DE688073C

DE688073C - Verfahren zur Herstellung von metallischen End- oder Zwischenkontakten auf kohlenstoff-haltigen Halbleiterschichten fuer feste und veraenderliche Widerstaende

Info

Publication number: DE688073C
Application number: DE1934E0046167
Authority: DE
Original assignee: Ellinger & Geissler Fabrik Ele; JOHANNES MERTIG DIPL ING
Current assignee: Ellinger & Geissler Fabrik Ele; JOHANNES MERTIG DIPL ING
Priority date: 1934-10-27
Filing date: 1934-10-27
Publication date: 1940-02-12

Description

Verfahren zur Herstellung von metallischen End- oder Zwischenkontakten auf kohlenstoffhaltigen Halbleiterschichten für feste und veränderliche Widerstände Um bei drahtlosen festen und veränderlichen Widerständen für die Radiotechnik einen guten Stromübergang an den Kontaktstellen zu erreichen, ordnet man vielfach an den betreffenden Stellen metallische Schichten an, auf welchen dann die eigentlichen. Armaturen, Lötösen u. dgl. befestigt werden. Wird ,als Träger für die Widerstandsschicht ein keramisches Material verwendet, so ist das Einbrennverfahren möglich. Für Widerstandsplatten aus Hartpapier oder Preßmasse scheidet jedoch dieses Verfahren wegen der notwendigen hohen Betriebstemperatur aus.
Es ist ferner bekanntgeworden, End- oder Zwischenkontakte nach dem Shoopschen Metallspritzverfahren herzustellen. Dieses Verfahren hat jedoch den Nachteil, daß keine absolut innige Bindung zwischen der Metallschicht und der Halbleiterschicht stattfindet. Es tritt vielmehr nur ein mechanisches Haften ein, welches unter Umständen zu Wackelkontakten und damit Rauscheffekten führen kann.
Man hat daher vorgeschlagen, zur Herstellung von End- oder Zwischenkontakten bei drahtlosen Widerständen ein Gemisch aus Lack und Metallpulver zu verwenden. Dieses Verfahren gibt zwar eine sehr innige Verbindung zwischen Metall- und Widerstandsschicht, hat aber den Nachteil, daß ein sehr hoher Metallverbrauch stattfindet. Da als Kontaktmaterial praktisch nur Edelmetall in pulverförmiger Form in Frage kommt, ist dieses Verfahren sehr unwirtschaftlich. Es hat sich beispielsweise herausgestellt, daß es nicht möglich ist, unverbrauchtes Metall-Lack-Gemisch so .aufzubewahren, daß es nach einigen Tagen wieder verwendet werden kann. Bei längerem Stehen der Metall-Lack-Lösung bilden sich auf den einzelnen Metallkörnern kleine Isolierhäutchen, die auch durch intensives Auswaschen nicht zu beseitigen sind und das Metallpulver bzw. das Metall-Lack-Gemisch für den vorerwähnten Verwendungszweck unbrauchbar machen. Dadurch geht viel Edelmetall in seiner teueren puderförmigen Form für den vorliegenden Zweck verloren.
Ein weiterer Nachteil des direkten Mischens von Lack und Metallpulver liegt darin, daß die Konzentration der Lösung sehr kritisch ist. überwiegt beispielsweise der Lack gegenüber dem Metallpulver nur um eine Kleinigkeit, so tritt sofort eine Isolation der einzelnen Metallkörner bis zur absoluten Leitungsunfähigkeit ein. Ist dagegen in der Lösung zu viel Metallpulver enthalten, so erfolgt sehr leicht- eine Verstopfung der Spritzdüsen. Erfindungsgemäß wird nun für kohlenstoffhaltige Halbleiterwiderstände folgendes Verfahren zur Herstellung von metallischen End-oder Zwischenkontakten für feste oder veränderliche Widerstände vorgeschlagen: Die kohlenstoffhaltigen Schichten derartiger Halbleiterwiderstände enthalten als Bindemittel unter anderem auch härtbare Lacke. Gemäß der Erfindung werden nun Metallpulver mit einem Lösungsmittel, wie Spiritus, Aceton, Benzol usw., gemischt und im Spritzverfahren auf die gewünschten Stellen der Halbleiterschichten aufgebracht. Dieses Aufbringen findet jedoch statt, wenn die Bindemittel der Halbleiterschicht noch nicht vollständig ausgehärtet, sondern nur angetrocknet sind. Als Lösungsmittel zur Mischung mit dem Metallpulver wählt man dasselbe, welches auch eines der Bindemittel im flüssigen Zustande enthält.
Bei der Aufbringung des Gemisches Lösungsmittelinetallpulver werden jetzt die obersten Schichten der Halbleiterschicht wieder etwas aufgelöst. Durch das Verdünnungsbestreben der lackartigen Bindemittel tritt eine schwache Durchmischung der aufgebrachten Metallschicht mit dem Bindemittel der Halbleiterschicht ein. Dieser physikalische Vorgang genügt vollkommen zur Bindung der einzelnen Metallkörner, ist aber nicht so intensiv, daß er zur Isolierung der einzelnen Teilchen voneinander führt.
Die Halbleiterschichten werden nun nach Verflüchtigung des Lösungsmittels vollkommen ausgehärtet, worauf die Metallenden dem Druck eines Preßstempels ausgesetzt werden. Nach Beendigung des Herstellungsverfahrens haften die metallischen Enden absolut fest auf der Halbleiterschicht und geben einen sicheren rauschfreien Kontakt.
Das Metall, welches nicht auf die Halbleiterschicht gelangt, ist nicht verloren, sondern kann nach Verdunstung des Lösungsmittels als pulverförmiger Bestandteil wieder verwendet werden. Dieser Gesichtspunkt ist besonders bei Verwendung von Edelmetallen zur Herstellung metallischer End- oder Zwischenkontakte sehr wichtig.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von metallischen End- oder Zwischenkontakten auf kohlenstoffhaltigen Halbleiterschichten für feste und veränderliche Widerstände, dadurch gekennzeichnet, daß feinstes Metallpulver mit dem Lösungsmittel des als Bindemittel für die kohlenstoffhaltige Halbleiterschicht dienenden härtbaren Lackes gemischt und auf die angetrocknete, aber noch nicht ausgehärtete Widerstandsschicht aufgetragen und nach erfolgter Verflüchtigung des Lösungsmittels und Aushärtung des bindenden Lackes in die Halbleiterschicht eingepreßt wird.
2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Auftragen des Metallpulvers in an sich bekannter Weise mit Hilfe einer Spezialspritzpistole durch Druckluft bei Verwendung von Schabionen erfolgt.