DE68911659T2 - Verfahren zur Dünnschichtdickenmessung. - Google Patents

Verfahren zur Dünnschichtdickenmessung.

Info

Publication number
DE68911659T2
DE68911659T2 DE89202969T DE68911659T DE68911659T2 DE 68911659 T2 DE68911659 T2 DE 68911659T2 DE 89202969 T DE89202969 T DE 89202969T DE 68911659 T DE68911659 T DE 68911659T DE 68911659 T2 DE68911659 T2 DE 68911659T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
thickness
coating
angle
chromium oxide
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE89202969T
Other languages
English (en)
Other versions
DE68911659D1 (de
Inventor
Jonge Marinus Willem Cornel De
Tamis Lambertus Maria Ir Leek
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tata Steel Ijmuiden BV
Original Assignee
Hoogovens Groep BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoogovens Groep BV filed Critical Hoogovens Groep BV
Publication of DE68911659D1 publication Critical patent/DE68911659D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE68911659T2 publication Critical patent/DE68911659T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21Polarisation-affecting properties
    • G01N21/211Ellipsometry
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0641Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of polarization
    • G01B11/065Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of polarization using one or more discrete wavelengths

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Insulated Conductors (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Messung der Dicke einer Chromoxidbeschichtung auf einer Chromschicht auf einem Substrat, bei dem polarisiertes Licht verwendet wird.
  • Ein Verfahren zur Messung einer Beschichtungsdicke, das auf den Prinzipien der Ellipsometrie basiert und von einem Beschichtungsdickenmeßgerät Gebrauch macht, ist aus der EP-A-249 235 bekannt. Das Meßgerät weist eine Lichtquelle zur Erzeugung linear polarisierten Lichtes, feste Aufteilmittel zum Aufteilen des durch die Beschichtung reflektierten, elliptisch polarisierten Lichtes in eine Anzahl von Strahlen, ein Meßgerät zur Messung der Intensität jeden Strahles und Berechnungsmittel zur Berechnung der Dicke der Beschichtung aus den gemessenen Intensitäten auf.
  • Beim Gebrauch dieses Meßgerätes wird ein Einfallsstrahl linear polarisierten Lichtes auf eine zu messende Beschichtung gerichtet. Der Teil des Einfallstrahls mit einer Polarisationsrichtung parallel zu der Einfallsebene, die die Ebene durch den Einfallsstrahl und.den reflektierten Strahl ist, wird sowohl bezüglich der Phase als auch bezüglich der Amplitude unterschiedlich von dem Teil des Strahles mit einer Polarisationsrichtung senkrecht zur Einfallsebene reflektiert. Das Ergebnis ist ein reflektierter Strahl, der im allgemeinen elliptisch polarisiert ist; das bedeutet, daß die elektrische Feldstärke in einer Ebene senkrecht zur Richtung des reflektierten Strahles eine Ellipse beschreibt. Das Verhältnis rp/rs zwischen den komplexen Amplituden-Reflexionskoeffizienten in der parallelen Richtung und der senkrechten Richtung ist eine Messung der Dicke der Beschichtung. Dieses Verhältnis wird gemessen, indem von der Beziehung rp/rs - tan Ψ exp jΔ Gebrauch gemacht wird, und indem Ψ und Δ und eine Intensität gemessen werden. In dieser Beziehung ist Ψ der Scheitelwinkel, und der Winkel Δ wird aus dem Verhältnis der langen Achse und der kurzen Achse der Ellipse, bekannt als die Elliptizität, berechnet.
  • Bei dem Meßgerät der EP-A-249 235 wird die Messung durchgeführt, indem der reflektierte Strahl in mindestens drei Teilstrahlen aufgeteilt wird, wobei halbdurchlässige Spiegel als Aufteilinittel verwendet werden. Teilstrahlen werden jeweils durch einen Analysator aufgezeichnet, wobei jeder Analysator einen unterschiedlichen Polarisationswinkel hat. Die Intensität des Teilstrahles in jeder der drei Polarisationsrichtungen wird unter Verwendung eines dem Zweck angepaßten Meßgerätes, wie einem Photodetektor, gemessen.
  • Aus dem Verhältnis der drei Intensitäten in unterschiedlichen Polarisationsrichtungen und unter Verwendung der Berechnungsmittel können der Scheitelwinkel Ψ und die Elliptizität der Ellipse berechnet werden. Daraus kann, indem von der obengenannten Beziehung Gebrauch gemacht wird, die Dicke der reflektierenden Beschichtung erhalten werden.
