile, um die Vorteile der
Verkleinerung der physischen Parameter (d. h. Gewicht, Volumen,
Widerstand und Induktivität) solcher Bauteile und Kapselungen noch
zu verbessern.
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Die hier angegebene Lehre richtet sich hauptsächlich auf die
Herstellung eines einzelnen Bauteils, sie kann jedoch leicht
auf die Chargenherstellung ähnlicher Bauteile, wie integrierter
Schaltungen, extrapoliert werden.
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Eine bekannte Anschluß- oder Verbindertechnik verwendet die
sogenannten "Goldhügeltechnologie" (gold bump technology), um
nicht Drähte hoher Induktivität für elektronische
Leistungschipanordnungen verwenden zu müssen. Mehrere Goldkontakte werden
in den genannten Bauteilen in der Form mehrerer leitender
Goldmetall-Klinken (detents) auf ausgewählten Kontaktfeldern des
Chips verwendet. Diese Technologie wird gemäß der Lehre der US-
A-4 750 666 von Neugebauer et al. praktiziert, welche auf die
vorliegende Patentinhaberin übertragen wurde. Bei der
patentierten Erfindung sind die Goldklinken (die als "Hügel"
bezeichnet werden) als im wesentlichen halbkugelförmige Punkte
aus Goldmetall gekennzeichnet, welche direkt mit bestimmten
Aluminiumkontaktfeldern des Bauteils verbunden sind. Zwei der
vorliegenden Erfinder haben vor Kurzem ein Ergebnis von Studien
bekannt gemacht, welche die Existenz bestimmter Anormalien
enthüllen, die bei einer Gold-Aluminium-Grenzfläche (Au-Al) des
Typs vorkommen, welcher den zuvor genannten Kontakt mit einem
Goldklinke auf einem Anschlußfeld des Bauteils verwendet. Das
identifizierte Aluminium, in Form einer Schicht (Stratum),
ergibt sich aus der heutigen Praxis der Metallisierung des
Halbleiterchips
durch Aufbringen einer dünnen Schicht aus
Aluminiummetall auf gewünschten Chipoberflächen. Unter bestimmten
Bedingungen bilden sich bei der intermetallischen (Au-Al)-Zone
einer Gold-Aluminium-Grenzschicht mehrere intermetallische
Verbindungsphasen, welche Au&sub4;Al, Au&sub5;Al&sub2;, Au&sub2;Al, AuAl und AuAl&sub2;
umfassen, wobei letztere "Purpurpest" (purple plague) genannt
wird. Die Bildung von AuxAly und die damit einhergehende
Fehlstellenbildung nach Kirkendall ist ein seit 1975 in der
Aluminium-Bimetall-Verbindungstechnologie bekanntes Problem.
Inzwischen wurde eine große Anzahl Studien durchgeführt, um im
einzelnen den Mechanismus der Bildung der Purpurpest zu verstehen.
Korrosion, welche von Unreinheiten, wie Bromiden, Fluoriden und
Chloriden, bei Temperaturen über 180ºC induziert wird,
beschleunigt die Bildung der Purpurpest, woraus sich ein frühes
Versagen von Verbindungen bei der Au-Al-Grenzfläche ergibt. Um
Verbindungsfehler aufgrund der Purpurpest und der
Fehlstellenbildung zu vermindern, wird eine strike Überwachung von Chlor,
Chrom und Fluor eingesetzt. Die Bildung der Purpurpest wird
durch ein Metall-Metall-Diffusionsphänomen erklärt und kommt
daher wahrscheinlich bei jeder Gold-Aluminium-Grenzschicht vor.
Die Geschwindigkeit der Bildung der endgültigen stabilen
Verbindung hängt von der Reaktionstemperatur und den Verhältnissen
von Gold und Aluminium in dem anfänglichen binären (Au-Al)-Film
ab. Eine erste Wechselwirkung tritt während der Wärmebehandlung
bei etwa 100ºC auf und erzeugt eine Zwischenschicht aus Au&sub2;Al,
welche durch eine kurze Zwischenstufe der Au&sub5;Al&sub2;-Bildung geht.
