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Hintergrund der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft neuartige, bemusterungsfähige Polymermaterialien
von niedriger relativer Permittivität und daraus hergestellte Filme,
Substrate und elektronische Einheiten. Insbesondere betrifft die
Erfindung ein derartiges Polymermaterial von niedriger relativer
Permittivität,
das hochwertige elektrische Eigenschaften mit einer niedrigen relativen
Permittivität
und einem niedrigen dielektrischen Verlusttangens in einem Hochfrequenzband
aufweist und das eine gute Wärmebeständigkeit
auch bei hohen Temperaturen und eine gute Verklebbarkeit und gute
Haftung an Metallblättern
aufweist und die Fähigkeit
zur Bildung von Dünnschichtmustern
besitzt.
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Gleichzeitig
mit den bedeutenden Entwicklungen auf dem Gebiet der Kommunikationstechnik
besteht heutzutage ein starkes Bedürfnis nach klein bemessenen,
leichtgewichtigen und mit hoher Geschwindigkeit arbeitenden Kommunikationsmedien,
für die
Polymermaterialien mit niedriger relativer Permittivität benötigt werden.
Insbesondere werden für
mobile Kommunikationseinrichtungen und Satellitenkommunikationseinrichtungen,
z. B. für
Autotelefone und digitale mobile Telefone Radiowellen im Hochfrequenzband
von Megahertz- bis Gigahertz-Niveau benötigt. Um die beträchtlichen
Entwicklungen von Kommunikationsmedien mittels derartiger Kommunikationsmöglichkeiten
zu unterstützen,
versucht man die Montagedichte von klein bemessenen elektronischen
Bauteilen auf Substraten zu erhöhen.
Um die angestrebten, klein bemessenen und leichtgewichtigen Kommunikationsmedien,
die für
ein derartiges Hochfrequenzband vom Megahertz- bis Gigahertz-Niveau
geeignet sind, zu erhalten, ist es erforderlich, elektrische Isoliermaterialien
zu entwickeln, die eine große
Breite der Hochfrequenz-Übertragungsmöglichkeiten
von Kommunikationsmedien gewährleisten.
Um die Montagedichte von elektronischen Bauteilen auf Substraten
weiter zu erhöhen,
bedient man sich neben einem Verfahren zur Herstellung von mehrschichtigen
Laminatplatten eines Aufbauverfahrens unter Lamination einer Anzahl
von Isolierschichten auf einem Substrat. Neben hochwertigen elektrischen
Eigenschaften müssen
die für
ein derartiges Aufbauverfahren verwendeten Polymermaterialien so
beschaffen sein, dass sie bemustert werden können, um Durchgangslöcher durch
diese Schichten zu bilden.
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Als
Materialien mit hochwertigen elektrischen Eigenschaften, z. B. in
Bezug auf elektrische Isolierung und niedrige relative Permittivität, werden
im allgemeinen thermoplastische Harze, wie Polyolefine, chlorierte Polyvinylchloridharze
und Fluorharze, sowie hitzehärtende
Harze, wie ungesättigte
Polyesterharze, Polyimidharze, Epoxyharze, Vinyltriazinharze (BT-Harze),
vernetzbare Polyphenylenoxide und härtbare Polyphenylenether, vorgeschlagen.
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Als
elektrisch isolierende Materialien mit niedriger relativer Permittivität und niedrigem
dielektrischem Verlust werden Copolymere von Cyclohexylreste aufweisenden
Fumarsäurediestern
und Vinylmonomeren vorgeschlagen; vergl. beispielsweise JP-A-208627/1997.
Jedoch erweisen sich die vorgeschlagenen, elektrisch isolierenden
Materialien in Bezug auf die Bemusterungsfähigkeit bei der Verwendung
für Aufbausubstrate
als problematisch, da ihre Vernetzungsdichte schwierig zu steuern
ist und da sie zur Gewährleistung
von feinen Mustern nicht geeignet sind.
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Andererseits
werden für
weitere bemusterungsfähige
Materialien mit hochwertigen elektrischen Eigenschaften lichtempfindliche
ungesättigte
Polyesterharze, lichtempfindliche Polyimidharze und lichtempfindliche
Epoxyharze vorgeschlagen. Darunter eignen sich lichtempfindliche
Epoxyharze in der Praxis für
den vorgesehenen Anwendungszweck und werden im allgemeinen zur Musterbildung
einer Photohärtung
unterzogen.
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Diese
bemusterungsfähigen
Materialien sind gegenüber
wärme relativ
beständig,
wobei jedoch Epoxyharze und ungesättigte Polyesterharze in Bezug
auf ihre elektrischen Eigenschaften noch nicht zufriedenstellend
sind, da ihre relative Permittivität mindestens 3 beträgt und somit
relativ hoch ist. Andererseits erweisen sich lichtempfindliche Polyimidharze
für die
praktische Anwendung noch nicht als geeignet.
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US-4
051 194 beschreibt ein hitzehärtendes
Harz, das als Überzug
verwendet wird, und ein Polymeres mit einem Gehalt an Glycidylmethacrylat
und Dibutylfumarat umfasst.
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Zusammenfassende
Darstellung der Erfindung
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, ein Polymermaterial von niedriger
relativer Permittivität
bereitzustellen, das sich in vorteilhafter Weise mit Metallleiterschichten
verbindet und daran haftet, das durch Vernetzung zur Musterbildung
befähigt
ist, hochwertige elektrische Eigenschaften mit niedriger relativer
Permittivität,
einem niedrigen dielektrischen Verlusttangens und hochwertigen elektrischen
Isoliereigenschaften aufweist sowie sich durch gute Wärmebeständigkeit,
hohe Filmfestigkeit und gute Bearbeitbarkeit auszeichnet.
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Eine
weitere Aufgabe der Erfindung besteht in der Bereitstellung eines
Substrats, das durch Beschichten eines Polymermaterials mit niedriger
relativer Permittivität
oder durch Laminieren eines Films aus einem derartigen Polymermaterial
auf eine isolierende Substratgrundlage hergestellt wird, wobei der
Vorteil darin besteht, dass das Substrat durch Vernetzung des Polymermaterials
gut unter Ausbildung von Mustern bearbeitbar ist. Aufgabe der Erfindung
ist es ferner, eine elektronische Einheit bereitzustellen, die aus
dem Polymermaterial von niedriger relativer Permittivität, das sich
zur Verwendung in einem Hochfrequenzbereich eignet, gebildet ist.
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Zur
Lösung
der vorstehenden Aufgaben wird erfindungsgemäß ein Polymermaterial von niedriger
relativer Permittivität
bereitgestellt, das durch Copolymerisation einer Monomerzusammensetzung
erhalten worden ist, die als Monomere einen Fumarsäurediester
und ein eine Epoxygruppe aufweisendes (Meth)acrylat gemäß der nachstehenden
Definition enthält.
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Der
erfindungsgemäß verwendete
Ausdruck "(Meth)acrylat" bedeutet ein Acrylat
oder ein Methacrylat.
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Im
erfindungsgemäßen Polymermaterial
von niedriger relativer Permittivität wird der Fumarsäurediester
vorzugsweise durch die folgende Formel (I) wiedergegeben:
wobei
R
1 eine
Alkylgruppe oder eine Cycloalkylgruppe darstellt; R2 eine Alkylgruppe,
eine Cycloalkylgruppe oder eine Arylgruppe darstellt; und R
1 und R
2 gleich oder
verschieden sein können.
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Im
erfindungsgemäßen Polymermaterial
von niedriger relativer Permittivität wird das eine Epoxygruppe
aufweisende (Meth)acrylat durch die folgende Formel (III) wiedergegeben:
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Das
erfindungsgemäße Polymermaterial
von niedriger relativer Permittivität wird durch Copolymerisation
eines derartigen Fumarsäuredieesters
und eines derartigen, eine Epoxygruppe aufweisenden (Meth)acrylats
erhalten. Seine Vorteile bestehen darin, dass es durch Vernetzung
bemusterungsfähig
ist, eine gute Filmbildungsbeschaffenheit aufweist und gegenüber Wärme beständig ist
sowie mit Metallleiterschichten eine gute Bindung eingeht und gut
daran haftet. Weitere Vorteile bestehen darin, dass das Polymermaterial hochwertige
elektrische Eigenschaften mit einer niederen relativen Permittivität, einem
niedrigen dielektrischen Verlusttangens und einem guten elektrischen
Isoliervermögen
auch im Hochfrequenzband im Megahertz- bis Gigahertz-Bereich aufweist.
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Unter
Verwendung des erfindungsgemäßen Polymermaterials
von niedriger relativer Permittivität lassen sich leicht und in
einfacher Weise elektrisch isolierende Filme mit guter Haftung an
Metallleiterschichten bilden und mehrschichtige Substrate von guter
Bearbeitbarkeit zur Musterbildung erhalten. Ferner lassen sich elektronische
Einheiten realisieren, die zur Verwendung im Hochfrequenzbereich
geeignet sind.
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Ausführliche Beschreibung der bevorzugten
Ausführungsformen
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Nachstehend
werden bevorzugte Ausführungsformen
der Erfindung ausführlich
beschrieben.
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Das
erfindungsgemäße Polymermaterial
von niedriger relativer Permittivität, das die Fähigkeit
zur Bildung von Mustern durch Vernetzung besitzt, wird durch Copolymerisation
einer Monomerzusammensetzung erhalten, die als Monomere einen Fumarsäurediester
und das vorstehend definierte, eine Epoxygruppe aufweisende (Meth)acrylat
der Formel (III) enthält.
Dabei handelt es sich um ein Copolymeres mit einem Gehalt an Epoxygruppen
im Molekül.
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Der
zur Bildung des erfindungsgemäßen Polymermaterials
verwendete Fumarsäurediester
unterliegt keinen speziellen Beschränkungen. Es kann sich um ein
beliebiges Produkt handeln, das die Fähigkeit zur Senkung der relativen
Permittivität
des Polymermaterials besitzt und das sich zur Herstellung eines
Polymermaterials mit wärmebeständiger Beschaffenheit
eignet. Vorzugsweise wird der erfindungsgemäß verwendete Fumarsäurediester
jedoch durch die vorstehend erwähnte
Formel (I) wiedergegeben.
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In
der Formel (I) weist die Alkylgruppe im Rahmen von R1 und
R2 vorzugsweise 2 bis 12 Kohlenstoffatome
auf. Sie kann linear oder verzweigt sein und kann durch ein oder
mehr Halogenatome und dergl. substituiert sein. Konkret fallen darunter
beispielsweise Ethyl-, n-Propyl-,
Isopropyl-, n-Butyl-, sec.-Butyl-, tert.-Butyl-, Pentyl-, Hexyl-,
Nonyl und Dodecylgruppen.
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In
der Formel (I) weist die Cycloalkylgruppe im Rahmen von R1 und R2 vorzugsweise
3 bis 14 Kohlenstoffatome auf. Sie kann monocyclisch oder vernetzt
sein und kann durch eine oder mehrere Alkylgruppen und dergl. substituiert
sein. Konkret fallen darunter beispielsweise Cyclopentyl-, Cyclohexyl-,
Adamantyl- und Dimethyladamantylgruppen.
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In
der Formel (I) weist die Arylgruppe im Rahmen von R2 vorzugsweise
6 bis 18 Kohlenstoffatome auf. Sie kann polcyclisch sein, ist aber
vorzugsweise monocyclisch. Sie kann substituiert sein. Ein konkretes
Beispiel hierfür
ist eine Phenylgruppe.
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Bevorzugte
Beispiele für
den Fumarsäurediester
sind Diisopropylfumarsäurediester,
Dicyclohexylfumarsäurediester
und Di-sec.-butylfumarsäurediester.
Darunter wird der Dicyclohexylfumarsäurediester der folgenden Formel
(IV) besonders bevorzugt.
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Das
eine Epoxygruppe aufweisende (Meth)acrylat zur erfindungsgemäßen Verwendung
wird durch die folgende Formel (III) wiedergegeben:
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Im
erfindungsgemäßen Polymermaterial
dient das eine Epoxygruppe aufweisende (Meth)acrylatmonomere zur
Herstellung des Polymermaterials, das die Fähigkeit zur Musterbildung besitzt.
Das Mischungsverhältnis
des Monomeren zur Bildung des Polymermaterials wird nicht speziell
festgelegt. Es kann in Abhängigkeit
von der Einsatzstelle des Polymermaterials und vom Profil der zu
bildenden Muster festgelegt werden. Im allgemeinen fällt jedoch
das Mischungsverhältnis
des Monomeren in den Bereich von 5 bis 60 Mol-% sämtlicher
Monomerkomponenten zur Bildung des Polymermaterials.
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Das
erfindungsgemäße Polymermaterial
umfasst das Copolymere aus einem Fumarsäurediester und dem eine Epoxygruppe
aufweisenden (Meth)acrylat der Formel (III) gemäß den vorstehenden Ausführungen. Das
Copolymere kann in einer beliebigen Form als statistisches Copolymeres,
alternierendes Copolymeres und Blockcopolymeres vorliegen. Die Monomerzusammensetzung
für die
erfindungsgemäß vorgesehene
Verwendung umfasst im allgemeinen als Monomere den Fumarsäurediester
und das eine Epoxygruppe aufweisende (Meth)acrylat gemäß den vorstehenden
Ausführungen,
kann aber gegebenenfalls beliebige andere Vinylmonomere enthalten,
sofern sie nicht dem Ziel und dem Geist der Erfindung entgegenstehen.
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Das
Molekulargewicht des erfindungsgemäßen Polymermaterials von niedriger
relativer Permittivität ist
nicht speziell festgelegt. Wenn beispielsweise das Polymermaterial
zur Bildung von Schichten auf einem isolierenden Substrat in einem
Aufbauverfahren zu verwenden ist, können die Polymerschichten vom
isolierenden Substrat gut gehalten werden, da die mechanische Festigkeit
des Substrats relativ hoch ist. Nachdem das Substrat mit dem Polymermaterial
beschichtet worden ist und nachdem ein Film aus dem Polymermaterial in
haftende Verbindung mit dem Substrat gebracht worden ist, wird das
Polymermaterial vernetzt, wodurch die mechanische Festigkeit der
auf diese Weise vernetzten Polymerschicht erhöht werden kann. Aus diesen
Gründen
muss die mechanische Festigkeit des Polymermaterials selbst nicht
ebenso hoch wie die des isolierenden Substrats sein und ferner muss
sein Molekulargewicht nicht ebenso hoch wie das des isolierenden
Substrats sein. Konkret ausgedrückt,
kann das Molekulargewicht des Polymermaterials zur Filmbildung ausreichen
und beispielsweise mindestens 1 000 betragen, angegeben als Zahlenmittel
des Molekulargewichts.
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Zur
Bildung des erfindungsgemäßen Fumarsäurediester-Polymeren
kann ein beliebiges herkömmliches
Verfahren der radikalischen Polymerisation herangezogen werden.
Der dafür
zu verwendende Polymerisationsinitiator darf nicht zu stark erhitzt
werden, um die Epoxygruppe im Monomeren zu schützen. Vorzugsweise werden daher
ein oder mehr organische Peroxide und Azoverbindungen als Polymerisationsinitiatoren mit
einer Halbwertszeittemperatur von nicht über 80°C verwendet.
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Der
Polymerisationsinitiator dieses Typs umfasst beispielsweise organische
Peroxide, wie Benzoylperoxid, Diisopropylperoxidicarbonat, tert.-Butylperoxydi-2-ethylhexanoat,
Cumolperoxid, tert.-Butylhydroperoxid;
und Azoverbindungen, wie 2,2'-Azobisbutyronitril,
Azobis-(2,4-dimethylvaleronitril), 1,1'-Azobis-(cyclohexan-1-carbonitril) und
2,2'-Azobis-(2,4-dimethylvaleronitril).
Die zu verwendende Menge des Polymerisationsinitiators beträgt vorzugsweise
höchstens
10 Gew.-% und insbesondere höchstens
5 Gew.-%, bezogen auf 100 Gew.-teile der als Ausgangsmonomeren verwendeten
Komponente.
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Die
Polymerisation kann auf beliebige übliche Weise durchgeführt werden.
Im allgemeinen kann die Monomerkomponente durch Lösungspolymerisation
in Gegenwart eines Inertgases bei einer Temperatur im Bereich von
30 bis 100°C
für eine
Zeitspanne von 10 Stunden bis 72 Stunden polymerisiert werden, wobei
die Bedingungen jedoch vom Typ des verwendeten Polymerisationsinitiators
abhängen.
Unter diesen Bedingungen wird die Monomerkomponente unter Bildung
eines vorgegebenen, hochmolekularen Polymeren polymerisiert.
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Das
auf diese Weise erhaltene erfindungsgemäße Polymermaterial weist die
Fähigkeit
zur Vernetzung durch Musterbildung auf und besitzt eine niedrige
relative Permittivität.
Die weiteren Vorteile der Polymermaterialien bestehen darin, dass
ihre Filmbildungsfähigkeit
gut ist, sie eine gute Haftung an Metallen zeigt und hochwertige
mechanische Eigenschaften besitzt.
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Das
erfindungsgemäße Polymermaterial
von niedriger relativer Permittivität wird in einem organischen Lösungsmittel
gelöst
und durch Entfernung des Lösungsmittels
zu einem Film verarbeitet. Auf diese Weise lässt sich aus dem Polymermaterial
leicht und in einfacher Weise ein elektrisch isolierender Film oder
Schicht mit guter Haftung auf Metallleitern bilden. Wenn bei diesem
Vorgang ein Polymerisationskatalysator zur Öffnung von Epoxyringen dem
organischen Lösungsmittel
zugesetzt wird, kann die Epoxygruppe im gebildeten Polymeren leicht
vernetzt werden, indem man den Polymerfilm mit Wärme oder Strahlung behandelt.
Auf diese Weise lassen sich die mechanischen Eigenschaften des Polymerfilms
weiter verbessern. Insbesondere wenn der Polymerfilm durch einen
Musterfilm (Photomaske) bestrahlt wird, wird der der Strahlung ausgesetzte
Bereich vernetzt und die Löslichkeit
dieses vernetzten Bereiches in einem Lösungsmittel erheblich verringert.
In diesem Fall kann der nicht-gehärtete Bereich des Polymerfilms
durch Waschen mit einem Lösungsmittel
entfernt werden, so dass der Polymerfilm in einer beliebigen erwünschten
Art und Weise bemustert werden kann.
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Zu
Bestrahlungsarten, die bei diesem Verfahren verwendbar sind, gehören beispielsweise
IR-Strahlen (Infrarotstrahlen), UV-Strahlen (Ultraviolettstrahlen)
und Elektronenstrahlen. Von diesen Strahlungsarten werden im allgemeinen
UV-Strahlen im Hinblick auf die Belichtungsempfindlichkeit des Polymermaterials
und im Hinblick auf die Linienbreite der gebildeten Muster verwendet.
Beim Initiationskatalysator für
die Epoxypolymerisation kann es sich um beliebige Katalysatoren
handeln, die die Fähigkeit
besitzen, die Epoxypolymerisation durch Bestrahlung einzuleiten.
Im allgemeinen kann es sich um einen kationischen Photopolymerisationskatalysator
handeln, einschließlich
beispielsweise Diazoniumverbindungen, Iodoniumverbindungen, Metallkomplexe
und Aluminiumkomplex/Allylcyanol-Verbindungen.
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Für diese
Anwendungsmöglichkeiten
kann das erfindungsgemäße Polymermaterial
von niedriger relativer Permittivität in verschiedenen Formen verwendet
werden. Beispielsweise kann es zu einem Film geformt werden oder
auf ein Substrat, wie es vorstehend erwähnt wurde, aufgebracht werden
oder es kann zu voluminösen
Körpern
oder Formkörpern
geformt werden. Demzufolge weist das erfindungsgemäße Polymermaterial
zahlreiche Anwendungsmöglichkeiten
auf, beispielsweise als Substrate für verschiedene elektronische
Einheiten, wie Hochfrequenzoszillatoren, Filter, Kondensatoren,
Induktoren und Antennen; Träger
für Chips,
wie Filter, (z. B. C-Filter für
mehrlagige Substrate), Oszillatoren (z. B. Dreifach-Oszillatoren)
und dielektrische Oszillatoren; Gehäuse und Umhüllungen für verschiedene Substrate und
elektronische Einheiten; und Beschichtungsmaterialien hierfür.
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Der
erfindungsgemäße Film
kann allein aus dem Material von niedriger relativer Permittivität oder durch
Infiltration des Polymermaterials in Glasfasern gebildet werden.
Zur Bildung eines Films aus dem Polymermaterial allein kann man
sich beispielsweise eines Gießverfahrens
bedienen, das das gleichmäßige Lösen des
Polymermaterials in einem Lösungsmittel
und das anschließende
Gießen
der erhaltenen Polymerlösung in
eine Form, die beispielsweise aus Glasplatten, Siliconkautschukplatten
oder Metallplatten besteht, und das Abdampfen des Lösungsmittels
umfasst, wodurch ein gleichmäßiger Film
auf der Form entsteht. Beim anderen Verfahren unter Verwendung von
Glasfasern zur Bildung des Polymerfilms wird beispielsweise die
Lösung
des Polymermaterials von niedriger relativer Permittivität in Glasfasern
infiltriert und anschließend
wird das Lösungsmittel
abgedampft.
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Das
Substrat umfasst beispielsweise On-board-Substrate zur Montage von
Chips und kupferbeschichtete Laminatsubstrate, ferner Substrate
mit eingebauten Schaltkreisen und Antennensubstrate (z. B. Patch-Antennen).
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Zur
Herstellung von isolierenden Substraten mit einer vorgegebenen Dicke
aus dem vorerwähnten Film
können
die Filme, in denen noch das Lösungsmittel
enthalten ist, zu einem Laminat der angestrebten Dicke laminiert
und anschließend
getrocknet werden. Durch dieses Verfahren kann das Lösungsmittel
aus dem Filmlaminat entfernt werden und es lässt sich ein Filmlaminat, dessen
vorgesehenes Substrat die angestrebte Dicke aufweist, erhalten.
Bei diesem Verfahren können
gegebenenfalls die zu laminierenden Filme verpresst werden. Ferner
kann gegebenenfalls eine Metallleiterschicht, die beispielsweise
aus Kupfer besteht, sandwichartig zwischen den zu laminierenden
Filmen im vorgesehenen, mehrschichtigen Substrat angeordnet werden.
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Aufgrund
der Tatsache, dass das erfindungsgemäße Polymermaterial von niedriger
relativer Permittivität
zur Musterbildung geeignet ist, erweist es sich als besonders günstig für lichtempfindliche
Schichten in Laminatplatten, wie kupferbeschichteten Laminatplatten.
Demzufolge umfasst das erfindungsgemäße Substrat Laminatplatten
eines beliebigen Typs, die beispielsweise eine Metallschicht aus
Kupfer oder dergl. auf einer isolierenden Substratunterlage aufweisen,
wobei darauf eine lichtempfindliche Schicht aus dem Polymermaterial
von niedriger relativer Permittivität angeordnet ist.
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Nachstehend
wird die Erfindung anhand von Beispielen erläutert, die jedoch den Schutzumfang
nicht beschränken
sollen.
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Herstellungsbeispiel 1
(Vergleichsbeispiel)
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85
Gew.-teile Dicyclohexylfumarsäurediester
(di-CHF) und 15 Gew.-teile
Glycidylacrylat (GAA) wurden in eine Glasampulle gegeben und mit
1 Gew.-teil des radikalischen Polymerisationsinitiators Azobisisobutyronitril
(AIBN) und 10 Gew.-teilen reinem Benzol versetzt. Nach Einbringen
dieser Bestandteile wurde die Glasampulle gründlich mit Stickstoff gespült, anschließend wiederholt
einer Druckverringerung und Entgasung unterzogen und sodann unter
Vakuum heißgesiegelt.
Sodann wurde die Ampulle in einen auf 40°C eingestellten Thermostaten
gestellt und darin 72 Stunden belassen. Nach der Polymerisation
der Monomeren unter diesen Bedingungen wurde das flüssige Produkt
in eine große
Menge Methanol gegossen, worin sich das Polymere abschied und abgetrennt
wurde. Der erhaltene Niederschlag wurde unter vermindertem Druck
getrocknet. Man erhielt das angestrebte Copolymere.
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Herstellungsbeispiel 2
(Vergleichsbeispiel)
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Ein
Copolymeres wurde auf die gleiche Weise wie im Herstellungsbeispiel
1 hergestellt, wobei aber Glycidylmethacrylat (GMA) anstelle von
GAA verwendet wurde.
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Herstellungsbeispiel 3
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Ein
Copolymeres wurde auf die gleiche Weise wie in Herstellungsbeispiel
1 hergestellt, wobei aber 3,4-Epoxycyclohexylmethanolacrylat
(ECHMA, Daicel Chemical Industries, CYCLOMER A200R)
anstelle von GAA verwendet wurde.
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Herstellungsbeispiel 4
(Vergleichsbeispiel)
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Ein
Copolymeres wurde auf die gleiche Weise wie in Herstellungsbeispiel
1 hergestellt, wobei aber 10 Gew.-teile Diisopropylfumarsäurediester
(di-iPF), 70 Gew.-teile di-CHF und 20 Gew.-teile GAA verwendet wurden und 0,1 Gew.-teil
des radikalischen Polymerisationsinitiators Diisopropylperoxydicarbonat
(IPP) eingesetzt wurden.
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Herstellungsbeispiel 5
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Ein
Copolymeres wurde auf die gleiche Weise wie in Herstellungsbeispiel
1 hergestellt, wobei aber 5 Gew.-teile di-iPF, 60 Gew.-teile di-CHF
und 35 Gew.-teile ECHMA verwendet wurden und 0,1 Gew.-teil des radikalischen
Polymerisationsinitiators Diisopropylperoxydicarbonat (IPP) eingesetzt
wurden.
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Vergleichsherstellungsbeispiel
1
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Ein
Polymeres von di-iPF wurde auf die gleiche Weise wie in Herstellungsbeispiel
1 hergestellt, wobei aber nur 100 Gew.-teile di-iPF verwendet wurden.
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Vergleichsherstellungsbeispiel
2
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Ein
Polymeres aus di-CHF wurde auf die gleiche Weise wie in Herstellungsbeispiel
1 hergestellt, wobei aber nur 100 Gew.-teile di-CHF verwendet wurden.
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Das
Zahlenmittel des Molekulargewichts (Mn) und verschiedene Eigenschaften
der in den Herstellungsbeispielen 1 bis 5 und den Vergleichsherstellungsbeispielen
1 und 2 erhaltenen Polymeren und Copolymeren sind in der nachstehenden
Tabelle 1 aufgeführt.
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Beispiel
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0,5
g des in einem der Herstellungsbeispiele 1 bis 5 oder der Vergleichsbeispiele
1 und 2 erhaltenen Polymeren wurden in 50 ml Benzol gelöst. Die
Lösung
wurde mit 0,5 % Gew.-teilen (bezogen auf den Feststoffgehalt des
Polymeren) eines Polymerisationsinitiators (Adekaoptomer SP-150R der Fa. Asahi Denka Kogyo) versetzt. Die
erhaltene Lösung
wurde in eine Laborschale mit einer glatten Oberfläche und
einem Durchmesser von etwa 20 cm gegossen. Anschließend wurde
das Benzol allmählich
verdampft, wodurch in der Schale ein Film entstand. Sodann wurde
der Film mit UV-Strahlen mit einer Gesamtstrahlungsenergie von 20 J/cm2 belichtet, wobei man sich einer Hochdruck-Quecksilberlampe
(80 W × 1)
bediente. Die Harzeigenschaften des auf diese Weise belichteten
Films wurden gemessen. Die Daten sind in Tabelle 1 aufgeführt.
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Was
die elektrische Isolierfähigkeit
betrifft, wiesen die Filme eine spezifische Dielektrizitätskonstante (ε) im Bereich
von 2,1 bis 2,7 und einen dielektrischen Verlusttangens (tanσ) im Bereich
von 0,0024 bis 0,0035 im Hochfrequenz-Bandbereich von 1 GHz bis
5 GHz auf. Insbesondere beträgt
bei den erfindungsgemäßen Herstellungsbeispielen
3 und 5 der dielektrische Verlusttangens (tanσ) 0,0024 bis 0,0027. Die Daten
bestätigen
die hervorragenden elektrischen Isoliereigenschaften der Filme.
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Löslichkeit:
Das Polymere oder das Copolymere oder der daraus hergestellte Film
wurden über
Macht in Benzol oder THF getaucht.
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Molekulargewicht:
Messung durch GPC (Gelpermeationschromatographie) unter Verwendung
von Styrol als Standard.
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Erweichungspunkt:
Gemessen gemäß JIS K7126.
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Dielektrische
Eigenschaften: Der auf einer glatten Laborschale gebildete Film
wurde zu einem Prüfkörper von
vorgegebener Größe zugeschnitten.
Die Dielektrizitätskonstante
und der dielektrische Verlusttangens wurden bei 1 GHz, 2 GHz und
5 GHz gemäß einem
Perturbationsverfahren gemessen.
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Haftung:
Kupfer wurde durch Vakuumabscheidung auf dem Polymer- oder Copolymerfilm
abgeschieden. Die Haftung der Kupferschicht am Film wurde unter
Anwendung eines 180°-Schältestverfahrens
unter Verwendung eines Cellophan-Klebstreifens getestet.
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Das
Symbol A bedeutet eine hervorragende Probe; B eine gute Probe; C
eine durchschnittliche Probe; und D eine schlechte Probe.
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Lötwärmebeständigkeit:
Gemessen gemäß JIS 00054
bei 260°C
für 120
Sekunden.
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Das
Symbol A bedeutet eine hervorragende Probe; B eine gute Probe; C
eine durchschnittliche Probe; und D eine schlechte Probe.
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Wie
aus Tabelle 1 hervorgeht, trat bei den Filmen aus dem Polymermaterial
der erfindungsgemäßen Herstellungsbeispiele
1 bis 5 eine Veränderung
zu einer unlöslichen
Beschaffenheit in Benzol und THF nach Bestrahlung mit UV-Strahlen
auf. Dies bestätigt
die Eignung dieser Filme zur Musterbildung. Ferner hafteten die
Filme gut an Metall und wiesen eine gute Wärmebeständigkeit beim Löten auf.
Was die elektrische Isolierung betrifft, wiesen die Filme eine spezifische
Dielektrizitätskonstante
(ε) von
2.1 bis 2,7 und einen dielektrischen Verlusttangens (tanσ) von 0,0024
bis 0,0035 im Hochfrequenz-Bandbereich von Verlusttangens1 GHz bis
5 GHz auf. Insbesondere ergibt sich in den erfindungsgemäßen Herstellungsbeispielen
3 und 5 ein dielektrischer Verlusttangens (tanσ) von 0,0024 bis 0,0027. Die
Daten bestätigen
die hervorragenden elektrischen Isoliereigenschaften der Filme.