  • Eine Schwierigkeit bei dieser bekannten Vorrichtung ist, daß das benötigte optische System relativ kompliziert ist und hqhe Anforderungen an die optische Ausrichtung stellt. Das ist ein besonderer Nachteil unter Fertigungsumgebungsbedingungen, z.B. bei beschichteten Stahlplatten. Eine weitere Schwierigkeit ist, daß für eine präzise Dickenmessung die optischen Eigenschaften der verwendeten Kornponenten genau bekannt sein müssen. Diese Schwierigkeit trifft insbesondere auf halbdurchlässige Spiegel zu, weil halbdurchlässige Spiegel die Polarisationsrichtung sowohl des ausgesendeten als auch des reflektierten Strahles beeinflussen. Dies verursacht einen Fehler bei der Bestimmung der Ellipse. Eine weitere Schwierigkeit ist, daß eine große Anzahl von Berechnungen gemacht werden muß, um die Dicke der reflektierenden Beschichtung zu erhalten.
  • Ein Verfahren zur Messung einer Schichtdicke, das ein Dickenmeßgerät verwendet, das mit einem polarisierenden Strahlenteiler versehen ist, ist aus der EP-A-278 577 bekannt. Diese beschreibt ein Verfahren zur Messung einer Proteinbeschichtung auf einem Substrat. In dem beschriebenen Beschichtungsdickenmeßgerät wird der Einfallstrahl mit dem Brewster-Winkel auf die Proteinbeschichtung geworfen und der reflektierte Strahl mittels eines polarisierenden Strahlenteilers in einen parallelen Teilstrahl Rp und einen senkrechten Teilstrahl Rs aufgeteilt.
  • Deshalb gibt dieses Schichtdickenmeßgerät nur Informationen über den Scheitelwinkel Ψ und ist nicht für die Messung der Dicke einer Chromoxidbeschichtung geeignet.
  • Indem man von der Formel N - (Rs - mRp) / (Rs + mRp) gemäß der Veröffentlichung Gebrauch macht, kann M berechnet werden und M ist eine Messung der Schichtdicke. Das beschriebene Beschichtungsdickenmeßgerät ist insbesondere für den Gebrauch gedacht, wenn der einfallende und der reflektierte Strahl in der Intensität variieren, z.B. als Ergebnis eines absorbierenden Substrates, durch das das Licht passieren muß, um die zu messende Beschichtung zu erreichen. Der Brewster-Winkel als Einfallswinkel in dem beschriebenen Schichtdickenmeßgerät ist nur für Substrate bedeutsam, die eine reelle Brechzahl haben. Im Fall einer Chromoxidbeschichtung auf Chrom ist ein Brewster-Winkel nicht definiert, weil Chrom eine komplexe Brechzahl hat.
  • Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein einfacheres Verfahren zur Messung der Schichtdicke bereitzustellen, daß insbesondere zur Messung der Dicke einer Chromoxidschicht auf einer Chromschicht aut einem Substrat geeignet ist.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Messung der Beschichtungsdicke bereitzustellen, das insbesondere zum Gebrauch unter Produktionsumgebungsbedingungen geeignet ist.
  • Die vorliegende Erfindung sieht ein Verfahren zur Messung der Dicke einer Chromoxidbeschichtung auf einer Chromschicht auf einem Substrat vor, bei dem linear polarisiertes Licht von einer Lichtquelle auf die Beschichtung geworfen wird und das durch die Chromoxidbeschichtung reflektierte elliptisch polarisierte Licht auf eine Vielzahl von Teilstrahlen aufgeteilt wird; die Intensität jeden Teilstrahles wird durch Erfassungsmittel gemessen und die Dicke der Chromoxidbeschichtung wird aus den gemessenen Intensitäten berechnet, dadurch gekennzeichnet, daß das reflektierte Licht in einen Teilstrahl mit einer Polarisationsrichtung in der Richtung der langen Achse der Polarisationsellipse und in einen Teilstrahl mit einer Polarisationsrichtung in der Richtung der kurzen Achse der Polarisationsellipse aufgeteilt wird und dadurch, daß die Dicke aus dem Verhältnis der zwei gemessenen Intensitäten der zwei Teilstrahlen berechnet wird, wobei die Berechnung auf der Annahme basiert, daß der Scheitelwinkel, der durch das Verhältnis der Reflexionskoeffizienten in der p- und s-Richtung definiert ist, mehr oder weniger konstant und unabhängig von der Dicke der Beschichtung ist und daß nur die Elliptizität, die als Verhältnis zwischen der kurzen und der langen Achse der Polarisationsellipse definiert ist, mit der Dicke der Beschichtung variiert. Das Substrat kann Stahl, Chrom oder jedes andere Material sein.
