DE60205358T2 - Verfahren zum selektiven transferieren von halbleiter-chips von einem träger zu einem empfangssubstrat - Google Patents

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Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft das selektive Transferieren eines oder mehrerer Elemente – generell als Vignetten bezeichnet – von einem Fertigungsträger zu einem Empfangsträger.
  • Sie betrifft insbesondere das Transferieren von partiell oder komplett fertigen Halbleiter-Chips von ihrem Anfangssubstrat, auf dem sie gefertigt wurden, zu einem neuen Substrat (oder Empfangsträger), das selbst durch die Techniken der Mikroelektronik behandelt worden sein kann.
  • Die Erfindung ermöglicht insbesondere das Transferieren von Chips, die elektrisch schon getestet worden sein können – zum Beispiel das Transferieren von Chips mit Flächenausdehnungen von 1 mm2 bis 1 cm2 –, von ihrem Anfangssubstrat auf einen Träger aus einem behandelten oder unbehandelten Halbleitermaterial, auf einen Träger aus transparentem Material wie zum Beispiel Glas, auf einen biegsamen oder steifen Träger zum Beispiel aus Kunststoff, oder auf einen Träger aus Keramikmaterial. Sie ermöglicht zum Beispiel auch das Transferieren von optoelektronischen Bauteilen wie etwa Lasern des Typs VCSEL ("Vertical Cavity Surface Emitting Laser") oder kleinen Stücken von III–V-Halbleitern von ihrem Anfangssubstrat auf Siliciumplättchen, die nach den Techniken der Mikroelektronik hergestellt worden sein können, um III–V-Halbleiter-auf-Silicium-Elemente herzustellen.
  • Sie kann auch angewendet werden zum Übertragen von eventuell elektrisch getesteten und dünn gemachten elektronischen Schaltungen auf Plastikkarten mittels eines Klebers, um Chip-Karten herzustellen.
  • Stand der Technik
  • Es gibt zahlreiche Verfahren für das Transferieren von Halbleiterchips oder Chip-Gruppen auf einen Empfangsträger. Man kann die "Epitaxial lift-off"-Technik nennen, das organische oder anorganische Kleben (durch Molekularadhäsion) und die sogenannte "Flip-chip"-Technik. Dieses letztere Verfahren erlaubt im Gegensatz zu den beiden vorhergehenden keine individuelle Manipulation bzw. Handhabung einzelner Bauteile, die sehr klein und sehr dünn sind.
  • Die Technik des anorganischen Klebens oder der Molekularadhäsion kennt man für zahlreiche Materialien. Die Molekularadhäsion umfasst zwei unterschiedliche Klebarten: das hydrophile Kleben und das hydrophobe Kleben. Im Falle des hydrophilen Klebens resultiert das Kleben aus der Entwicklung der Wechselwirkung von OH-Gruppen mit der Oberfläche einer Struktur hin zur Bildung von Si-O-Si-Bindungen im Falle von Siliciumoxid. Die mit dieser Art Wechselwirkung verbundenen Kräfte sind stark. Die Klebenergie, bei Umgebungstemperatur ungefähr 100 mJ/m2, erreicht 500 mJ/m2 nach einem 30-minütigen Tempern bei 400°C. Im Falle des hydrophoben Klebens resultiert das Kleben aus der Entwicklung der Wechselwirkung von H- oder F-Gruppen mit der Oberfläche der Struktur hin zur Bildung von Si-Si-Bindungen im Falle der Haftung von Silicium. Die Klebenergie ist bis zu Temperaturen der Größenordnung 500–600°C schwächer als die der hydrophilen Klebungen. Die Klebenergie wird generell durch die Plättchen- bzw. Streifenmethode (méthode de la lame) bestimmt, offenbart durch W. P. Maszara et al. in dem Artikel "Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator", erschienen in J. Appl. Phys. 64(10), 15. November 1988, Seiten 4943 bis 4950.
  • Die Steuerung der Klebenergien kann es möglich machen, reversible Molekularadhäsionen zu realisieren, oder, wie offenbart in dem Dokument FR-A-2 781 925, die Adhäsionsenergie der Elemente auf dem Transferträger kann schwach sein und die zu übertragenden Elemente können behandelt werden, damit sie auf dem Empfangsträger eine stärkere Adhäsionsenergie haben als auf dem Transferträger, was ermöglicht, selektiv ein Element unter n Elementen zu übertragen bzw. aufzubringen. In diesem Dokument ist die Adhäsionsenergie zwischen den zu transferierenden Elementen und dem Transferträger schwächer als zwischen den Elementen und dem Empfangsträger. Nun ist die Energie, die man beim Kleben zwischen den Elementen und dem Empfangsträger erhält, eine Adhäsionsenergie bei Umgebungstemperatur, enthalten zwischen 0 und 200 mJ/m2, je nach Oberflächenbehandlung und verwendeten Materialien. Die Bindungsenergie zwischen den zu übertragenden Elementen und dem Transferträger ist folglich obligatorisch niedriger als 200 mJ/m2. Die in diesem Dokument beschriebene Methode ermöglicht also nicht, Elemente zu übertragen, die stark auf dem Transferträger haften, zum Beispiel mit Energien über 200 mJ/m2.
  • Das Dokument FR-A-2 796 491 offenbart das Übertragen individuell manipulierter Chips auf ein Endsubstrat mit Hilfe eines Transferträgers, auf den sie vorher geklebt worden sind. Die Chips werden auf dem Transferträger individuell manipuliert dank Öffnungen, die in ihm enthalten sind und ihn ganz durchqueren. Eine Aktion, etwa eine mechanische (zum Beispiel mit Hilfe eines Stifts bzw. Durchschlags), chemische oder pneumatische, oder eine Kombination aus ihnen, ermöglicht, einen Chip von dem Transferträger zu lösen und auf den Empfangsträger festzumachen. Diese Lösung ist anwendbar, wenn der Chip auf dem Transfersubstrat schwach und auf dem Empfangssubstrat stark haftet. Sie erfordert die Realisierung eines speziellen Transferträgers, der konditioniert worden ist, um die Selektion jedes zu transferierenden Elements zu ermöglichen. Außerdem ist sie nicht kompatibel mit den Standardvorrichtungen der Mikroelektronik wie etwa den "Pick and place"-Vorrichtungen.
  • Die Dokumente US-A-6 027 958 und WO-A-98/02921 offenbaren das Übertragen von Dünnschichtelementen, realisiert auf SOI-Substrat mit dem Zweck, die Integrationsdichte zu erhöhen und die Bauteile weniger fragil zu machen. Zunächst werden die Bauteile durch die klassischen Techniken der Mikroelektronik realisiert und dann durch eine Metallabscheidung miteinander verbunden. Nach dieser Methode werden die Elemente mittels eines haftenden Stoffs an einen Transferträger geklebt, auf dem eine chemische Stoppschicht abgeschieden worden ist. Das Anfangssubstrat wird entfernt, um die Stoppschicht freizulegen. Anschließend werden die Bauteile kollektiv an einem Empfangsträger befestigt. Dann wird der Transferträger entfernt.
  • Diese Methode ermöglicht, eine Gruppe von Dünnschichtbauteilen auf ein Empfangssubstrat zu übertragen. Die Bauteile werden beim Transferieren nicht vereinzelt. Es handelt sich also um ein Kollektivverfahren. Die Bauteile werden bei dieser Transfermethode von einem dicken Träger zusammengehalten, der ermöglicht, sie zu manipulieren. Wegen der dicken Substrate (Anfangssubstrat, Transferträger, Empfangsträger), die immer mit den Bauteilen in Kontakt sind, kann kein Bauteil von den anderen getrennt werden. Diese Methode ermöglicht also kein selektives Übertragen eines Dünnschichtelements.
  • Die Technik des sogenannten "Epitaxial lift-of" ermöglicht, ein Bauteil einzeln zu übertragen. Ein erster Schritt besteht darin, die zu transferierenden Bauteile durch Epitaxie herzustellen (s. das amerikanische Patent Nr. 4 883 561 im Falle des einfachen Transfers). Die Epitaxieschichten können invertiert werden (s. das amerkanische Patent Nr. 5 401 983 im Falle des doppelten Transfers). Vor der Bildung aller Schichten des Bauteils wird eine Opferschicht auf das Wachstumssubstrat epitaxiert. Die Vignetten werden durch Photolithographie definiert. Ein Resist wird auf den Vignetten abgeschieden, um ihnen Halt und eine konkave Struktur zu geben, zur Erneuerung der Unterätzungslösung (solution de sous-gravure) und der Entleerung der Ätzrückstände. Die Opferschicht wird anschließend nasschemisch angegriffen. Da der durch die epitaxierten Schichten gebildete Film dem Resist nachgeben muss, krümmt er sich nach und nach, was der Ätzlösung ermöglicht, in die sich bildenden Zwischenräume zwischen dem Film und dem Substrat einzudringen. Wenn das Ätzen zu Ende ist, kann der Film mit einer Saugpinzette erfasst werden, um auf ein Zielsubstrat transferiert zu werden (s. das amerikanische Patent Nr. 4 883 561) oder auf einen Transferträger übertragen zu werden (s. das amerikanische Patent Nr. 5 401 983). Nach der Übertragung wird der Resist chemisch entfernt, und dann werden die auf das Empfangssubstrat übertragenen Vignetten thermisch unter Druck behandelt, um die an der Grenzfläche eingeschlossenen Gase zu eliminieren.
  • Bei dieser Technik ist die Opferschicht eine Epitaxieschicht, daher die Bezeichnung "Epitaxial lift-of". Die Elemente können einzeln oder gemeinsam auf einem Transferträger transferiert werden, durch Van-de-Waals-Kräfte mit einem Empfangsträger vereinigt werden und dann getempert werden, wenn der Transferträger entfernt worden ist. Diese Technik hat den hauptsächlichen Vorteil, dass das Anfangssubstrat zurückgewonnen wird. Jedoch sind die Abmessungen der zu transferierenden Chips wegen der seitlichen Unterätzung begrenzt. Der Artikel von E. YABLONOVITCH et al., Appl. Phys. Lett. 56(24), 1990, Seite 2419, erwähnt eine maximale Größe von 2 cm × 4 cm und ziemliche lange Ätzzeiten. Die maximale Geschwindigkeit würde im Falle von kleinen seitlichen Abmessungen (unter 1 cm) 0,3 mm/h betragen. Zudem – da diese Ätzgeschwindigkeit von der Krümmung der zu übertragenden Elemente zur Entleerung der Ätzrückstände abhängt, begrenzt sie die Dicke der transferierbaren Bauteile auf 4,5 μm (s. den Artikel von K. H. CALHOUN et al., IEEE Photon. Technol. Lett, Februar 1993).
  • Die Technik des "Lift-off" ist seit vielen Jahren bekannt (s. zum Beispiel das amerikanische Patent Nr. 3 943 003). Diese Technik umfasst das Abscheiden eines dicken Photoresists auf einem Substrat, das Bestrahlen und Öffnen dieses Resists an Stellen, wo man ein Material abscheiden möchte, das im Allgemeinen ein Metall ist. Das Material wird durch eine Kaltabscheidungsmethode auf der gesamten Oberfläche des Substrats abgeschieden (im Allgemeinen durch Sputtern). Das abgeschiedene Material haftet nur an den Stellen wirklich, wo der Resist geöffnet worden ist. Der Resist wird anschließend aufgelöst in einem Lösungsmittel (zum Beispiel Aceton) und zurück bleiben nur die haftenden Teile des Materials.
  • Weitere Methoden werden in dem Dokument EP-A-1 041 620 vorgeschlagen. Sie ermöglichen, dünne Chips auf einen Wirt-Träger zu transferieren. Diese Methoden basieren auf der Einzelbehandlung der Chips. Die Chips werden Stück für Stück auf einen Transferträger geklebt, werden einzeln dünn gemacht und dann auf einen Wirt-Träger transferiert. Es handelt sich bezüglich des Dünnmachens und dann der Einzelübertragung ab dem Substrat um keine Kollektivbehandlung.
  • Darstellung der Erfindung
  • Der Gegenstand der Erfindung ist das selektive Transferieren von vorzugsweise homogene oder heterogene dünne Schichten umfassenden Vignetten (das heißt eines Elements oder einer Gruppe von Elementen) von einem Anfangsträger, der ein Herstellungsträger sein kann, auf einen Endträger. Sie ermöglicht insbesondere den Transfer von elektronischen Chips, die aus irgend einem Halbleitermaterial sein können. Es kann sich um einen oder mehrere Laser des Typs VCSEL, einen oder mehrere Resonator-Photodetektoren oder eine Kombination von Photodetektoren und Lasern handeln. Es kann sich auch um ein oder mehrere elektronische Bauteile, Schaltungen für Chip-Karten, Transistoren zur Flachbildschirmsteuerung oder des Typs TFT (für "Thin Film Transistors"), Speichereinrichtungen oder eine Kombination von Bauteilen handeln, die untereinander eine optoelektronische, elektronische, mechanische (MEMS) usw. Funktion haben.
  • Die Erfindung ermöglicht den Transfer eines Chips mit einem oder mehreren Lasern des Typs VCSEL, hergestellt und elektrisch getestet auf einem Fertigungssubstrat (zum Beispiel aus GaAs oder InP), auf eine auf Silicium realisierte Lese- und Ansteuerungsschaltung. Bei einer anderen Anwendung ermöglicht die Erfindung den Transfer von optoelektronischen Bauteilen auf einen Empfangsträger, der nur eine optische Funktion hat, wie etwa ein Glas, ein Lichtwellenleiter usw. Sie ermöglicht auch das Übertragen eines Halbleiterelements mit einer elektronischen Schaltung auf einen Empfangsträger, welcher der praktischen Umsetzung der durch die elektronische Schaltung realisierten Funktionen dient, wie zum Beispiel eine Chip-Karte. Diese Übertragung hat mehrere Vorteile, deren größter darin besteht, dass man eine elektronische oder optische oder optoelektronische oder mechanische Funktion auf einem bzw. ein Substrat integrieren kann, auf dem sie nicht mit der erforderlichen Qualität realisiert werden kann, durch Epitaxie, durch Abscheidung oder durch irgend ein anderes in der Mikroelektronik benutztes Realisierungsmittel.
  • Es ist klar, dass das Epitaxie-Wachstum von Bauteilen, das eine große Maschenparameterdifferenz aufweist (mehrere Prozent), wegen des Vorhandenseins von Strukturmängeln nicht mit einer Qualität realisiert werden kann, mit der sich die Verschlechterung ihrer elektrischen und optischen Eigenschaften vermeiden lässt. Auf einem anderen Gebiet ist es klar, dass man mit den Verfahren der Mikroelektronik keine Bauteile auf Kunststoffträgern realisieren kann, erstens weil diese Letzteren nicht die angewendeten Temperaturen aushalten, und zweitens, weil sie nicht von Natur aus kompatibel sind mit den Reinheitskriterien der Eingangsschritte (im Englischen "front-end") der Halbleiterindustrie.
  • Zudem ermöglicht die Erfindung, ein dünnes Bauteil mit einem Träger zu vereinigen, indem man eine Befestigung durch Molekularadhäsion benutzt, die mit "front-end" kompatibel ist. Dies ermöglicht, das Bauteil nach dem Übertragen mit Verfahren zu behandeln, deren Temperaturen zum Beispiel hoch sein können. So kann man zum Beispiel eine Epitaxie fortsetzen (reprendre) oder die Verbindungen zwischen dem Bauteil und dem Träger realisieren.
  • Das Übertragen von Vignetten ermöglicht auch, sich frei zu machen von Durchmesserunterschieden zwischen den Substraten, auf denen die Bauteile realisiert werden. Dies ermöglicht insbesondere, den anfänglichen Materialverlust zu vermeiden, verglichen mit dem Übertragen voller Platten, von denen zur Realisierung des Bauteil nur einige transferierte Zonen verwendet werden.
  • Ein weiterer Vorteil des Transferierens von Vignetten hergestellter Bauteile besteht darin, eine elektrisch getestete Schaltung übertragen zu können und folglich nur die guten Bauteile zu übertragen.
  • Außerdem hat das Übertragen dünn gemachter Bauteile den Vorteil, die vertikale Ausdehnung zu reduzieren, das Gewicht dieser Bauteile zu verringern und sie zudem weniger fragil zu machen. Aber das Übertragen von Dünnschichten oder Filmen wird schwierig gemacht durch ihre geringe Größe, die ihre Manipulation bzw. Handhabung erschwert. Um diese Manipulation zu erleichtern, ist es vorteilhaft, einen Transferträger zu verwenden, der bei der Manipulation als Versteifer dieser Filme dient, so dass sie sich unter der Einwirkung von Kräften nicht deformieren oder sogar brechen. Unter Versteifer versteht man jeden organischen oder anorganischen Träger, dessen Steifigkeit das Brechen vorher angeschnittener Bereiche verhindert, der der Gesamtheit der Chips Halt verleiht, und der verhindert, dass zu transferierende Vignetten und Elemente auseinander brechen oder reißen. Dieser Versteifer kann zum Beispiel eine Platte aus monokristallinem Silicium (001) sein, mit einer Dicke von wenigstens 200 μm. Er kann auch aus Glas sein oder aus einem anderen Material, transparent zum Beispiel für IR-, UV- oder sichtbares Licht. Dies macht insbesondere die Ausrichtung des Chips auf dem Träger möglich. Dies ermöglicht auch die Behandlung der Adhäsionsschicht (zum Beispiel UV-härtbarer Klebstoff).
  • Das Dokument FR-A-2 781 925 offenbart eine selektive Übertragungsmethode von Vignetten von einem Anfangsträger auf einen Endträger, wobei ein Transferträger benutzt wird.
  • Der zum Übertragen der Vignetten benutzte Versteifer kann ein in der Mikroelektronik häufig benutzter Träger sein (mono- oder polykristalline Substrate, Gläser usw.), oder es können auch andere Träger sein, zum Beispiel UV-empfindliche Kunststofffolien, beidseitige Folien, Strechfolien, Teflon®-Folien usw. Es kann sich um eine Kombination dieser verschiedenen Träger handeln, so dass die Eigenschaften von jedem von ihnen genutzt werden können.
  • Der Versteifer muss die Manipulation bzw. Handhabung aller zu transferierenden Chips während der gemeinsamen Schritte ermöglichen. Er muss auch selektiv ein Element unter den hergestellten freigeben. Dazu erfolgt vorausgehend eine Durchtrennung der gesamten Dicke der Schichten der zu transferierenden Elemente und eines Teils der Dicke des Versteifers. Derart bleibt eine das Ganze zusammenhaltende Zone erhalten, und es ist möglich, die zu transferierenden Elemente selektiv abzutrennen, indem zum Beispiel lokal mechanische und/oder thermische und/oder chemische Energie zugeführt wird.
  • Die Erfindung hat auch die Aufgabe, ein Verfahren für den kostengünstigen Transfer von Bauteilen zu liefern.
  • Die Erfindung hat ein Verfahren für den selektiven Transfer von Vignetten von einem Anfangsträger zu einem Endträger zum Gegenstand, wobei jede Vignette wenigstens ein Hauptelement einer mikroelektronischen und/oder optoelektronischen und/oder akustischen und/oder mechanischen Vorrichtung umfasst, die Elemente in einer Oberflächenschicht des Anfangsträgers realisiert sind, das Verfahren dabei die folgenden Schritte umfasst:
    • a) Befestigen eines Transferträgers an der Oberflächenschicht des Anfangsträgers,
    • b) Eliminieren des nicht der Oberflächenschicht entsprechenden Teils des Anfangsträgers,
    • c) Definieren der Seiten der Vignetten bei dem durch den Transferträger und die Oberflächenschicht gebildeten Aufbau, indem man die Oberflächenschicht in der Richtung ihrer Dicke durchtrennt,
    • d) Greifen eines oder mehrerer für den Transfer vorgesehener Vignetten und Loslösen durch Energiezufuhr in die Zonen des genannten Aufbaus,
    • e) Anbringen und Befestigen der in Schritt d) losgelösten Vignette oder der Vielzahl von Vignetten auf dem Endträger,
    dadurch gekennzeichnet:
    dass in Schritt c) das Durchtrennen der Oberflächenschicht über deren gesamte Dicke und über einen Teil der Dicke des Transferträgers erfolgt, um in dem genannten Aufbau Zonen zu realisieren, die durchgebrochen werden können, und
    dass in Schritt d) die Energiezufuhr zum Brechen der genannten Zonen des genannten Aufbaus führt.
  • Unter Hauptelement versteht man wenigstens eine Schicht aus einem Material, das vor oder nach dem Transfer behandelt werden kann und so wie es ist benutzt werden kann. Das Material kann ausgewählt werden unter den Halbleitermaterialien (Si, SiC, GaAs, InP, GaN, HgCdTe), den piezoelektrischen (LiNbo3, LiTaO3), pyroelektrischen, ferroelektrischen, magnetischen oder sogar isolierenden Materialien.
  • Wenn die Oberflächenschicht außerdem eine Adhäsionsschicht umfasst, welche die genannten Elemente bedeckt, kann der Schritt a) die Befestigung des Transferträgers an der Adhäsionsschicht umfassen. Die Adhäsionsschicht kann ein beidseitiger Adhäsionsfilm sein, oder durch ein Material gebildet werden, das ausgewählt wird unter einem Klebstoff, zum Beispiel des polymeren Typs (zum Beispiel Polyimid, BCB, Harz des Typs Epoxid oder Positivresist), einem Wachs, Siliciumoxid (zum Beispiel des Typs SOG oder PECVD oder des thermischen Typs) oder Silicium. Wenn sie die Elemente bedeckt, kann sie eine abgeschiedene und polierte Schicht sein.
  • In Schritt a) kann die Befestigung durch Molekularadhäsion erfolgen, wobei diese Molekularadhäsion durch eine Wärmebehandlung verstärkt werden kann.
  • In Schritt b) erfolgt die Eliminierung des nicht der Oberflächenschicht entsprechenden Teils des Anfangsträgers durch ein oder mehrere Verfahren, die ausgewählt werden unter dem mechanischen Schleifen, dem Polieren, einem trocken- oder nasschemischen Ätzen, dem Brechen längs einer geschwächten Schicht.
  • In Schritt c) kann das Durchtrennen durch trocken- oder nasschemisches Ätzen, durch Sägen, durch Ultraschall, durch Spalten oder durch einen Laserstrahl erfolgen.
  • In Schritt d) erfolgt das Greifen durch mechanische Einrichtungen, Kapillarwirkung, elektrostatische Einrichtungen oder vorzugsweise pneumatische Einrichtungen (Ansaugung) und/oder chemische Mittel.
  • In Schritt d) kann die Energiezufuhr eine Zuführung mechanischer und/oder thermischer und/oder chemischer Energie sein. Das Loslösen wird realisiert, indem man die auf die auf die Vignette(n) ausgeübten Druck- und Saugeffekte kombiniert.
  • In Schritt e) erfolgt die Befestigung vorteilhafterweise durch Molekularadhäsion oder durch Kleben. Das Kleben kann mittels eines Klebstoffs, eines Epoxidharzes oder einer metallischen Schicht realisiert werden, reaktiv oder nicht.
  • Nach dem Schritt e) kann der Teil des Transferträgers, welcher der übertragenen Vignette oder der Vielzapf übertragener Vignetten entspricht, wenigstens partiell eliminiert werden. Diese Eliminierung kann durch ein oder mehrere Verfahren realisiert wird, ausgewählt unter der Lift-off-Technik, dem chemischen Ätzen oder dem selektiven Ätzen der Adhäsionsschicht, dem Anwenden mechanischer Kräfte und dem Brechen längs einer geschwächten Schicht. Die geschwächte Schicht erhält man zum Beispiel durch die Erzeugung von Mikrohohlräumen und/oder Mikrogasblasen, realisiert durch Ionenimplantation oder zum Beispiel durch das Vorhandensein einer vergrabenen porösen Schicht oder durch irgend ein Mittel, das ermöglicht, die Oberflächenschicht von dem Anfangsträger zu trennen.
  • Eventuell fügt man vor dem Schritt c) dem Transferträger Einrichtungen hinzufügt, die ihn während des Schritts c) steif halten. Nach dem Schritt c) können die Versteifungseinrichtungen des Transferträgers wenigstens partiell eliminiert werden.
  • Diese Einrichtungen können mechanisch verformbar sein, wobei die erzeugte Verformung das Brechen der zum Brechen vorgesehenen Zonen begünstigt. Diese Einrichtungen können auch Kunststofffolien sein.
  • Die Oberflächenschicht kann wenigstens eine Stoppschicht umfassen, die an den Teil des Anfangsträgers angrenzt, der nicht der Oberflächenschicht entspricht. Diese Stoppschicht kann ebenfalls eliminiert werden.
  • Vor dem Schritt a) kann das genannte Hauptelement einer mikroelektronischen und/oder optoelektronischen und/oder akustischen und/oder mechanischen Vorrichtung getestet werden, um seinen Betriebsfähigkeitszustand festzustellen.
  • In Schritt a) kann das Befestigen des Transferträgers durch die Abscheidung einer Materialschicht auf der Oberflächenschicht realisiert werden, wobei diese Materialschicht den Transferträger bildet.
  • In Schritt c) kann das Durchtrennen ab der Oberflächenschicht und/oder ab dem Transferträger erfolgen.
  • Vor der Befestigung der Vignette oder der Vielzahl von Vignetten auf dem Endträger kann eine Oberflächenvorbereitung durchgeführt werden, um die Befestigung zu verbessern (Reinigung, Eliminierung einer Opferschicht, Politur usw.). Bei der Befestigung auf dem Endträger kann die Vignette außerdem auf diesem Träger ausgerichtet werden, indem man entweder auf der Vignette und dem Träger vorgesehene Markierungen benutzt oder vorzugsweise einen Transferträger aus einem transparenten Material.
  • Nach dem Schritt e) kann ein Schritt vorgesehen werden, der ermöglicht, das genannte Hauptelement einer aktiven oder passiven mikroelektronischen und/oder optoelektronischen Vorrichtung und/oder eines Sensors zu entnehmen.
  • Wenn der Anfangsträger vom SOI-Typ ist, das heißt gebildet durch ein Siliciumsubstrat, das nacheinander eine Siliciumoxidschicht und eine Siliciumschicht umfasst, in der das genannte Element realisiert ist, dient die Siliciumoxidschicht als Stoppschicht.
  • Kurzbeschreibung der Figuren
  • Die Erfindung und andere Vorteile und Besonderheiten gehen aus der nachfolgenden beispielartigen, nicht einschränkenden Beschreibung hervor, bezogen auf die beigefügten Figuren:
  • die 1A bis 1J sind Querschnittansichten, die ein erstes Anwendungsbeispiel des erfindungsgemäßen selektiven Transferverfahrens illustrieren,
  • die 2A bis 2I sind Querschnittansichten, die ein zweites Anwendungsbeispiel des erfindungsgemäßen selektiven Transferverfahrens illustrieren,
  • die 3A bis 3E sind Querschnittansichten, die ein drittes Anwendungsbeispiel des erfindungsgemäßen selektiven Transferverfahrens illustrieren.
  • Detaillierte Beschreibung von Realisierungsarten der Erfindung
  • Das Verfahren betrifft generell Elemente, die durch die Techniken der Mikroelektronik und/oder der Optoelektronik ganz oder teilweise auf Substraten realisiert wurden. Die Elemente wurden eventuell auf einer oder mehreren chemischen Stoppschichten realisiert. Sie werden eventuell schon auf ihren Anfangsträgern einem elektrischen Test unterzogen.
  • Im Falle einer starken Topologie bzw. Unebenheit der Oberfläche kann diese geglättet werden durch das Abscheiden eines Materials, das dann mechanisch-chemisch poliert wird, oder durch das Füllen der Volumen mit einem ausreichend glatten Material, das nicht unbedingt später poliert werden muss. Wenn die Füllmaterialschicht ausreichend dick und steif ist, kann sie auch eine Versteifungsfunktion erfüllen und den Transferträger bilden. Außerdem kann sie gegebenenfalls eine Haftfunktion erfüllen.
  • Zur Befestigung des Transferträgers am Anfangsträger können verschiedene Techniken benutzt werden: Molekularhaftung, Klebstoff, Epoxidharz usw. Die Molekularhaftung ist besonders geeignet, wenn die in Kontakt zu bringenden Oberflächen glatt sind. Eine Haftschicht kann nützlich sein, um die Oberflächenschicht auf dem Transferträger zu befestigen. Sie kann aus einem Material sein, das ausgewählt wird unter einer beidseitig klebenden Folie, einem zum Beispiel polymeren Klebstoff (Polyimid, BCB, Harz des Typs Epoxid oder Positivresist, Wachs, Glas, Siliciumoxid des "Spin on glass"-Typs, abgeschieden oder thermisch.
  • Das Greifen der Vignetten kann durch eine klassische "Pick and place"-Technik oder jede andere Technik erfolgen, mittels der die Vignette festgehalten und lokal eine Energie zugeführt werden kann, die das Wegbrechen der zu transferierenden Vignette bewirkt. Vorteilhafterweise wird die Vignette mit einem Werkzeug manipuliert, das ermöglicht, sie anzusaugen und dabei einen Druck auszuüben, um sie von den anderen Vignetten zu trennen. Das Werkzeug ermöglicht dann, die abgetrennte Vignette auf den Endträger zu übertragen.
  • Vorzugsweise ist der Transferträger ein in der Mikroelektronik verwendetes kostengünstiges Substrat, zum Beispiel mono- oder polykristallines Silicium, Glas, Saphir usw.
  • Die Elemente können auf einem Anfangsträger realisiert werden, der mehrere Stoppschichten umfasst. Die Verwendung von mehreren Stoppschichten ist vorteilhaft, um die Oberfläche zu glätten, die aus einer Ätzung des Anfangsträgers resultiert. Die Verwendung von mehreren Stoppschichten kann auch ermöglichen, die Teilchen zu entfernen, die aus dem vertikalen Schwächermachen bzw. Dünnermachen der zu transferierenden Vignetten und eventuell des Transferträgers resultieren.
  • Ein erstes Anwendungsbeispiel der Erfindung ist in den 1A bis 1J dargestellt, die Teilschnittansichten sind.
  • Die 1A zeigt ein Substrat 10, zum Beispiel aus GaAs, das als Anfangssubstrat dient und auf dem Halbleiter-Chips 11 (zum Beispiel optoelektronische oder mikroelektronische Bauteile) nach dem Fachmann bekannten Techniken realisiert wurden. Die Chips 11 sind von dem übrigen Anfangsträger durch wenigstens eine Stoppschicht 12, zum Beispiel aus AlxGa(1-x)As, getrennt. Diese Schicht sorgt für eine bessere Homogenität des Transfers, denn sie bildet eine Stoppschicht und eine Opferschicht, zum Beispiel gegenüber einer chemischen Trocken- oder Nassätzung.
  • Wie die 1B zeigt, ist die Oberfläche des Chips 11 tragenden Substrats 10 geglättet, um ein Kleben auf einen Transferträger zu ermöglichen. Diese Operation kann realisiert werden durch die Aufbringung oder Ausbreitung einer Schicht 13, die ein Klebstoff, ein Epoxidharz oder ein mineralisches Material wie etwa ein Glas oder Siliciumdioxid oder Silicium sein kann. Eventuell ist eine Planarisierung der Schicht 13 möglich. Die Stoppschicht 12, die Halbleiterelemente oder -chips 11 und die Schicht 13 bilden die Oberflächenschicht des Angangsträgers.
  • In der 1C ist ein Transferträger 14 auf die freie Fläche der Schicht 13 geklebt worden. Wenn die Schicht 13 eine Epoxidharzschicht ist, wird sie anschließend polymerisiert. Wenn die Schicht 13 eine mineralische Schicht ist, ermöglicht eine thermische Behandlung eine Erhöhung der Energie, mit der sie an dem Transferträger 14 haftet.
  • Die 1D zeigt, dass der Anfangsträger 10 oder genauer ausgedrückt der Teil des Anfangsträgers, der nicht der Oberflächenschicht entspricht, eliminiert worden ist. Diese Eliminierung kann durch eine klassische Methode oder eine Kombination klassischer Methoden erfolgen: mechanisches Schleifen, Polieren, Nass- oder Trockenätzen. Das Substrat konnte vor dem Realisieren des Bauteils in der Tiefe schwächer bzw. dünner gemacht werden durch Implantation von Ionen oder gasförmigen Spezies. Das Lösen der Dünnschicht von dem Substrat realisiert man dann durch die Zuführung von mechanischer Energie (s. das Dokument FR-A-2 748 851).
  • Wie in der 1E zu sehen, ist ein Versteifungsstück 15 auf der freien Fläche des Transferträgers 14 befestigt worden. Dieses Stück 15 kann ein Zuschnittträger sein. Die zu transferierenden Vignetten werden anschließend vertikal mittels Gräben 17 vorgeschnitten. Eine zu transferierende Vignette umfasst wenigstens einen Chip 11. Das Vorschneiden der Vignetten erfolgt ganz in den Schichten 12 und 13 und teilweise dem Transferträger 14. Das Vorschneiden lässt in dem Transferträger 14 Zonen bzw. Bereiche ganz, die durchgebrochen werden können. Dieses Vorschneiden kann durch chemische Ätzung, durch eine Kreissäge, eine Scheibensäge, eine Drahtsäge oder durch Ultraschall erfolgen. Je nach Anwendung kann die Vorrichtung vor oder nach der Übertragung auf den Endträger fertiggestellt werden.
  • Die freie Fläche der Stoppschicht 12 wird chemisch behandelt, um die Teilchen und die Kontaminationsstoffe zu beseitigen, die bei den vorhergehenden Operationen entstanden sein können und dann die Molekularadhäsion auf dieser Fläche stören. Wenn es mehrere Stoppschichten gibt, können eine oder mehrere trocken- oder nasschemisch oder sogar durch mechanisch-chemische Politur entfernt werden, um gleichzeitig die an der Oberfläche vorhandenen Verunreinigungen zu eliminieren. Da das Versteifungsstück 15 (s. 1E) eventuell nicht kompatibel ist mit den chemischen Behandlungen, denen eine zur Molekularadhäsion bestimmte Fläche unterzogen wird, kann das Stück 15 direkt nach der Realisierung der Gräben 17 eliminiert werden, wie die 1F zeigt.
  • Die zu übertragenden Vignetten 16 werden dann selektiv entnommen (s. die 1G und 1H), wobei die Brechzonen durch Druck oder Ansaugung oder einer Aufeinanderfolge von Druck und Ansaugung oder einer Aufeinanderfolge von Druck und Nachlassen des Drucks oder einer Aufeinanderfolge von Ansaugung und Nachlassen der Ansaugung brechen. Vorzugsweise realisiert man den Bruch durch einen plötzlichen Druck mittels eines Werkzeugs 18, mit dem man die Vignette transferieren kann, zum Beispiel einer an die Dimensionen der Chips angepassten Saugpinzette.
  • Die entnommene Vignette 16 wird anschließend durch Molekularadhäsion auf einem Endträger 19 befestigt, wie dargestellt in der 1I. Der die Oberfläche des Endträgers 19 kann vorbereitet werden wie in der Mikroelektronik üblich, um die Molekularadhäsion der Vignette 16 zu ermöglichen, zum Beispiel durch eine chemische Reinigung des hydrophilen Typs oder ein mechanisch-chemisches Polieren.
  • Anschließend wird das Material der Schicht 13 durch Unterätzung entfernt, was zur Folge hat, dass der mit der übrigen bzw. eigentlichen Vignette transferierte Transferträger abgetrennt wird. Dieser Transferträger kann auch durch Sägen entfernt werden, wobei das Material 13 dann durch Ätzung eliminiert wird. Man erhält die in der 1J dargestellte Struktur.
  • Ein zweites Anwendungsbeispiel der Erfindung ist in den 2A bis 2I dargestellt, die Teilschnittansichten sind.
  • Die 2A zeigt ein Substrat 20, das als Anfangssubstrat dient. Das Substrat 20 ist ein SOI-Substrat, das eine Siliciumdioxidschicht 22 umfasst, die als chemische Stoppschicht dient, und eine Siliciumdünnschicht, in der durch dem Fachmann bekannte Techniken Halbleiterchips 21 realisiert worden sind. Die Siliciumdioxidschicht 22 und die Siliciumdünnschicht bilden die Oberflächenschicht des Anfangsträgers.
  • In diesem Beispiel sind die Chips (zum Beispiel mikroelektronische Vorrichtungen, TFT-Ansteuerungsschaltungen usw.) dazu bestimmt, selektiv transferiert zu werden. Dazu wird die freie Oberfläche der Chips 21 an einem Transferträger 24 befestigt, wie dargestellt in der 2B. Der Transferträger 24 wird ohne eine zusätzliche Schicht auf die freie Oberfläche der Chips 21 geklebt.
  • Durch irgend ein Schneidverfahren, ausgewählt unter mechanischem Schneiden, Laserschneiden, Teilspaltung, Realisierung von Defekten, Spaltanrissen, werden in dem Anfangssubstrat 20 einschließlich der Siliciumdioxidschicht 22 und der Dünnschicht und partiell in dem Transferträger 24 Gräben 27 realisiert, die bis zu einer Bruchzone reichen. Die Gräben 27 grenzen Vignetten 26 ab, wobei jede Vignette einen Chips umfasst. Dies zeigt die 2C.
  • Der massive Teil des Anfangsträgers 20 wird anschließend eliminiert, wie in 2D dargestellt. Diese Eliminierung kann durch ein klassisches Verfahren oder eine Kombination klassischer Verfahren erfolgen. Zum Beispiel kann man schleifen, polieren oder nass oder trocken ätzen. Bei diesem zweiten Anwendungsbeispiel kann man sich auf das Schleifen beschränken, denn die Übertragungsfläche jeder Vignette muss nicht glatt sein, um festgeklebt zu werden.
  • Die zu übertragenden Vignetten 26 werden selektiv entnommen (s. 2E und 2F), wobei die Bruchzonen mittels einer der Methoden gebrochen werden, die in dem ersten Anwendungsbeispiel genannt worden sind. Vorzugsweise erfolgt das Brechen durch einen Druck eines Werkzeugs 28, zum Beispiel einer Saugpinzette, die eine Handhabung der zu transferierenden Vignette ermöglicht.
  • Die entnommene Vignette 26 wird anschließend mittels eines Klebstoffs 201 auf einen Empfangsträger oder Endträger 29 geklebt. Dies zeigt die 2G. Der Endträger 29 kann ein organisches Material sein. Es kann sich um eine Karte handeln, die dazu bestimmt ist, eine elektronische Schaltung aufzunehmen, um eine Chip-Karte zu realisieren. Man kann den Klebstoff so wählen, dass man ihn mit einem Lösungsmittel eliminiert werden kann (zum Beispiel ein handelsübliches Wachs oder Aceton).
  • Der noch vorhandene auf den Endträger 29 übertragene Teil des Transferträgers 24 mit dem Chip 21 kann durch eine der Methoden eliminiert werden, die in dem ersten Anwendungsbeispiel genannt wurden. Man erhält die in der 2H gezeigte Struktur.
  • Der übertragene Chip 21 kann anschließend durch bekannte Techniken der Mikroelektronik noch mit zusätzlichen Einrichtungen versehen werden, zum Beispiel, wie dargestellt in der 2I, mit Metallkontakten 202 und 203.
  • Ein drittes Anwendungsbeispiel der Erfindung ist in den 3A bis 3E dargestellt, die Teilschnittansichten sind.
  • Die 3A zeigt ein Substrat 30, das als Anfangssubstrat dient. Es kann sich um ein GaAs-Substrat handeln, auf dem durch dem Fachmann bekannte Techniken Halbleiterchips realisiert worden sind. Wenigstens eine Stoppschicht 32, zum Beispiel aus AlxGa(1-x)As, trennt die Halbleiterchips von dem Substrat 30. Diese Stoppschicht (oder eventuell Stoppschichten) haben den Vorteil, den Transfer homogener zu machen, denn sie bildet eine Stoppschicht und eine Opferschicht, zum Beispiel gegenüber einer chemischen Trocken- oder Nassätzung.
  • Die Halbleiterchips werden in diesem Anwendungsbeispiel durch Basiselemente 31 und unter dem allgemeinen Bezugszeichen 34 zusammengefasste Zusatzelemente gebildet. Man kann also sagen, dass die Stoppschicht 32 und die Basiselemente 31 die Oberflächenschicht des Anfangsträgers bilden, während die Gesamtheit 34 der Zusatzelemente als Transferträger dient.
  • Die 3B zeigt, das der Anfangsträger durch klassische Methoden oder eine Kombination von klassischen Methoden eliminiert worden ist, zum Beispiel durch mechanisches Schleifen, Polieren, Trocken- oder Nassätzen.
  • Die zu übertragenden Vignetten werden anschließend vorgeschnitten durch eine der in den vorangehenden Beispielen genannten Methoden. Die 3C zeigt, dass die Schnitte von beiden freien Flächen bzw. Seiten der Struktur ausgehen. Gräben 37 und 337, jeweils fluchtend, grenzen Vignetten 36 ab, die ein oder mehrere Basiselemente 31 umfassen. Zwischen zwei fluchtenden Gräben 37 und 337 gibt es jeweils eine Bruchzone.
  • Die zu übertragenden Vignetten 36 werden selektiv entnommen (s. 3D), wobei die Bruchzonen durch eine der in dem ersten Anwendungsbeispiel genannten Methoden gebrochen wird. Vorzugsweise erfolgt das Brechen durch einen plötzlichen Druck, ausgeübt mit einem Werkzeug 38, zum Beispiel einer Saugpinzette, die ermöglicht, die zu transferierende Vignette zu handhaben.
  • Die entnommene Vignette 36 wird anschließend durch Molekularadhäsion auf einen Empfangsträger oder Endträger 39 geklebt und das Werkzeug 38 wird zurückgezogen. Dies zeigt die 3E. Der Endträger 39 kann in der Mikroelektronik üblichen Oberflächenvorbereitungen unterzogen worden sein, um die Molekularadhäsion der Vignette 36 auf diesem Träger zu verbessern.

Claims (27)

  1. Verfahren für den selektiven Transfer von vignettenartigen Bauteilen bzw. Chips (16, 26, 36) von einem Anfangsträger (10, 20, 30) zu einem Endträger (19, 29, 39), wobei jeder Chip wenigstens ein wesentliches Element (11, 21, 31) einer mikroelektronischen und/oder optoelektronischen und/oder akustischen und/oder mechanischen Vorrichtung umfasst, die Elemente in einer Oberflächenschicht des Anfangsträgers realisiert sind, das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: a) Befestigen eines Transferträgers (14, 24, 34) an der Oberflächenschicht (12, 11, 13; 22, 21; 32, 31) des Anfangsträgers (10, 20, 30), b) Eliminieren des nicht der Oberflächenschicht entsprechenden Teils des Anfangsträgers, c) Definieren der Seiten der Vignetten bzw. Chips bei dem durch den Transferträger und die Oberflächenschicht gebildeten Aufbau, indem man die Oberflächenschicht in der Richtung ihrer Dicke durchtrennt, d) Greifen eines oder mehrerer für den Transfer vorgesehener Vignetten bzw. Chips (16, 26, 36) und Loslösen durch Energiezufuhr in den Zonen des genannten Aufbaus, e) Anbringen und Befestigen des bzw. der in Schritt d) losgelösten Chips auf dem Endträger (19, 29, 39), dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt c) das Durchtrennen der Oberfächenschicht über deren gesamte Dicke und über einen Teil der Dicke des Transferträgers erfolgt, um in dem genannten Aufbau Zonen zu realisieren, die gebrochen werden können, und dass in Schritt d) die Energiezufuhr zum Brechen der genannten Zonen des genannten Aufbaus führt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenschicht außerdem eine Haftschicht (13) umfasst, welche die genannten Elemente (11) bedeckt, und der Schritt a) die Befestigung des Transferträgers (14) auf der Haftschicht (13) umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Haftschicht (13) ein doppelseitiger Haftfilm oder ein unter Klebstoff, Wachs, Siliciumoxid und Silicium ausgewählter Stoff ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Klebstoff ein unter einem Polyimid, BCB und einem Harz des Typs Epoxyd oder Photoresist ausgewählter Klebstoff ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die die genannten Elemente (11) bedeckende Haftschicht (13) eine abgeschiedene und polierte Schicht ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt a) die Befestigung durch Molekularadhäsion realisiert wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Befestigung durch Molekularadhäsion mittels einer thermischen Behandlung verstärkt wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt b) die Eliminierung des nicht der Oberflächenschicht entsprechenden Teils des Anfangsträgers (10, 20, 30) mittels eines oder mehrerer Verfahren erfolgt, die ausgewählt werden unter dem mechanischen Schleifen, dem Polieren, einem trocken- oder nasschemischen Ätzen, einem Brechen längs einer geschwächten Schicht.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt c) das Durchtrennen durch trocken- oder nasschemisches Ätzen, durch Sägen, durch Ultraschall, durch Spalten oder durch einen Laserstrahl erfolgt.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Greifen durch eine Technik erfolgt, die mechanische Einrichtungen, Kapillarwirkung, elektrostatische Einrichtungen, pneumatische und/oder chemische Mittel umfasst.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt d) die Energiezufuhr eine Zuführung mechanischer und/oder thermischer und/oder chemischer Energie ist.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt d) das Loslösen realisiert wird, indem man die auf den oder die Chips (16, 26, 36) ausgeübten Druck- und Saugeffekte kombiniert.
  13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt e) die Befestigung durch Molekularadhäsion oder durch Kleben realisiert wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt e) die Befestigung durch Kleben mittels eines Klebstoffs, eines Epoxidharzes oder einer metallischen Schicht realisiert wird, die reaktiv ist oder nicht.
  15. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Schritt e) der Teil des Transferträgers (14, 24), der dem übertragenen Chip (16, 26) oder der Vielzahl übertragener Chips entspricht (16, 26), wenigstens partiell eliminiert wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das genannte wenigstens partielle Eliminieren des Teils des Transferträgers (16, 26) durch ein oder mehrere Verfahren realisiert wird, ausgewählt unter der Lift-off-Technik, dem chemischen Ätzen oder dem selektiven Ätzen der Adhäsionsschicht, dem Anwenden mechanischer Kräfte und dem Brechen längs einer geschwächten Schicht.
  17. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man vor dem Schritt c) dem Transferträger (14) Einrichtungen (15) hinzufügt, die ihn während des Schritts c) steif halten.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Schritt c) die Versteifungseinrichtungen (15) des Transferträgers wenigstens partiell eliminiert werden.
  19. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenschicht wenigstens eine Sperrschicht (12, 22, 32) umfasst, die an den Teil des Anfangsträgers (10, 20, 30) angrenzt, der nicht der Oberflächenschicht entspricht.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Sperrschicht ebenfalls eliminiert wird.
  21. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Schritt a) das genannte wesentliche Element einer mikroelektronischen und/oder optoelektronischen und/oder akustischen und/oder mechanischen Vorrichtung getestet wird, um seinen Betriebsfähigkeitszustand festzustellen.
  22. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt a) das Befestigen des Transferträgers durch die Abscheidung einer Materialschicht auf der Oberflächenschicht realisiert wird, wobei diese Materialschicht den Transferträger bildet.
  23. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt c) das Durchtrennen ab der Oberflächenschicht und/oder ab dem Transferträger erfolgt.
  24. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass vor der Befestigung des Chips (16, 26, 36) oder der Vielzahl von Chips auf dem Endträger eine Oberflächenvorbereitung durchgeführt wird, um die Befestigung zu verbessern.
  25. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Schritt e) ein Schritt vorgesehen ist, der ermöglicht, das genannte wesentliche Element (11, 21) einer aktiven oder passiven mikroelektronischen und/oder optoelektronischen Vorrichtung und/oder eines Sensors zu entnehmen.
  26. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Anfangsträger (20) vom SOI-Typ ist, das heißt gebildet durch ein Siliciumsubstrat, das nacheinander eine Siliciumoxidschicht (22) und eine Siliciumschicht umfasst, in der das genannte Element (21) realisiert ist, wobei die Siliciumoxidschicht als Sperrschicht dient.
  27. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Chip auf diesem Endträger mit Hilfe von Markierungen ausgerichtet wird, die vorher auf dem Chip und dem Endträger angebracht wurden, oder indem ein Transferträger aus transparentem Material benutzt wird.
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