DE60204251T2 - Tintenzuführkanal-Ätzverfahren für einen vollintegrierten Thermotintenstrahldruckkopf - Google Patents

Tintenzuführkanal-Ätzverfahren für einen vollintegrierten Thermotintenstrahldruckkopf Download PDF

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Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Diese Erfindung bezieht sich auf Tintenstrahldrucker und insbesondere auf einen monolithischen Druckkopf für einen Tintenstrahldrucker.
  • Hintergrund
  • Tintenstrahldrucker weisen üblicherweise einen Druckkopf auf, der an einem Wagen befestigt ist, der sich über die Breite eines Blatts Papier, das durch den Drucker geführt wird, hin- und herbewegt. Tinte aus einem Tintenreservoir, entweder an Bord des Wagens oder außerhalb des Wagens, wird zu Tintenausstoßkammern auf dem Druckkopf geführt. Jede Tintenausstoßkammer enthält ein Tintenausstoßelement, wie z. B. einen Heizerwiderstand oder ein piezoelektrisches Element, das unabhängig adressierbar ist. Ein Versorgen eines Tintenausstoßelements mit Energie bewirkt, dass ein Tintentröpfchen durch eine Düse zum Erzeugen eines kleinen Punktes auf dem Medium ausgestoßen wird. Das erzeugte Punktmuster bildet ein Bild oder Text.
  • Zusätzliche Informationen bezüglich eines bestimmten Typs eines Druckkopfs und eines Tintenstrahldruckers sind in dem U.S.-Patent Nr. 5,648,806 mit dem Titel „Stable Substrate Structure For A Wide Swath Nozzle Array In A High Resolution Inkjet Printer" (Stabile Substratstruktur für ein Breitband-Düsenarray in einem Tintenstrahldrucker mit hoher Auflösung) von Steven Steinfield u. a., das der vorliegenden Anmelderin zugewiesen ist, zu finden.
  • Die Europäische Patentanmeldung EP 1 078 755 A offenbart einen vollständig integrierten thermischen Tintenstrahldruckkopf, der mehrere Tintenzuführlöcher pro Düse auf weist. Dünnfilmschichten, die Tintenausstoßelemente umfassen, sind auf einer oberen Oberfläche eines Siliziumsubstrats gebildet. Die verschiedenen Schichten sind geätzt, um leitfähige Anschlussleitungen zu den Tintenausstoßelementen bereitzustellen. Zumindest ein Tintenzuführloch ist durch die Dünnfilmschichten für jede Tintenausstoßkammer gebildet. Ein Graben ist in die untere Oberfläche des Substrates geätzt, so dass Tinte durch die in den Dünnfilmschichten gebildeten Tintenzuführlöcher in den Graben und in jede Tintenausstoßkammer fließen kann. Eine Öffnungsschicht ist auf der obere Oberfläche der Dünnfilmschichten gebildet, um die Düsen und Tintenausstoßkammern zu definieren.
  • Mit ansteigenden Auflösungen und Druckgeschwindigkeiten von Druckköpfen zur Erfüllung der anspruchsvollen Bedarfe des Verbrauchermarkts werden neue Druckkopfherstellungstechniken und -strukturen benötigt.
  • Zusammenfassung
  • Die vorliegende Erfindung liefert ein Verfahren zum Bilden einer Druckvorrichtung, wie in den beigefügten Ansprüchen aufgeführt ist.
  • Auf der oberen Oberfläche eines Siliziumsubstrates ist eine dünne Polysiliziumschicht in dem Bereich gebildet, in dem später ein Graben in dem Substrat gebildet werden soll. Die Kanten der Polysiliziumschicht sind mit der beabsichtigen Platzierung von Tintenzuführlöchern, die in Tintenausstoßkammern führen, ausgerichtet. Dünnfilmschichten, die eine resistive Schicht umfassen, werden dann auf der oberen Oberfläche des Siliziumsubstrats gebildet. Die Dünnfilmschichten umfassen Oxidschichten, die über der Polysiliziumschicht gebildet sind. Die verschiedenen Schichten werden geätzt, um leitfähige Anschlussleitungen zu den Heizerwi derstandselementen zu liefern. Piezoelektrische Elemente könnten anstelle der resistiven Elemente eingesetzt werden.
  • Zumindest ein Tintenzuführloch ist teilweise durch die Dünnfilmschichten für jede Tintenausstoßkammer gebildet, was in den Tintenzuführlochbereichen die Oxidschichten über der Polysiliziumschicht hinterlässt.
  • Eine Mündungsschicht ist auf der oberen Oberfläche der Dünnfilmschichten gebildet, um die Düsen und Tintenausstoßkammern zu definieren. Bei einem Ausführungsbeispiel wird ein photodefinierbares Material verwendet, um die Mündungsschicht zu bilden.
  • Eine Grabenmaske wird auf der unteren Oberfläche des Substrats gebildet. Ein Graben wird durch die freiliegende untere Oberfläche des Substrats geätzt (z. B. unter Verwendung von TMAH). Wenn das Substrat bis zu der Polysiliziumschicht geätzt ist, ätzt das TMAH schnell das Polysilizium, das sandwichartig zwischen dem Siliziumsubstrat und den Oxidschichten angeordnet ist, weg, was einen Zwischenraum zwischen dem Siliziumsubstrat und den Oxidschichten erzeugt. Dieser Zwischenraum legt Schnellätzebenen des Siliziums frei. Derartige Schnellätzebenen könnten z. B. (110) und andere sein. Das TMAH ätzt dann schnell das Siliziumsubstrat entlang der Ätzebenen, wobei so die Kanten des Grabens mit den Polysiliziumkanten ausgerichtet werden. Es hat sich in Simulationen gezeigt, dass die laterale (in der Ebene des Wafers) Grabenätzrate während dieses Schnellätzens 100 Mikrometer oder mehr pro Stunde verglichen mit der lateralen Komponente eines reinen (111-) Ebene-Ätzens beträgt, die üblicherweise 2 – 6 Mikrometer pro Stunde beträgt. Die schnelle laterale Ätzrate ist fast doppelt so schnell, wie die vertikale Ätzrate entlang der <100>-Richtung.
  • Ein Nassätzen wird dann unter Verwendung einer gepufferten Oxidätz- (BOE-) Lösung durchgeführt. Das Ätzmittel tritt durch die Düsen in die Ätzkammern ein und ätzt die freiliegenden Oxidschichten in den Tintenzuführlochbereichen von der Oberseite. Die durch den Graben freigelegten Oxidschichten werden ebenso während des gleichen Nassätzschritts von der Unterseite geätzt. So ätzt das Nassätzen ohne die Verwendung von Masken schnell die freiliegenden Oxidschichten von der Oberseite und der Unterseite. Die BOE ätzt vollständig durch die freiliegenden Oxidschichten, was Tintenzuführlöcher durch die Dünnfilmschichten bildet. Der Graben ist aufgrund der Polysiliziumschicht mit den Tintenzuführlöchern ausgerichtet.
  • Dieses Verfahren erlaubt eine bestimmte Fehlausrichtung der Grabenmaske ohne Beeinflussung der letztendlichen Grabenabmessungen.
  • Der resultierende vollständig integrierte thermische Tintenstrahldruckkopf kann bis auf eine sehr präzise Toleranz hergestellt werden, da die gesamte Struktur monolithisch ist, was den Bedarfen für die nächste Generation von Druckköpfen entspricht.
  • Das Verfahren könnte verwendet werden, um Öffnungen in anderen Vorrichtungen als Druckköpfen zu bilden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Ausführungsbeispiels einer Druckkassette, die die hierin beschriebenen Druckköpfe beinhalten kann.
  • 2 ist eine perspektivische Schnittansicht eines Abschnitts eines Ausführungsbeispiels eines Druckkopfs gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht des Druckkopfabschnitts aus 2 entlang einer Linie 3-3 und zeigt zusätzliche Details der Dünnfilmschichten.
  • 4 ist eine teilweise transparente Top-Down-Ansicht des in 2 gezeigten Druckkopfs und zeigt zusätzliche Abschnitte des Druckkopfs.
  • 5 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie 3-3 in 2 und zeigt zusätzliche Abschnitte des Druckkopfs.
  • 6 ist eine perspektivische Ansicht eines herkömmlichen Tintenstrahldruckers, in den die Druckköpfe der vorliegenden Erfindung zum Drucken auf ein Medium eingebaut sein könnten.
  • Detaillierte Beschreibung der Ausführungsbeispiele
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Typs einer Tintenstrahldruckkassette 10, die die Druckkopfstrukturen der vorliegenden Erfindung beinhalten könnte. Die Druckkassette 10 aus 1 ist der Typ, der eine wesentliche Tintenmenge innerhalb seines Körpers 12 beinhaltet, eine andere geeignete Druckkassette könnte jedoch der Typ sein, der Tinte aus einem externen Tintenvorrat aufnimmt, der entweder an dem Druckkopf befestigt oder über einen Schlauch mit dem Druckkopf verbunden ist.
  • Die Tinte wird an einen Druckkopf 14 geliefert. Der Druckkopf 14, der später detailliert beschrieben wird, kanalisiert die Tinte in Tintenausstoßkammern, wobei jede Kammer ein Tintenausstoßelement enthält. Elektrische Signale werden an Kontakte 16 geliefert, um die Tintenausstoßelemente einzeln mit Energie zu versorgen, um ein Tintentröpfchen durch eine zugeordnete Düse 18 auszustoßen. Die Struktur und Funktionsweise herkömmlicher Druckkassetten sind sehr gut bekannt.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht eines Abschnitts des Druckkopfs aus 1 entlang einer Linie 2-2 in 1. Obwohl ein Druckkopf 300 oder mehr Düsen und zugeordnete Tintenausstoßkammern aufweisen könnte, müssen Details nur einer einzelnen Tintenausstoßkammer beschrieben werden, um die Erfindung zu verstehen. Es sollte für Fachleute auf diesem Gebiet ebenso zu erkennen sein, dass viele Druckköpfe auf einem einzelnen Siliziumwafer gebildet und dann unter Verwendung herkömmlicher Techniken voneinander getrennt werden.
  • In 2 sind auf einem Siliziumsubstrat 20 verschiedene Dünnfilmschichten 22, die später beschrieben werden, gebildet. Die Dünnfilmschichten 22 umfassen eine resistive Schicht zum Bilden von Widerständen 24. Andere Dünnfilmschichten führen verschiedene Funktionen durch, wie z. B. Bereitstellen einer elektrischen Isolierung von dem Substrat 20, Bereitstellen eines wärmeleitfähigen Pfads von den Heizerwiderstandselementen zu dem Substrat 20 und Bereitstellen elektrischer Leiter an die Widerstandselemente. Ein elektrischer Leiter 25 ist gezeigt, der zu einem Ende eines Widerstands 24 führt. Ein ähnlicher Leiter führt zu dem anderen Ende des Widerstands 24. Bei einem tatsächlichen Ausführungsbeispiel wären die Widerstände und Leiter in einer Kammer durch darüber liegende Schichten verdeckt.
  • Tintenzuführlöcher 26 sind vollständig durch die Dünnfilmschichten 22 gebildet. Jedes Tintenzuführloch 26 könnte größer oder kleiner sein, als in 2 gezeigt ist. Es könnte mehrere Löcher pro Kammer geben. Ein Verteiler könnte in der Mündungsschicht 28 zum Bereitstellen eines gemeinsamen Tintenkanals für eine Reihe von Tintenausstoßkammern 30 gebildet sein.
  • Eine Mündungsschicht 28 ist über der Oberfläche der Dünnfilmschichten 22 aufgebracht und geätzt, um Tintenausstoßkammern 30 zu bilden, nämlich eine Kammer pro Widerstand 24. Düsen 34 könnten unter Verwendung herkömmlicher Photolithographietechniken gebildet sein.
  • Das Siliziumsubstrat 20 ist geätzt, um einen Graben 36 zu bilden, der sich entlang der Länge der Reihe von Tintenzuführlöchern 26 erstreckt, so dass Tinte 38 aus einem Tintenreservoir in die Tintenzuführlöcher 26 zum Führen von Tinte zu den Tintenausstoßkammern 30 eintreten kann. Eine Dünnfilmopferschicht (z. B. Polysilizium), unten beschrieben, wird verwendet, um die Kanten des Grabens 36 mit den Tintenzuführlöchern 26 genau auszurichten. Die Polysilizium- oder eine andere Opferschicht muss eine Ätzrate aufweisen, die größer ist als die laterale Ätzrate des Siliziumwafers für die Opferschicht, um vorteilhafte Eigenschaften aufzuweisen.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel ist jeder Druckkopf in etwa ein halbes Zoll lang und enthält zwei versetzte Reihen von Düsen, wobei jede Reihe 150 Düsen für insgesamt 300 Düsen pro Druckkopf enthält. Der Druckkopf kann so mit einer Einzeldurchlauf-Auflösung von 600 Punkten pro Zoll (dpi) entlang der Richtung der Düsenreihen drucken oder in mehreren Durchläufen mit einer größeren Auflösung drucken. Größere Auflösungen könnten auch entlang der Bewegungsrichtung des Druckkopfs gedruckt werden. Auflösungen von 1.200 oder mehr dpi könnten unter Verwendung der vorliegenden Erfindung erhalten werden.
  • In Betrieb wird ein elektrisches Signal an einen Heizerwiderstand 24 geliefert, der einen Teil der Tinte verdampft, um eine Blase innerhalb der Tintenausstoßkammer 30 zu bilden. Die Blase treibt ein Tintentröpfchen durch eine zugeordnete Düse 34 auf ein Medium. Die Tintenausstoßkammer wird dann durch Kapillarwirkung nachgefüllt.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie 3-3 aus 2 und zeigt eine einzelne Tintenausstoßkammer 30 und die zugeordnete Struktur des Druckkopfs. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel der einzelnen Dünnfilmschichten. Schichten, die während des TMAH-Grabenätzens und des BOE-Nassätzens weggeätzt wurden, sind in gestricheltem Umriss gezeigt. Herkömmliche Aufbringungs-, Maskierungs- und Ätzschritte werden verwendet, es sei denn, dies ist anderweitig angegeben.
  • Zur Bildung der Struktur aus 3 wird ein Siliziumsubstrat 20 mit einer kristallinen Ausrichtung <100> in einer Vakuumkammer platziert. Das Volumensilizium ist etwa 675 Mikrometer dick.
  • Eine Polysiliziumschicht 44 (in gestricheltem Umriss gezeigt) mit einer Dicke zwischen etwa 0,1 und 0,5 Mikrometern ist über der oberen Oberfläche des Substrats 20 gebildet. Die Polysiliziumschicht 44 wird maskiert und geätzt, um Polysilizium nur in dem Bereich zu hinterlassen, wo der Graben 36 gebildet werden soll. 4 ist eine Top-Down-Ansicht eines Abschnitts des vollständig verarbeiteten Wafers und zeigt den Ort der Polymaske 45. Die Kanten der Polysiliziumschicht 44 definieren die Kanten des Grabens 36. Es ist wichtig, dass die Kanten des Grabens die beabsichtigte Größe der Tintenzuführlöcher 26, die in die Tintenausstoßkammern 30 führen, nicht beeinflussen, da die Größe der Tintenzuführlöcher 26 sorgfältig berechnet wird, um einen bestimmten Fluidwiderstand für ein optimales Verhalten des Druckkopfs zu liefern. Es ist schwierig, wiederholbare Grabenabmessungen durch ein bloßes Verwenden einer Rückseitengrabenmaske, gefolgt durch ein TMAH-Ätzen des Substrats, zu erhalten. Der hierin beschriebene Vorgang verwendet die Abmessungen der Polysiliziumschicht 44, um die Grabenkanten zu definieren, so dass die Rückseitengrabenmaske fehlausgerichtet sein kann, ohne die letztendlichen Grabenabmessungen zu beeinflussen. Da die Polysiliziumschicht 44 mit hoher Genauigkeit in Bezug auf die beabsichtigten Tintenzu führlöcher 26 strukturiert werden kann, können die resultierenden Grabenkanten präzise mit den Tintenzuführlöchern 26 ausgerichtet sein.
  • Obwohl die Polymaske 45 in 4 die Polysiliziumschicht 44 strukturiert, um sich über den gesamten Grabenbereich zu erstrecken, muss sich die Polysiliziumschicht 44 nur entlang der Peripherie des Grabenbereichs befinden (jedoch nicht über den Grabenbereich hinaus erstrecken), wo die Tintenzuführlöcher gebildet werden sollen. Das Bilden des Polysiliziums über dem gesamten Grabenbereich ist von Vorteil, da das Polysilizium zu einer viel schnelleren Siliziumwaferätzrate in der lateralen Richtung führt.
  • Wieder Bezug nehmend auf 3 ist eine Feldoxidschicht 46 mit einer Dicke von 1,2 Mikrometern unter Verwendung herkömmlicher Techniken über dem Siliziumsubstrat 20 und der Polysiliziumschicht 44 gebildet. Andere Typen von Oxidschichten könnten verwendet werden, wie z. B. Oxide von Stickstoff (NOX). Eine Phosphosilikatglas- (PSG-) Schicht 48 mit einer Dicke von 0,5 Mikrometern wird dann unter Verwendung herkömmlicher Techniken über der Feldoxidschicht 46 aufgebracht. Eine Bor-PSG- oder eine Bor-TEOS- (BTEOS-) Schicht könnte anstatt der PSG-Schicht 48 verwendet werden.
  • Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel wird eine Maske unter Verwendung herkömmlicher Photolithographietechniken über der PSG-Schicht 48 gebildet. Die PSG-Schicht 48 wird dann unter Verwendung eines herkömmlichen Reaktivionenätzens (RIE) zum Zurückziehen der PSG-Schicht 48 aus dem nachfolgend gebildeten Tintenzuführloch geätzt. Dies schützt die PSG-Schicht 48 vor Tinte. Bei einem derartigen Ausführungsbeispiel erstreckt sich das PSG nicht über die Tintenzuführlochbereiche. Ein derartiges Ausführungsbeispiel ist in 5 gezeigt.
  • Eine resistive Schicht (die letztendlich Widerstände 24 bildet) aus z. B. Tantalaluminium (TaAl) mit einer Dicke von 0,1 Mikrometer wird dann über der PSG-Schicht 48 aufgebracht. Andere bekannte resistive Schichten können ebenso verwendet werden. Eine leitfähige Schicht 25 (siehe 2) aus AlCu wird dann über dem TaAl aufgebracht. Eine Maske wird aufgebracht und unter Verwendung herkömmlicher Photolithographietechniken strukturiert und die leitfähige Schicht 25 und die resistive Schicht werden unter Verwendung herkömmlicher IC-Herstellungstechniken geätzt. Ein weiterer Maskierungs- und Ätzschritt wird verwendet, um die Abschnitte des AlCu über den Heizerwiderständen 24 zu entfernen, wie in 2 gezeigt ist. Die resultierenden AlCu-Leiter befinden sich außerhalb des Sichtfeldes aus 3.
  • Das Ätzen der leitfähigen Schicht 25 und der resistiven Schicht definiert eine erste Widerstandsabmessung (z. B. eine Breite). Eine zweite Widerstandsabmessung (z. B. eine Länge) ist durch ein Ätzen der leitfähigen Schicht 25 definiert, um zu bewirken, dass der resistive Abschnitt durch die leitfähigen Bahnen an zwei Enden kontaktiert wird. Diese Technik zum Bilden von Widerständen und elektrischen Leitern ist in der Technik bekannt. Die leitfähigen Bahnen sind so gebildet, um sich nicht über die Mitte des Druckkopfs zu erstrecken, sondern entlang der Kanten zu verlaufen. Ein geeigneter Adressierungsschaltungsaufbau und Anschlussflächen sind auf dem Substrat 20 zum Bereitstellen von Energieversorgungssignalen an die Widerstände 24 vorgesehen.
  • Über den Widerständen 24 und der leitfähigen Schicht 25 ist eine Siliziumnitridschicht 56 mit einer Dicke von 0,5 Mikrometern gebildet. Diese Schicht sorgt für Isolierung und Passivierung.
  • Über der Nitritschicht 56 ist eine Siliziumcarbidschicht 58 mit einer Dicke von 0,25 Mikrometern gebildet, um zusätzliche Isolierung und Passivierung bereitzustellen. Die Nitridschicht 56 und die Carbidschicht 58 schützen die PSG- Schicht 48 vor der Tinte. Weitere dielektrische Schichten könnten anstelle von Nitrid und Carbid eingesetzt werden.
  • Die Passivierungsschichten werden dann unter Verwendung herkömmlicher Techniken maskiert (außerhalb des Sichtfeldes) und geätzt, um Abschnitte der leitfähigen Schicht 25 für einen elektrischen Kontakt mit einer nachfolgenden leitfähigen Goldschicht zur Bereitstellung von Masseleitungen freizulegen.
  • Eine Blasenkavitationsschicht 60 aus Tantal (Ta) wird dann über der Carbidschicht 58 gebildet. Gold (Au), nicht gezeigt, wird über der Tantalschicht 60 aufgebracht und geätzt, um die Masseleitungen zu bilden, die elektrisch mit bestimmten Leiterbahnen der leitfähigen Schicht 25 verbunden sind. Die Masseleitungen enden in Verbindungsanschlussflächen entlang Kanten des Substrats 20.
  • Die AlCu- und die Gold-Leiter könnten mit auf der Substratoberfläche gebildeten Transistoren gekoppelt sein. Derartige Transistoren sind in dem U.S.-Patent Nr. 5,648,806, das zuvor erwähnt wurde, beschrieben.
  • Eine Maske wird strukturiert, um Abschnitte der Dünnfilmschichten oberhalb der FOX- und der PSG-Oxidschicht 46 und 48, die den Tintenzuführlöchern 26 entsprechen, freizulegen. Die Dünnfilmschichten, die über den Oxidschichten 46 und 48 in den Tintenzuführlochbereichen liegen, werden dann geätzt. Alternativ könnten mehrere Maskierungs- und Ätzschritte bei der Bildung der verschiedenen Dünnfilmschichten verwendet werden. Dieser Ätzvorgang kann eine Kombination mehrerer Ätztypen sein (RIE oder Nass). Das Ätzen durch die Dünnfilmschichten könnte herkömmliche IC-Herstellungstechniken verwenden.
  • 3 zeigt die Schichten 44, 46 und 48 innerhalb der Tintenzufuhrlochbereiche als gestrichelte Schichten, da diese Schichten letztendlich weggeätzt werden.
  • Eine Mündungsschicht 28 wird dann aufgebracht und gebildet. Die Mündungsschicht 28 könnte aus einem aufgeschleuderten Epoxid, SU8 genannt, gebildet sein. Die Mündungsschicht 28 könnte alternativ laminiert oder durch Siebdruck aufgebracht sein. Die Mündungsschicht beträgt bei einem Ausführungsbeispiel etwa 20 Mikrometer. Die Tintenkammern 30 und Düsen 34 sind durch Photolithographie gebildet. Bei einer Technik „härtet" eine erste Maske unter Verwendung einer Halbdosis einer UV-Strahlung die obere Oberfläche des SU8 (Negativ-Photoresist) mit Ausnahme von Orten, wo die Düsen 34 gebildet werden sollen. Eine zweite Maske unter Verwendung einer vollen UV-Dosis legt dann das SU8 in den Bereichen frei, in denen weder Düsen 34 noch Tintenausstoßkammern 30 gebildet werden sollen. Nach diesen zwei Freilegungen wird das SU8 entwickelt und die gehärteten Abschnitte bleiben, die Düsenabschnitte und die Tintenausstoßkammerabschnitte des SU8 jedoch werden entfernt.
  • Die Rückseite des Wafers wird dann unter Verwendung herkömmlicher Techniken maskiert (durch eine Maske 76), um den Abschnitt der Rückseite des Wafers, der dem TMAH-Grabenätzen unterzogen werden soll, freizulegen. Die Rückseitenmaske 76 könnte eine FOX-Hartmaske sein, die unter Verwendung herkömmlicher Photolithographietechniken gebildet ist. Der Wafer wird in das Nass-TMAH-Ätzmittel eingetaucht, was ein gewinkeltes Profil bildet. Die Grabenbreite beträgt üblicherweise weniger als 200 Mikrometer und beträgt bei einem Ausführungsbeispiel zwischen 20 und 60 Mikrometer. Die Rückseitenmaskierung könnte um einen großen Spielraum fehlausgerichtet sein, muss jedoch noch innerhalb des beabsichtigten Grabenbereichs liegen. Eine derartige Fehlausrichtung würde normalerweise den Bereich des Tintenzuführlochs einschränken und eine nachteilige Wirkung auf die Fluideigenschaften des Druckkopfs haben. Die Verwendung der Polysiliziumschicht 44 jedoch vermeidet nachteilige Effekte einer derartigen Fehlausrichtung. Das TMAH ätzt nach einem Ätzen durch das Substrat zu der Polysiliziumschicht 44 die Polysiliziumschicht 44 schnell, was einen Zwischenraum zwischen dem Substrat und den Oxidschichten 46 und 48 bildet. Dieser Zwischenraum legt die Schnellätzebenen des Substrats frei und das TMAH ätzt das Substrat schnell, so dass die Kanten des Grabens mit den Kanten der Polysiliziumschicht 44 ausgerichtet sind.
  • Der Graben 36 erstreckt sich bei einem Ausführungsbeispiel über die Länge einer Reihe von Tintenausstoßkammern. Jede beliebige mehrerer Ätztechniken könnte verwendet werden. Beispiele geeigneter Nassätzmittel umfassen Ethylendiaminpyrocatecol (EDP), Kaliumhydroxid (KOH) und TMAH. Jedes derselben oder eine Kombination derselben könnte für diese Anwendung verwendet werden.
  • Der Wafer wird dann einem herkömmlichen nassen gepufferten Oxidätzen (BOE) unterzogen. Das BOE ätzt die freiliegenden Oxidschichten 46 und 48 weg, um die Tintenzuführlöcher 26 zu vervollständigen. Das BOE ätzt von sowohl der Oberseite der Oxidschichten (von innerhalb der Tintenausstoßkammern 30) als auch der Unterseite der Oxidschichten, was zu einem relativ schnellen Ätzen führt. Es ist wichtig, dass bei dem Nassätzen keine Maskierung verwendet wird, da die freiliegenden Oxidschichten 46 und 48 auf der Oberseite und der Unterseite des Wafers bereits mit den Tintenzuführlochbereichen ausgerichtet sind.
  • 5 ist eine Querschnittsansicht eines größeren Abschnitts des Wafers, die der Top-Down-Ansicht aus 4 entspricht. Die geopferte Polysiliziumschicht 44 ist in gestricheltem Umriss gezeigt. Mögliche Dünnfilmschichten unterhalb der Öffnungsschicht 28 besitzen keine Funktion und sind nicht gezeigt.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel aus 5 wurde die PSG-Schicht 48 zurückgezogen und durch die darüber liegenden Passivierungsschichten vor Tinte geschützt. So ätzt bei dem Ausführungsbeispiel aus 5 das BOE-Nassätzen zur Fer tigstellung der Tintenzuführlöcher 26 nur durch die Feldoxidschicht 46.
  • Der resultierende Wafer wird dann gesägt, um die einzelnen Druckköpfe zu bilden. Eine flexible Schaltung wird verwendet, um elektrischen Zugang zu den Leitern auf dem Druckkopf zu schaffen. Die resultierende Anordnung wird dann an einer Kunststoffdruckkassette befestigt, wie z. B. derjenigen, die in 1 gezeigt ist, und der Druckkopf wird in Bezug auf den Druckkassettenkörper abgedichtet, um ein Tintenauslaufen zu verhindern.
  • Zusätzliche Details einer Bildung von Dünnfilmschichten sind in dem U.S.-Patent Nr. 6,336,714 mit dem Titel „Fully Integrated Thermal Inkjet Printhead Having Thin Film Layer Shelf" (vollständig integrierter thermischer Tintenstrahldruckkopf mit Dünnfilmschichteinsatz), eingereicht am 27. August 1999 von Naoto Kawamura u. a., das der vorliegenden Anmelderin zugewiesen ist, zu finden.
  • Der Graben 36 könnte sich über die Länge des Druckkopfs erstrecken oder zur Verbesserung der mechanischen Festigkeit des Druckkopfs nur über einen Abschnitt der Länge des Druckkopfs unterhalb der Tintenausstoßkammern erstrecken. Eine Passivierungsschicht könnte auf dem Substrat 20 aufgebracht sein, wenn eine Reaktion des Substrats mit der Tinte ein Problem ist.
  • Obwohl Polysilizium als die Opferschicht verwendet wurde, könnten weitere Materialien, wie z. B. Metalle, stattdessen verwendet werden. Ein geeignetes Metall ist Titan, das mit einem Wasserstoff-Peroxid-HF-Ätzmittel geätzt werden kann. Polysilizium ist jedoch vorzuziehen, da es unter Verwendung des gleichen TMAH-Ätzmittels geätzt wird, das zum Ätzen des Substrats 20 verwendet wird.
  • Ein Fachmann auf dem Gebiet der Herstellung integrierter Schaltungen würde die verschiedenen Techniken, die zur Bil dung der hierin beschriebenen Druckkopfstrukturen verwendet werden, verstehen. Die Dünnfilmschichten und ihre Dicken könnten variiert und einige Schichten gestrichen werden, während dennoch die Vorteile der vorliegenden Erfindung erhalten werden. Zusätzliche Tintenzuführlochstrukturen kommen ebenso in Frage.
  • 6 stellt ein Ausführungsbeispiel eines Tintenstrahldruckers 130 dar, der die Erfindung beinhalten kann. Zahlreiche weitere Entwürfe von Tintenstrahldruckern könnten gemeinsam mit dieser Erfindung verwendet werden, weitere Details eines Tintenstrahldruckers sind in dem U.S.-Patent Nr. 5,852,459 von Norman Pawlowski u. a. zu finden.
  • Der Tintenstrahldrucker 130 umfasst eine Eingangsablage 132, die Blätter von Papier 134 enthält, die unter Verwendung von Rollen 137 zum Drucken auf dieselben durch eine Druckzone 135 weitergeleitet werden. Das Papier 134 wird dann auf eine Ausgangsablage 136 weitergeleitet. Ein bewegbarer Wagen 138 hält Druckkassetten 140 bis 143, die cyanfarbige (C), schwarze (K), magentafarbige (M) bzw. gelbe (Y) Tinte drucken.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel werden Tinten in austauschbaren Tintenkassetten 146 über flexible Tintenschläuche 148 zu ihren zugeordneten Druckkassetten geführt. Die Druckkassetten könnten ebenso der Typ sein, der einen wesentlichen Fluidvorrat hält, und könnten nachfüllbar oder nicht nachfüllbar sein. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel sind die Tintenvorräte separat von den Druckkopfabschnitten und entfernbar an den Druckköpfen in dem Wagen 138 befestigt.
  • Der Wagen 138 wird durch ein herkömmliches Riemen- und Scheibensystem entlang einer Bewegungsachse bewegt und gleitet entlang eines Gleitstabs 150. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel ist der Wagen feststehend und ein Array feststehender Druckkassetten druckt auf ein sich bewegendes Blatt Papier.
  • Drucksignale von einem herkömmlichen externen Computer (z. B. einem PC) werden durch den Drucker 130 verarbeitet, um eine Bittabelle der zu druckenden Punkte zu erzeugen. Die Bittabelle wird dann in Abfeuerungssignale für die Druckköpfe umgewandelt. Die Position des Wagens 138, wenn sich derselbe während des Druckens entlang der Bewegungsachse hin- und herbewegt, wird aus einem optischen Codiererstreifen 152 bestimmt, der durch ein photoelektrisches Element auf dem Wagen 138 erfasst wird, um zu bewirken, dass die verschiedenen Tintenausstoßelemente auf jedem Druckwagen selektiv zu der geeigneten Zeit während einer Wagenbewegung abgefeuert werden.
  • Der Druckkopf könnte resistive, piezoelektrische oder weitere Typen von Tintenausstoßelementen verwenden.
  • Wenn sich die Druckkassetten in dem Wagen 138 über ein Blatt Papier bewegen, überlappen sich die durch die Druckkassetten gedruckten Bänder. Nach einer oder mehreren Bewegungen wird das Blatt Papier 134 in eine Richtung in Richtung der Ausgangsablage 136 verschoben und der Wagen 138 fährt mit dem Bewegen fort.
  • Die vorliegende Erfindung ist gleichermaßen auf alternative Drucksysteme (nicht gezeigt) anwendbar, die alternative Medien und/oder Druckkopfbewegungsmechanismen verwenden, wie z. B. diejenigen, die eine Splitrollen-, Rollenzuführ- oder Trommel- oder Vakuumriementechnologie verwenden, um das Druckmedium relativ zu den Druckkopfanordnungen zu tragen und zu bewegen. Bei einem Splitradentwurf bewegen ein Splitrad und eine Andruckrolle das Medium entlang der Achse vor und zurück, während ein Wagen, der eine oder mehrere Druckkopfanordnungen trägt, sich an dem Medium entlang einer orthogonalen Achse vorbeibewegt. Bei einem Trommeldruckerentwurf sind die Medien an einer sich drehenden Trommel angebracht, die entlang einer Achse gedreht wird, während ein Wagen, der eine oder mehrere Druckkopfanordnungen trägt, sich an den Medien entlang einer orthogonalen Achse vorbeibewegt. Bei entweder dem Trommel- oder dem Splitradentwurf wird die Bewegung üblicherweise nicht in einer Vor- und Zurück-Weise durchgeführt, wie dies für das in 3 dargestellte System der Fall ist.
  • Mehrere Druckköpfe könnten auf einem einzelnen Substrat gebildet sein. Ferner könnte sich ein Array von Druckköpfen über die gesamte Breite einer Seite erstrecken, so dass keine Bewegung des Druckkopfs benötigt wird; nur das Papier wird senkrecht zu dem Array verschoben.
  • Zusätzliche Druckkassetten in dem Wagen könnten andere Farben oder Fixierer umfassen.

Claims (11)

  1. Ein Verfahren zum Bilden einer Druckvorrichtung, mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Druckkopfsubstrats (20); Bilden einer Polysiliziumschicht (44) über einer ersten Oberfläche des Substrats, wobei die Polysiliziumschicht Peripherieabschnitte zum Definieren von Kanten eines Grabens (36), der nachfolgend in dem Substrat gebildet werden soll, aufweist, wobei die Peripherieabschnitte mit einer beabsichtigten Grenze von Tintenzuführlöchern (26), die später gebildet werden sollen, ausgerichtet sind; Bilden einer Mehrzahl von Dünnfilmschichten (46, 48) auf der ersten Oberfläche des Substrats, wobei zumindest eine der Schichten eine Mehrzahl von Tintenausstoßelementen (24) bildet; Bilden von Tintenzuführöffnungen (26) durch zumindest einige der Dünnfilmschichten; Bilden einer Mündungsschicht (20) über den Dünnfilmschichten, wobei die Mündungsschicht eine Mehrzahl von Tintenausstoßkammern (30) definiert, wobei jede Kammer ein Tintenausstoßelement in sich aufweist, und wobei die Mündungsschicht ferner eine Düse (34) für jede Tintenausstoßkammer definiert; Maskieren einer zweiten Oberfläche des Substrats, um ein Grabenätzen durchzuführen; Ätzen der zweiten Oberfläche des Substrats unter Verwendung eines Nassätzmittels, um einen Graben zu bilden, wobei das Ätzen auch die Polysiliziumschicht ätzt, und wobei der Graben zumindest einige Kanten aufweist, die mit den Peripherieabschnitten der Polysiliziumschicht ausgerichtet sind; und Nassätzen von Abschnitten der Dünnfilmschichten, die durch die Tintenzuführöffnungen und durch den Graben freiliegen, um Kanten des Grabens im Wesentlichen mit den Tintenzuführlöchern selbst auszurichten, die voll-ständig durch die Dünnfilmschichten hindurch gebildet sind.
  2. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem die Dünnfilmschichten eine oder mehrere Oxidschichten (46, 48) umfassen, wobei das Nassätzen Abschnitte der einen oder mehreren Oxidschichten wegätzt, um die Tintenzuführlöcher (26) zu bilden.
  3. Das Verfahren gemäß Anspruch 2, bei dem die Oxidschichten eine Feldoxidschicht (46) aufweisen.
  4. Das Verfahren gemäß Anspruch 2, bei dem die Oxidschichten eine PSG-Schicht (48) aufweisen.
  5. Das Verfahren gemäß Anspruch 2, bei dem die Oxidschichten eine NOX-Schicht aufweisen.
  6. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem die Mündungsschicht (28) zumindest teilweise Grenzen der Tintenzuführlöcher (26) definiert.
  7. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Ätzen der zweiten Oberfläche des Substrats, um einen Graben (36) zum bilden, ein Ätzen des Substrats (20) mit einer TMAH-Lösung aufweist, um eine gewinkelte Grabenkante in Bezug auf die zweite Oberfläche zu bilden.
  8. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Nassätzen ein Pufferoxidätzen verwendet.
  9. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Nassätzen ohne eine Maske durchgeführt wird.
  10. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Druckkopfsubstrat Teil eines Halbleiterwafers ist, wobei das Verfahren ferner folgende Schritte aufweist: Heraustrennen von Druckköpfen aus dem Wafer; und Einbauen der Druckköpfe in Druckkassetten (10).
  11. Das Verfahren gemäß Anspruch 10, das ferner ein Einbauen der Druckkassetten (10) in Tintenstrahldrucker (130) aufweist.
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