Dieser Prozeß herrscht vor, bis das gesamte Aluminium
aufgebraucht wurde. Sollte die Dicke der Aluminiumschicht größer
sein als die des Goldes, konvertiert eine Erwärmung auf 230ºC
das bei der niedrigen Temperatur gebildete Au&sub2;Al in AuAl&sub2;. Wenn
umgekehrt die Dicke des Aluminiums geringer ist als die des
Goldes, ist die Endphase eine stärker goldhaltige Verbindung,
wie Au&sub4;Al, welche aus dem zuvor bei niedriger Temperatur
gebildeten Au&sub2;Al entsteht. In jedem Fall ist die Dicke der sich
entwickelnden Verbindungsschicht proportional zu der Quadratwurzel
der Glühzeit; dies impliziert, daß alle Wechselwirkungen
diffusionsbegrenzt sind. Bei einer herkömmlichen Golddrahtverbindung
ist immer ein Goldüberschuß vorhanden (weil ein Teil der Länge
des Golddrahtes übrigbleiben muß, um einen leitenden Pfad
vorzusehen),
und wenn Gold immer im Überschuß vorhanden ist, setzt
sich die Reaktion fort, und die Bildung der Purpurpest kann
kritisch werden. Bei normalen Betriebsbedingungen sollte die
Temperatur der Leistungschips etwa 150ºC nicht überschreiten,
und unter idealen Bedingungen würde die Purpurpest kein Problem
darstellen. Sollte die Temperatur jedoch während längerer Zeit
200ºC überschreiten, oder sollten Halogenide in den oben
genannte Arten vorkommen, werden die Chipkontakte wahrscheinlich
fehlerhaft.
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In der JP-A-62 150 753 wurde ein metallischer Verbinder
beschrieben, der eine Kupferfolie aufweist, welche auf wenigstens
einer Seite mit einem ersten Überzug aus Chrom und einem
zweiten Überzug aus Gold über den ersten Überzug beschichtet ist.
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Man kann also sehen, daß die mehreren und verschiedenen
intermetallischen Verbindungsphasen, mit der einhergehenden
Fehlstellenbildung nach Kirkendall, ein ernstes Problem in der
Gold-Aluminium-Verbindungstechnologie darstellt. Die Lösung
dieses Problems, die hier angegeben wird, führt ganz unerwartet
zu einem Weg, mit dem der kompakte und flache Aufbau von
Halbleiter-Leistungsbauteilen weiter verbessert werden kann.
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Um dieses Problem zu lösen, schlägt die vorliegende Erfindung
eine Struktur gemäß Anspruch 1 vor.
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Die vorliegende Erfindung überwindet das als Purpurpest
bekannte Problem der mehrphasige Gold-Aluminium-Intermetallbildung.
Es ist bekannt, daß bei hohen Temperaturen die Reaktion
zwischen Gold und Aluminium zum Bilden einer intermetallischen
Phase zu einer Verbindungsverschlechterung führt, wenn die
Dikke der intermetallische Phase zu groß wird. Dieses Phänomen
tritt auch auf, wenn das Aluminium so weit erschöpft ist, daß
die Grenzfläche zu dem Chip nicht mehr über einen dünnen
Aluminiumfilm geht, sondern der Kontakt stattdessen direkt mit der
intermetallischen Phase besteht. Dies begrenzt den Prozeß der
Goldhügeltechnik (insbesondere für Fälle, in denen mit dieser
Technik eine Kuperfolie an der obersten
Aluminiummetallisierung befestigt wird, um einen kleineren elektrischen lateralen
Widerstand zu erzielen) auf eine Temperatur irgendwo zwischen
200ºC und 300ºC, abhängig von dem Pegel der vorhandenen
Halogenidunreiten. Mit der vorliegenden Erfindung muß man sich nicht
mehr auf die Goldhügeltechnologie verlassen, weil eine neue
direkte Thermokompressions-Folienverbindungstechnik eingesetzt
wird.
