DE645326C - Verfahren zur Herstellung von Kontakt- und Anschlussstellen hochohmiger Schichtwiderstaende - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Kontakt- und Anschlussstellen hochohmiger Schichtwiderstaende

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DE645326C
DE645326C DER78365D DER0078365D DE645326C DE 645326 C DE645326 C DE 645326C DE R78365 D DER78365 D DE R78365D DE R0078365 D DER0078365 D DE R0078365D DE 645326 C DE645326 C DE 645326C
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/148Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals embracing or surrounding the resistive element

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung von Kontakt- und Anschlußstellen hochohmiger Schichtwiderstände Im Hauptpatent 605 294 ist ein Verfahren zur Herstellung von Kontakt- und Anschlußstellen hochohmiger Widerstände beschrieben, die aus einem mit einer kohlenstoff- und gegebenenfalls auch metallhaltigen Schicht überzogenen porösen Isolierträger, in welchem Kohlenstoffteilchen eingelagert sind, bestehen.
  • Hierbei besitzt das auf den Isolierkörper aufgetragene Widerstandsmaterial im wesentlichen die gleiche Zusammensetzung wie das in die Oberfläche des Isolierträgers eingelagerte Material, und es werden die Anschlußstellen des Widerstandes vor der Anbringung von Armaturen mit einer Verstärkung aus dem gleichen Material wie die eigentliche Widerstandsschicht versehen, dessen spezifische Leitfähigkeit jedoch eine weit höhere ist.
  • Gemäß der Erfindung soll nun eine Verbesserung dieser Widerstände dadurch erzielt werden, daß an den Enden Widerstandsschichten stufenweise aufgetragen werden, deren Breiten nach den Anschlußstellen hin abnehmen, während die Leitfähigkeit der Schichten nach den Anschlußstellen hin zunimmt.
  • Es sind bereits hochohmige Widerstände bekannt, deren als Isolierkörper ausgebildeter Träger mit einer den elektrischen Strom leitenden Masse derart überzogen ist, daß die Leitfähigkeit der Widerstandsschicht nach den Anschlußstellen hin zunimmt. Es hat sich herausgestellt, daß die drahtlosen Widerstände unmittelbar an den Stromzuführungs-bzw. Anschlußstellen, also dort, wo die metallische Stromzuführung plötzlich in den nichtmetallischen Widerstand übergeht, am schnellsten zerstört werden, weil die Erwärmung und .die Strukturveränderungen an den Stromzuführungsstellen gegebenenfalls so groß sein können, daß dort die den Widerstand bildende Masse verbrennt.
  • Durch die bisher bekannte verhältnismäßig geringe Verstärkung der Widerstandsschicht an den Anschlußenden kann dieser übelstand nur ganz unvollkommen beseitigt werden.
  • In der Zeichnung sind drei Ausführungsbeispiele des Erfindungsgegenstandes dargestellt, und zwar zeigen: Abb. i einen Widerstand, dessen beide Enden mit Anschlußstellen versehen sind, Abb. 2 einen Widerstand nach Abb. i mit aufgesetzten Metallkappen und Abb.3 ein drittes Ausführungsbeispiel, bei dem nicht nur an den beiden Enden, sondern auch in der Mitte eine Anschlußstelle vorgesehen ist.
  • Ein Isolierkörper wird auf seiner ganzen Länge mit einer an sich bekannten Widerstandsschicht tt überzogen. Die leiden Enden des auf diese Weise hergestellten drahtlosen Widerstandes werden nun mit einer zweiten, besser leitenden Widerstandsschicht b versehen. Hierauf wird auf beide Enden des Stabes eine dritte Schicht c aufgetragen, welche eine noch bessere Leitfähigkeit besitzt und gegen die Schicht b noch etwas weiter zurücktritt, jedoch bis an die Enden des Stabes reicht.
  • Nun können in gleicher Weise noch weitere Schichtend und e auf die Enden des Widerstandes aufgetragen werden, wobei die Leitfähigkeit der aufgetragenen Massen zunimmt, je weiter die Schicht nach außen gelegen ist. Die beiden Anschlußstellen des Widerstandskörpers können auch mit Metallkappen f, beispielsweise mittels eines Preß- oder Spritzgußverfahrens entsprechend Abb.2, versehen werden.
  • Das Ausführungsbeispiel nach Abb. g unterscheidet sich von den Ausführungsbeispielen nach Abb. t und 2 dadurch, daß hier zwischen den beiden Endanschlußstell-en f noch eine dritte Anschlußstelle g vorgesehen ist. Auch hier können mehrere leitfähige Schichten übereinander derart angebracht werden, daß die äußeren Schichten schmaler sind, .aber besser leiten als die inneren, so daß eine .. treppenförmige Verdickung, also auch eine stufenförmige Zunahme der Leitfähigkeit nach den Anschlußstellen hin gesichert ist.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Kontakt-und Anschlußstellen hochohmiger Schichtwiderstände, bei denen Kohlenstoff- und gegebenenfalls auch Metallteilchen auf einem porösen Isolierträger in einer Schicht aufgetragen und in diesem eingelagert sind, nach Patent 6o5 29¢, dadurch gekennzeichnet, daß an den Enden stufenweise Widerstandsschichten aufgetragen werden, deren Breiten nach den Anschlußstellen hin abnehmen, während die Leitfähigkeit der Schichten nach den An-, schlußstellen hin zunimmt.
DER78365D 1929-06-11 1929-06-11 Verfahren zur Herstellung von Kontakt- und Anschlussstellen hochohmiger Schichtwiderstaende Expired DE645326C (de)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE941135C (de) * 1940-03-16 1956-04-05 Siemens Ag Regelwiderstand aus zwei aufeinandergleitenden Widerstandskoerpern
DE1046154B (de) * 1956-03-29 1958-12-11 Siemens Ag Elektrischer Schichtwiderstand mit zur Kontaktierung dienender Metallschicht
US3851150A (en) * 1971-11-19 1974-11-26 Foerderung Forschung Gmbh Electrical resistance tubular heating conductor with axially varying power distribution

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DE1046154B (de) * 1956-03-29 1958-12-11 Siemens Ag Elektrischer Schichtwiderstand mit zur Kontaktierung dienender Metallschicht
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