DE68914963T2

DE68914963T2 - Radiofrequenzquadrupolbeschleunigung mit Aussenresonanzkreis.

Info

Publication number: DE68914963T2
Application number: DE68914963T
Authority: DE
Inventors: Kensuke Amemiya; Noriyuki Sakudo; Takayoshi Seki; Katsumi Tokiguchi
Original assignee: Agency of Industrial Science and Technology
Current assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date: 1988-11-24
Filing date: 1989-11-24
Publication date: 1994-10-20
Anticipated expiration: 2009-11-25
Also published as: DE68914963D1; US5086256A; EP0375169A1; JPH02142046A; JPH061678B2; EP0375169B1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine MeV-Ionenimplantationsvorrichtung, die mit einem RFQ (Radiofrequenzquadrupol)-Typ-Beschleuniger mit externem Resonanzschaltkreis ausgestattet ist.
Fig. 2A der beiliegenden Zeichnungen zeigt ein bekanntes Beispiel für eine Anordnung einer MeV-Ionenimplantationsvorrichtung mit einem RFQ-Beschleuniger. Ein von einer Ionenquelle 1 ausgesandter Ionenstrahl wird durch einen RFQ-Beschleuniger 2 bis zu einer Energie im MeV-Bereich beschleunigt, und dadurch wird Ionenimplantation in ein Probensubstrat 5 durchgeführt. Fig. 2B der beiliegenden Zeichnungen ist eine Zeichnung zur Beschreibung einer detaillierten Anordnung des RFQ-Beschleunigers 2. Der RFQ-Beschleuniger weist innerhalb seines RFQ-Behälters 2 vier Elektroden 2a - 2d, die eine wellenförmige Gestalt haben, auf. Radiofrequenzwellen im zwei- bis dreistelligen MHz-Bereich werden in den zylindrischen Behälter 2 gesandt, sodaß an den wellenförmigen Quadrupolelektroden 2a - 2d eine Hochspannung im Radiofrequenzbereich induziert wird, und der Ionenstrahl wird durch das dadurch erzeugte Radiofrequenzfeld beschleunigt.
Der Ionenstrahl wird beschleunigt, wenn er sich entlang der Mittelachse des Raums bewegt, der von den Quadrupolelektroden 2a - 2d umgeben ist.
Eine Beschreibung einer Vorrichtung, die der des Beispiels von Fig. 2 ähnlich ist, wird in der EP-A-163745 (JP-A-60-121656) geoffenbart.
Beim bekannten Beispiel wird von den verschiedenen von der Ionenquelle ausgesandten Ionenspezies nur eine spezifische Ionenspezies so beschleunigt, daß sie in das Probensubstrat 5 implantiert wird, und andere Ionenspezies werden im allgemeinen während ihrer Beschleunigung innerhalb der wellenförmigen Quadrupolelektroden so abgelenkt, daß sie mit den Elektroden kollidieren. Daher wird das Elektrodenmaterial (im allgemeinen Kupfer) durch den Ionenstrahl gesputtert, und Schwermetallteilchen werden auf dem Probensubstrat 5 abgelagert, sodaß sie es kontaminieren. Wenn das Probensubstrat 5 aus einem Halbleitermaterial besteht, verursacht die Kontamination mit Schwermetall häufig fatale Fehler im Halbleitervernalten, was zur Herstellung minderwertiger Prooukte führt.
Indes ist es beim bekannten Beispiel, wie in Fig. 2B gezeigt, nicht möglich, als das, Material für gewellte Quadrupolelektroden etwas anderes als Kupfer oder ähnliche Materialien zu verwenden. Der Grund dafür ist, daß, wenn Radiofrequenzwellen in einen zylindrischen Behalter 2 aus einem anderen Material als Kupfer gesendet werden, sein elektrischer Widerstand hoch wird und der Wärmeverlust groß wird, wodurch es schwierig gemacht wird, innerhalb des zylindrischen Behälters eine Hochspannung im Radiofrequenzbereich zu erzeugen. In der Tat ist bekannt, daß die erzeugte Spannung invers proportional zu 1/2 des Werts des elektrischen Widerstands r ist.
Beim in Fig. 2 gezeigten bekannten RFQ-Beschleuniger besteht neben dem Problem der Kontamination durch Schwermetall ein anderes grundlegendes Problem. Da nämlich der zylindrische Behälter 2 beim bekannten RFQ-Beschleuniger so ausgebildet ist, daß er eine spezifische Größe aufweist, die den sogenannten Hohlraumresonator ausmacht, ist die Betriebsradiofrquenz auf eine spezifische Frequenz bescnränkt, und daher ist, wenn die Ionenspezies festgelegt ist, die Beschleunigungsenergie festgelegt, und daher besteht das Problem, daß es für die Beschleunigungsenergie nur eine Wahl gibt. Damit die Beschleunigungsenergie variable Werte annehmen kann, ist es erforderlich, daß die Erregerfrequenz willkürlich veränderbar ist. Fig. 3 zeigt ein bekanntes Beispiel, bei dem dieses Ziel erreicht wird (siehe EP-A-163745 oder JP-A-60-115199). Auf die Figur Bezug nehmend sind wellenfärmige Quadrupolelektroden 2a - 2d im Behälter 2 enthalten. Dieser Behälter hat jedoch keine spezifische Größe, sodaß er als ein Hohlraumresonator fungiert. Eine den Elektroden 2a - 2d zugeführte Hochspannung im Radiofrequenzbereich wird in einem elektrischen Resonanzschaltkreis erzeugt, der aus einer Spule 9 und einem einstellbaren Kondensator 10 besteht. Variable Frequenz wird erzielt, indem der Wert der Kapazitanz C oder Induktanz L verändert wird, wodurch die Resonanzfrequenz geändert wird. Das heißt, die Elektrooen 2a - 2d werden nur mit der Spannung versorgt. Daher ist der Bereich, für den Materialien mit geringem elektrischen Widerstand verwendet werden sollten, um die Erzeugung der Hochspannung im Radiofrequenzbereich zu erleichtern, nur auf den externen elektrischen Resonanzschaltkreis beschränkt, der die Induktanz L, Kapazitanz C aufweist. Das unterscheidet sich vom Beispiel nach dem Stand der Technik in Fig. 2, worin der Radiofrequenzstrom im Resonanzschaltkreis nicht in die wellenförmigen Quadrupolelektroden fließt. In Fig. 3 kann die Erzeugung der Hochspannung im Radiofrequenzbereich erreicht werden, indem der einstellbare Kondensator 10, die Induktanzspule 9 und die Verdrahtung aus solchen Materialien wie wahlweise mit Silber beschichtetem Kupfer gebildet wird. Daher ist es nicht erforderlich, die wellenförmigen Quadrupolelektroden 2a - 2d aus einem Metall mit besonders geringem elektrischen Widerstand zu bilden, sie können aber aus Materialien bestehen, bei denen nicht die Tendenz zur Kontamination des Probensubstrats 5 mit Schwermetall besteht.
Im Fall des bekannten Beispiels von Fig. 2 war es, da der Hohlraumresonatoraufbau verwendet wurde, grundlegend notwendig, für die Herstellung der wellenförmigen Quadrupolelektroden 2a - 2d ein Material mit geringem elektrischen Widerstand wie Kupfer oder Silber zu verwenden, aber eine solche elektrische Einschränkung hinsichtlich des Materials der Quadrupolelektroden 2a - 2d wurde erstmals durch das bekannte Beispiel von Fig. 3 der beiliegenden Zeichnungen aufgehoben. Jedoch gibt es in Verbindung mit dem bekannten Beispiel von Fig. 3 keinerlei Überlegung oder Aufbau dahingehend, zu verhindern, daß das implantierte Probensubstrat mit Schwermetallteilchen kontaminiert wird, oder bezüglich der Auswahl des Elektrodenmaterials und der Verfahren zur Verhinderung der Kontamination durch Schwermetallteilchen.
In einem ersten Aspekt schafft die vorliegende Erfindung einen RFQ-Typ-Beschleuniger mit externem Resonanzschaltkreis, der wellenförmige Quadrupolelektroden zur Beschleunigung eines Ionenstrahls zu einem Substrat hin umfaßt und einen eigenen Radiofrequenzresonanzschaltkreis umfaßt, um den Elektroden eine Hochspannung im Radiofrequenzbereich zuzuführen, worin:
zumindest einer der Bestandteile der Vorrichtung, der dem Ionenstrahl ausgesetzt ist, eine mit Silizium, dotiertem Silizium oder Kohlenstoff beschichtete Oberfläche auf einer elektrisch leitenden Basis aufweist, um Teilchenkontamination auf dem Substrat aufgrund des Ionenstrahlsputterns des elektrisch leitenden Basismaterials zu verringern.
Vorzugsweise sind die Quadrupolelektroden und der Radiofrequenzresonanzschaltkreis in getrennten Behältern enthalten, wobei der die Quadrupolelektroden enthaltende Behälter evakuiert und seine Innenfläche mit Silizium, dotiertem Silizium oder Kohlenstoff beschichtet ist, um Teilchenkontamination am Substrat aufgrund des Ionenstrahlsputterns des elektrisch leitenden Basismaterials zu verringern.
Es wird auch vorgezogen, einen Vakuumbehälter, der den oder die zu beschichtenden Bestandteil(e) enthält, zusätzlich mit einem Plasmaablagerungsmechanismus zur Schaffung eines Überzugs zu versehen.
In einem zweiten Aspekt wird ein RFQ-Typ-Beschleuniger mit externem Resonanzschaltkreis geschaffen, der wellenförmige Quadrupolelektroden zur Beschleunigung eines Ionenstrahls zu einem Substrat hin umfaßt und einen eigenen Radiofrequenzresonanzschaltkreis zum Zuführen einer Hochspannung im Radiofrequenzbereich zu den Elektroden umfaßt; worin die genannten Elektroden aus Silizium gebildet sind.
Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Ionenimplantationsvorrichtung mit einem Beschleuniger gemäß dem ersten oder zweiten obigen Aspekt.
Im allgemeinen haben die wellenförmigen Quadrupolelektroden 2a - 2d eine komplizierte Gestalt, und ihre Oberflächen müssen glatt sein, um zu verhindern, daß beim Anlegen einer hohen Spannung zwischen den Elektroden ein Durchschlag auftritt. Während die sogenannte NC(numerische Steuerung)-Bearbeitung eingesetzt wird, um derartige komplexe Elektrodenformen zu erhalten, sind die Materialien, die bearbeitet werden können, eingeschränkt, um Verwerfen oder Biegen während der Bearbeitung der Elektroden zu verhindern, und so werden normalerweise Kupfer, Aluminium, Stahl usw. verwendet. Aufgrund der Komplexität der wellenförmigen Gestalt, der erforderlichen Glätte der Oberfläche und der Einschränkung einsetzbarer Materialien, wie oben beschrieben, ist es im allgemeinen schwierig, die Oberfläche der Elektrode mechanisch unter Verwendung von Schrauben oder ähnlichem mit einem Tafelelement aus einem anderen Material zu verkleiden. Somit sind solche Verfahren wie Plattieren oder CVD (chemische Dampfablagerung) oder physikalische Oberflächenbeschichtung unter Einsatz einen Ionenstrahls wirksam, um die Oberfläche der wellenförmigen Elektroden mit einer anderen Substanz zu bedecken. Wenn Quadrupolelektroden verwendet werden, die durch ein solches Verfahren mit Oberflächenbeschichtung versenen sind, kann die Kontamination des Probensubstrats durch Schwermetall stark verringert werden, auch wenn die Oberfläcne durch den Ionenstrahl gesputtert wird, der darauf aufprallt, während der Ionenstrahl beschleunigt wird. Weiters wird, da der wie oben beschrieben gebildete Überzug die fertige Oberfläche glättet, Durchschlag zwischen Elektroden weniger wahrscheinlich, und es kann ein stabilisierter Strahlbeschleunigungsvorgang erreicht werden.
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nun unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben, worin:
Fig. 1 eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, wobei Fig. 1(A) eine erklarende Zeichnung des Aufbaus einer Quadrupolelektrode gemäß vorliegender Erfindung ist und Fig. 1(B) eine erklärenoe Zeicnnung einer MeV-Ionenimplantationsvorrichtung ist, die mit einem RFQ-Typ-Bechleuniger mit externem Pesonanzschaltkreis ausgestattet ist;
Fig. 2 erklarende Zeichnungen einer Ionenimplantationsvorrichtung zeigt, die mit einem RFQ-Beschleuniger nach dem Stand der Technik versehen ist, und bereits besorochen worden ist;
Fig. 3 eine erklärende Zeichnung eines RFQ-Typ-Beschleunigers mit externem Resonanzschaltkreis nach dem Stand der Technik ist, die bereits besprochen wurde; und
Fig. 4 eine erklärende Zeichnung einer weiteren Ausführungsform gemäß vorliegender Erfindung ist.
Auf Fig. 1 Bezug nehmend zeigt Fig. 1(A) eine wellenförmige Elektrode 2a' (deren Material Kupfer ist), die wie in der Vergangenheit bearbeitet und gleichmäßig bis zu einer Dicke von einigen um - mehreren 100 um mit einem Siliziumfilm 2a'' beschichtet ist. Die Beschichtung erfolgt durch Plasmaabscheidung unter Vakuum. Für die Abscheidung wird SiH&sub4; als das Plasmaentladungsgas verwendet. An die wellenförmigen Kupferelektroden wird eine negative Bias-Spannung angelegt, wodurch Ionen im Plasma dazu gebracht werden, Energie aufzunehmen, sodaß sie auf die Elektroden aufprallen, während ein Siliziumfilm gebildet wird. So wird die Haftfestigkeit des gebildeten Films stark erhöht.
Fig. 1(B) zeigt eine Ausführungsform, bei der ein RFQ-Beschleuniger aus den wellenförmigen Quadrupolelektroden konstruiert ist, deren Oberflächen wie oben beschrieben mit dem Siliziumfilm beschichtet sind, und in eine MeV-Ionenimplantationsvorrichtung eingebaut ist. Als die Ionenquelle 1 wurde eine Ionenquelle vom Mikrowellenentladungstyp verwendet. Ein aus der Quelle entnommener Borionen(B&spplus;)-Strahl wurde auf MeV-Niveau beschleunigt und in ein Siliziumwaferprobensubstrat 5 implantiert. Der Wafer 5 wurde nach dem Implantieren in einem Sekundärionenmassenspektrometer (SIMS) und einem Auger-Elektronenspektroskopieanalysator einer Spektralanalyse von Schwermetallionen unterworfen. Dadurch wird die Kontamination zwischen den Fallen, in denen Elektroden ohne Siliziumbeschichtung verwendet wurden, und jenen verglichen, in denen die Elektroden gemäß vorliegender Erfindung verwendet wurden. Wenn die wellenförmigen Quadrupolelektroden 2a - 2d ohne die Oberflächenbeschichtung verwendet wurden, wurden vom Elektrodenmaterial (im Fall des Versuchs Kupfer) stammende Schwermetallteilchen im Bereich von der Oberfläche bis zu einer Tiefe von mehreren um in einer Konzentration von bis über 1 ppm festgestellt (was 10¹&sup6; Teilohen/cm³ entspricht). Beim Erhalten eines B&spplus;-Strahls wird im allgemeinen BF&sub3;-Gas als das der Ionenquelle zugeführte Materialgas verwendet. Daher werden neben B+ verschiedene Ionenspezies wie F&spplus;-, BF&spplus;- und BF&sub2;&spplus;-Ionen gleichzeitig aus der Ionenquelle 1 extrahiert. Im RFQ-Beschleuniger werden, während das B&spplus;-Ion beschleunigt wird, um in den Wafer 5 implantiert zu werden, andere Ionen abgelenkt, und einige davon bombardieren die Quadrupolelektroden. Da große Mengen anderer Ionen als das B+-Ion erzeugt werden, wenn das BF&sub3;-Gas verwendet wird, war die durch Schwermetallteilchen auf dem Probensubstrat verursachte Konzentration der Kontamination so hoch, daß ein ausreichender Nachweis erfolgen konnte.
Wenn die Ionenimplantation andererseits durchgefuhrt wurde, indem der B&spplus;-Strahl durch die Verwendung der mit dem Siliziumfilm 2a'' beschichteten Quadrupoielektrtden von Fig. 1A bis auf MeV-Niveau beschleunigt wurde, wurde festgestellt, daß die Kontamination durch Schwermetall auf einem Niveau weit unter 1 ppm lag. Weiters wurde, wenn die (aus einem Metall bestehenden) Träger, die die Quadrupolelektroden und die Innenfläche des Behälters 2 tragen, ebenfalls mit einem Siliziumfilm beschichtet waren, die Menge an iom Elektrodenmaterial, Zylinder und ähnlichem stammenden Schwermetallteilchen auf ein Ausmaß gesenkt das mit dem SIMS-Analysator bei der maximalen Empfindlichkeit des Detektors (die 10¹&sup4; Teilchen/cm³ entspricht) kaum nachweisbar ist. Wenn eine ähnliche Siliziumbeschichtung auch auf die Oberflächen der Rohrleitung auf halbem Weg zwischen dem Zylinder 2 und der Implantationskammer 3 und auf verschiedene innere Bestandteile aufgetragen wird, nahmen die Schwermetallteilchen so stark ab, daß sie auch bei Ermittlung mit maximaler Empfindlichkeit nicht nachweisbar waren.
Wenn eine MeV-Implantation des B&spplus;-Ions in ein Siliziumsubstrat gemäß vorliegender Erfindung durchgeführt wurde, nahm die Beeinträchtigung der elektrischen Eigenschaften und das Auftreten minderwertiger Produkte aufgrund von Kontamination durch Schwermetall stark ab.
Es ist bekannt, daß die Kontamination durch solche Teilchen wie Kohlenstoff (C) die Halbleitereigenschaften nicht so stark beeinflußt und beeinträchtigt wie die Kontamination durch Schwermetall wie Kupfer und Eisen. Daher wurden als weitere Ausführungsform Quadrupolelektroden hergestellt, die mit Kohlenstoff anstelle von Silizium beschichtet waren, und es wurden Versuche damit durchgeführt. Auch in diesem Fall wurde festgestellt, daß keine durch Kontamination mit Schwermetallteilchen beeinträchtigten Produkte erzeugt wurden.
Fig. 4 ist eine erklärende Zeichnung einer weiteren Ausführungsform gemäß vorliegender Erfindung. Wenn ein RFQ-Typ-Beschleuniger mit externem Resonanzschaltkreis gemäß vorliegender Erfindung (ein Beschleuniger, der wellenförmige Quadrupolelektroden enthält, die mit einem Oberflächenüberzug beschichtet waren, wobei ein externer Resonanzschaltkreis hinzugefügt ist) über einen langen Zeitraum betrieben wurde, trat das Problem auf, daß der dem Sputterstrahl ausgesetzte Überzugsfilm allmählich dünner wurde und das Basismetall an die Oberfläche kam. Die in Fig. 4 gezeigte Ausführungsform schafft eine RFQ-Vorrichtung, die eine Plasmaerzeugungsvorrichtung enthält, wodurch der Überzugsfilm wieder aufgetragen werden kann, um das oben beschriebene Problem zu lösen. Im spezielleren enthält diese Ausführungsform eine eigene Radiofrequenzwellenquelle 13 (mit 13,56 MHz) zur Erzeugung von Plasma, und Radiofrequenzwellen werden von dort einer Entladungsspule 12 zugeführt. Ein Entladungsgaszufuhrsystem 14 wird verwendet, um SiH&sub4;-Gas in den Behälter 2 einzubringen, in dem Plasma erzeugt wird, und dadurch wird ein Siliziumfilm (bis zu einer Dicke von 100 um) an den Quadrupolelektroden 2a', 2c' abgelagert. So wird es möglich, die Vorrichtung wieder zu betreiben, ohne die Quadrupolelektroden auszutauschen, und es ist unnötig geworden, den Betrieb des Beschleunigers zu unterbrechen, weil die Lebenszeit seines Überzugsfilms zu Ende gegangen ist. Während der Film abgelagert wird, wird die Beschleunigung des Strahls unterbrochen.
Bei der oben beschriebenen Ausführungsform ist zwar ein Siliziumfilm als das Material für die Oberflächenbeschichtung verwendet worden, aus dem Zweck und Aufbau der vorliegenden Erfindung ist jedoch offensichtlich, daß auch ein Siliziumfilm einsetzbar ist, der mit einer kleinen Menge Bor, Phosphor oder Arsen dotiert ist. In tatsächlichen Beispielen wurde SiH&sub4;-Gas verwendet, in das eine kleine Menge BF&sub3;, PH&sub3; oder AsH&sub3; gemischt war, und es wurde der oben beschriebene Siliziumfilm, dotiert mit Bor, Phosphor oder Arsen, erhalten. In der obigen Beschreibung der vorliegenden Erfindung ist zwar der Fall beschrieben worden, in dem die Oberflächenbeschichtung auf die aus Kupfer oder Stahl bestehenden Quadrupolelektroden aufgetragen wurde, die Erfindung ist jedoch auch wirksam, wenn die Elektroden selbst aus Silizium gebildet sind.
Daher kann durch die Konstruktion einer Hochenergie-Ionenimplantationsvorrichtung der MeV-Klasse, bei der ein RFQ-Typ-Beschleuniger mit externem Resonanzschaltkreis verwendet wird, gemäß vorliegender Erfindung Ionenimplantation erzielt werden, die wenig Kontamination durch Schwermetall auf einem Probensubstrat bewirkt, und es können hervorragende Wirkungen damit erzielt werden, wenn sie in der Praxis verwendet wird.

Claims

1. RFQ-Typ-Beschleuniger mit externem Resonanzschaltkreis, der wellenförmige Quadrupolelektroden (2a, 2b, 2c, 2d) zur Beschleunigung eines Ionenstrahls zu einem Substrat hin umfaßt und einen eigenen Radiofrequenzresonanzschaltkreis zum Zuführen einer Hochspannung im Radiofrequenzbereich zu den Elektroden umfaßt;

dadurch gekennzeichnet, daß:

zumindest einer der Bestandteile der Vorrichtung, der dem Ionenstrahl ausgesetzt ist, eine Oberfläche aufweist, die mit Silizium, dotiertem Silizium oder Kohlenstoff auf einer elektrisch leitenden Basis beschichtet ist, sodaß- die Teilchenkontamination auf dem Substrat aufgrund des Ionenstrahlsputterns des elektrisch leitenden Basismaterials verringert wird.

2. Beschleuniger nach Anspruch 1, worin die Quadrupolelektroden und der Radiofrequenzresonanzschaltkreis in getrennten Behältern enthalten sind, wobei der die Quadrupolelektroden (2a, 2b, 2c, 2d) enthaltende Behälter (2) evakuiert ist und seine Innenfläche mit Silizium, dotiertem Silizium oder Kohlenstoff beschichtet ist, um die Teilchenkontamination auf dem Substrat aufgrund des Ionenstrahlsputterns des elektrisch leitenden Basismaterials zu verringern.

3. Beschleuniger nach Anspruch 1 oder 2, worin die Elektroden und zumindest ein Teil jeglicher Metallträger dafür und Stromzufuhrleitungen eine Oberfläche aufweisen, die mit Silizium, dotiertem Silizium oder Kohlenstoff beschichtet ist, um die Teilchenkontamination auf dem Substrat aufgrund des Ionenstrahlsputterns des elektrisch leitenden Basismaterials zu verringern.

4. Beschleuniger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin die genannte Oberfläche mit Silizium beschichtet ist, das mit kleinen Mengen an Bor, Arsen oder Phosphor dotiert ist.

5. Beschleuniger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin ein Plasmaabscheidungsmechanismus zum Schaffen des genannten Überzugs einem Vakuumbehälter (2) hinzugefügt ist, der den oder die zu beschichtenden Bestandteil oder Bestandteile enthält.

6. RFQ-Typ-Bescnleuniger mit externem Resonanzschaltkreis, der wellenförmige Quadrupolelektroden (2a, 2b, 2c, 2d) zur Beschleunigung eines Ionenstrahls zu einem Substrat hin umfaßt und einen eigenen Radiofrequenzresonanzschaltkreis zum Zuführen einer Hochspannung im Radiofrequenzbereich zu den Elektroden umfaßt;

dadurch gekennzeichnet, daß

die genannten Elektroden aus Silizium gebildet sind.

7. Ionenimplantationsvorrichtung, die einen Beschleuniger nach einem der vorhergehenden Ansprüche und eine Implantationskammer (3) zur Implantation von Ionen in ein Siliziumhalbleitersubstrat (5) umfaßt.