  • Überraschenderweise wurde aus Versuchen herausgefunden, daß für normale Beschichtungsdicken, wenn linear polarisiertes Licht von einer Chromoxidbeschichtung auf Chrom innerhalb eines gewissen Bereiches konstanter Einfallswinkel des linear polarisierten Lichtes reflektiert wird, der Scheitelwinkel Ψ des reflektierten Lichtes und demzufolge der Winkel der langen Achse der Ellipse bezüglich der Einfallsebene konstant ist. Der Einfallswinkel ist der Winkel zwischen dem linear polarisiertem Lichtstrahl und der Normalen auf das Substrat. Mit einem konstanten und bekannten Scheitelwinkel Ψ ist es dann vollständig möglich, den Winkel Δ zu bestimmen, indem der reflektierte Strahl in zwei mit einem bekannten Winkel bezüglich zueinander polarisierte Teilstrahlen aufgeteilt wird und die Intensität eines jeden Teilstrahles gemessen wird. Aus den zwei gemessenen Intensitäten kann der Winkel Δ berechnet werden. Die Dicke der zu messenden Beschichtung kann direkt aus der dann bekannten Elliptizität der auf diese Weise bestimmten Ellipse bestimmt werden.
  • Die EP-A-75 689 beschreibt ein photometrisches Polarimeter, in dem der von einer Materialprobe reflektierte Lichtstrahl einem Polarisations-Strahlenteiler zugeführt wird. Die aufgeteilten reflektierten Lichtstrahlen gehen zu Detektoren für jeweils die senkrecht und parallel polarisierten Anteile des Lichtstrahls. Die Detektorenausgängen werden verwendet um Informationen über das Prüfstück zu erhalten. Mögliche erhaltene Informationen betreffen das Schichtwachstum auf der Materialprobe. Aus den senkrecht und parallel polarisierten Anteilen des Lichtstrahls kann nur der Winkel Ψ berechnet werden. Im Fall von Chromoxid auf Chrom wurde herausgefunden, daß der Winkel Ψ praktisch konstant ist. Deshalb ist diese Vorrichtung nicht zur Verwendung bei der Bestimmung von Chromoxidschichtdicken geeignet. Wenn sie für Schichtdickenmessungen angewandt wird, erfordert sie zur Normierung auch eine Messung der Intensität des Einfallstrahls, um die Elliptizität der Polarisation des reflektierten Strahles berechnen zu können. Das bedeutet, daß drei Intensitäten gemessen und in der Berechnung verwendet werden.
  • Besonders einfach und besonders geeignet für den Gebrauch unter Produktionsumgebungsbedingungen ist ein Verfahren zur Messung einer Beschichtungsdicke gemäß der Erfindung, bei dem die Aufteilmittel einen polarisierenden Strahlenteiler aufweisen. Gemäß den Feststellungen der Erfinder ist der Scheitelwinkel Ψ, bei dem die Ellipse steht, konstant und innerhalb eines weiteren Bereiches konstanter Einfallswinkel bekannt. Mit einem bekannten Scheitelwinkel Ψ kann der polarisierende Strahlenteiler derart positioniert werden, daß die zwei Teilstrahlen, die aus ihm austreten, die elektrischen Feldbestandteile entlang der zwei Hauptachsen der Ellipse sind.
  • Folglich werden in der Berechnung gemäß der Erfindung feste Daten verwendet, die sich auf den bekannten und konstanten Scheitelwinkel Ψ beziehen, der in der Berechnung der Elliptizität aus den gemessenen Intensitäten verwendet wird.
  • Bei dem Beschichtungsdickenmessungsverfahren gemäß der Erfindung wird bevorzugterweise ein Kompensator verwendet, um die zwei polarisierten Strahlen mit einem bekannten Winkel zueinander in Phase zusammen zu bringen. Dieses Ausführungsbeispiel ist insbesondere zur Messung der Beschichtungsdicke in den Fällen geeignet, in denen der Winkel in der Gegend von 90º ist.
  • In der Praxis werden mit einem Verfahren gemäß der Erfindung gute Ergebnisse erzielt, indem die Lichtquelle so montiert wird, daß das linear polarisierte Licht das Substrat mit einem Winkel von ungefähr 60º gegen die Normale auf die Substratoberfläche trifft. Innerhalb gewisser Grenzen nimmt die Empfindlichkeit des Verfahrens mit zunehmendem Winkel zwischen dem einfallenden Strahl und der Normalen auf das Substrat, d.h. dem Einfallswinkel, zu. Es wurde herausgefunden, daß der Winkel über einen beträchtlichen Bereich des Einfallswinkels konstant ist. Über einen Bereich von 0º bis ungefähr 70º variiert sehr wenig und ist ungefähr 40º. Jedoch variiert die Empfindlichkeit von Δ für die Dicke der Beschichtung mit dem Einfanfallswinkel und es wurde herausgefunden, daß sie bei einem Einfallswinkel von ungefähr 60º ein praktisches Optimum hat. Eine Schwierigkeit eines großen Winkels ist es, daß die Lichtquelle und die Aufteilmittel nahe der Ebene des Substrates montiert werden müssen. Ist das Substrat ein sich bewegender Streifen, dann sind die Lichtquelle und Aufteilmittel störungsanfällig. Ein guter Kompromiß zwischen Störungsanfälligkeit, Betriebsicherheit und Empfindlichkeit wurde bei einem Winkel von ungefähr 60º, d.h. 50º bis 70º gefunden. Für praktische Zwecke der Dickenmessung einer Chromoxidschicht auf Chrom ist der Winkel innerhalb dieses Bereichs konstant.
  • Die Empfindlichkeit des Beschichtungsdickenmeßgerätes ist gut, wenn die Lichtquelle dafür geeignet ist, ein Licht mit einer Wellenlänge zwischen 633 nm und 254 nm zu senden. Es ist vorzuziehen, daß die kleinste mögliche Wellenlänge gewählt wird, die praktisch zu erreichen ist, weil mit kleineren Wellenlängen die Empfindlichkeit des Verfahrens zunimmt.
  • Die Genauigkeit des Verfahrens kann weiter vergrößert werden, wenn Unterstützungsmittel verwendet werden, um den Einfallswinkel des einfallenden Lichtes konstant zu halten und insbesondere, wenn die Unterstützungsmittel eine Tragrolle aufweisen, um die Lichtquelle auf dem Substrat abzustützen, d.h. eine Rolle, die direkt mit dem bewegenden Substrat Kontakt hat. Die Empfindlichkeit des Verfahrens hängt von dem Einfallswinkel zwischen dem einfallenden Strahl und der Normalen auf das Substrat ab. Als Ergebnis dieses Sachverhaltes hängt die gemessene Dicke auch von den Variationen des Einfallswinkels ab. Mit einer Untestützung der Lichtquelle, wird die Position des Substrates relativ zum einfallenden Lichtstrahl und damit auch der Einfallswinkel vollständig fixiert.
  • Eine hier besprochene Chromoxidbeschichtung ist nicht auf eine Beschichtung aus reinem Chromoxid beschränkt, sondern umfaßt auch eine Beschichtung, die im wesentlichen Chromoxid enthält, wie es auf verchromtem Stahl vorkommt. Eine derartige Chromoxidbeschichtung enthält auch Chromhydroxid, Unreinheiten und Poren.
  • In der Praxis wurde herausgefunden, daß die Genauigkeit des Verfahrens für eine solche Chromschicht vergrößert wird, wenn die berechnet Dicke auf eine absolute spezifische Mengeneinheit Chromoxid pro Flächeneinheit des Substrates geeicht wird. Wenn man ein absolutes chemisches Meßverfahren wie die AAS/Photometrie verwendet, wird die Mengeneinheit Chrom in der Beschichtung des Chromoxides pro Flächeneinheit gemessen. Aus dem auf diese Weise erhaltenen Resultat kann die Beschichtungsdicke berechnet und der mit dem korrespondierenden Verfahren berechnete Wert geeicht werden.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nun mit Hilfe von nicht einschränkenden Beispielen mit Bezug auf die Zeichnungen veranschaulicht werden.
  • Figur 1 zeigt eine schematische Wiedergabe der Reflexion eines Lichtstrahles auf einer dünnen Beschichtung und Figur 2 zeigt eine schematische Darstellung eines Schichtdickenmeßgerätes, das das Verfahren gemäß der Erfindung verwendet.
  • Figur 1 zeigt einen Querschnitt durch eine verchromte Stahlblechplatte. Die Figur zeigt die Luft (1) über der Blechplatte, eine Beschichtung (2) aus Chromoxid, von dem die Dicke zu messen ist, eine Schicht (3) aus Chrom und ein Substrat (4) aus Stahl. Während der elektrolytischen Verchromung eines Stahlstreifens lagert sich eine Chrombeschichtung auf dem Stahl ab, aber auf der Chromschicht auf der vom Stahl wegzeigenden Seite wird eine Beschichtung aus im wesentlichen Chromoxid gebildet, die aber auch Chromhydroxid, Unreinheiten und Poren enthält. In dieser Beschreibung ist die Beschichtung eine Chromoxidbeschichtung wie auch eine in der Praxis gebildete Beschichtung. Ein Lichtstrahl fällt mit einem Winkel a gegen die Normale (6) auf das Substrat auf die Oberfläche der verchromten Stahlblechplatte. Ein Teil dieses Strahls wird mit dem gleichen Winkel a reflektiert wie der Strahl (7). Ein Teil des Strahls (6) wird mit dem gleichen Winkel gebrochen wie der Strahl (7). Ein Teil des Strahls (6) wird am Übergang (1-2) gebrochen und dringt als ein reflektierter Stahl (8) in die Chromoxidschicht ein. Ein Teil des gebrochenen Strahls (8) wird am Übergang (2-3) reflektiert und kehrt als Strahl (9) zu dem Übergang (1-2) zurück. Auf seinem Rückweg wird der Strahl (9) wieder teilweise als Strahl (10) am Übergang (1-2) reflektiert und verläßt teilweise die Chromoxidbeschichtung als Strahl (11). Alle aus der Chromoxidoberfläche austretenden Strahlen zusammen formen in Übereinstimmung mit dem hier beschriebenen Prozeß den reflektierten Strahl.
  • Figur 2 zeigt den einfallenden Strahl 5, der mit der Normalen (15) auf die Oberfläche des verchromten Streifens (16) den Einfallswinkel a bildet. Der Strahl (5) wird mit Hilfe eines Helium-Neon-Lasers (17) erzeugt. Der Vektor Ei zeigt die Folarisationsrichtung des Einfallstrahles an. Der Vektor Ei ist in eine Komponente Epi und eine Komponente Esi zerlegt. Die Komponente Epi ist parallel zu der Einfallsebene durch den Einfallstrahl (5) und den reflektierten Strahl (18); die Komponente Esi ist senkrecht zur Einfallsebene.
  • Die Richtung parallel zu der Einfallsebene wird die p-Richtung genannt; die Richtung senkrecht auf die Einfallsebene wird die s-Richtung genannt. Es ist im allgemeinen wünschenswert, den Winkel b zwischen dem Vektor Ei und seiner Komponente Epi mit 45º zu wählen, so daß Epi und Esi in der Größe gleich sind. Der durch die Chromoxidbeschichtung auf dem verchromten Streifen (16) reflektierte Strahl ist elliptisch polarisiert. Das Ende des elektrischen Feldvektors Et des reflektierten Lichts beschreibt eine Ellipse in einer zu dem reflektierten Strahl senkrechten Ebene.
  • Der elektrische Feldvektor Et hat eine durch Ept angegebene Amplitude in der p-Richtung und eine durch Est angegebene Amplitude in der s-Richtung.
  • Nun wird die Beziehung Ept/Est = rp/rs = tan Ψ exp jΔ angewendet. Die Dicke der Chromoxidbeschichtung (2), die den reflektierten Strahl verursacht hat, kann aus den ellipsometrischen Größen Ψ und Δ abgeleitet werden. Überraschenderweise wurde herausgefunden, daß für die Chrom/Chromoxid-Kombination der Scheitelwinkel Ψ mehr oder weniger konstant und ungefähr 40º ist, unabhängig von der Dicke der Chromoxidbeschichtung, und daß nur die Elliptizität der Ellipse, die des Verhältnis zwischen der kurzen und der langen Achse ist, mit der Dicke der Chromoxidbeschichtung variiert. Wegen des konstanten und ungefähr 40º großen Scheitelwinkels ist der durch die lange Achse der Ellipse gegen die s-Richtung geformte Ellipsenwinkel ebenso konstant und ungefähr gleich 40º. Deshalb ist es in Abhängigkeit des gewählten mechanischen Aufbaus des Dickenmeßgerätes möglich, die Polarisierung des Strahls (5) so zu wählen, daß der Scheitelwinkel Ψ mit einem Winkel von ungefähr 45º konstant ist.
  • Das Verhältnis der kurzen Achse und der langen Achse wird dadurch vorbestimmt, daß man den reflektierten Strahl auf einem polarisierenden Strahlenteiler (19) fallen läßt, der mit dem Ellipsenwinkel von ungefähr 45º positioniert ist. Wenn eine Beschichtung gemessen wird, deren Winkel Δ im Bereich von π/2 im Bogenmaß liegt, ist die kurze Achse verhältnismäßig lang. Um die Empfindlichkeit des Beschichtungsdickenmeßgerätes aufrecht zu erhalten, wird das Beschichtungsdickenmeßgerät mit einem Kompensator (14) versehen, der den Winkel Δ um einen gegebenen Betrag verändert. Die Intensität eines jeden der zwei Strahlen (20) und (21), die von dem polarisierenden Strahlenteiler ausgehen, wird unter Verwendung der Photodetektoren (22) und (23) gemessen.
  • Der Ausgang jeden Photodetektors (22) und (23) ist mit der Berechnungseinheit (24) verbunden. Die Berechnungseinheit berechnet der Verhältnis q der langen Achse der Ellipse und der kurzen Achse der Ellipse durch Ziehen der Wurzel des Quotienten der zwei gemessenen Intensitäten. Innerhalb einiger praktischer Grenzen ist dieses Verhältnis q gemäß einer linearen Gleichung q = A - Bd mit der Dicke d der Chromoxidbeschichtung verbunden. Die Konstanten A und B werden mit Hilfe einer absoluten Meßmethode bestimmt. Es würde herausgefunden, daß die AAS/Photometrie eine geeignete absolute Methode ist.
  • Weil die Berechnungseinheit (24) praktisch schon feste Daten bezüglich des konstanten Scheitelwinkels Ψ für die Reflexion an einer Chromoxidschicht enthält, braucht Ψ nicht separat gemessen zu werden, und es ist möglich, die Polarisationelliptizität allein aus den Ausgängen der zwei Detektoren (22) und (23) zu berechnen. Die Messung der Intensität des Einfallstrahles wird nicht benötigt. Deswegen sind sowohl die Messung als auch die Berechnungen einfach.
  • Das Dickenmeßgerät ist insbesondere zur kontinuierlichen Messung der Chromoxidbeschichtung und als Meßeinheit in einem automatisierten System geeignet. Ein Röntgenfluoreszenzgerät kann für die gesamte Chrommenge auf dem Stahlstreifen verwendet werden. In der Praxis ist die Dicke der Chromschicht ungefähr 10 nm und die Dicke der Chromoxidbeschichtung zwischen 2 nm und 4 nm.

Claims (6)

1. Verfahren zur Messung der Dicke einer chromoxidbeschichtung (2) auf einer Chromschicht (3) auf einem Substrat (4), bei dem linear polarisiertes Licht von einer Lichtquelle (17) auf die Beschichtung geworfen wird und das durch die Chromoxidbeschichtung reflektierte elliptisch polarisierte Licht auf eine Vielzahl von Teilstrahlen aufgeteilt wird, wobei die Intensität jeden Teilstrahles durch Erfassungsmittel (22, 23) gemessen wird und die Dicke der Chromoxidbeschichtung aus den gemessenen Intensitäten berechnet wird,
dadurch gekennzeichnet, daß das reflektierte Licht in einen Teilstrahl mit einer Polarisationsrichtung in der Richtung der langen Achse der polarisationsellipse und in einen Teilstrahl mit einer Polarisationsrichtung in der Richtung der kurzen Achse der polarisationsellipse aufgeteilt wird, und dadurch, daß die Dicke aus dem Verhältnis der zwei gemessenen Intensitäten der zwei Teilstrahlen berechnet wird, wobei die Berechnung auf der Annahme basiert, daß der Scheitelwinkel Ψ, der durch das Verhältnis der Reflexionskoeffizienten in der p- und s-Richtung definiert ist, mehr oder weniger konstant und unabhängig von der Dicke der Beschichtung ist, und daß nur die Elliptizität, die als Verhältnis zwischen der kurzen und der langen Achse der Polarisationsellipse definiert ist, mit der Dicke der Beschichtung variiert.
2. Verfahren gemäß Anspruch (1), bei dem ein Polarisations-Strahlenteiler (19) als Aufteilmittel verwendet wird.
3. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Kompensator (14) verwendet wird, um die zwei mit einem vorbestimmten Winkel polarisierten Teilstrahlen zueinander in Phase zu bringen.
4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Lichtquelle (17) so angeordnet ist, daß das linear polarisierte Licht (5) das Substrat mit einem Winkel von ungefähr 60º zu der Normalen auf das Substrat auftrifft.
5. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Lichtquelle (17) dafür ausgelegt ist, Licht mit einer Wellenlänge zwischen 633 nm und 254 nm zu senden.
6. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die berechnete Dicke auf eine absolute spezifische Mengeneinheit Chromoxid pro Flächeneinheit des Substrates geeicht wird.
DE89202969T 1988-11-28 1989-11-23 Verfahren zur Dünnschichtdickenmessung. Expired - Fee Related DE68911659T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8802920A NL8802920A (nl) 1988-11-28 1988-11-28 Laagdiktemeter.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE68911659D1 DE68911659D1 (de) 1994-02-03
DE68911659T2 true DE68911659T2 (de) 1994-05-05

Family

ID=19853294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE89202969T Expired - Fee Related DE68911659T2 (de) 1988-11-28 1989-11-23 Verfahren zur Dünnschichtdickenmessung.

Country Status (11)

Country Link
US (1) US5170049A (de)
EP (1) EP0371550B1 (de)
JP (1) JPH0678892B2 (de)
AT (1) ATE99046T1 (de)
AU (1) AU629265B2 (de)
CA (1) CA2003983C (de)
DE (1) DE68911659T2 (de)
ES (1) ES2047108T3 (de)
MX (1) MX172398B (de)
NL (1) NL8802920A (de)
TR (1) TR26149A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT504136B1 (de) * 2006-12-29 2008-03-15 Univ Linz Verfahren zur bestimmung der dicke einer metallisierungsschicht auf einer polymerfolie

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5243185A (en) * 1992-07-31 1993-09-07 Loral Aerospace Corp. Apparatus and method for ice detection
ES2076083B1 (es) * 1993-06-04 1996-06-01 Fuesca Sl Aparato y metodo de medida y control de la densidad de reticulacion de los tratamientos en caliente y frio del vidrio aligerado.
US5650610A (en) * 1995-03-15 1997-07-22 National Research Council Of Canada Apparatus and method for remote detection of ice or other birefringent material on a surface
US5557399A (en) * 1995-03-22 1996-09-17 Zygo Corporation Optical gap measuring apparatus and method
CN1131741A (zh) * 1995-03-22 1996-09-25 载歌公司 光学间隙测量装置和方法
US5953125A (en) * 1995-09-01 1999-09-14 Zygo Corporation Optical gap measuring apparatus and method
US6483580B1 (en) 1998-03-06 2002-11-19 Kla-Tencor Technologies Corporation Spectroscopic scatterometer system
JP3893868B2 (ja) * 2000-10-11 2007-03-14 東京エレクトロン株式会社 電界効果トランジスタの製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法及びその装置
US6908774B2 (en) * 2002-08-12 2005-06-21 S.O. I. Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Method and apparatus for adjusting the thickness of a thin layer of semiconductor material
EP1619465A1 (de) * 2004-07-19 2006-01-25 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Vorrichtung und Verfahren zur optischen Überwachung von Schichten
US7515253B2 (en) * 2005-01-12 2009-04-07 Kla-Tencor Technologies Corporation System for measuring a sample with a layer containing a periodic diffracting structure
US7370525B1 (en) 2006-10-31 2008-05-13 Swan International Sensors Pty. Ltd. Inflight ice detection system
CN100470193C (zh) * 2007-06-08 2009-03-18 中国科学院上海光学精密机械研究所 石英波片厚度的测量装置和测量方法
US20090002686A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 The Material Works, Ltd. Sheet Metal Oxide Detector
DE102008021199A1 (de) 2008-04-28 2009-10-29 Focke & Co.(Gmbh & Co. Kg) Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen von mit Folie umwickelten Zigarettenpackungen
JP2012032239A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Horiba Ltd 試料検査装置及び試料検査方法
ES2808550T3 (es) * 2013-03-15 2021-03-01 Sensory Analytics Método y sistema para la medición en tiempo real durante el proceso del espesor de recubrimiento
JP6355066B2 (ja) * 2013-08-29 2018-07-11 株式会社リコー センサ装置及び画像形成装置
EP3714231B1 (de) * 2017-11-24 2024-07-03 ABB Schweiz AG System und verfahren zur charakterisierung einer beschichtung wie einem lackfilm und lackierungsanlage mit solch einem system
CN113155040B (zh) * 2021-03-04 2023-02-28 上海精测半导体技术有限公司 一种探测反射光束角度变化的装置、方法及膜厚测量装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3426201A (en) * 1965-10-12 1969-02-04 Texas Instruments Inc Method and apparatus for measuring the thickness of films by means of elliptical polarization of reflected infrared radiation
US3906844A (en) * 1974-05-28 1975-09-23 Int Envelope Limited Method and apparatus for producing envelopes having a closure flap
US3908508A (en) * 1974-09-23 1975-09-30 Modulus Corp Strain indicator
JPS51129279A (en) * 1975-05-02 1976-11-10 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Polarizing analyzer
EP0075689A1 (de) * 1981-09-28 1983-04-06 International Business Machines Corporation Optische Geräte zur Beobachtung einer Probenoberfläche
US4585348A (en) * 1981-09-28 1986-04-29 International Business Machines Corporation Ultra-fast photometric instrument
US4850711A (en) * 1986-06-13 1989-07-25 Nippon Kokan Kabushiki Kaisha Film thickness-measuring apparatus using linearly polarized light

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT504136B1 (de) * 2006-12-29 2008-03-15 Univ Linz Verfahren zur bestimmung der dicke einer metallisierungsschicht auf einer polymerfolie

Also Published As

Publication number Publication date
AU629265B2 (en) 1992-10-01
TR26149A (tr) 1994-01-14
JPH0678892B2 (ja) 1994-10-05
CA2003983C (en) 1993-12-14
EP0371550A1 (de) 1990-06-06
DE68911659D1 (de) 1994-02-03
JPH02263105A (ja) 1990-10-25
ES2047108T3 (es) 1994-02-16
EP0371550B1 (de) 1993-12-22
US5170049A (en) 1992-12-08
CA2003983A1 (en) 1990-05-28
NL8802920A (nl) 1990-06-18
ATE99046T1 (de) 1994-01-15
MX172398B (es) 1993-12-15
AU4563689A (en) 1990-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68911659T2 (de) Verfahren zur Dünnschichtdickenmessung.
DE3889026T2 (de) Dickenmessgerät für Schichten.
DE69222742T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Dicke dünner Schichten
DE69017947T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Messen der Dicke dünner Filme.
DE2851750C2 (de)
DE3787320T2 (de) Schichtdickenmessgerät mit linearpolarisiertem Licht.
DE69421844T2 (de) Verfahren zur Kontrolle der Schichtdicke und/oder des Brechungsindexes
DE69423212T2 (de) Selbstausrichtendes in-situ ellipsometer und verfahren zur verwendung bei prozessüberwachung
DE3419463C1 (de) Vorrichtung zur Erfassung von Stoffeigenschaften von Probenoberflaechen
DE69021813T2 (de) Apparat und Verfahren für die Ausmessung von dünnen mehrschichtigen Lagen.
DE69032110T2 (de) Ellipsometrische Vorrichtung mit hohem Auflösungsvermögen
DE69211247T2 (de) Ellipsometer
DE3240234C2 (de) Oberflächenprofil-Interferometer
DE3908155A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur vermessung duenner dielektrischer schichten
EP0019088A1 (de) Ellipsometrisches Verfahren und ellipsometrische Vorrichtung zur Untersuchung der physikalischen Eigenschaften der Oberfläche einer Probe
CH654914A5 (de) Optoelektronisches messverfahren und einrichtung zum bestimmen der oberflaechenguete streuend reflektierender oder transparenter oberflaechen.
DE10154008C1 (de) Verfahren und Anordnung zur spannungsoptischen Analyse von Festkörpern
DE4301889A1 (de) Verfahren zum Bestimmen charakteristischer Größen transparenter Schichten mit Hilfe der Ellipsometrie
DE102007043937B4 (de) Verfahren zur Bestimmung der Dicke und des Brechungsindex von optisch transparenten Schichten auf optisch transparenten planparallelen Substraten
DE4105192C2 (de) Verfahren zum Bestimmen von Oberflächenrauhigkeiten und dergleichen
DE3834948C2 (de) Verfahren zum Bestimmen des Brechungsindex der obersten Dünnschicht einer mehrlagigen Schicht
DE4001506C2 (de) Drei Verfahren zum Bestimmen des einzustellenden Meß-Einfallswinkels eines monochromatischen Meß-Lichtstrahls bei der Messung des Brechungsindex und der Dicke einer dünnen Schicht
DE19734646A1 (de) Ellipsometer-Meßvorrichtung
DE69826156T2 (de) Vorrichtung zur Messung der Doppelbrechung von optischen Plattensubstraten
DE4108329C2 (de) Verfahren zum Bestimmen von Materialparametern, nämlich Dicke, Brechungsindex und Absorptionskoeffizient, einzelner Schichten

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee