DE3240234C2 - Oberflächenprofil-Interferometer - Google Patents
Oberflächenprofil-InterferometerInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Oberflächenprofil-
Interferometer, d. h. ein Gerät zum Ermitteln der Ober
flächenrauhigkeit bzw. der Höhe einer Dickenänderungs
stufe, wie sie z. B. entsteht, wenn man einen Metallfilm
auf ein Substrat aufbringt, um eine Leiterplatte oder
eine integrierte Mikroschaltung herzustellen.
Im "Journal of Physics E", 1972, Bd. 5, S. 445-449, be
schreiben King u. a. drei Verfahren zum Ermitteln der
Dicke von Filmen durch Messen der Stufenhöhe am Rand eines
Films. Bei einem Verfahren wird ein mechanischer Taststift
über die auszumessende Fläche hinwegbewegt, doch muß die
ser Taststift die Fläche berühren, so daß die Gefahr einer
Beschädigung der Fläche besteht. Bei einem anderen Verfah
ren wird ein mit mehreren Strahlen oder Lichtbündeln ar
beitendes Interferometer benutzt; hierbei dient eine Mi
kroskopanordnung dazu, von mehreren Strahlen herrührende
Interferenzstreifen auf einem photographischen Film abzu
bilden, und das so aufgezeichnete Interferogramm wird aus
gewertet, um die Stufenhöhe zu ermitteln. Bei dieser An
ordnung besteht ein Nachteil darin, daß der photographi
sche Film entwickelt werden muß, bevor die Messung der
Stufenhöhe durchgeführt werden kann.
Bei einer dritten Anordnung, bei der von einem photoelek
trischen Scherinterferometer Gebrauch gemacht wird, läßt
man polarisiertes Licht durch einen Schlitz, ein Wollaston-
Prisma und das Objektiv eines Mikroskops fallen, um zwei
Bilder des Schlitzes zu erzeugen, die der Stufenhöhenände
rung auf einer zu untersuchenden Fläche benachbart sind.
Die durch die Fläche reflektierten Strahlen durchlaufen
das Objektiv und das Prisma, und mit Hilfe von zwei recht
winklig zueinander polarisierten Strahlen wird ein Bild
erzeugt, wobei diese Strahlen eine Phasendifferenz aufwei
sen, die sich nach der Höhe der Stufe richtet. Um diese
Phasendifferenz zu messen, bewegt man mit der Hand eine
schwache Linse quer zu dem Strahl, bis die Phasendifferenz
genau ausgelöscht ist; das Vorhandensein dieses Zustandes
wird mit Hilfe eines elektrooptischen Modulators, eines
Analysators, eines Photoelektronen-Vervielfachers und
eines phasenempfindlichen Detektors festgestellt, die dazu
dienen, die Lage der Phasengleichheit der beiden inter
ferierenden Strahlen nachzuweisen. Die Genauigkeit dieses
Systems richtet sich nach der Genauigkeit, mit der die
lineare Bewegung der schwachen Linse gemessen werden kann.
Außerdem handelt es sich um ein Gerät, bei dem sich die
Lichtstrahlen nicht längs einer gemeinsamen Bahn fortpflan
zen. Vielmehr pflanzen sich die beiden interferierenden
Strahlen längs räumlich getrennter optischer Wege fort, so
daß das Meßergebnis durch jede Kippbewegung der zu unter
suchenden Fläche beeinflußt wird.
Eine weitere Verwendungsmöglichkeit für einen elektroopti
schen Modulator besteht auf dem Gebiet der Polarimetrie;
siehe z. B. die Arbeit von King in "photoelectric Spectro
metry Group Bulletin" Nr. 16, Dezember 1965, S. 487-492,
gemäß welcher ein als Faraday-Zelle bekannter magnetoopti
scher Modulator benutzt wird, um eine direkte Kompensation
der Polarisationsdifferenz zu bewirken, wobei eine Messung
des Stroms erfolgt, der der Zelle zugeführt wird, um eine
Drehung der Schwingungsebene eines eben polarisierten
Strahls herbeizuführen, so daß sich ein erforderlicher
Zustand ergibt, der mit Hilfe eines phasenempfindlichen
Detektors nachgewiesen wird. Man kann eine solche Anordnung
benutzen, um sehr kleine Änderungen bezüglich der Schwin
gungsebene von linear polarisiertem Licht zu ermitteln,
die z. B. durch eine optische Rotationsdispersion oder Dre
hung hervorgerufen werden.
Es sei bemerkt, daß von den beiden vorstehend geschilder
ten optischen Verfahren zum Messen der Stufenhöhe das In
terferometer mit mehreren Strahlen bezüglich der Messung
nicht von der Phasendifferenz zwischen zwei zueinander
orthogonal polarisierten Strahlen abhängt und daß bei dem
photoelektrischen Scherinterferometer zwar die Phasendif
ferenz zwischen zwei zueinander orthogonal polarisierten
Strahlen gemessen wird, daß jedoch die Strahlen durch das
Wollaston-Prisma seitlich gegeneinander versetzt werden,
so daß bei dieser Anordnung das Interferometer keinen ge
meinsamen Strahlenweg aufweist.
Aus der EP 11 708 A1 ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zur
Messung der Ebenheit, der Rauhigkeit oder des Krümmungsradius
einer Meßfläche bekannt, mit der auch die Neigung einer Objekt
oberfläche gemessen werden kann. Diese Vorrichtung besitzt eine
Lichtquelle und einen doppelbrechenden Kristall zum Erzeugen
eines gerichteten Strahlungsbündels, das Komponenten von
gleicher Amplitude in zwei zueinander orthogonalen Polarisa
tionsrichtungen enthält. Weiter ist ein Strahlenteiler als
Einrichtung zum Richten des Strahls vorgesehen. Durch eine
doppelbrechende Fokussiereinrichtung, die aus dem doppelbre
chenden Kristall und einer Linse besteht, wird die Strahlung in
den beiden Polarisationsrichtungen an verschiedenen Punkten
fokussiert. Ein polarisationsabhängiger Phasenschieber, ein
Analysator und ein Lichtdetektor bilden eine phasenempfind
liche Einrichtung zum Messen eines etwa vorhandenen Phasen
unterschiedes zwischen den polarisierten Strahlungskompo
nenten. Der Strahlteiler als Einrichtung zum Richten des
Strahls ist so aufgebaut, daß er mindestens einen Teil des
gerichteten Strahls zu der doppelbrechenden Fokussiereinrich
tung gelangen läßt und von der doppelbrechenden Einrichtung
Strahlung empfängt die durch den zu untersuchenden Gegen
stand reflektiert worden ist. Diese Strahlung läßt der
Strahlenteiler dann zu der Phasenmeßeinrichtung gelangen,
wobei er jedoch im wesentlichen keinen Phasenunterschied
zwischen den Strahlungskomponenten in den beiden zueinander
orthogonalen Polarisationsrichtungen hervorruft.
Diese Druckschrift beschreibt seitliche Scherstrahlen, die
Erfindung betrifft dagegen axiale Scherstrahlen auf der optischen Achse.
Dadurch wird die Aufgabe gelöst, die Konzentrizität der Optik
zu erhalten und außerordentlich intensiv zu wirken, wenn es
darum geht, die zu untersuchende Oberfläche während der Messung
zu kippen.
Zur Lösung dieser Aufgabe besteht die Erfindung in der Gesamt
heit der Merkmale des Anspruchs 1.
Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteran
sprüchen.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an
hand schematischer Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 den optischen Teil sowie die elektrische Steuer-
und Meßschaltung einer ersten Ausführungsform eines
erfindungsgemäßen Oberflächenprofil-Interferometers;
Fig. 2 Anordnung zum Beleuchten der zu untersuchenden
Fläche;
Fig. 3a, b, c und d jeweils optische bzw. elektrische Sig
nale, die an den verschiedenen Punkten des Geräts
auftreten; und
Fig. 4 eine zweite Ausführungsform eines Oberflächenprofil-
Interferometers nach der Erfindung.
Zunächst sei auf die Strahlenwege bei dem Gerät nach Fig. 1
eingegangen; ein Helium-Neon-Laser 10 erzeugt einen mono
chromatischen Lichtstrahl, der eine Strahlspreizeinrich
tung 12 durchläuft, um dann zu einem polarisierenden Strah
lenteiler 14 zu gelangen, der einen Teil des einfallenden
Lichtes unter einem Winkel von 90° reflektiert. Der gerich
tete Strahl durchläuft ein Halbwellenplättchen 16 aus Glim
mer und einen Polarisator 18 und gelangt dann zu einem Re
flektor 20, der eine Hälfte des einfallenden Strahls zurück
hält. Die von dem einfallenden Strahl abgewandte Seite 21
des Reflektors ist als Spiegel ausgebildet. Die Hälfte des
Strahls, welche nicht durch den Reflektor zurückgehalten
wird, pflanzt sich nur auf einer Seite der optischen Achse
des Geräts fort und fällt durch eine Sammellinse 22 aus
Calcid, die in Berührung mit einer Zerstreuungslinse 24
aus Silica steht; danach durchläuft diese Hälfte des Strahls
ein Viertelwellenlängenplättchen 26 aus Glimmer sowie ein
Mikroskopobjektiv 28, um dann zu einer zu untersuchenden
Fläche 30 zu gelangen. Das durch die Fläche 30 zurückge
worfene Licht pflanzt sich auf der anderen Seite der opti
schen Achse in der Gegenrichtung fort und fällt erneut
durch das Objektiv 28, das Plättchen 26 und die Doppellinse
22, 24, bis es auf die reflektierende Fläche 21 trifft.
Die Fläche 21 ist unter 45° gegen den zurücklaufenden
Strahl geneigt, der so reflektiert wird, daß er durch eine
Begrenzungsöffnung 32 fällt und über einen elektroopti
schen Phasenmodulator 34, ein Viertelwellenlängenplättchen
36, einen Kompensator 38 in Form einer Faraday-Zelle und
einen Analysator 40 zu einem Photoionenverviel
facher 42 gelangt.
Der elektrooptische Phasenmodulator 34 ist an eine Modula
torsteuerschaltung 50 angeschlossen, die ein Eingangssig
nal einem phasenempfindlichen Detektor 52 zuführt. Das
andere Eingangssignal wird durch den Photoionenmultipli
kator 42 erzeugt, der durch eine Einrichtung 54 mit einer
sehr hohen Spannung versorgt wird. Das Ausgangssignal des
phasenempfindlichen Detektors 52 wird einer Faraday-Zellen-
Kompensatorschaltung 56 zugeführt, die ein Bezugsausgabe
signal 58 liefert, dessen Wert der Stärke des durch die
Spule der Faraday-Zelle fließenden Stroms entspricht.
Während des Betriebs erzeugt der Laser 10 einen eben pola
risierten Lichtstrahl, der durch die Spreizeinrichtung 12
aufgespreizt wird. Der polarisierende Strahlenteiler 14
reflektiert den aufgespreizten Strahl so, daß er durch das
Halbwellenlängenplättchen 16 aus Glimmer zu dem Polarisa
tor 18 gelangt, der so eingestellt ist, daß er die Polari
sationsebene des aufgespreizten Eingangsstrahls dreht, bis
Strahlen von gleicher Intensität vorhanden sind, die in
zwei zueinander orthogonalen Richtungen P und S polarisiert
sind, deren Lage durch die Achsen der doppelbrechenden Lin
se bestimmt ist. Das Halbwellenlängenplättchen 16 dient da
zu, die Intensität des von dem Polarisator 18 durchgelas
senen Lichtes durch Drehen der Polarisationsebene auf einen
maximalen Wert zu bringen. Die nicht durch den Reflektor
20 zurückgehaltene Hälfte des Strahls durchläuft die Linse
22 aus Calcid und die Linse 24 aus Silica.
Eine Eigenschaft der Sammellinse 22 aus Calcid besteht
darin, daß sie bei Licht von unterschiedlicher Polarisa
tion unterschiedliche Brechzahlen aufweist. Bei einem ein
fallenden gerichteten Strahl, der die Komponenten P und S
enthält, wird die eine Komponente stärker abgelenkt als
die andere, so daß die Brennpunkte der Komponenten P und S
verschieden weit von der Linse entfernt sind. Der Unter
schied bezüglich der Sammelkraft für die Komponenten P und
S ist gering und beträgt etwa 1 Dioptrie. Die Wirkung des
Mikroskopobjektivs 28 besteht darin, daß eine relativ
starke Fokussierwirkung von z. B. 100 Dioptrie hervorgerufen
wird, daß jedoch ein Unterschied bezüglich der Sammelfähig
keit für die Komponenten P und S erhalten bleibt. Die Ge
samtwirkung besteht darin, daß eine Komponente des Strahls,
z. B. die Komponente P, genau auf die zu untersuchende Flä
che 30 fokussiert wird, während die zweite Komponente auf
einen anderen Abstand fokussiert wird, so daß sie von einem
größeren Teil der Fläche 30 zurückgeworfen wird. Die ver
schiedenen beleuchteten Flächen sind in Fig. 2 dargestellt.
Die Komponente P wird genau als kleiner runder Fleck nahe
der Auflösungsgrenze des Objektivs 28 fokussiert, während
die Komponente S einen erheblich größeren Teil der zu un
tersuchenden Fläche einnimmt. Beispielsweise hat der Licht
fleck P bei einem Durchmesser des Objektivs von 8 mm einen
Durchmesser von weniger als 1 Mikrometer, während die Flä
che bei der Komponente S einen Durchmesser von 100 Mikro
meter haben kann. Somit liegt der Unterschied zwischen den
Flächen, durch welche die Strahlkomponenten reflektiert
werden, in der Größenordnung von 10⁴. Die Reflexion durch
die Fläche 30 führt bei kleinen Einfallswinkeln nicht zu
einer Änderung des Polarisationszustandes, doch führt die
mittlere Höhenlage der Fläche, durch welche jede Strahl
komponente reflektiert wird, zu einer Veränderung der Be
ziehung zwischen den beiden Strahlkomponenten dadurch, daß
sich ein Unterschied bezüglich des optischen Strahlenweges
und daher eine Phasendifferenz des einen Strahls gegenüber
dem anderen ergibt. Der scharf fokussierte Lichtfleck lie
fert eine Information über die Höhenlage der Fläche, die
für einen sehr kleinen Teil der Fläche gilt, während man
die große Fläche als Bezugsfläche betrachten kann, da die
Information hier über einen relativ großen Teil der Fläche
ausgemittelt wird und daher innerhalb der gesamten zu un
tersuchenden Fläche unveränderlich sein dürfte. Die beiden
Strahlen pflanzen sich längs eines gemeinsamen Weges fort,
so daß das System für Bewegungen der Fläche 30 im rechten
Winkel zu ihrer Ebene unempfindlich ist, und dadurch, daß
mit einer Koaxialmessung und Bezugsstrahlen gearbeitet
wird, wird das System außerdem gegen Verkantungen der
Fläche 30 unempfindlich. Die reflektierten Strahlen können
benutzt werden, um Informationen zu gewinnen, z. B. über
die Oberflächenrauhigkeit, d. h. die Höhenlage eines be
stimmten Punktes gegenüber der Hauptfläche, oder um Ände
rungen der Profilhöhe zu untersuchen. Gewöhnlich wird die
Fläche 30 quer zu den sie beleuchtenden Strahlen in einer
von zwei zueinander orthogonalen Richtungen x und y oder
in beiden Richtungen abgetastet, wie es in Fig. 1 durch
Pfeile angedeutet ist, d. h. es wird der Objekttisch eines
Mikroskops benutzt, und das elektrische Ausgangssignal des
Geräts bildet ein Maß für die Oberflächenrauhigkeit oder
Veränderungen der Profilhöhe.
Gemäß Fig. 1 pflanzen sich die durch die Fläche 30 reflek
tierten Strahlen auf der anderen Seite der optischen Achse
in der Gegenrichtung zu der Linse 22 aus Calcid und der
Linse 24 aus Silica fort, nachdem sie ein zweites Mal das
Viertelwellenlängerplättchen 26 durchlaufen haben, das ge
gen die Achsen der doppelbrechenden Linse unter 45° geneigt
ist. Dieses doppelte Durchlaufen des Plättchens 26 hat zur
Folge, daß die Komponenten P und S gegenüber den ordent
lichen und außerordentlichen Achsen der Calcidlinse 22 mit
einander vertauscht werden und daß die Fokussierwirkung
dieser Linse auf die Strahlkomponenten daher umgekehrt wird.
Die Strahlkomponente, die beim ersten Durchgang durch die
Linse stärker gebrochen wurde als die andere, wird jetzt
weniger stark gebrochen, und umgekehrt. Die Zerstreuungs
linse aus Silica ist vorgesehen, damit die Linsenanordnung
22, 24 bei dem Eingangsstrahl, der in einem kleineren Ab
stand fokussiert wird, die Sammelleistung Null aufweist,
so daß beide Komponenten durch das Linsenpaar auf geeignete
Weise erneut gerichtet werden können. Das Linsenpaar gibt
somit zwei gerichtete, orthogonal polarisierte Strahlen ab,
deren Phasendifferenz direkt proportional zur Höhe der Fläche
30 innerhalb des kleinen Lichtflecks im Vergleich zur mitt
leren Oberflächenhöhe ist.
Durch die reflektierende Fläche 21 werden die Strahlen in
Richtung auf die Detektoranordnung umgelenkt. Bei dem Re
flektor 20 kann es sich um ein mit Aluminium beschichtetes
Glasprisma handeln; alternativ kann man eine dielektrische
Spiegelbeschichtung benutzen. In beiden Fällen führt die
Reflexion an der Fläche 21 nicht zu einer wesentlichen Ver
änderung der relativen Phasen der Komponenten P und S, vor
ausgesetzt daß die Komponenten und die reflektierende Fläche
fehlerfrei ausgerichtet sind. Alternativ kann man den Re
flektor so beschichten, daß zwischen den orthogonal pola
risierten Komponenten bei jeder beliebigen Lage eine
Phasenänderung und eine Amplitudenänderung vom Wert Null
eintritt.
Die durch die reflektierende Fläche 21 zurückgeworfenen
Strahlen durchlaufen eine Begrenzungsöffnung 32 und gelan
gen dann zu dem elektrooptischen Phasenmodulator. Bei ko
härenten Eingangsstrahlen von gleicher Amplitude bei ortho
gonaler Polarisation erhält man als Ergebnis der inter
ferierenden Strahlen einen elliptisch polarisierten Strahl,
dessen Hauptachse unter einem Winkel von 45° zu den Rich
tungen der Komponenten P und S verläuft. Die Achsen des
Phasenmodulators 34 sind auf die P- und S-Richtungen ein
gestellt, und die Achsen des Viertelwellenlängenplätt
chens 36 verlaufen unter 45° zu den P- und S-Richtungen.
Die Modulatorschaltung 5C ist so ausgebildet, daß sie den
Phasenmodulator 34 derart betätigt, daß die Polarisations
ebene des resultierenden Strahls um die 45°-Richtung sym
metrisch um einen großen Winkel von z. B. ± 30° geschwenkt
wird, wie es in Fig. 3a und 3b gezeigt ist, wobei Fig. 3a
als Polardiagramm die Winkel zwischen den Eingangsstrahlen
und dem modulierten resultierenden Strahl wiedergibt, wäh
rend Fig. 3b die zeitabhängige Veränderung der Winkellage
des resultierenden Strahls erkennen läßt. Wenn dieser mo
dulierte Strahl dem Photoionenvervielfacher 42 über den
auf die 45°-Richtung ausgerichteten Analysator 40 zugeführt
wird und wenn die Eingangsstrahlen bei Phasenmodulator 34
bei genau orthogonaler Polarisation ohne einen Strahlenweg
unterschied die gleiche Amplitude haben, erhält der Photoionen
vervielfacher 42 Licht, dessen Intensität in Abhängigkeit von
der Zeit in der aus Fig. 3c ersichtlichen Weise variiert
(da eine Empfindlichkeit nicht für die Polarisationsrich
tung, sondern nur für die Lichtintensität vorhanden ist),
und es würde eine Reihe von Sinuswellen von gleicher Ampli
tude bei der doppelten Modulationsfrequenz nachgewiesen,
so daß man ein im wesentlichen konstantes Ausgangssignal
entsprechend der gestrichelten Linie in Fig. 3c erhält.
Sind jedoch die interferierenden Strahlen phasenverschie
den, ergibt sich bei 45° kein resultierender Strahl, und
es erfolgt keine beiderseitige Schwenkbewegung um die 45°-
Richtung, sondern man erhält eine Gewichtung oder Tendenz
in Richtung auf die eine oder die andere Seite. Das Aus
gangssignal des Photoionenvervielfacher 42 "betrachtet" somit
Sinuswellen beim Zweifachen der Modulationsfrequenz und
bei unterschiedlichen Amplituden, wie es in Fig. 3d ge
zeigt ist, und am Ausgang des Photoionenvervielfacher erscheint ein
Fehlersignal mit der Modulationsfrequenz entsprechend der
gestrichelten Kurve in Fig. 3d. Dieses Signal wird einem
phasenempfindlichen Detektor zugeführt und mit der Phase
der Modulation verglichen, so daß man ein Gleichspannungs-
Ausgangssignal erhält, das in einer direkten Beziehung zur
Phasendifferenz zwischen den beiden interferierenden Strah
len steht.
Bei dem erfindungsgemäßen Gerät dient das Gleichstrom-
Ausgangssignal zum Betätigen des Kompensators 38 bzw. der
Faraday-Zelle bei einem elektrooptischen Servosystem be
kannter Art. Der durch die Faraday-Zelle fließende Strom
ist direkt proportional zur Phasendifferenz zwischen den
interferierenden Strahlen.
Um das Gerät zum Gebrauch vorzubereiten, entfernt man das
Linsenpaar 22, 24 und verstellt das Mikroskopobjektiv 28
axial, bis es auf die zu untersuchende Fläche 30 fokus
siert ist. Während der Analysator 40 auf 45° eingesellt
ist, wird der Polarisator 18 gedreht, bis die gewünschten
Amplituden die gleiche Größe haben, was dadurch angezeigt
wird, daß sich bei dem Photoionenvervielfacher 42 der Wert Null
ergibt. Jetzt wird das Linsenpaar 22, 24 in seine Gebrauchs
stellung gebracht. Da es eine erheblich schwächere Wirkung
hat als das Objektiv 28, verändert es die Scharfstellung
nur um einen kleinen Betrag. Jetzt wird das Objektiv 28
verstellt, bis die eine Strahlkomponente auf der Fläche
30 fokussiert ist. Die Faraday-Zelle 38 und eine Rückkopp
lungsschaltung werden eingeschaltet, woraufhin man durch
Messen des Stroms der Faraday-Zelle, der gemäß Fig. 1 bei
58 erscheint, ein zur Oberflächenrauhigkeit direkt propor
tionales elektrisches Ausgangssignal erhält. Wird die Flä
che 30 entsprechend abgetastet, erhält man somit ein Maß
für ihre Rauhigkeit.