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Von ihrem Konzept her ist die vorliegende Technik vorgesehen
für, jedoch nicht beschränkt auf, Kupferverbindungen, welche
durch einen Gehäusedeckel zu dem Halbleiterbauteil gehen, zum
Beispiel in einer verkapselten Leistungseinheit oder einem
Modul. Das Halbleiterbauteil wird hier als ein integrierter
Schaltungschip beschrieben, obwohl es alternativ auch ein
diskretes Leistungselement umfassen kann. Ein Siliziumchip wird
mit einer Basis oder Grundschicht aus Chrom, Nickel und Silber
und einem oberen oder Decksubstrat aus Aluminium vorgesehen,
welches die Kontaktfelder des Bauteils aufweist. Eine dünne
Folie, welche im wesentlichen aus Kupfer besteht und gemäß der
folgenden Spezifikation hergestellt wird, wird mittels
Thermokompression direkt mit einem Aluminiumfeld eines Siliziumchips
verbunden. Die Kuperfolie wird zunächst mit einem Chromfilm
(Cr) und dann mit einem Goldfilm beschichtet, die jeweils beide
in der Größe von einigen tausend Angström dick sind. Die Dicke
der Kuperfolie kann zwischen einem und zehn Milliinch
variieren. Die zusammengesetzte Folie wird geätzt oder in eine
gewünschte Form gestanzt, welche Leerräume oder Schlitze (eine
spitzengewebeartige Struktur) enthalten kann, um eine
Fehlanpassung in der thermischen Ausdehnung zu vermindern, nachdem
sie mit einem Chip verbunden wurde. Es wird ein spezielles
Rand-Rahmendisign verwendet, um mehrere Blätter oder Flügel in
dem Folienlaminat auszubilden, wobei überschüssige Folie über
die physischen Grenzen des Chips hängen gelassen wird, nachdem
sie mit diesem verbunden wurde. Um die Verbindung zu erzielen,
wird die Folie über dem oberen Aluminiumfeld oder den Feldern
(Metallisierung) des Chips ausgerichtet und mittels
Thermokompression bei etwa 325ºC während etwa einer halben bis einer
Stunde gebondet. Für eine mit einem Goldfilm beschichtete
Kupferfolie würde dies normaler Weise zu einer Konversion des
Goldfilms auf der Kuperfolie in ein AuxAly-Intermetall bei der
Aluminium-Folien-Grenzfläche führen. Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird jedoch das Aluminium absichtlich im Übermaß
zugeführt, so daß es von der Reaktion nicht völlig verbraucht wird,
und das gesamte Gold wird in die stabile AuAl&sub2;-Phase
umgewandelt.
Die zurückbleibende Grenzschicht aus Aluminium
(Metallisierung auf dem Chip) verhindert, daß das Intermetall
den Siliziumchip direkt berührt, während der früher
aufgebrachte Chromfilm auf der Kuperfolie eine Grenzschicht bildet,
welche eine Kupferdiffusion in den (verbleibenden) Aluminiumfilm
verhindert und so die Bildung irgendwelcher Aluminium-Kupfer-
Intermetalle und eine Kupferdotierung des Silizium verhindert,
während ein guter ohmscher Kontakt zu dem Silizium
aufrechterhalten bleibt.
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Nach der erfolgreichen Thermokompressions-Verbindung werden die
zusätzlichen Blattrandbereiche der Folie über den Chiprand
gebogen oder zurückgebogen, wobei sie im wesentlichen über die
nun gebondeten Folienteile gelegt werden, von denen sie
abstehen. Die zurückgebogenen Blätter ergeben einen Zugentlastungs-
Kontakt für durch den Deckel gehende Verbindungselemente in
allen Flachgehäuseanwendungen. Sie können als blattartige
Kontakte durch den Deckel gehen, oder sie können zum Kontaktieren von
Kupferkugeln verwendet werden, welche in Löchern sitzen, die
direkt durch den Keramikdeckel des Flachgehäuses geschnitten
sind. Die zuletzt genannte Technik ist in einem Artikel mit dem
Titel "MCT Power Packaging" von C. A. Neugebauer et al.
beschrieben, und über sie wurde in den Proceedings of the 40th
IEEE ETCT, Mai 1990, berichtet.
