DE60318100D1 - Mehrschichtiger dünnfilmkörper, einen solchen mehrschichtigen dünnfilmkörper benutzende elektronische einrichtung, betätigungsglied und verfahren zur herstellung des betätigungsglieds - Google Patents

Mehrschichtiger dünnfilmkörper, einen solchen mehrschichtigen dünnfilmkörper benutzende elektronische einrichtung, betätigungsglied und verfahren zur herstellung des betätigungsglieds

Info

Publication number
DE60318100D1
DE60318100D1 DE60318100T DE60318100T DE60318100D1 DE 60318100 D1 DE60318100 D1 DE 60318100D1 DE 60318100 T DE60318100 T DE 60318100T DE 60318100 T DE60318100 T DE 60318100T DE 60318100 D1 DE60318100 D1 DE 60318100D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
actuator
thin film
film body
multilayer thin
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE60318100T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60318100T2 (de
Inventor
Masao Kondo
Hideki Yamawaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of DE60318100D1 publication Critical patent/DE60318100D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60318100T2 publication Critical patent/DE60318100T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/1051—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
    • H10N30/10513—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
    • H10N30/10516—Intermediate layers, e.g. barrier, adhesion or growth control buffer layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
    • H10N30/079—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing using intermediate layers, e.g. for growth control
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853—Ceramic compositions
    • H10N30/8548—Lead based oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
DE2003618100 2002-11-07 2003-10-22 Mehrschichtiger dünnfilmkörper, einen solchen mehrschichtigen dünnfilmkörper benutzende elektronische einrichtung, betätigungsglied und verfahren zur herstellung des betätigungsglieds Expired - Fee Related DE60318100T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002324363A JP2004158717A (ja) 2002-11-07 2002-11-07 薄膜積層体、その薄膜積層体を用いた電子装置及びアクチュエータ、並びにアクチュエータの製造方法
JP2002324363 2002-11-07
PCT/JP2003/013500 WO2004042836A1 (ja) 2002-11-07 2003-10-22 薄膜積層体、その薄膜積層体を用いた電子装置、及びアクチュエータ、並びにアクチュエータの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60318100D1 true DE60318100D1 (de) 2008-01-24
DE60318100T2 DE60318100T2 (de) 2008-11-27

Family

ID=32310442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2003618100 Expired - Fee Related DE60318100T2 (de) 2002-11-07 2003-10-22 Mehrschichtiger dünnfilmkörper, einen solchen mehrschichtigen dünnfilmkörper benutzende elektronische einrichtung, betätigungsglied und verfahren zur herstellung des betätigungsglieds

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20050105038A1 (de)
EP (1) EP1560280B1 (de)
JP (1) JP2004158717A (de)
KR (1) KR100671375B1 (de)
CN (1) CN1692506A (de)
DE (1) DE60318100T2 (de)
WO (1) WO2004042836A1 (de)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4466315B2 (ja) * 2004-10-21 2010-05-26 株式会社日立製作所 相変化メモリ
US7402938B2 (en) * 2004-10-29 2008-07-22 Jfe Mineral Co., Ltd. Piezoelectric single crystal device
JP4344942B2 (ja) 2004-12-28 2009-10-14 セイコーエプソン株式会社 インクジェット式記録ヘッドおよび圧電アクチュエーター
JP4348547B2 (ja) * 2005-04-14 2009-10-21 セイコーエプソン株式会社 ペロブスカイト型酸化物層の製造方法、強誘電体メモリの製造方法および表面波弾性波素子の製造方法
JP4613314B2 (ja) * 2005-05-26 2011-01-19 独立行政法人産業技術総合研究所 単結晶の製造方法
JP2007048816A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Seiko Epson Corp アクチュエータ装置の製造方法及びアクチュエータ装置並びに液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
US7521705B2 (en) * 2005-08-15 2009-04-21 Micron Technology, Inc. Reproducible resistance variable insulating memory devices having a shaped bottom electrode
CN101361204B (zh) * 2006-01-17 2011-04-06 株式会社村田制作所 共振执行器
JP4998675B2 (ja) * 2006-03-27 2012-08-15 セイコーエプソン株式会社 圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッド
JP5140972B2 (ja) * 2006-09-12 2013-02-13 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
KR100847528B1 (ko) 2007-02-05 2008-07-22 성균관대학교산학협력단 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법
US9697763B2 (en) * 2007-02-07 2017-07-04 Meisner Consulting Inc. Displays including addressible trace structures
EP2030958B1 (de) * 2007-08-27 2013-04-10 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Verfahren zur Herstellung von polykristallinen, monolithischen Magnesiumaluminatspinellen
KR101415968B1 (ko) 2007-11-06 2014-07-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 백라이트 유닛 및 액정표시장치모듈
JP2011103327A (ja) * 2009-11-10 2011-05-26 Seiko Epson Corp 圧電素子、圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置
US20140191618A1 (en) * 2011-06-07 2014-07-10 Youtec Co., Ltd. Poling treatment method, plasma poling device, piezoelectric body and manufacturing method thereof, film forming device and etching device, and lamp annealing device
US10601074B2 (en) 2011-06-29 2020-03-24 Space Charge, LLC Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices
US9853325B2 (en) 2011-06-29 2017-12-26 Space Charge, LLC Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices
US11527774B2 (en) 2011-06-29 2022-12-13 Space Charge, LLC Electrochemical energy storage devices
JP5853846B2 (ja) * 2012-04-26 2016-02-09 コニカミノルタ株式会社 圧電素子およびその製造方法
JP6255575B2 (ja) * 2013-11-19 2018-01-10 株式会社ユーテック 強誘電体セラミックス及びその製造方法
US20150248909A1 (en) * 2014-02-28 2015-09-03 HGST Netherlands B.V. Structure with seed layer for controlling grain growth and crystallographic orientation
US9966096B2 (en) 2014-11-18 2018-05-08 Western Digital Technologies, Inc. Self-assembled nanoparticles with polymeric and/or oligomeric ligands
CN106478098A (zh) * 2016-09-29 2017-03-08 陕西科技大学 一种微波水热法制备钨青铜型纳米Ba6FeNb9O30粉体的方法
JP6790776B2 (ja) * 2016-12-07 2020-11-25 Tdk株式会社 圧電薄膜積層体、圧電薄膜基板、圧電薄膜素子、圧電アクチュエータ、圧電センサ、ヘッドアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、ハードディスクドライブ、プリンタヘッド、及びインクジェットプリンタ装置
EP3762989A4 (de) 2018-03-07 2021-12-15 Space Charge, LLC Dünnfilm-festkörper-energiespeichervorrichtungen
CN110349750B (zh) * 2019-07-10 2021-03-19 四川大学 一种提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法
US11758818B2 (en) * 2019-08-15 2023-09-12 Xi'an Jiaotong University Transparent piezoelectric single crystal preparation method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS586147A (ja) * 1981-07-03 1983-01-13 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JPS6355198A (ja) * 1986-08-25 1988-03-09 Nec Corp 誘電体薄膜デバイス用基板
US5084438A (en) * 1988-03-23 1992-01-28 Nec Corporation Electronic device substrate using silicon semiconductor substrate
JPH01241876A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Nec Corp 電子デバイス用基板
JPH0371656A (ja) * 1989-08-10 1991-03-27 Sanyo Electric Co Ltd 単結晶マグネシアスピネル膜の形成方法
JPH06196648A (ja) * 1992-12-25 1994-07-15 Fuji Xerox Co Ltd 配向性強誘電体薄膜素子
JPH08330540A (ja) * 1995-06-01 1996-12-13 Sony Corp 酸化物積層構造
US6151240A (en) * 1995-06-01 2000-11-21 Sony Corporation Ferroelectric nonvolatile memory and oxide multi-layered structure
JP3589560B2 (ja) * 1998-01-27 2004-11-17 株式会社リコー インクジェットヘッド及びその製造方法
US6392257B1 (en) * 2000-02-10 2002-05-21 Motorola Inc. Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same
JP5019247B2 (ja) * 2000-11-24 2012-09-05 Ｔｄｋ株式会社 電子デバイス用基板
JP4282245B2 (ja) * 2001-01-31 2009-06-17 富士通株式会社 容量素子及びその製造方法並びに半導体装置
JP4103421B2 (ja) * 2001-03-28 2008-06-18 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス及び電子機器
US6635498B2 (en) * 2001-12-20 2003-10-21 Texas Instruments Incorporated Method of patterning a FeRAM capacitor with a sidewall during bottom electrode etch

Also Published As

Publication number Publication date
CN1692506A (zh) 2005-11-02
EP1560280B1 (de) 2007-12-12
US20050105038A1 (en) 2005-05-19
KR100671375B1 (ko) 2007-01-19
DE60318100T2 (de) 2008-11-27
EP1560280A1 (de) 2005-08-03
KR20050083598A (ko) 2005-08-26
WO2004042836A1 (ja) 2004-05-21
JP2004158717A (ja) 2004-06-03
EP1560280A4 (de) 2006-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60318100D1 (de) Mehrschichtiger dünnfilmkörper, einen solchen mehrschichtigen dünnfilmkörper benutzende elektronische einrichtung, betätigungsglied und verfahren zur herstellung des betätigungsglieds
EP1943881A4 (de) Verfahren einer herstellungseinrichtung mit einem flexiblen substrat und dadurch hergestellte einrichtung mit flexiblem substrat
TWI368933B (en) Capacitor-mounted wiring board and method of manufacturing the same
DE60320078D1 (de) Prothesenvorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE502004011667D1 (de) Steuergeräteeinheit und verfahren zur herstellung derselben
DE602005009344D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur übertragung von leitenden teilen bei der herstellung von halbleiterbauelementen
AU2003275155A1 (en) Medical device components and processes for their manufacturing
DE602005003730D1 (de) Nichthaftende Vorrichtungen zur Maskierung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE50212077D1 (de) Piezoelektrisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
EP1845563A4 (de) Precursor-film und verfahren zu seiner bildung
DE60328327D1 (de) Elektronikbauteil mit externen Anschlüssen und dessen Herstellungsverfahren
AT502301A3 (de) Röntgenanode und verfahren zur herstellung derselben
TWI372009B (en) Multilayer printed wiring board and method of manufacturing the same
DE60201390D1 (de) Kondensatormikrofon und Verfahren zur dessen Herstellung
DE60228259D1 (de) Laminierter körper mit reflexionsverhinderungsfilm und verfahren zur herstellung des laminierten körpers
AU2003275583A1 (en) Substrate having multilayer film and method for manufacturing the same
IL182623A (en) Method of manufacturing an alloyed film and apparatus for the method
DE60034516D1 (de) Ultraschall-Herstellungsvorrichtung, mehrschichtige flexible Leiterplatten und Verfahren zur Herstellung von mehrschichtigen flexiblen Leiterplatten
DE602006015570D1 (de) Eingebettete Kondensatoren, elektronische Vorrichtungen mit solchen Kondensatoren und Verfahren zur Herstellung derselben
DE50214272D1 (de) Piezoelektrisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE602006000223D1 (de) Elektronisches Gerät und Verfahren zur Herstellung das selbe
DE60333840D1 (de) Geformte absorbierende auflagen und verfahren zur dessen herstellung
DE60311607D1 (de) Elektronische Kamera und Verfahren zur Informationskontrolle der Kamera
DE602004001054D1 (de) Präzisionsbeschichtungsmaske und Verfahren zur Herstellung der Maske, Elektrolumineszenzanzeige und Verfahren zur Herstellung der Anzeige und Elektronisches Gerät
DE60213444D1 (de) Fluorpolymerlaminate und verfahren zur herstellung derselben

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee