DE69025221T2

DE69025221T2 - Verfahren zur Herstellung elektronischer Vorrichtungen

Info

Publication number: DE69025221T2
Application number: DE69025221T
Authority: DE
Inventors: Brent J Blumenstock
Original assignee: AT&T Corp
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1989-03-22
Filing date: 1990-03-14
Publication date: 1996-06-20
Anticipated expiration: 2010-03-15
Also published as: JPH0584056B2; EP0389170B1; US4908935A; DE69025221D1; JPH02280345A; ES2082823T3; EP0389170A3; EP0389170A2; HK140196A

Description

Technisches Gebiet

Die vorliegende Erfindung betrifft die Herstellung elektronischer Vorrichtungen und insbesondere Verfahren zur Verkapselung elektronischer Vorrichtungen mit einem viskosen Verkapselungsmaterial, das anschließend gehärtet wird.

Allgemeiner Stand der Technik

Da IC-Chips komplexer werden, wird die integrierte Hybridschaltungstechnologie (HIC-Technologie) immer mehr verwendet, wobei ein keramischer Träger, auf dem ein relativ komplexer gedruckter Schaltungsaufbau gebildet werden kann, verwendet wird, um ein oder mehrere IC-Chips zu tragen und miteinander zu verbinden. Die HIC wird gewöhnlich mit einer Schutzverkapaelung umgeben. Während es sich bei dieser Verkapselung um ein hartes Kunststoffgehäuse handeln kann, werden immer häufiger Silikonharze als Verkapselungsmittel verwendet.
Wie beispielsweise in den U.S.-Patenten von Wong, Patent Nr. 4,508,758, erteilt am 2. April 1985, Nr. 4,396,796, erteilt am 2. August 1983, und Nr. 4,552,818, erteilt am 12. November 1985, die jeweils auf eine Tochtergesellschaft der American Telephone and Telegraph Company, Inc., übertragen wurden, beschrieben, ist als besonders reizvolles Verkapselungsmaterial RTV-Silikon (bei Raumtemperatur vulkanisiertes Silikon) bekannt. Derartige Bilikone sind aufgrund ihrer guten Wärmebeständigkeit, ihrer guten dielektrischen Eigenschaften, ihrer chemischen Stabilität und ihres Widerstands gegen atmosphärische Beeinträchtigung geeignete Verkapselungsmaterialien. In seinem ungehärteten Zustand ist RTV-Silikon ziemlich flüssig und fließt um auf einem keramuchen Träger montierte Halbleiterchips herum, um diese vollkommen zu verkapseln. Sind diese Chips durch winzige Bonddrähte mit der Leiter struktur des Trägers verbunden, ist RTV-Silikon in der Lage, um derarte Bonddrähte herum zu fließen und sie, ohne sie zu zerbrechen, zu verkapseln. Nach dem Aushärten ist das Silikon hart genug, die Chips vor den Gefahren routinemäßiger Verwendung sowie vor atmosphärischen Verunreinigungen zu schützen.
Die Leiterbahnen auf der Fläche des keramischen Trägers werden in der Regel durch Leiter abgeschlossen, die sich auf vorkragende Weise von gegenüberliegenden Seiten des Trägers erstrecken. Nach dem Verdrahten mit der Schaltung bilden die Leitungen in der Regel einen mechanischen Träger für die HIC und stellen elektrische Leiter dar.
Die meisten Montagefunktionen in moderner Elektroniktechnologie werden durch automatische Vorrichtungen ausgeführt. Somit wird zum Beispiel ungehärtetes Silikon als Teil eines Fertigungsstraßenablaufs auf eine Trägerfläche aufgebracht, und es ist vorgesehen, daß es anfänglich durch Oberflächenspannung auf dem Träger gehalten wird. Nachdem das RTV-Silikon einige Minuten lang Raumtemperaturbedingungen ausgesetzt war, fängt es an auszuhärten, und nach einem längeren Zeitraum erreicht es seinen Endzustand mechanischer Stabilität. Ein Problem, das sich stellte, ist die Neigung von ungehärtetem Silikon, entlang den Leitern zu fließen und während des anschließenden Aushärtens daran zu erhärten. Gewöhnlich ist beabsichtigt, daß die Leitungen frei von Verunreinigungen und nicht isoliert sind, so daß sie bequem und zuverlässig mit anderen Vorrichtungen wie zum Beispiel gedruckten Schaltungen verbunden werden können, und zwar wiederum in der Regel mittels automatisierter Verfahren. Somit muß Silikon, das auf die Leitungen geflossen ist, normalerweise vor der anschließenden Bearbeitung von Hand entfernt werden.
Zur Verringerung des Problems des Silikonflusses auf die Leitungen wurden die Leitungen mit Maskierungsband abgedeckt, was jedoch gewöhnlich als nicht zufriedenstellend befunden wurde. Eine Schwierigkeit ist eine gute Haftung des Maskierungsbandes auf den einzelnen Leitungen ohne Verwendung eines Klebstoffes, der nach Entfernen des Bandes schädliche Verunreinigungen auf den Leitungen hinterlassen würde. Herkömmliches Maskierungsband mit einem herkömmlichen Klebstoff neigt dazu, sich vor dem Aufbringen des Silikons an verschiedenen Stellen von den Leitungen abzulösen. Es wurde festgestellt, daß das flussige Silikon dann dazu neigt, durch Kapillarwirkung an Stellen, an denen das Band nicht vollständig an den Leitungen haftet, zwischen das Maskierungsband und die Leitungen zu fließen. Selbst bei vollständiger Haftung fließt das Silikon manchmal durch Kapillarwirkung über das Maskierungsband, wodurch die Neigung besteht, daß das flüssige Silikon von der Fläche des Trägers abläuft.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren nach Anspruch 1 bereitgestellt.
Erfindungsgemäß werden die vorangehenden Probleme mit einem Verkapselungsverfahren für eine integrierte hybride Schaltung gelöst, bei dem jede Leitungsanordnung von einem länglichen, C-förmigen Sperrglied umgeben wird, das an die neben dem Träger liegenden Teile der Leitungsanordnung geklemmt wird; d.h. gegenüberliegende Seiten eines Schlitzes im Sperrglied erfassen gegenüberliegende Seiten der Leitungen. Danach wird ungehärtetes RTV- Silikon auf den Träger aufgetragen, fließt über die auf der Fläche des Trägers montierten Chips und umgibt diese und wird von dem C-förmigen Glied, das aufgrund seiner Konfiguration eine Sperre für Fluidstrom darstellt, daran gehindert, entlang den Leitungen zu fließen, und zwar entweder entlang der Länge der verschiedenen Leitungen oder über die Oberseite des C-förmigen Glieds. Bei einer Ausführungsform können Hebel an dem C-förmigen Glied gegenüber dem Substrat angebaut sein, um das Aufstemmen des Schlitzes zu unterstüzten, damit die Leitungen leichter in das C-förmige Glied eingesetzt werden können. Bei einer anderen Ausführungsform besteht das C-förmige Glied aus einem Kunststoffmaterial und ist mit einem O- förmigen Glied zusammengefügt, das durch eine Pinzettenvorrichtung zusammengedrückt werden kann, um den Schlitz zum leichten Einsetzen der Leitungen in das C-förmige Glied zu öffnen.
Diese und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden durch Betrachtung der folgenden ausführlichen Beschreibung in Zusammenhang mit der beigefügten Zeichnung verständlicher.

Kurze Beschreibung der Zeichnung

Fig. 1 ist eine perspektivische Schnittansicht eines Teils einer gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung mit einem RTV-Silikon verkapselten integrierten Hybridschaltung.
Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht eines in der Anordnung nach Fig. 1 verwendeten C-frmigen Sperrglieds.
Fig. 3 ist eine Schnittansicht eines C-förmigen Sperrglieds gemäß nocheiner alternativen Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 4 ist eine perspektivische Ansicht eines Cförmigen Glieds gemäß noch einer weiteren Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 5 ist eine Ansicht der Wirkungsweise einer Pinzettenvorrichtung zum Zusammendrücken des in Fig. 4 gezeigten Glieds.

Ausführliche Beschreibung

Nun auf Fig. 1 Bezug nehmend, wird eine integrierte Hybridschaltung (HIC) 10 gezeigt, die gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung verkapselt ist. Die HIC umfaßt einen keramischen Träger 11, auf den mehrere Halbleiterchips 12 gebondet sind. Die gezeigten Chips wurden durch ein als Oberflächenmontage bekanntes Lötverfahren auf den Träger gebondet, obgleich auch Drahtbonden oder andere Verfahren verwendet werden könnten. Auf einander gegenüberliegenden Hauptflächen des Trägers 11 sind gedruckte elektrische Schaltungen (nicht gezeigt) definiert, die die Chips 12 mit einzelnen Leitern 14 verbinden. Die Leitungen liegen als parallele Anordnungen vor, wobei sich, wie gezeigt, auf jeder der beiden gegenüberliegenden Seiten des Trägers 11 eine Anordnung befindet. Bei den typischen modernen HICS erstrecken sich von jeder Seite viel mehr Leitungen, als in Fig. 1 gezeigt; eine HIC, mit der die Erfindung verwendet wurde, weist beispielsweise 36 Leitungen auf, die sich von jeder der beiden Seiten des Trägers erstrecken. Nach beendeter Fertigung werden die Leitungen in der Regel auf eine Leiterplatte gebondet und bilden mechanische Träger für die HIC und Verbindungen zwischen den Chips 12 und anderen Elementen eines elektronischen Systems, die anderswo auf der Leiterplatte definiert sind.
Die HIC-Schaltung ist auf bekannte Weise durch RTV-Silikon 15 verkapselt, das jeden der Chips und einen Großteil der Fläche des Substrats 11 umgibt. Das Silikonverkapselungsmaterial wird in flüssiger Form auf den Träger aufgetragen, wobei es flüssig genug ist, die Chips und verschiedene andere Elemente des HIC zu umfließen. Das Ausmaß, in dem das Verkapselungsmaterial die Schaltkreisstruktur auf den Trägerflächen bedecken muß, hängt in der Regel von dem zur Definition der Schaltkreisstruktur verwendeten Metallsystem und der Umgebung, in der es verwendet werden soll, ab. Nachdem das Silikon ausreichend lang Raumtemperatur und Atmosphzre ausgesetzt wurde, härtet es aus oder erstarrt, so daß es eine zuverlässige Verkapselung bildet, die die Elemente der HIC bei anschließender Verwendung schützt. Von verschie denen RTV-Silikonen ist bekannt, daß sie gute dielektrische Eigenschaften, gute Wärmebeständigkeit und chemische Stabilität sowie einen hohen Widerstand gegen atmosphärische Beeinträchtigung haben.
Erfindungsgemäß werden die beiden sich von einander gegenüberliegenden Seiten des Trägers 11 erstreckenden Leitungsanordnungen vor dem Aufbringen des Silikons von C-förmigen Sperrgliedern 17 umgeben. Wie deutlicher in Fig. 2 gezeigt, handelt es sich bei jedem C-förmigen Glied dieser Ausführungsform im wesentlichen um ein Rohr, in das ein länglicher Schlitz 18 parallel zur Rohrachse geschnitten wurde. Der Schlitz 18 ist so ausgeführt, daß er in etwa gleich der Dicke jeder der Leitungen 14 ist, so daß das C-förmige Glied aufgrund der ihm innewohnenden Elastizität die Leitungen auf ihren gegenüberliegenden Seiten erfaßt, wenn die Leitungen aus dem Schlitz herausgeführt werden. Der Innendurchmesser des röhrenförmigen C-förmigen Glieds ist so ausgelegt, daß er in etwa gleich der Länge jedes der auskragenden Teile der Leitungen ist, so daß die Glieder die Leitungen an Stellen nahe dem Träger 11 erfassen, wenn die Leitungen ganz in das Glied hineingeführt worden sind, wie in Fig. 1 gezeigt.
Das Silikon 15 soll vor dem Aushärten durch Oberflächenspannung auf der Fläche der HIC 10 festgehalten werden. In ungehärtetem Zustand ist das Silikonverkapselungsmaterial flüssig genug, die Chips 12 und andere Unebenheiten auf der Fläche des HIC-Trägers 11 zu umfließen, es hat jedoch eine ziemlich hohe Viskosität, und bei ordnungsgemäßer Einstellung der aufgebrachten Menge läuft wenig oder kein flüssiges Silikon über die Seiten der Vorrichtung. In der Vergangenheit bestand ein schwerwiegender Mangel bei dieser Strategie darin, daß überschüssiges flüssiges Silikon dazu neigt, entlang Leitungen 14 zu fließen. Der Zweck C-förmiger Sperrglieder 17 ist natürlich, dies zu verhindern und das ungehärtete flüssige Silikon auf der Fläche der HIC zu halten. Wie in der Zeichnung angedeutet, werden beide Seiten der HIC in der Regel auf diese Weise verkapselt. Das heißt, nach ausreichendem Aushärten des Verkapselungsmaterials auf einer Seite, so daß es entgegen der Schwerkraft an der HIC haftet, wird die HIC gedreht, so daß das Silikonverkapselungsmaterial auf der anderen Seite aufgebracht werden kann.
Auf Fig. 2 Bezug nehmend, bestanden die ersten hergestellten Versuchssperrglieder 17 aus TEFLON (einem im Handel erhältlichen Kunstharzpolymer) mit einem Innendurchmesser von 0,3175 cm (1/8 Zoll) und einem Außendurchmesser von 0,714 cm (9/32 Zoll). Der Schlitz 18 wurde von Hand mit einer Rasierklinge gebildet, war ziemlich zackig und belief sich in der Breite von 11 Millizoll bis zu 5 Millizoll (0,127 cm). Die Dicke der Leitungen 14, an denen das Sperrglied angebracht wurde, betrug 0,025 cm (11 Millizoll). Trotz eines großen Spaltes aufgrund der überdimensionierung eines Teils des Schlitzes 18 verhinderte das Sperrglied jegliches Fließen von Silikon durch Kapillarwirkung entlang den Leitungen 14. Es wird angenommen, daß dies auf eine gewisse Kapill arwirkung entlang der Innenfläche des Sperrglieds 17 zurückzuführen war, die eine kleine Silikonanhäufung im Spalt bewirkte, was wiederum ein Fließen entlang der Länge der Leitungen verhinderte.
Selbst wenn überschüssiges Silikon absichtlich auf der HIC aufgebracht wurde, floß dieses Silikon des weiteren nicht über die Oberseite des Sperrglieds. Dies liegt daran, daß sich bei einem röhrenförmigen Sperrglied die Außenfläche des Glieds in einem großen Winkel (fast 90º) bezüglich der Leitungsanordnung erstreckt, wodurch Silikonfluß durch Kapillarwirkung verhindert wird; wohingegen bei Maskierungsband keine derartige Sperre besteht und das Silikon über die Oberseite des Bandes fließen kann.
Nach diesem anfänglichen Versuch wurden Sperr glieder mit in Rohrmaterial von 0,064 cm (1/4 Zoll) aus rostfreiem Stahl ausgebildeten Schlitzen von 0,038 cm (15 Millizoll> zur Verwendung mit Leitungen von 0,028 cm (11 Millizoll> hergestellt. Die Rohre aus rostfreiem Stahl waren beim Maskieren der Leitungen 14 ebenfalls erfolgreich.
Auf Fig. 3 Bezug nehmend, kann ein C-förmiges Sperrglied 17' eine Öffnung 18' aufweisen, die nur etwas kleiner ist als die Dicke der in den Schlitz 18' einzusetzenden Leitungen. Sind die Leitungen beispielsweise 0,028 cm (11 Millizoll) dick, kann der Schlitz 18' 0,025 cm (10 Millizoll) breit sein. Nach dem Plazieren der Klemme auf die Leiteranordnung wird dann durch die Elastitzität des Klemmglieds 17', wenn dieses aus einem Material wie zum Beispiel TEFLON oder rostfreiem Stahl hergestellt ist, verursacht, daß es fest an der Leiteranordnung klemmt und der Konstruktion eine höhere Stabilität verleiht. Hebelarme 19 (oder Wandteile) können an dem C-förmige Glied 17', wie gezeigt, angebaut sein, damit der Schlitz 18' zum leichteren Einsetzen der Lei tungsanordnung aufgestemmt werden kann; das heißt, der Schlitz 18' wird durch auf die Hebelarme 19 wirkende Kräfte, wie durch die Pfeile gezeigt, aufgestemmt.
Ein später entwickeltes Sperrglied, das hergestellt und verwendet wurde, ist das in Fig. 4 gezeigte Glied 21, das aus einem Kunststoffmaterial wie zum Beispiel Polyethylen hergestellt wurde. Das Glied weist einen C-förmigen Teil 22 auf, an das ein allgemein O- förmiges Teil 23 angebaut ist. Der Schlitz 24 im C- förmigen Teil ist vorteilhafterweise nur etwas kleiner als die Dicke der Leitungsanordnung, die er aufnehmen soll. Wie in Fig. 5 gezeigt, wird der Schlitz 24 durch Verwendung einer Pinzettenvorrichtung 26 zum Zusammenquetschen und Verformen des O-förmigen Teils 23 aufgestemmt, wie gezeigt. Das heißt, durch Ausübung von Kräften auf die Hebelarme 27 der Pinzettenvorrichtung, wie durch die Pfeile gezeigt, werden entgegengesetzte Kräfte auf gegenüberliegende Seiten des O-förmigen Teils 23 gerichtet, so daß er zusammengedrückt und verformt wird. Dadurch wird wiederum eine Belastung auf das C- förmige Teil 22 ausgeübt, wodurch der Schlitz 24 aufgestemmt wird, wie gezeigt. Das Ausmaß, in dem der Schlitz 24 aufgestemmt wird, ist der Veranschaulichung halber etwas übertrieben. Bei einem Element 21 aus einem angemessen elastischen Polyethylenmaterial nimmt es nach Entfernen der in Fig. 5 gezeigten Pinzettenkräfte die in Fig. 4 gezeigte Konfiguration an, und erfaßt fest die Leitungsanordnung im C-förmigen Teil 22.
Die Ausführung nach Fig. 4 eignet sich offensichtlich zur Bearbeitung auf einer Fertigungsstraße, da die Leitungen leicht in Schlitz 24 eingesetzt werden können. Des weiteren ist die Konfiguration des Elements 21 derart, daß es allgemein flache Ober- und Unterseiten aufweist, wodurch es als Abstandshalter verwendet werden kann, so daß aufeinanderfolgende HICS senkrecht aufgestapelt werden können, damit das Silikon trocknen kann.
Es wurden mehrere Ausführungsformen der Erfindung zur Verhinderung, daß RTV-Silikon während des Verkapselungsprozesses entlang einander gegenüberliegender Leitungsanordnungen einer HIC fließt, gezeigt und beschrieben&sub4; Obwohl aus Gründen der mechanischen Stabilität bevorzugt wird, daß die C-förmigen Sperrglieder jede Leitung der Leitungsanordnung fest umklammern, ist eine solche Klammerwirkung nicht unbedingt notwendig, solange der Spalt zwischen dem Klemmglied und der einzelnen Leitung relativ klein ist. Es hat sich beispielsweise herausgestellt, daß das Sperrglied selbst bei einem Spalt mit einer Größe von 0,051 cm (20 Millizoll) immer noch den Fluß von RTV- Silikon entlang der Leitung verhindert. Da Silikon in einen derartigen Spalt fließt, wird jedoch bevorzugt, daß die Länge des Spalts vergleichsweise gering gehalten wird und daß sich der Spalt nahe dem Träger befindet. Die Länge des Spalts wird durch die Wanddicke des C-förmigen Glieds definiert, das an die Leitungsanordnung geklemmt ist. Somit wird bevorzugt, daß das C-förmige Glied eine geeignet dünne Wand aufweist, so daß es über eine Fläche jeder Leitung an die Leitungsanordnung geklemmt werden kann, die viel kleiner ist als die Gesamtfläche einer derartigen Leitung und die sich nahe dem Träger befindet. Dann wird der Hauptteil der Leitung, der sich über den Spalt hinaus in das Sperrglied erstreckt, frei von jeglichem Silikon gehalten. Es versteht sich, daß die Sperrglieder auch für herkömmliche Maskierung sorgen; sie schützen zum Beispiel die Leitungen vor Bespritzen.
Für die Sperrglieder kann ein beliebiges von unterschiedlichen Materialien verwendet werden, wobei TEFLON, rostfreier Stahl und Polyethylen nur typische Beispiele darstellen, die veranschaulicht wurden. Des weiteren kann die Erfindung mit anderen Verkapselungsmaterialien wie zum Beispiel wärmeaushärtbaren Silikonen, Epoxidharzen und anderen verwendet werden, die in einem anfänglich flüssigen Zustand aufgetragen werden.

Claims

1. Verfahren zur Verkapselung eines auf einem Träger montierten Halbleiterchips mit mindestens einer Anordnung paralleler Leitungen, die sich auf vorkragende Weise von einer Seite des Trägers erstrecken, das die Schritte des Aufbringens einer Menge anfangs flüssigen Verkapselungsmaterials auf dem Träger, wobei die Menge des Verkapselungsmaterials ausreicht, den Halbleiterchip und einen Großteil einer Fläche des Trägers zu bedecken, und wobei das Verkapselungsmaterial durch Oberflächenspannung auf der einen Fläche gehalten wird, und danach des Härtens des Verkapselungsmaterials umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß jede Leitungsanordnung vor dem Aufbringen des Verkapselungsmaterials in einen Schlitz in einem jeweih gen Glied eingesetzt wird, wodurch das Glied verhindert, daß das Verkapselungsmaterial einen Großteil der Leitungen kontaktiert; und daß das Glied nach dem Aushärten des Verkapselungsmaterials entfernt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem Glied um ein C- förmiges Glied handelt, das einen hohlen C-förmigen Innenbereich definiert, in den sich die Leitungsanordnung erstreckt; und daß die Leitungsanordnung derart in den Schlitz eingesetzt wird, daß das C-förmige Glied die Leitungsanordnung nur an einer Stelle nahe dem Träger erfaßt.

3. Verfahren nach Anspruch 2, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche der Leitungsanordnung, die mit dem C-förmigen Glied in Kontakt steht, viel kleiner ist als die Gesamtfläche der Leitungsanordnung.

4. Verfahren nach Anspruch 3, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß sich die Außenfläche des Teils des C-förmigen Glieds, das die Leitungsanordnung kontaktiert, nach Einsetzen der Leitungsanordnung in einem großen Winkel bezüglich der Leitungsanordnung erstreckt.

5. Verfahren nach Anspruch 2, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß die Breite des Schlitzes etwas geringer ist als die Dicke der Leitungen, wodurch der Schritt des Einsetzens der Leitungsanordnung in die Schlitze den Schritt des Öffnens des Schlitzes beinhaltet.

6. Verfahren nach Anspruch 5, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des tffnens des Schlitzes den Schritt des Ausübens einer Kraft auf den dem Schlitz gegenuberliegenden Teil des C-förmigen Glieds beinhaltet.

7. Verfahren nach Anspruch 6, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß das C-förmige Glied die Leitungsanordnung auf deren gegenüberliegenden Seiten entlang einem Teil einer derartigen Leitungsanordnung neben dem Träger erfaßt.

8. Verfahren nach Anspruch 2, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß das C-förmige Glied aus Teflon besteht.

9. Verfahren nach Anspruch 2, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß das C-förmige Glied aus rostfreiem Stahl besteht.

10. Verfahren nach Anspruch 2, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß sich zwei Leitungsanordnungen von gegenuberliegenden Seiten des Trägers erstrecken und daß jede Leitungsanordnung in ein getrenntes C-förmiges Glied eingesetzt wird.

11. Verfahren nach Anspruch 10, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß der Träger nach dem Aushärten des Verkapselungsmaterials und vor Entfernen des C-förmigen Glieds um 180 Grad gedreht wird und eine Menge an Verkapselungsmaterial auf dessen gegenüberliegende Seite aufgetragen wird.

12. Verfahren nach Anspruch 2, weiterhin dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem Verkapselungsmaterial um Silikon handelt.