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Die neuen Merkmalen der Erfindung sind insbesondere in den
folgenden Ansprüchen dargelegt. Die Erfindung selbst wird jedoch
sowohl hinsichtlich des Aufbaus als auch ihrer Anwendung
zusammen mit weiteren Aufgaben und Vorteilen am verständlichsten,
wenn man sich der folgenden Beschreibung in Verbindung mit der
Zeichnung zuwendet. In den Figuren zeigen:
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Figur 1 eine isometrische Zeichnung der mehrschichtigen
Folie der Erfindung, teilweise weggeschnitten;
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Figur 2 eine Schnittdarstellung eines Details der Erfindung,
welche Folie zeigt, die mit einem metallisierten
Chip bei einem Teil seiner Kapselung verbundene ist;
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Figur 3 eine schematische Draufsicht auf einen
Halbleiterchip, welcher ein Foliennetzwerk trägt, welches
gemäß der Erfindung hergestellt ist;
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Figur 4 eine isometrische Teilansicht der Folienauflage in
der Nähe des Gates des Bauteils; und
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Figur 5 einen seitlichen Aufriß eines Teils des Gegenstandes
aus Figur 3, der bei den Pfeilen 5-5 aufgenommen
wurde.
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Bei hohen Temperaturen variiert die Reaktion zwischen Aluminium
und Goldlaminat zum Herstellen einer intermetallischen Phase
zwischen den getrennten Schichten abhängig von der Temperatur
und der Größe der Halogenidverunreinigung in der molekularen
Zusammensetzung. Wenn Aluminium und Gold verwendet werden, um
eine elektrische Verbindung, zum Beispiel auf einem
Siliziumhalbleiterchip, herzustellen, kann eine Goldkontaktschicht sich
wieder abschälen, wenn die Dicke der intermetallischen Phase zu
groß wird, oder wenn das Aluminium so wenig wird, daß die
Goldgrenzfläche mit dem Chip nicht mehr durch einen dünnen
Aluminiumfilm verläuft. Die vorliegende Erfindung überwindet dieses
Problem und sieht zum ersten Mal einen induktivitätslosen
permanent gebondeten Kontakt für eine
Halbleiterleistungvorrichtung vor, bei dem die Verbindung Ströme hoher Dichte aushalten
kann.
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Figur 1 zeigt in einer isometrischen Darstellung einen
weggeschnitttenen oder "weggeschälten" Abschnitt eines Folienleiters
10 gemäß der Erfindung. Der ebene Leiter 10 umfaßt eine
Basisfolie aus Kupfer 12, welche zwischen äußeren Schichten (oder
Lagen) aus Gold 14 eingeklemmt ist. Aus Gründen, welche später
noch verständlich werden, werden Schichten 16 aus Chrom
zwischen die Kupferschicht 12 und jede der Goldschichten 14
eingefügt. Wie der Durchschnittsfachmann leicht verstehen wird,
liegt die essentielle Zusammensetzung des Folienlaminats 10 in
der Kupfer-Chrom-Gold-Schichtbildung (Stratifikation), wobei
die Goldschichten buchstäblich die Stelle der Goldhügel (hier
nicht gezeigt) der früheren Technologie einnehmen. Zum
Herstellen des Laminats 10 wird zunächst die Kuperfolie 12 mittels
sputtern oder auf andere Weise mit Metallfilmen beschichtet,
zunächst mit Chrom und dann mit Gold, wobei jeder Film in der
Größenordnung von einigen tausend Angström dick ist. Die Dicke
der Kuperfolie kann von einem bis zehn Milliinch variieren.
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Figur 2 zeigt einen seitlichen Aufriß des erfindungsgemäßen
Leiters 10, so wie er auf einem teilweise verkapselten
Halbleiterchip 30 aufgebracht erscheinen würde. Der Chip 10, welcher
aus Silizium bestehen kann, ist in ausgewählten Bereichen
seiner Oberfläche mit Aluminium 18 metallbeschichtet, welches die
Kontaktfelder des Elements bildet. Der Boden des Siliziumchips
30 weist eine Metallisierungsschicht 20 mit einer
Mehrfachmetallbeschichtung auf (zum Beispiel Gold auf Gold/Silizium,
Aluminium auf Aluminium/Silizium oder Silber auf Nickel auf
Chrom), um eine Kompatibilität mit dem Becher oder
Gehäusesokkel 32 herzustellen, der aus Chrom-Nickel-Silber bestehen kann.
Da die in Figur 2 gezeigte Struktur den bereits durch
Thermokompression gebondeten Gegenstand der Erfindung darstellt, ist
der mit 17 bezeichnete Bereich die intermetallische Gold
Aluminium-Schicht, welche im wesentlichen aus AuAl&sub2; besteht.
Ein kritischer Aspekt der Erfindung ist in diesem Punkt
verkörpert, nämlich daß die Goldschicht 14, welche zuvor zwischen der
intermetallischen Verbindungsschicht 17 und der unteren
Chromschicht 16 lag, vollständig aufgebracht wurde. Gleichzeitig
bleibt eine Schicht 18 aus Aluminium zwischen der
intermetallischen Schicht 17 und Siliziumchip 30 eingefügt. Das Gewicht des
Aluminiums in der Aluminiumschicht ist größer als das
stöchiometrische AuAl&sub2;-Äquivalenzgewicht von Gold in der
intermetallischen Verbindungsschicht. Während der Beschichtung von Gold auf
Chrom, die zuvor erwähnt wurde, muß eine Berechnung
durchgeführt werden, welche sorgfälltig auf die bekannte Dicke des
Aluminiumpolsters 18 auf dem Halbleiterelement 30 gestützt
wird. Diese Berechnung wird durchgeführt, um die genaue Dicke
der Goldbeschichtung zu ermitteln, welche gewährleistet, daß
bei der Bildung der intermetallischen Schicht 17 das Gold
zwischen der intermetallischen Schicht 17 und der unteren
Chromschicht 16 vollständig verbraucht wird, so daß die untere
Chromschicht 16 mit dem intermetallischen Laminat 17 in
Berührung ist. Deshalb und aufgrund des Designs bleibt eine dünne
Schicht aus Aluminium 18 zwischen der intermetallischen Schicht
17 und dem Siliziumchip 30. Dieser Herstellungsschritt wird so
durchgeführt, daß kein Gold in einer stark goldhaltigen Phase
der intermetallischen Gold-Aluminium-Zusammensetzung bleibt;
statt dessen gibt es eine Aluminium-Grenzschicht zwischen der
intermetallischen Schicht 17 und dem Silizium 30, um eine
weitere Reaktion zu verhindern. Die Chromschicht 16 zwischen der
intermetallischen Schicht 17 und der Kuperfolie 12 ergibt eine
ähnliche metallische Grenzschicht, um zu gewährleisten, daß
sich keine Kupfer-Aluminium-Intermetalle bilden.
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Nachdem der Leiter 10 hergestellt wurde, wobei die Folie mit
der gewünschten Dicke und die berechteten Chrom- und
Goldüberzüge verwendet wurden (d. h., das Gold wurde in einer
ausreichend kleinen Menge eingesetzt, damit es bei der Herstellung
der intermetallischen Schicht 17 vollständig verbraucht wird),
wird die Kuperfolie geätzt oder in die in Figur 3 gezeigte
Schablonenform 40 gestanzt. Diese grundsätzlich Konfiguration
umfaßt drei diskrete Abschnitte: einen Metallrahmen 42, eine
oder mehrere Kontaktzonen, wie die Zonen 41 und 42, welche hier
als Inseln bezeichnet werden, und Erweiterungsbereiche 46,
welche im folgenden als "Flügel" oder "Blätter" bezeichnet werden.
Die Blätter 46 sind einstückig ausgebildete (integrale)
Verbindungselemente zwischen dem Rahmen 42 und den Inseln 41 und 44.
In der richtigen Schablone sind verschiedene Löcher oder
Öffnungen 48, insbesondere in Hauptkontaktzonen, woraus sich so
etwas wie eine "Spitzen-Gewebekonstruktionen" ergibt. Es wurde
bereits zuvor darauf hingewiesen, daß die Folie 10 (Figuren 1
und 2) insbesondere in dem Bereich, welcher durch die Insel 44
dargestellt wird, direkt mit dem Aluminiumpolster 18 der
Oberfläche des Chips 30 verbunden werden soll, außer beim Umfang
des Chips 30, welcher als Schutzringbereich 38 bezeichnet wird.
Der Zweck der Spitzen-Gewebekonstruktion ist, die mangelhafte
Anpassung bei der thermischen Ausdehnung nach dem Verbinden der
Folie mit der Chipmetallisierung zu vermindern. In Figur 3
nicht sichtbar ist die ausgedampfte Aluminiumpolsterung, welche
direkt unter der Insel 44 der Folie liegt. Die kleinere Insel
41, welche das Gate eines typischen MCT (MOS-gesteuerter
Thyristor) bildet, ist in der oberen rechten Ecke des Bauteils 30
gezeigt. Man kann sehen, daß wenigstens ein Blatt 46 eine Insel
mit dem Rahmen 42 verbindet, daß die Inseln jedoch einzeln und
elektrisch voneinander getrennt sind. Schnittlinien 39 sind
gestrichelt bei Punkten an den Blättern 46 in der Nähe des
Rahmens 42 angedeutet, wo die Blätter letztendlich von dem Rahmen
getrennt werden. Während der Endmontage der Chipkapselung wird
der Rahmen 42 von dem Rest der in Figur 3 gezeigten
Gesamtanordnung entfernt. Runde Bereiche 34, welche gepunktet
dargestellt sind, repräsentieren in diesem speziellen Fall die
Positionen von Kupferkugeln, welche einen Anschluß auf der
Folienoberfläche bilden und über die eine elektrische Verbindung
durch den dielektrischen Deckel (nicht gezeigt) hergestellt
werden kann, welcher am Ende den verkapselten Chip bedeckt.
Wenn der Rahmen 42 entfernt wurde, werden die Blätter 46 über
den Rand der Kontaktzoneninsel zurückgebogen, von der sie
ausgehen. In Figur 3 würde zum Beispiel das Blatt 46, welches in
dem oberen linken Quadraten erscheint, über die gestrichelte
Außenlinie 49 zurückgebogen. Alle Blätter 46 werden auf diese
Weise behandelt. Diese Technik ist deutlicher in den Figuren 4
und 5 gezeigt.
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Nachdem die Schablone richtig geformt ist, wird sie
vorzugsweise über der Deckmetallisierung ausgerichtet, wie in Figur 3
gezeigt, und mittels Thermokompression bei einer Temperatur über
200ºC verbunden. Typische Verbindungs- oder Bondverfahren
werden bei einer Temperatur von etwa 325ºC während einer halben
Stunde bei einem Druck von 1000 bis 6000 psi durchgeführt,
wobei normalerweise ein Druck von etwa 3000 psi bevorzugt wird.
Dies führt zu einer vollständigen Konversion des Goldfilms auf
der Kuperfolie in das gewünschte stabile intermetallische
AuAl&sub2; bei der Aluminium-Folien-Grenzfläche. Danach wird die
zuvor erörterte Routine ausgeführt und die Endmontage wird gemäß
den Figuren 4 und 5 durchgeführt.
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Figur 4 ist eine isometrische Darstellung der erfindungsgemäßen
Folie 10 in der endgültigen Montagestellung, wobei eine
Polyimidlage 33 über allen Inselflächen liegt. Die Polyimidschicht
schaft eine elektrische Trennung der Folie 10 von dem Deckel
(außen bei den zurückgebogenen Blättern 46), und die
zurückgebogenen Blätter, welche bei Kontakt mit Metallkugeln
(gestrichelt) oder anderen geeigneten durch den Deckel
führenden Verbindungselementen nach unten gedrückt werden, ergeben
einen zusätzlichen Zugentlastungsfaktor. Die Blätter sind hier
über das Hauptkontakt-Verbindungsfeld 44 und das Gatekontakt-
Verbindungsfeld 41 zurückgebogen dargestellt.
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Figur 5 dient zur weiteren Darstellung der in Figur 4 gezeigten
Struktur, wobei der Aufriß eines Teils der in Figur 3 gezeigten
Struktur längs der Pfeile 5-5 dargestellt ist. Wie zuvor
gesagt, erstreckt sich das Aluminiumfeld 18 nicht bis zum Rand
des Siliziumchips 30, so daß ein Schutzringbereich 38 gebildet
wird. Der Zweck dieses Schutzringbereiches 38 ist, Kurzschlüsse
zu verhindern, welche durch den Kontakt mit Nachbarchips bei
einem Chargen-Herstellungsverfahren oder einem
Herstellungsverfahren in großer Fertigungsserie verursacht werden können.
Dieser Faktor betrifft jedoch Chargenherstellungsverfahren und ist
ein Gegenstand, der nicht wirklich in den Bereich dieser
Offenbarung gehört.