Die Wirkungsweise des Geräts beruht auf einem Phasenunter
schied zwischen den beiden in verschiedenen Richtungen
polarisierten Komponenten; die Tatsache, daß die Amplituden
nicht einander gleich zu sein brauchen, da sich hierbei
nur der Interferenzkontrast verringern würde, erweist sich
als vorteilhaft, wenn die beiden Teile der zu untersuchen
den Fläche, die die Strahlenkomponenten reflektieren, ein
unterschiedliches Reflexionsvermögen haben, z. B. an einer
Stufe des Substrats eines integrierten Schaltkreises. Hier
aus ergibt sich eine Ergänzung der Vorteile der Verwendung
eines gemeinsamen Strahlenwegs für beide Strahlen, wobei
außerdem das phasenempfindliche Polarimetrieverfahren,
mit dem die Fühlschaltung arbeitet, eine hohe Genauigkeit
gewährleistet.
Ein Hauptvorteil der Ausführungsform nach Fig. 1 besteht
darin, daß der Reflektor 20 eine Hälfte des einfallenden Laser
strahls zurückhält und den zurückkehrenden Strahl veranlaßt,
sich längs eines versetzten optischen Weges fortzupflanzen,
so daß der durch die zu untersuchende Fläche reflektierte
Strahl nicht zu dem Laser zurückkehrt und daher auch nicht
mit dem Ausgangsstrahl des Lasers interferiert. Bei einem
Gerät mit hoher Empfindlichkeit, z. B. dem Gerät nach der
Erfindung, ist diese Verbesserung der Stabilität des Lasers
sehr erwünscht.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 sind der einfallen
de und der zurückkehrende Strahl längs der optischen Achse
einander benachbart. Dies ist jedoch nicht unbedingt erfor
derlich, und die Strahlen könnten vollständig voneinander
getrennt sein; jedoch vergrößert die Verwendung einander
benachbarter Strahlen den nutzbaren Strahlenquerschnitt
auf ein Maximum, so daß auch ein maximales optisches Ein
gangssignal für die elektrische Meßschaltung zur Verfügung
steht und mit einem Fokussierfleck von minimaler Größe ge
arbeitet werden kann.
Um das Gerät zum Gebrauch vorzubereiten, wird der Reflek
tor 20 entfernt, so daß das durch die Fläche 30 reflektier
te Licht durch den Polarisator 18 und das Halbwellenplättchen 16
fällt, um zu dem Strahlenteiler 14 zu gelangen, von dem
aus ein Teil des Strahls nach dem Durchlaufen eines Polari
sators 44 zum Auge 46 eines Beobachters gelangt. Der zu
beobachtende Strahl kann benutzt: werden, um das Interfero
meter auf ein Merkmal innerhalb der 100-Mikrometer-Fläche
eines polarisierten Strahls zu fokussieren.
In Fig. 2 unterscheiden sich die durch die Strahlen P und
S beleuchteten Flächen um einen Faktor von etwa 10⁴, der
anwendbar ist, wenn die Rauhigkeit einer Oberfläche gemes
sen werden soll. In manchen Fällen kann sich jedoch auch
ein kleinerer Faktor von z. B. 10 als ausreichend erweisen.
Wenn man eine Meßfläche mit einem Durchmesser von etwa
0,75 Mikrometer und eine Bezugsfläche mit einem Durchmesser
von etwa 3 Mikrometer verwendet, unterscheiden sich die
beiden Flächen um den Faktor 16. Es hat sich gezeigt, daß
eine solche Anordnung dann besonders zweckmäßig ist, wenn
die Einzelmerkmale einer Stufenhöhenänderung untersucht
werden sollen; beispielsweise kann die Schärfe einer Stufen
änderung eines Merkmals auf einem mikroelektronischen
Schaltkreis von Interesse sein.
In Fig. 4 ist eine zweite Ausführungsform der Erfindung
dargestellt, die in zahlreichen Einzelheiten der Ausfüh
rungsform nach Fig. 1 ähnelt, weshalb die betreffenden Ele
mente jeweils mit gleichen Bezugszahlen bezeichnet sind.
Der Unterschied zu der Anordnung nach Fig. 1 besteht darin,
daß der Reflektor 20 nach Fig. 1 mit der geneigten reflek
tierenden Fläche 21 durch einen nicht polarisierenden Strah
lenteiler 60 ersetzt ist und daß die volle Öffnung des Sy
stems ausgenutzt wird.
Zu dem nicht polarisierenden Strahlenteiler 60 gehören
zwei Prismen 62 mit einem Querschnitt in Form eines recht
winkligen Dreiecks aus ungespanntem Glas, die so mitein
ander verkittet sind, daß sie einen Würfel bilden, bei dem
sämtliche Außenflächen mit eine Reflexion verhindernden
Stoffen beschichtet sind. Die Hypotenusenfläche des einen
Prismas ist mit einer Aluminiumschicht mit einer Dicke von
10 nm versehen, und diese Fläche ist mit der entsprechen
den Fläche des anderen Prismas verkittet, das beschichtet
ist, um eine Reflexion an der Grenzfläche des Kitts zu
verhindern. Die Beschichtungen und der Kitt sind in Fig. 4
nicht eigens dargestellt. Gewöhnlich hat ein spannungs
freies Glas einen hohen Brechungsindex von z. B. 1,84,
während bei einem Glaskitt der höchste bis jetzt bekannte
Brechungsindex etwa 1,58 beträgt. Daher ist es wichtig,
auch auf den verkitteten Flaschen Beschichtungen vorzu
sehen, die eine Reflexion verhindern.
Ein solcher Strahlenteiler hat die Eigenschaft, daß die
Produkte der Reflexions- und Durchlässigkeitskoeffizien
ten R und T der orthogonal polarisierten Komponenten die
Bedingung erfüllen, daß RpTs annähernd gleich RsTp ist,
wenn P die Komponente ist, die parallel zur Einfallsebene
schwingt, während S die Komponente ist, die im rechten
Winkel zur Einfallsebene schwingt. Daher bewirkt das zwei
fache Hindurchlaufen des Strahls durch den Strahlenteiler
nicht, daß die relativen Phasen der Komponenten P und S
innerhalb des Strahls verändert werden. Zwar kann man die
Amplituden der Komponenten P und S durch Drehen des Pola
risators 18 einander angleichen, doch ist das Gerät gegen
Änderungen der Amplitude praktisch unempfindlich.
Die P- und S-Achsen des Strahlenteilers 60 werden so ein
gestellt, daß sie mit den entsprechenden Achsen der doppel
brechenden Linse 22 zusammenfallen.
Bei der Anordnung nach Fig. 4 befinden sich die auf die
zu untersuchende Fläche fallenden bzw. von ihr zurückge
worfenen Strahlen in Deckung miteinander, und es wird von
der vollen Öffnung des Geräts Gebrauch gemacht. Zwar kann
ein gewisser Teil der Strahlung in Richtung auf den Laser
10 zurückgeworfen werden, doch kann sich dies als zulässig
erweisen.
Das Gerät läßt sich ferner in der nachstehend beschriebe
nen Weise weiterbilden:
Bei der doppelbrechenden Fokussiereinrichtung kann es sich anstelle
eines Linsenpaares um eine einzige doppelbrechende Linse
mit positiver oder negativer optischer Wirkung handeln;
es ist ferner möglich, interferometrische Überlagerungs
verfahren anzuwenden, um die Phasendifferenz zwischen den
interferierenden orthogonal polarisierten Strahlen zu mes
sen, doch würde sich hierbei der Nachteil ergeben, daß
es erforderlich ist, einen frequenzstabilisierten Laser
mit einer Zeeman-Strahlenteilungseinrichtung zu verwenden.
Bei einem für Licht durchlässigen System zur Verwendung
bei einem transparenten Gegenstand muß man in dem durch
gelassenen Strahl ein zusätzliches doppelbrechendes Fokus
siersystem anordnen, das die gleiche optische Leistung hat
wie das dem einfallenden Strahl zugeordnete; alternativ
kann man die Amplituden der durchgelassenen Strahlen auf
photometrischem Wege analysieren.
Zwar könnte man den elektrooptischen Phasenmodulator 34
durch eine Faraday-Wechselspannungszelle ersetzen, doch
würde das System dann von den relativen Amplituden der
interferierenden Strahlen abhängig werden.
Da die Kohärenzlänge durch die Stufenhöhenänderung oder
die Rauhigkeit der zu untersuchenden Fläche bestimmt wird,
ist sie relativ kurz, so daß es bei dem Laser nicht auf
eine große Kohärenzlänge ankommt. Somit kann man den Laser
10 durch eine gefilterte Quelle für weißes Licht und ent
sprechend auch den Photoionenmultiplikator durch einen
für weißes Licht empfindlichen Siliziumdetektor ersetzen.
Wird mit einem automatischen Fokussiersystem gearbeitet,
kann man eine Fokuseinstelleinrichtung benutzen, um eine
Relativbewegung zwischen der Brennebene der Position des
fokussierten polarisierten Strahls und der zu untersuchen
den Fläche herbeizuführen, wobei sich Informationen über
das Oberflächenprofil dadurch gewinnen lassen, daß ihn die
Signale des Photodetektors mit der Abtastfrequenz unter
sucht.
Man kann dieses Verfahren zum Analysieren der interferie
renden Strahlen anstelle der Anordnung mit einer Faraday-
Zelle anwenden, doch benötigt man umfangreiche Rechen
arbeiten, um das Ausgangssignal auszuwerten, und es ist
nicht unempfindlich für die relativen Amplituden der inter
ferierenden Strahlen.
Bei sämtlichen Ausführungsformen der Erfindung besteht ein
Vorteil darin, daß ein Unterschied bezüglich der optischen
Strahlenweglänge durch Drehen einer Schwingungsebene gemes
sen wird. Ein Längenunterschied des Strahlenweges, der einer
halben Wellenlänge entspricht, ist einer Änderung der Phase
zwischen den interferierenden Strahlen um 180° gleichwertig
und führt zu einer Drehung der Polarisationsebene des re
sultierenden Strahls um 90°. (Hierzu sei bemerkt, daß eine
Änderung des Strahlenwegunterschiedes um λ/2 durch eine
Änderung der Höhenlage der Fläche um λ/4 hervorgerufen
wird. Bei einem Helium-Neon-Laser, der bei 632,8 Mikro
meter betrieben wird, entspricht eine Drehung um 90° einer
Änderung der Höhenlage der Fläche um 158,2 Mikrometer. Auf
dem Gebiet der Polarimetrie ist es üblich, Drehbewegungen
mindestens mit einer Genauigkeit von 0,01° zu messen, was
0,01 nm entspricht, woraus sich die hohe Genauigkeit er
klärt, die sich mit Hilfe der erfindungsgemäßen Geräte er
zielen läßt.
Claims (6)
1. Oberflächenprofil-Interferometer
- - mit Einrichtungen (10, 12, 14, 16, 18) zum Erzeugen eines gerichteten Strahlungsbündels, das Komponenten von glei cher Amplitude in zwei zueinander orthogonalen Polarisa tionsrichtungen enthält,
- - einer Einrichtung (20, 21; 60) zum Richten des Strahls,
- - einer doppelbrechenden Fokussiereinrichtung (22, 24, 28) mit einer Strahlumkehrungseinrichtung (26) zum Fokussie ren von Strahlung in den beiden Polarisationsrichtungen an voneinander getrennten Punkten im Raum,
- - sowie phasenempfindliche Einrichtungen (34, 36, 38, 40, 42, 52) zum Messen eines Phasenunter schiedes zwischen den polarisierten Strahlungskomponen ten,
wobei die Einrichtung zum Richten des Strahls (20, 21; 60) so
aufgebaut ist,
- - daß sie mindestens einen Teil des gerichteten Strahls zu der doppelbrechenden Fokussiereinrichtung gelangen läßt,
- - daß sie von der doppelbrechenden Fokussiereinrichtung Strahlung empfängt, die durch den zu untersuchenden Ge genstand (30) reflektiert worden ist und
- - daß sie die Strahlung zu der Phasenmeßeinrichtung gelan gen läßt, jedoch im wesentlichen keinen Phasenunterschied zwischen den Strahlungskomponenten in den beiden zuein ander orthogonalen Polarisationsrichtungen hervorruft,
dadurch gekennzeichnet,
daß die doppelbrechende Fokussiereinrichtung (22, 24, 28)
die beiden Strahlungskomponenten in unterschiedliche
Brennpunkte auf der optischen Achse fokussiert und
eine der Strahlungskomponenten auf den zu untersuchenden
Gegenstand (30) fokussiert,
wobei in der diesem Brennpunkt entsprechenden
Brennebene die andere Strahlungskomponente eine
größere Querschnittsfläche als die der fokussierenden Strahlungskomponente
besitzt, und zwar mindestens um den
Faktor 10, und die fokussierte Strahlungskomponente
umgibt.
2. Interferometer nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß zu der Einrichtung (20, 21) zum Rich
ten des Strahls eine ebene reflektierende Fläche (21)
gehört, die auf einer Seite der optischen Achse so ange
ordnet ist, daß sie die Strahlung auffängt, die in dem
gerichteten Strahl auf der genannten Seite der optischen
Achse enthalten ist, und daß diese Fläche auf der genann
ten Seite der optischen Achse von der doppelbrechenden
Fokussiereinrichtung kommende Strahlung in Richtung auf
die phasenempfindliche Einrichtung reflektiert.
3. Interferometer nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Richten des
Strahls als Strahlenteiler (60) ausgebildet ist, der die
Eigenschaft hat, daß das Produkt des Reflexionskoeffi
zienten bei der ersten Polarisationsrichtung und des
Transmissionskoeffizienten bei der orthogonalen Polari
sationsrichtung gleich dem Produkt des Transmissions
koeffizienten bei der ersten Polarisationsrichtung und
des Reflexionskoeffizienten bei der orthogonalen Polari
sationsrichtung ist.
4. Interferometer nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die phasenempfindliche Einrichtung
in Form einer Reihenschaltung einen elektrooptischen
Phasenmodulator (34) umfaßt, ferner einen elektro
optischen Kompensator (38), einen Photoionenvervielfacher
(42) sowie einen phasenempfindlichen Detektor (52), wo
bei der phasenempfindliche Detektor so ausgebildet ist,
daß er ein elektrisches Ausgangssignal liefert, das in
einer Beziehung zu einem etwa vorhandenen Phasenunter
schied zwischen den beiden orthogonal zueinander pola
risierten interferierenden Strahlen steht, die von dem
Photoionen empfangen werden.
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