DE69025837T2 - Verfahren zur Entfernung von feinkörnigen Teilchen aus Fluoroharzgegenständen - Google Patents
Verfahren zur Entfernung von feinkörnigen Teilchen aus FluoroharzgegenständenInfo
- Publication number
- DE69025837T2 DE69025837T2 DE69025837T DE69025837T DE69025837T2 DE 69025837 T2 DE69025837 T2 DE 69025837T2 DE 69025837 T DE69025837 T DE 69025837T DE 69025837 T DE69025837 T DE 69025837T DE 69025837 T2 DE69025837 T2 DE 69025837T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- fluorine
- gas
- cleaning
- containing resin
- article
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 239000002245 particle Substances 0.000 title description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 48
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 45
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 31
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 19
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910014264 BrF Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910014263 BrF3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910014271 BrF5 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020313 ClF Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020323 ClF3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 101100441092 Danio rerio crlf3 gene Proteins 0.000 claims description 3
- XHVUVQAANZKEKF-UHFFFAOYSA-N bromine pentafluoride Chemical compound FBr(F)(F)(F)F XHVUVQAANZKEKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N fluoridochlorine Chemical compound ClF OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012025 fluorinating agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- XHFXMNZYIKFCPN-UHFFFAOYSA-N perchloryl fluoride Chemical compound FCl(=O)(=O)=O XHFXMNZYIKFCPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FQFKTKUFHWNTBN-UHFFFAOYSA-N trifluoro-$l^{3}-bromane Chemical compound FBr(F)F FQFKTKUFHWNTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 5F4 Chemical compound 0.000 claims description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 38
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 9
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 8
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910000329 aluminium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 235000011128 aluminium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000008214 highly purified water Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000014380 magnesium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011147 magnesium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011686 zinc sulphate Substances 0.000 description 1
- 235000009529 zinc sulphate Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/02—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances with solvents, e.g. swelling agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/126—Halogenation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2327/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers
- C08J2327/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08J2327/12—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Entfernung feinkörniger Bestandteile, die als Verunreinigungen auf ausgeformten Produkten aus fluorhaltigem Harz abgelagert sind.
- Derzeit müssen sogar feine Teilchen von submikroner Größe von ausgeformten Produkten aus fluorhaltigem Harz auf dem Gebiet der sogenannten Hochtechnologie entfernt werden. Ferner wird erwartet, daß sich eine Nachfrage für einen höhere Reinigungsgrad verstärkt.
- Beispielsweise werden gegenwärtig aus fluorhaltigem Harz hergestellte Behälter zur Aufnahme eines Mittels für Naßätzung bei der Produktion von Halbleitern, d.h., repräsentativen Produkten auf dem Gebiet der Hochtechnologie verwendet.Diese Behälter werden gewöhnlich mit einer verdünnten wäßrigen Lösung eines oberflächenaktiven Mittels, starker Säure, hochreinem Wasser gereinigt, oder, falls erforderlich,können sie durch Ultraschall-Behandlung oder Eintauchen gereinigt werden.Diese Verfahren können indessen nicht einen zufriedenstellenden Reinigungsgrad an Behältern aus fluorhaltigem Harz, verglichen mit dem Grad an Behältern aus Polyethylen, erreichen und deshalb können sie für Behälter für die Aufnahme eines Mittels zur Naßätzung unverwendbar sein.
- Genauer dargelegt müssen die Behälter aus fluorhaltigem Harz zur Aufnahme einer 50%igen wäßrigen Lösung von HF, die bei der Herstellung von Halbleitern Verwendung finden soll, in einem solchen Ausmaß gereinigt werden, daß nach der Reinigung 10 Teilchen oder weniger in einem Milliliter der Lösung in Bezug auf die Teilchen, die nicht kleiner als 0,3 µm in der Teilchengröße enthalten sind, und daß nach der Reinigung ein Teilchen oder weniger in einem Milliliter derselben in Bezug auf die Teilchen, die nicht kleiner als 0,5 µm in der Teilchengröße enthalten ist. Die Reinigung mit hochreinem Wasser kann die obigen Grade überhaupt nicht erreichen.
- Die Benutzung von Behältern aus fluorhaltigem Harz ist begrenzt, weil sie schwierig zu reinigen bleiben. Als Folge hiervon könnten solche Behälter im wesentlichen unbenutzbar werden, wenn in Zukunft ein höherer Reinigungsgrad festgesetzt wird.
- Aus JP-A-63 310 683 ist ein Verfahren zur Reinigung von Gegenständen aus fluorhaltigen Harzen bekannt, das die Einführung von Dampf in einen Waschbehälter, Halten des Behälters auf einer hohen Temperatur, hohem Druck und hoher Feuchtigkeit für eine spezielle Zeitspanne, Reduzierung des internen Druckes des Behälters und Absprühen des Gegenstandes in dem Behälter mit Wasser, um den Gegenstand rasch abzukühlen, umfaßt.
- EP-A-300 385 beschreibt ein Verfahren zur Verbesserung der Barriere-Eigenschaften von thermoplastischen Harzen wie HDPE, LDPE, PP und PET, das das Inkontaktbringen des thermoplastischen Harzes mit einem gasförmigen Reaktionsdampf, der F&sub2; und O&sub2; enthält, umfaßt.
- US-A-4 680 060 offenbart ein Verfahren zur Extraktion von Schmutzstoffen von der Oberfläche von Plastikgegenständen durch Anwendung von Alkohol.
- Keine der oben erwähnten drei Bezugnahmen offenbart, daß feine Teilchen, die auf Gegenständen aus fluorhaltigen Harzen abgelagert sind, bis auf einen hohen Reinigungsgrad durch Halten des Gegenstandes aus fluorhaltigen Harzen in einer Atmosphäre aus Gas vom Fluortyp entfernt werden können.
- Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Entfernung von feinkörnigen Bestandteilen als Verunreinigungen von ausgeformten Produkten aus fluorhaltigem Harz zu schaffen.
- Andere Aufgaben und Merkmale der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung offenbar werden.
- Im Hinblick auf den vorerwähnten Stand der Technik führten wir eine extensive Forschung durch und fanden, daß die feinkörnigen Teilchen wirksam von einem Gegenstand aus fluorhaltigem Harz entfernt werden können, wenn der Gegenstand bei einer hohen Temperatur gehalten wird.
- Eine weitere Feststellung war, daß ein ähnlicher Effekt zur Entfernung von Teilchen auch erzeugt werden kann, wenn der Gegenstand in der Atmosphäre eines speziellen Gases vom Fluortyp gehalten wird.
- Unsere zusätzliche Feststellung war, daß ein ähnlicher Effekt zur Entfernung von Teilchen erzielt werden kann, wenn der Gegenstand mit einem speziellen Lösungsmittel in Kontakt gebracht wird.
- Die vorliegende Erfindung ist auf der Grundlage dieser neuartigen Feststellungen abgeschlossen worden.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung sind vorgesehen:
- (1) ein Verfahren zur Entfernung von feinkörnigen Teilchen, die auf einem Gegenstand aus fluorhaltigem Harz abgelagert sind, wobei das Verfahren das Halten des Gegenstandes aus fluorhaltigem Harz in einer Atmosphäre aus Gas vom Fluortyp umfaßt;
- (2) ein Verfahren wie oben in Absatz (1) definiert, in dem das verwendete Gas vom Fluortyp eine Art Gas ist, das in der Lage ist, als ein Fluorierungsmittel oder ein Oxidationsmittel zu wirken;
- (3) ein Verfahren wie oben in Absatz (2) definiert,in dem das verwendete Gas von Fluortyp wenigstens ein Gas ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Gasen aus F&sub2;, ClF&sub5;, ClF&sub3;, ClF, BrF&sub5;, BrF&sub3;, BrF, ClO&sub3;F, SF&sub4;, O&sub2;F&sub2; und NF&sub3; besteht, wobei das Gas eines ist, das mit einem inaktiven Gas verdünnt oder nicht verdünnt ist;
- (4) ein Verfahren wie oben in Absatz (2) oder (3) definiert, in dem das Gas auf einer Temperatur gehalten wird, die höher als Raumtemperatur bei der Verfahrensweise (ii) ist;
- (5) ein Verfahren wie oben in Absatz (1) definiert, in dem der Gegenstand wenigstens einmal mit hochreinem Wasser und/oder mit einem Reinigungsmittel gereinigt wird, bevor oder nachdem oder sowohl bevor oder nachdem besagtes Verfahren durchgeführt wird.
- Das Verfahren der vorliegenden Erfindung umfaßt im wesentlichen die Unterwerfung eines Gegenstandes aus fluorhaltigem Harz einem Verfahren, wie es oben definiert worden ist.
- Die Verfahrensweise wird unten detaillierter beschrieben.
- Ein Gegenstand aus fluorhaltigem Harz wird in dieser Verfahrensweise in der Atmosphäre aus Gas vom Fluortyp gehalten. Nützlicherweise kann die Entfernung der Teilchen durch Ausführung einer zusätzlichen Verfahrensweise wie Drehung des Gegenstandes, Durchrühren des Atmosphärengases und Sprühen des Atmosphärengases beschleunigt werden.Im Falle, daß der Gegenstand aus fluorhaltigem Harz ein Behälter ist, kann das Gas vom Fluortyp in den Behälter gefüllt werden. Brauchbare Gase vom Fluortyp schließen Gase ein, die in der Lage sind, als ein Fluorierungsmittel oder ein Oxidationsmittel zu wirken. Spezielle Beispiele solcher Gase sind Gase von F&sub2;, ClF&sub5;, ClF&sub3;, ClF, BrF&sub5;, BrF&sub3;, BrF, ClO&sub3;F, SF&sub4;, O&sub2;F&sub2; und NF&sub3;. Diese Gase sind allein anwendbar oder wenigstens zwei von ihnen können in einer Mischung angewendet werden. Die Gase können nach Verdünnung mit einem inaktiven Gas angewendet werden. Beispiele von brauchbaren inaktiven Gasen zur Verdünnung sind Stickstoff, Argon und Helium. Eine bevorzugte Konzentration des Gases vom Fluortyp, das mit inaktivem Gas verdünnt worden ist, ist nicht niedriger als 0,1 Volumen-%.Die Temperatur der Gasatmosphäre van Fluortyp kann Raumtemperatur sein und sie wird vorzugsweise erhöht, um die Reinigung zu beschleunigen. Die maximal erhöhte Temperatur ist niedriger als der Schmelzpunkt des Gegenstandes. Je länger die Verweildauer in der Gasatmosphäre vom Fluortyp ist, desto höher ist der Reinigungsgrad. Jedoch ist die längere Verweildauer wirtschaftlich unvorteilhaft. Die Verweildauer ist, obwohl in geeigneter Weise bestimmbar, was von dem Grad der Verschmutzung des Gegenstandes und dem erforderlichen Grad der Reinigung abhängt, gewöhnlich nicht kürzer als 1 Stunde, vorzugsweise etwa 4 bis 12 Stunden bei Ausführung der Verfahrensweise ohne Erhitzen, jedoch etwa 10 bis etwa 30 Minuten bei Ausführung der Verfahrensweise mit Erhitzen.
- Die Reinigung in der Atmosphäre des Gases vom Fluortyp kann entweder an dem ausgeformten Produkt aus fluorhaltigem Harz oder während des Ausformverfahrens des fluorhaltigen Harzes bewirkt werden.
- Der Reinigungsgrad von Gegenständen aus fluorhaltigem Harz kann auch durch Vornahme eines zusätzlichen Reinigungsverfahrens wenigstens einmal mit hochreinem Wasser und/oder einem Reinigungsmittel bevor oder nachdem oder sowohl bevor als auch nachdem besagtes Verfahren ausgeführt worden ist, verstärkt werden. Brauchbare Reinigungsmittel schließen ein:
- (a) Säuren und Mittel vom Alkalityp wie wäßrige Lösungen, die wenigstens eine aus HF, NH&sub4;F, HCl, HNO&sub3;, H&sub2;O&sub2;, H&sub2;SO&sub4;, H&sub3;PO&sub4; und NH&sub3; ausgewählte Art enthalten; sowie
- (b) organische Lösungsmittel wie Trichlorethylen, Methylalkohol, Ethylalkohol, Isopropylalkohol und Aceton.
- Die vorstehenden Reinigungsmittel werden zur Benutzung auf dem Gebiet der Herstellung von Halbleitern in aus fluorhaltigem Harz hergestellten Behältern oder Tanks gelagert oder in aus fluorhaltigem Harz hergestellten Rohren transportiert.
- Der Reinigungsgrad von Artikeln aus fluorhaltigem Harz kann auch durch Ausführung einer zusätzlichen Reinigung wenigstens einmal mit einer wäßrigen Elektrolytlösung bei einer hohen Konzentration (nicht niedriger als 0,5 Gewichts-%) bevor oder nachdem oder sowohl bevor oder nachdem wenigstens eine der Verfahrensweisen (i), (ii) und (iii) durchgeführt worden ist, verstärkt werden. Beispiele von brauchbaren Elektrolyten sind NH&sub4;Cl, NH&sub4;F, KCl, KF, NaCl, MgCl&sub2;, MgCO&sub3;, ZnCl&sub2;, ZnSO&sub4;, FeCl&sub3;, AlCl&sub3; und Al&sub2;(SO&sub4;)&sub3;.
- Das Verfahren der vorliegenden Erfindung ist zur Entfernung feiner Teilchen von einem Gegenstand aus fluorhaltigem Harz geeignet, der in einem großen Ausmaß gereinigt werden muß, insbesondere Gegenstände aus fluorhaltigem Harz wie Behälter, Tanks, Rohre, Röhren oder Wafer-Carrier zur Verwendung auf dem Gebiet der Herstellung von Halbleitern.
- Die folgenden großen Vorteile können durch Reinigung eines Gegenstandes aus fluorhaltigem Harz gemäß der vorliegenden Erfindung offeriert werden.
- (A) Das Verfahren der Erfindung kann einen Reinigungseffekt in einem Ausmaß erzeugen , der bisher durch konventionelle Techniken unerreichbar war, genauer dargelegt,bis zu einem solchen Grad, daß nach der Reinigung 10 Teilchen oder weniger in einem Milliliter der in einem Behälter aus fluorhaltigem Harz aufgenommenen Lösung in Bezug auf Teilchen, die nicht kleiner als 0,3 µm in der Teilchengröße sind, enthalten sind, und daß nach der Reinigung ein Teilchen oder weniger in einem Milliliter derselben in dem Behälter in Bezug auf Teilchen, die nicht kleiner als 0,5 µm in der Teilchengröße enthalten ist.Deshalb können die Verfahren der Erfindung das Erfordernis für höhere Reinigungsgrade erfüllen, die auf dem Gebiet der Herstellung von Halbleitern sowie anderen Gebieten erwartet werden.
- (B) Falls das Verfahren der Erfindung während der Ausformung des fluorhaltigen Harzes ausgeführt wird, braucht ein Reinigungsvorgang nicht an dem ausgeformten Produkt vorgenommen zu werden.
- Nachstehend werden Beispiele und Vergleichsbeispiele gegeben, um die Merkmale der vorliegenden Erfindung in größerem Detail zu erhellen.
- Zwei Arten von ausgeformten Flaschen, jeweils aus Tetrafluorethylen-perfluoralkylvinyläther-Copolymer (hierin nachstehend als "PFA-Flasche" bezeichnet) und beziehungsweise Tetrafluorethylen-hexafluorpropylen-Copolymer (hierin nachstehend als "FEP-Flasche" bezeichnet) hergestellt, wurden mit hochreinem Wasser (spezifischer Widerstand [MΩ cm bei 25ºC] :wenigstens 18, Anzahl der feinen Teilchen [Anzahl der Teilchen/ml mit einer Größe nicht kleiner als 0,3 µm]: 1 oder weniger, T.O.C. [ppb] : 10 bis 100, hochreines Wasser dieser Art wird hierin nachstehend ebenfalls verwendet) in der Reihenfolge, wie sie unten in Tabelle 1 aufgezeigt ist, gereinigt.
- Die Flaschen wurden durch Einfüllen einer passenden Menge hochreinen Wassers in jede Flasche, Schütteln der Flasche unter den Bedingungen der Schwingungsamplitude von 4cm und der Schwingungszahl von 160 Schwingungen/Min. für die Dauer von 5 Minuten und Stehenlassen der Flasche gereinigt. Die Anzahl der feinen Teilchen wurde unter Verwendung eines Zählers zum Zählen der Anzahl von feinen Teilchen in Flüssigkeit (Handelsname "RION KL-21", hergestellt von RION Co., Ltd. ) gezählt. Tabelle 1 zeigt die Anzahl der feinen Teilchen, die in dem hochreinen Wasser vorhanden waren und eine Größe von wenigstens 0,3 µm oder wenigstens 0,5 µm nach Abschluß eines jeden Reinigungsvorgangs auf.
- Ferner wurde eine 40%ige wäßrige Lösung aus NH&sub4;F oder eine 50%ige wäßrige Lösung aus HF, aus denen zuvor durch Filtration unter Verwendung eines Filters (0,1 µm) feine Teilchen entfernt worden waren, in die Flaschen gegossen, um die Flaschen im Inneren derselben auf dieselbe Weise wie oben zu reinigen. Tabelle 1 zeigt auch die Anzahl der feinen Teilchen auf, die in diesem Fall gezählt wurden.
- In den folgenden Beispielen und Vergleichsbeispielen wurde das Reinigen mit hochreinem Wasser auf dieselbe Weise wie in diesem Vergleichsbeispiel durchgeführt, sofern es nicht anderweitig dargelegt ist. Ferner wurden 40%ige wäßrige Lösungen aus NH&sub4;F und 50%ige Lösungen aus HF durch die gleiche Verfahrensweise wie oben filtriert und in den folgenden Reinigungsvorgängen verwendet.
- Jeder Wert, der in den folgenden Tabellen gezeigt wird und unter Verwendung von PFA-Flaschen erhalten wurde, ist das Mittel von zwei Daten, bestimmt durch die tatsächliche Zahl, und jener, der unter Verwendung von FEP-Flaschen erhalten wurde, ist das Mittel von drei solcher Daten. Tabelle 1 Flasche Teilchengröße Anzahl feiner Teilchen Reinigung mit superreinem Wasser Reinigung Verfahren der Erfindung Reinigung mit keine * Die Bezeichnung "np" bedeutet die Anzahl der Teilchen
- Tabelle 1 zeigt, wie die Anzahl der feinen Teilchen sich durch die Zwischenstufen bei dem Reinigungsverfahren unter Verwendung hochreinen Wassers,welches eines der konventionellen Reinigungstechniken ist, verändert.
- In den folgenden Beispielen und Vergleichsbeispielen wird der Grad der Verbesserung des Reinigungseffektes durch Vergleich mit den in Tabelle 1 aufgezeigten Ergebnissen bestimmt.
- Eine ausgeformte 0,5 l -PFA-Flasche und eine ausgeformte 1l -FEP-Flasche wurden im Inneren einmal mit hochreinem Wasser auf dieselbe Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 gereinigt. Die Flaschen wurden mit einem F&sub2;-haltigen Gas (15% F&sub2; - 85% N&sub2;) beschickt und wurden unter den folgenden Bedinungen gehalten Zeit in der F&sub2;- haltiges Gas beibehalten wurde (h) Erhitzungstemperatur (ºC) Erhitzungszeit (Min.)
- Die Flaschen wurden weiter mit hochreinem Wasser auf diesel be Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 viermal gereinigt.
- Darüberhinaus wurde eine 40%ige wäßrige Lösung aus NH&sub4;F oder eine 50%ige wäßrige Lösung aus HF zur Reinigung der Flaschen auf dieselbe Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 verwendet.
- Tabelle 2 zeigt die Ergebnisse auf. Tabelle 2 Temperatur Flasche etwa Teilchengröße Anzahl feiner Teilchen Reinigung mit superreinem Wasser Reinigung Verfahren der Erfindung Reinigung mit In Fluorgasatmosphäre gehalten *Die Bezeichnung "np" bedeutet die Anzahl der Teilchen Tabelle 2 (Fortsetzung) Temperatur Flasche Teilchengröße Anzahl feiner Teilchen Reinigung mit superreinem Wasser Reinigung Verfahren der Erfindung Reinigung mit In Fluorgasatmosphäre gehalten Die Bezeichnung "np" bedeutet die Anzahl der Teilchen
- Die Ergebnisse, wie sie in Tabelle 5 angegeben sind, zeigen eindeutig auf, daß das F&sub2;-haltige Gas, wenn es in einen aus fluorhaltigem Harz hergestellten Behälter eingeleitet wird, sogar bei gewöhnlicher Temperatur einen Reinigungseffekt ausweist.
- Eine ausgeformte 0,5l-PFA-Flasche wurde auf dieselbe Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 einmal mit hochreinem Wasser gereinigt. Danach wurde die Flasche mit einem F&sub2;-haltigen Gas (15% F&sub2; - 85% N&sub2;) beschickt und unter den folgenden Bedinungen gehalten Zeit in der F&sub2;- haltiges Gas beibehalten wurde (h) Erhitzungstemperatur (ºC) Erhitzungszeit (Min.)
- Sodann wurde die Flasche mit hochreinem Wasser auf dieselbe Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 weiter viermal gereinigt.Darüberhinaus wurde eine 40%ige wäßrige Lösung aus NH&sub4;F zur Reinigung der Flasche wie in Vergleichsbeispiel 1 verwendet.
- Tabelle 3 zeigt die Ergebnisse auf. Tabelle 3 Temperatur Flasche etwa Teilchengröße Anzahl feiner Teilchen Reinigung mit superreinem Wasser Reinigung Verfahren der Erfindung Reinigung mit In Fluorgasatmosphäre gehalten *Die Bezeichung "np" bedeutet die Anzahl der Teilchen (Anmerkung) Daten bei 250ºC sind dieselben wie in Tabelle 2 Tabelle 3 (Fortsetzung-1) Flasche Temperatur Teilchengröße Anzahl feiner Teilchen Reinigung mit superreinem Wasser Reinigung Verfahren der Erfindung Reinigung mit In Fluorgasatmosphäre gehalten *Die Bezeichnung "np" bedeutet die Anzahl der Teilchen (Anmerkung) Daten bei 250ºC sind dieselben wie in Tabelle 2 Tabelle 3 (Fortsetzung-2) Temperatur Flasche Teilchengröße Anzahl feiner Teilchen Reinigung mit superreinem Wasser Reinigung Verfahren der Erfindung Reinigung mit In Fluorgasatmosphäre gehalten * Die Bezeichnung "np" bedeutet die Anzahl der Teilchen (Anmerkung) Daten bei 250ºC sind dieselben wie in Tabelle 2
Claims (5)
1. Ein Verfahren zur Entfernung von feinkörnigen
Teilchen, die auf einem Gegenstand aus
fluorhaltigem Harz abgelagert sind, wobei das Verfahren
umfaßt, daß der Gegenstand aus fluorhaltigem Harz
in einer Atmosphäre aus Gas vom Fluortyp gehalten
wird.
2. Ein Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Gas vom
Fluortyp eine Art Gas ist, das in der Lage ist, als
ein Fluorierungsmittel oder ein Oxidationsmittel
zu wirken.
3. Ein Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Gas vom
Fluortyp wenigstens ein Gas ist, das aus der Gruppe
ausgewählt ist, die aus Gasen aus F&sub2;, ClF&sub5;, ClF&sub3;,
ClF, BrF&sub5;, BrF&sub3;, BrF, ClO&sub3;F, 5F&sub4;, O&sub2;F&sub2; und NF&sub3;
besteht, wobei das Gas eines ist, das mit einem
inaktiven Gas verdünnt oder nicht verdünnt ist.
4. Ein Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, bei dem das
Gas auf einer Temperatur gehalten wird, die höher
als Raumtemperatur ist.
5. Ein Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Gegenstand
wenigstens einmal mit superreinem Wasser und/oder
einem Reinigungsmittel gereinigt wird, bevor oder
nachdem oder sowohl bevor als auch nachdem der
Gegenstand in der Atmosphäre aus Gas vom Fluortyp
gehalten wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1251531A JPH085140B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | フッ素樹脂製品の処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69025837D1 DE69025837D1 (de) | 1996-04-18 |
DE69025837T2 true DE69025837T2 (de) | 1996-09-26 |
Family
ID=17224196
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69032487T Expired - Fee Related DE69032487T2 (de) | 1989-09-26 | 1990-09-25 | Verfahren zur Entfernung von feinkörnigen Teilchen aus Fluorharzgegenständen |
DE69032275T Expired - Fee Related DE69032275T2 (de) | 1989-09-26 | 1990-09-25 | Verfahren zur Entfernung von feinkörnigen Teilchen aus Fluorharzgegenständen |
DE69025837T Expired - Fee Related DE69025837T2 (de) | 1989-09-26 | 1990-09-25 | Verfahren zur Entfernung von feinkörnigen Teilchen aus Fluoroharzgegenständen |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69032487T Expired - Fee Related DE69032487T2 (de) | 1989-09-26 | 1990-09-25 | Verfahren zur Entfernung von feinkörnigen Teilchen aus Fluorharzgegenständen |
DE69032275T Expired - Fee Related DE69032275T2 (de) | 1989-09-26 | 1990-09-25 | Verfahren zur Entfernung von feinkörnigen Teilchen aus Fluorharzgegenständen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5064474A (de) |
EP (3) | EP0632089B1 (de) |
JP (1) | JPH085140B2 (de) |
KR (1) | KR0157321B1 (de) |
DE (3) | DE69032487T2 (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5158801A (en) * | 1988-04-01 | 1992-10-27 | The United States Of America As Represented By The United States Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of forming a multiple layer dielectric and a hot film sensor therewith |
US5213621A (en) * | 1991-10-11 | 1993-05-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Halogenated carboxylic acid cleaning agents for fabricating integrated circuits and a process for using the same |
JP3275431B2 (ja) * | 1993-03-25 | 2002-04-15 | ダイキン工業株式会社 | フッ素樹脂成形体およびその製法 |
US5760151A (en) * | 1995-08-17 | 1998-06-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Tetrafluoroethylene copolymer |
US6113824A (en) * | 1997-06-20 | 2000-09-05 | Daikin Industries, Ltd. | Process for surface treating a fluorine-containing resin molded article |
DE69936456T2 (de) * | 1998-03-25 | 2008-03-13 | Daikin Industries, Ltd. | Verfahren zum reinigen einer aus fluorhaltigem kautschuk geformten vorrichtung zur halbleiterherstellung |
US7067616B2 (en) * | 2003-06-26 | 2006-06-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Polytetrafluoroethylene treatment |
CN102007196B (zh) * | 2008-03-07 | 2014-10-29 | 高级技术材料公司 | 非选择性氧化物蚀刻湿清洁组合物及使用方法 |
JP5381367B2 (ja) * | 2009-06-15 | 2014-01-08 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素樹脂成形体の製造方法 |
KR102504511B1 (ko) * | 2018-11-27 | 2023-02-28 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 불소 수지 성형품의 제조 방법 및 제조 시스템 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4144218A (en) * | 1977-07-08 | 1979-03-13 | Hercules Incorporated | Thermosetting compositions containing a poly (arylacetylene) and a poly (phenylene oxide) |
US4328044A (en) * | 1978-02-02 | 1982-05-04 | University Of Dayton | Method for cleaning metal parts |
GB2059754B (en) * | 1979-10-04 | 1983-05-18 | Corval Machinery Ltd | Washing moulded plastics articles |
DD152921A1 (de) * | 1980-09-11 | 1981-12-16 | Heinz Werner | Verfahren und anordnung zur beseitigung auf einer oberflaeche haftender partikel |
JPS5825481A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-15 | Nippon Steel Corp | 鋼帯の水切り方法 |
JPS5899113A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-13 | Hitachi Ltd | 気体反応を利用したsi,sio2試料処理法 |
US4711256A (en) * | 1985-04-19 | 1987-12-08 | Robert Kaiser | Method and apparatus for removal of small particles from a surface |
US4680060A (en) * | 1985-09-20 | 1987-07-14 | The Coca-Cola Company | Process for the extraction of contaminants from plastics |
US4787941A (en) * | 1986-06-30 | 1988-11-29 | Wang Laboratories, Inc. | Cleaning method for keyboard assemblies |
JPS6345822A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Hitachi Ltd | クリ−ニング方法および装置 |
JPS63310063A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レイアウト表示装置 |
JP2541560B2 (ja) * | 1987-06-12 | 1996-10-09 | 住友シチックス株式会社 | フッ素樹脂製品の洗浄方法 |
US4764405A (en) * | 1987-07-22 | 1988-08-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for increasing barrier properties of thermoplastic substrates |
FR2632654B1 (fr) * | 1988-06-09 | 1994-05-06 | Atochem | Materiau de polyfluorure de vinylidene a surface adaptee pour adherer a un polymere non compatible, procede de traitement de surface d'un materiau de polyfluorure de vinylidene pour permettre son adherence a un polymere non compatible |
BR8804580A (pt) * | 1988-09-01 | 1990-01-23 | Mauro Sergio Curtis | Processo para tratamento de superficie de pvc |
DE3840269A1 (de) * | 1988-11-30 | 1990-05-31 | Messer Griesheim Gmbh | Verfahren zur erzeugung glatter oberflaechen auf gegenstaenden aus polymeren von ethylen, propylen, butadien und polystyrol |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP1251531A patent/JPH085140B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-09-24 US US07/586,775 patent/US5064474A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-25 DE DE69032487T patent/DE69032487T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-25 EP EP94113656A patent/EP0632089B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-25 DE DE69032275T patent/DE69032275T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-25 DE DE69025837T patent/DE69025837T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-25 EP EP90118378A patent/EP0420141B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-25 EP EP94113657A patent/EP0632088B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-26 KR KR1019900015320A patent/KR0157321B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0632089A1 (de) | 1995-01-04 |
KR0157321B1 (ko) | 1998-12-01 |
JPH085140B2 (ja) | 1996-01-24 |
DE69025837D1 (de) | 1996-04-18 |
EP0632089B1 (de) | 1998-07-15 |
JPH03112632A (ja) | 1991-05-14 |
EP0632088A1 (de) | 1995-01-04 |
DE69032275T2 (de) | 1998-09-10 |
KR910005906A (ko) | 1991-04-27 |
EP0420141A3 (en) | 1991-10-23 |
EP0420141A2 (de) | 1991-04-03 |
EP0632088B1 (de) | 1998-04-22 |
DE69032487T2 (de) | 1999-01-07 |
DE69032275D1 (de) | 1998-05-28 |
DE69032487D1 (de) | 1998-08-20 |
EP0420141B1 (de) | 1996-03-13 |
US5064474A (en) | 1991-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69722542T2 (de) | Verbesserungen an oder in Bezug auf Halbleiteranordnungen | |
DE69025837T2 (de) | Verfahren zur Entfernung von feinkörnigen Teilchen aus Fluoroharzgegenständen | |
DE69217024T2 (de) | Verfahren zur Reinigung einer Siliziummasse | |
DE69430706T2 (de) | Rezyklieren von zur reinigung von halbleiterscheiben verwendeten stoffen | |
DE3688097T2 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Beseitigung kleiner Teilchen von einer Oberfläche. | |
DE2151073C3 (de) | Verfahren zum Polieren von Saphiroder Magnesiumspinell-Einkristallen | |
EP0502466B1 (de) | Verfahren zur Reinigung von Wasserstoffperoxyd für die Mikroelektronik | |
DE3826720A1 (de) | Verfahren zur herstellung hochreinen wasserstoffperoxids | |
DE69418458T2 (de) | Nassaetzungsverbindung fuer halbleiter mit ausgezeichneten befeuchtungseigenschaften | |
EP0698917A1 (de) | Reinigungsmittel und Verfahren zum Reinigen von Halbleiterscheiben | |
EP0180900B1 (de) | Verfahren zur Einstellung der Struktur- und/oder Oberflächeneigenschaften von oxidischen Materialien | |
EP1625246B1 (de) | Elektrolyt zum elektrochemischen polieren von metalloberflächen | |
DE602004000276T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Haltevorrichtung aus Quarzglas | |
DE69405971T2 (de) | Aluminiumfolie zur Verwendung als Elektrode für einen Elektrolytkondensator und Verfahren zum Ätzen | |
DE1082238B (de) | Verfahren zum Herstellen von Silizium | |
DE69304638T2 (de) | Verfahren zur Reinigung von 1,1,1,2-Tetrafluorethan | |
DE69027266T2 (de) | Schwefelsäurezusammensetzung mit niedriger oberflächenspannung | |
DE1919559A1 (de) | Chemisches Polieren von Aluminium | |
DE60108801T2 (de) | Verfahren zur Reinigung von Stickstofftrifluorid durch kontinuierliche Tieftemperaturdestillation | |
EP1176632A1 (de) | Verfahren zur chemischen Behandlung von Halbleiterscheiben | |
EP0230903A2 (de) | Verfahren zur Reinigung von Aluminiumbehältern | |
DE1667444C2 (de) | Verfahren zur Abtrennung von SiCI tief 4 und SiHCI tief 3 aus einem Gasgemisch dieser Halogensilane mit Wasserstoff | |
DE102009008734A1 (de) | Verfahren zum Reinigen einer wässrigen Kaliumhydroxidlösung, die reich an Siliciumverunreinigungen ist | |
DE2618242B2 (de) | Verfahren zur Reinigung von Natriumhydroxid | |
DE102012218748A1 (de) | Trocknen von Polysilicium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |