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Hintergrund
der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft allgemein das Tintenstrahldrucken
und insbesondere Dünnschicht-Tintenstrahldruckköpfe für Tintenstrahlpatronen
sowie Herstellungsverfahren für
solche Druckköpfe.
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Die
Technik des Tintenstrahldruckens ist relativ weit entwickelt. Kommerzielle
Produkte wie Computerdrucker, Grafikplotter und Faxgeräte wurden
mit Tintenstrahltechnologie zum Erstellen von gedruckten Medien
realisiert. Die Beiträge
der Hewlett-Packard Company zur Tintenstrahltechnologie sind beispielsweise
in verschiedenen Artikeln im Hewlett-Packard Journal, Vol. 36, Nr.
5 (Mai 1985); Vol. 39, Nr. 5 (Oktober 1988); Vol. 43, Nr. 4 (August
1992); Vol. 43, Nr. 6 (Dezember 1992) und Vol. 45, Nr. 1 (Februar
1994) beschrieben.
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Generell
wird eine Tintenstrahl-Darstellung entsprechend einer präzisen Plazierung
von Tintentropfen, die durch eine als Tintenstrahldruckkopf bekannte,
Tintentropfen erzeugende Vorrichtung ausgestoßen werden, auf einem Druckmedium
gebildet. Typischerweise wird ein Tintenstrahldruckkopf auf einem
beweglichen Wagen, der sich über
die Oberfläche
des Druckmediums bewegt, getragen und gesteuert, Tintenstrahlen
zu Zeitpunkten gemäß eines
Befehls eines Mikrocomputers oder anderen Steuergerätes auszustoßen, wobei
beabsichtigt ist, daß das
Timing des Aufbringens der Tintentropfen einem Pixelmuster eines
zu druckenden Bildes entspricht.
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Ein
typischer Tintenstrahldruckkopf von Hewlett-Packard umfaßt eine
Feldanordnung von präzise
geformten Düsen
in einer Düsenplatte,
die an einer Tintensperrschicht angebracht ist, die wiederum an
einer Dünnschicht-Unterstruktur
befestigt ist, die Heizwiderstände
zum Abfeuern von Tinte und Vorrichtungen zur Ansteuerung der Widerstände realisiert.
Die Tintensperrschicht definiert Tintenkanäle und über den zugehörigen Heizwiderständen zum
Abfeuern von Tinte vorgesehene Tintenkammern, wobei die Düsen der
Düsenplatte
mit den zuge hörigen
Tintenkammern verbunden sind. Bereiche zum Erzeugen von Tintentropfen
werden durch die Tintenkammern und Abschnitte der Dünnschicht-Unterstruktur
der Düsenplatten
gebildet, die an die Tintenkammern angrenzen.
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Die
Dünnschicht-Unterstruktur
umfaßt
typischerweise ein Substrat wie Silizium, auf dem verschiedene Dünnfilmschichten
ausgebildet sind, die Dünnschicht-Heizwiderstände, Vorrichtungen
zum Ansteuern dieser Widerstände
und ferner Verbindungen zu Haftpads bzw. Bonding-Pads ausgestalten,
die für
elektrische Verbindungen zum Druckkopf vorgesehen sind. Die Dünnfilm-Unterstruktur
umfaßt
insbesondere eine obere Dünnschichtlage
aus Tantal, die auf den Widerständen
als thermomechanische Passivierungsschicht aufgebracht ist.
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Die
Tintensperrschicht ist typischerweise ein Polymermaterial, das als
trockener Film auf die Dünnschicht-Unterstruktur
aufgetragen ist und dafür
ausgelegt ist, durch Licht definierbar und sowohl durch UV-Strahlung
als auch durch Wärmestrahlung
aushärtbar
zu sein.
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Ein
Beispiel einer körperlichen
Anordnung der Düsenplatte,
Tintensperrschicht und Dünnschicht-Unterstruktur
ist im oben zitierten Hewlett-Packard Journal vom Februar 1994 auf
Seite 44 dargestellt. Weitere Beispiele von Tintenstrahldruckköpfen sind
in den in diesem Zusammenhang üblicherweise
genannten US-Patenten U.S. 4,719,477 und U.S. 5,317,346 angegeben.
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Überlegungen
zu der oben beschriebenen Tintenstrahldruckkopfarchitektur betreffen
das Ablösen
der Düsenplatte
von der Tintensperrschicht und das Ablösen der Tintensperrschicht
von der Dünnschicht-Unterstruktur.
Ablösungen
treten hauptsächlich
wegen Feuchtigkeit in der Umgebung sowie auch der Tinte wegen auf,
die in kontinuierlichem Kontakt mit den Kanten der Grenzfläche von
Dünnschicht-Unterstruktur/Sperrschicht
und der Grenzfläche
Sperrschicht/Düsenplatte
in den Bereichen der Tropfenerzeugung ist.
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Es
wurde festgestellt, daß Tantalschichten
zur thermomechanischen Passivierung die zusätzliche Wirkung haben, die
Anhaftung an der Tintensperrschicht zu verbessern. Während sich
jedoch erwiesen hat, daß die
Sperrschichthaftung an Tantal für
Druckköpfe,
die in eine Einweg-Tintenstrahlpatrone eingearbeitet sind, ausreichend
ist, ist die Schichtanhaftung an Tantal nicht robust genug für semi-permanente
Tintenstrahldruckköpfe,
die nicht so häufig
ersetzt werden. Zudem führten
neue Entwicklungen im Bereich der Tintenchemie zu Rezepturen, welche
die Grenzfläche
zwischen der Dünnschicht-Unterstruktur
und der Sperrschicht sowie die Grenzfläche zwischen Sperrschicht und
Düsenplatte
noch aggressiver ablösen.
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Insbesondere
gelangt aufgrund des Eindringens durch die Masse der Sperrschicht,
aufgrund des Eindringens entlang der Sperrschicht, und im Falle
einer Düsenplatte
aus Polymer aufgrund des Eindringens durch die Masse der Düsenplatte
Wasser der Tinte in die Grenzfläche
zwischen Dünnschicht-Unterstruktur
und Sperrschicht sowie in die Grenzfläche zwischen Sperrschicht und
Düsenplatte,
wodurch an den Grenzflächen durch
chemischer Mechanismen, wie Hydrolyse, Ablösungen auftreten.
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Tantal
als Verbindungsoberfläche
führt zu
der Schwierigkeit, daß die
Tantalschicht aus reinem Tantal besteht, wenn sie in einer Sputter-Anlage
erzeugt wurde, sich aber eine Tantaloxidschicht bildet, sobald die Tantalschicht
einer Atmosphäre
mit Sauerstoff ausgesetzt wird. Die chemische Bindung zwischen einem
Oxid und einem Polymerfilm neigt leicht dazu, sich durch Wasser
zu verschlechtern, da das Wasser eine Wasserstoffverbindung mit
dem Oxid eingeht, das mit der ursprünglichen Verbindung zwischen
Polymer und Oxid konkurriert und diese ersetzt, und daher Tintenrezepturen,
insbesondere aggressivere Rezepturen, die Haftung zwischen einem
Metalloxid und einer Polymersperrschicht lösen.
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Die
Druckschrift
EP 475
235 A1 offenbart einen thermischen Tintenstrahldruckkopf
mit einem Substrat, auf dem eine thermische Sperrschicht oder Kapazitätsschicht
angeordnet ist, und das ferner eine Widerstandsschicht umfaßt, welche
Tantal-Aluminium umfaßt,
das auf der thermischen Sperrschicht ausgebildet ist und sich über Bereiche
erstreckt, die unterhalb der Tintenabfeuerungs-Düsenstrukturen angeordnet sind. Über die Widerstandsschicht
wird eine Metallisierungsschicht angeordnet, und eine erste Passivierungsschicht
mit Siliziumcarbid und Siliziumnitrit wird über die Metallisierungsschicht
angeordnet, wobei eine zweite Passivierungsschicht mit Tantal über der
ersten Passivierungsschicht in Bereichen angeordnet wird, in denen
die Tintenstrahlwiderstände
und energiesteuernden Widerstände überdeckt
sind, und die ferner die erste Passivierungsschicht an Kanten des
Substrats überdeckt.
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Die
Druckschrift
EP 0 317
171 A2 offenbart einen thermischen Tintenstrahldruckkopf
mit einem Silizium- oder Glassubstrat, das als Ausgangsmaterial
für das
Dünnfilm-Widerstandssubstrat
verwendet wird, welches behandelt wird, um eine Oberflächenschicht
eines Widerstands-Heizmaterials zu empfangen, beispielsweise Tantal-Aluminium.
Die Wi derstands-Heizschicht ist wiederum eingerichtet, eine Schicht
Leiterbahnmaterials, beispielsweise Aluminium oder Gold, zu empfangen.
Die Leiterbahnschicht wird mittels üblicher photolithographischer
Maskierungs- und Ätzprozesse
ausgestaltet. Nachdem diese Struktur vervollständigt ist, wird eine Widerstands-Heizsperrschicht
vorgesehen, die aus einer Kombination einer anfänglichen Dünnschicht aus Siliziumnitrid
besteht, um die darunterliegenden Heizwiderstände und das Leiterbahnmaterial
zu isolieren, auf der wiederum eine äußere Siliziumcarbid-Schicht
ausgebildet wird, indem Nitrid- und Carbid-Abscheidungstechniken
verwendet werden.
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ABRISS DER
ERFINDUNG
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Es
wäre daher
vorteilhaft, einen verbesserten Tintenstrahldruckkopf vorzusehen,
der die Ablösung
der Grenzfläche
zwischen der Dünnschicht-Unterstruktur
und der Tintensperrschicht verringert.
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Es
wäre ferner
vorteilhaft, einen verbesserten Tintenstrahldruckkopf vorzusehen,
der die Ablösung
der Schnittstelle zwischen Tintensperrschicht und der Düsenplatte
verringert.
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Ein
weiterer Vorteil würde
darin bestehen, in einem Tintenstrahldruckkopf eine Verbindungsoberfläche vorzusehen,
die Verbindungsstellen vorsieht, mit denen eine Polymer-Sperrschicht eine
stabile chemische Haftung eingehen kann.
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Die
oben genannten und weiteren Vorteile werden durch die Erfindung
mittels eines Tintenstrahldruckkopfs gemäß Anspruch 1 vorgesehen.
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Kurzbeschreibung
der Zeichnungen
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Die
Vorteile und Merkmale der offenbarten Erfindung werden für den Fachmann
anhand der folgenden detaillierten Beschreibung leicht verständlich sein,
wenn sie in Verbindung mit den Zeichnungen gelesen wird.
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Es
zeigen:
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1 eine
schematische, teilweise geschnittene perspektivische Ansicht eines
Tintenstrahldruckkopfes gemäß der Erfindung;
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2 eine
nicht maßstäbliche Draufsicht
der Gesamtanordnung einer Dünnschicht-Unterstruktur des Tintenstrahldruckkopfes
nach 1;
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3 eine
nicht maßstäbliche Draufsicht,
welche die Konfigurierung einer Vielzahl von typischen Heizwiderständen, Tintenkammern
und zugehörigen
Tintenkanälen
zeigt;
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4 eine
nicht maßstäbliche Querschnittsansicht
seitlich durch einen typischen Bereich zur Tintentropfenerzeugung
eines Tintenstrahldruckkopfes nach 1 und zeigt
eine Ausführungsform
des Druckkopfes nach 1;
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5 eine
nicht maßstäbliche Querschnittansicht
eines Tintenstrahldruckkopfes nach 1 seitlich durch
einen typischen Bereich zur Tintentropfenerzeugung gemäß einer
weiteren Ausführung
des Druckkopfes nach 1;
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6 eine
nicht maßstäbliche Querschnittdarstellung
durch den Tintenstrahldruckkopf nach 1 seitlich
durch einen typischen Bereich zur Tintenstrahlerzeugung gemäß einer
Ausführung
des Druckkopfes nach 1, die der Ausführung nach 4 ähnelt und
eine zusätzliche
Haft-Promoterschicht aufweist;
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7 eine
nicht maßstäbliche Querschnittansicht
seitlich durch einen typischen Bereich zur Tintentropfenerzeugung
des Tintenstrahldruckkopfes nach 1 gemäß einer
Ausführung
des Druckkopfes nach 1, die der Ausführung nach 5 ähnelt und
eine zusätzliche
Haft-Promoterschicht aufweist;
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8 eine
nicht maßstäbliche Querschnittansicht
eines Druckkopfes nach 1, der die Verbindung von Carbid
und Haft-Promoter der Düsenplatte
zeigt.
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Detaillierte
Beschreibung der Erfindung
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In
der folgenden detaillierten Beschreibung und in den verschiedenen
Figuren der Zeichnung sind gleiche Elemente durch die gleichen Bezugszeichen
gekennzeichnet.
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In 1 ist
in einer nicht maßstäblichen
schematischen perspektivischen Ansicht ein Tintenstrahldruckkopf
gezeigt, bei welchem die Erfindung verwirklicht sein kann und der
hauptsächlich
aufweist: (a) eine Dünnschicht-Unterstruktur
oder -Platte 11, die ein Substrat, z.B. Siliziumsubstrat
mit verschiedenen, darauf geformten Dünnfilm-Schichten umfaßt, (b)
eine auf der Dünnfilm-Unterstruktur 11 angeordnete
Tintensperrschicht und (c) eine Düsenplatte 13, die
mit der Oberseite der Tintensperrschicht 12 über eine
Carbid-Haftschicht 14 verbunden ist.
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Die
Dünnschicht-Unterstruktur 11 ist
gemäß konventionellen
Techniken für
integrierte Schaltkreise gebildet und umfaßt darin ausgebildete Dünnschicht-Heizwiderstände 56.
Als veranschaulichendes Beispiel sind die Dünnschicht-Heizwiderstände 56 in
Reihenanordnung entlang der Längskanten
der Dünnschicht-Unterstruktur
vorgesehen.
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Die
Tintensperrschicht 12 ist durch einen trockenen Film ausgebildet,
der mittels Hitze und Druck auf die Dünnschicht-Unterstruktur 11 laminiert
ist und durch Licht definierbar ist, um darin Tintenkammern 19 und Tintenkanäle 29 auszubilden,
die über
Widerstandsbereichen angeordnet sind, welche auf einer Seite einer etwa
zentral angeordneten Goldschicht 62 (2)
auf der Dünnschicht-Unterstruktur 11 angeordnet
sind. An den Enden der Dünnschicht-Unterstruktur sind
Gold-Kontaktstellen 71 zur externen elektrischen Verbindung angebracht,
die nicht von der Tintensperrschicht 12 bedeckt sind. Wie
hier im weiteren anhand der 2 erläutert, umfaßt die Dünnschicht-Unterstruktur 11 eine
strukturierte Goldschicht 62, die etwain der Mitte zwischen
den Reihen der Heizwiderstände
angeordnet ist, und die Tintensperrschicht 12 bedeckt den
größten Teil der
strukturierten Goldschicht 62 sowie die Bereiche zwischen
den benachbarten Heizwiderständen 56.
Als veranschaulichendes Beispiel umfaßt das Sperrschicht-Material
einen trockenen Fotorpolymerfilm wie den Trocken-Fotorpolymerfilm
der Marke "Parad", beziehbar von E.I.
duPont de Nemours and Company of Wilmington, Delaware. Ähnliche
Trockenfilme beinhalten andere duPont-Produkte wie den Trockenfilm
der Marke "Riston" und Trockenfilme
von anderen Anbietern chemischer Produkte. Die Düsenplatte 13 umfaßt beispielsweise
ein ebenes Substrat eines Polymermaterials, in dem die Düsen durch
Laserabtragung ausgebildet sind, wie beispielsweise in U.S. Patent
5,469,199 offenbart ist. Die Düsenplatte
kann auch Metallbeschichtungen wie Nickel umfassen.
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Die
Tintenkammern 19 in der Tintensperrschicht 12 sind
oberhalb der entsprechenden Widerstände zum Abfeuern von Tinte 56 angeordnet,
und jede Tintenkammer 19 ist durch die Kante einer in der
Sperrschicht 12 gebildeten Kammeröffnung ausgebildet bzw. definiert.
Die Tintenkanäle 29 sind
durch weitere, in der Sperrschicht 12 ausgebildete Öffnungen
festgelegt und mit den entsprechenden Kammern zum Abfeuern von Tinte einteilig
verbunden. Als veranschaulichendes Beispiel zeigt 1 eine
Konfiguration zur Speisung über
den äußeren Rand,
wobei sich die Tintenkanäle 29 zu
einem äußeren Rand
hin öffnen,
der von der äußeren Um randung
der Dünnschicht-Unterstruktur 11 gebildet
ist und Tinte äußeren Ränder der
Dünnschicht-Unterstruktur
zu den Tintenkanälen 29 und
den Tintenkammern 19 gespeist wird, wie es insbesondere
in dem U.S. Patent 5,278,584 offenbart ist. Die Erfindung kann ebenfalls
bei einem Tintenstrahldruckkopf realisiert sein, der über einen
inneren Rand gespeist wird, wie im U.S. Patent 5,317,346 offenbart,
indem die Tintenkanäle
sich zu einem Rand hin öffnen,
der durch einen Schlitz in der Mitte der Dünnschicht-Unterstruktur gebildet
ist.
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Die
Düsenplatte 13 hat
Düsen 21,
die oberhalb der entsprechenden Tintenkammer 19 angebracht sind,
so daß ein
Widerstand zum Abfeuern von Tinte 56, eine zugehörige Tintenkammer 19 und
eine zugehörige
Düse 21 miteinander
verbunden sind. Ein Bereich zur Erzeugung von Tintentropfen ist
durch jede Tintenkammer 19, Teile der Dünnschicht-Unterstruktur 11 und
der Düsenplatte 13 gebildet,
die zur Tintenkammer 19 benachbart sind.
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In 2 ist
eine nicht maßstabsgetreue
Draufsicht der Gesamtanordnung der Dünnschicht-Unterstruktur 11 gezeigt. Die
Widerstände
zum Abfeuern von Tinte 56 sind durch Widerstandsbereiche
gebildet, die zu den Längsrändern der
Dünnschicht-Unterstruktur 11 benachbart
sind. Eine strukturierte Goldschicht 62, die Leiterbahnen
aus Gold umfaßt,
bildet die oberste Schicht der Dünnschichtstruktur
in dem Bereich einer Goldschicht 162, die in der Mitte
der Dünnschicht-Unterstruktur 11 zwischen
den Widerstandsbereichen angeordnet ist und sich zwischen den Enden
der Dünnschicht-Unterstruktur 11 ausdehnt.
Kontaktstellen 71 zur Verbindung nach außen sind
in der strukturierten Goldschicht 62 ausgebildet, z.B.
angrenzend an den Enden der Dünnschicht-Unterstruktur 11.
Die Tintentsperrschicht 12 ist derart ausgebildet, daß sie die
gesamte strukturierte Goldschicht 62 bis auf die Kontaktstellen 71 und
ebenfalls die Bereiche zwischen den entsprechenden Öffnungen,
die die Tintenkammern und die zugehörigen Tintenkanäle bilden,
bedeckt. Abhängig
von der Ausführungsform
können
eine oder mehrere Dünnschichtlagen über der
strukturierten Goldschicht 62 angeordnet sein.
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In 3 ist
eine nicht maßstabsgetreue
Draufsicht dargestellt, die die Anordnung mehrerer typischer Heizwiderstände 56,
Tintenkammern 19 und zugehörigen Tintenkanäle 29 zeigt.
Wie in 4 gezeigt, haben die Heizwiderstände 56 die
Form eines Polygons (z.B. rechteckig) und sind mindestens an. zwei
Seiten durch die Wand einer Tintenkammer 19 begrenzt, die
beispielsweise mehrseitig sein kann. Die Tintenkanäle 29 erstrecken
sich von der zugehörigen
Tintenkammer 19 weg und können in einigem Abstand von
der Tintenkammer 19 brei ter werden. Insofern, als benachbarte
Tintenkanäle 29 sich
im allgemeinen in die gleiche Richtung erstrecken, bilden daher
diejenigen Abschnitte der Tintensperrschicht 12, welche
die Öffnungen
formen, die die Tintenkammer 19 und die Tintenkanäle 29 bilden,
eine Reihe von Sperrschichtspitzen 12a, die sich in Richtung
eines benachbarten Speiserandes der Dünnschicht-Unterstruktur 11 von
einem zentralen, die strukturierte Goldschicht 62 bedeckenden
Teil der Sperrschicht 12 aus erstrecken und sich auf der
Seite der Heizwiderstände 56 befinden,
abgewandt von dem benachbarten Speiserand. Mit anderen Worten sind
die Tintenkammer 19 und die zugehörigen Tintenkanäle 29 durch
eine Reihe von nebeneinander angeordneten Sperrschichtspitzen 12a gebildet,
die sich von einem zentralen Teil der Tintensperrschicht 12 in
Richtung eines Speiserandes der Dünnschicht-Unterstruktur 11 hin
erstrecken.
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Die
Dünnschicht-Unterstruktur 11 schließt eine
strukturierte Tantalschicht 61 (4) mit Inseln
in der Tantalschicht oder mit Unterbereichen 61a ein, die
die oberste Dünnfilmschicht über den
Heizwiderständen 56 darstellen.
Die Tantal-Unterbereiche 61a befinden sich zwischen den
entsprechenden Tintenkammern 19 und den Teilen des Tintenkanals 19,
der zu den zugehörigen
Tintenkammern 29 benachbart ist, so daß sie sich zumindest in den
Bereichen befinden, in denen die Tintenblasen kollabieren.
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Gemäß der Erfindung
umfaßt
die Dünnschicht-Unterstruktur 11 eine
Silizium-Carbid-Schicht mit verbessertem Kontakt zu der Tintensperrschicht
nächst
den Tintenkammern und Tintenkanälen
und bildet einen Silizium-Carbid-Polymerverbund mit der Polymer-Tintensperrschicht 12 aus.
Idealerweise ist im wesentlichen die gesamte Sperrschicht, die sich
in der Nachbarschaft der Tintenkammern und der Tintenkanäle befindet,
in Kontakt mit dem Siliziumcarbid. Ferner umfaßt gemäß der Erfindung die Dünnschicht-Unterstruktur 11 eine
Silizium-Carbid-Schicht mit verbessertem Kontakt zu der Tintensperrschicht
in der Nähe
der Tintenkammer und erstreckt sich über den größten Teil der strukturierten
Goldschicht. Entsprechend eines weiteren Aspektes der Erfindung
ist eine Silizium-Carbid-Schicht 14 (1)
zwischen der Tintensperrschicht 12 und der Düsenplatte 13 eingefügt.
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Es
wurde empirisch festgestellt, daß die Beschichtung einer Grenzfläche zwischen
der Tintensperrschicht 12 und einer Silizium-Carbid-Schicht
durch Druck und Hitze einen robusten Haftverbund zwischen der Polymer-Tintensperrschicht
und dem Silizium-Carbid bietet. Eine Dünnschicht-Haft-Promoterschicht
kann optional zwischen der Tintensperrschicht und der Siliziumcarbidschicht
aufgebracht werden. Daher konzentriert sich die Erfindung allgemein auf
die Grenzfläche
zwischen einer Polymer-Tintensperrschicht und einer Siliziumcarbidschicht
entweder ohne eine zwischenliegende Dünnfilmschicht oder mit einer
zwischenliegenden Haft-Promoterschicht. Wie auch bei der Grenzfläche zwischen
der Dünnschicht-Unterstruktur 11 und
der Tintensperrschicht 12, wird die Grenzfläche zwischen
Tintensperrschicht und der Siliziumcarbidschicht in der Nähe der Tintenkammern
und der Tintenkanäle
so groß wie
möglich
ausgeführt,
wobei Prozeßbeschränkungen
und das Erfordernis zu beachten sind, ungeschützte Tantalränder in
den Tintenkammern, die schädliche Vorab-Blasenbildung erzeugen
würden,
zu vermeiden. Beispielsweise erstreckt sich die Siliziumcarbid-Sperr-Grenzfläche von
zumindest dem Goldschichtbereich zu den Enden der Sperrschichtspitzen 12a.
Wie auch die Grenzfläche
zwischen der Düsenplatte 13 und
der Tintensperrschicht 12, erstreckt sich eine solche Grenzfläche über im wesentlichen
die gesamte obere Fläche
der Tintensperrschicht 12.
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In 4 ist
ein nicht maßstäblicher
schematischer Querschnitt des Tintenstrahldruckkopfes nach 1 durch
einen typischen Bereich der Tintentropfenerzeugung und durch einen
Teil des zentral angeordneten Goldschichtbereichs 162 dargestellt
und zeigt eine spezielle Ausführung
der Dünnschicht-Unterstruktur 11. Die
Dünnschicht-Unterstruktur 11 eines
Tintenstrahldruckkopfes nach 4 umfaßt insbesondere
ein Siliziumsubstrat 51, eine über dem Siliziumsubstrat 51 liegende
Feld-Oxidschicht 53 und eine strukturierte, phosphor-dotierte
Oxidschicht 54, die über
der Feld-Oxidschicht 53 liegt. Eine Widerstandsschicht 55 aus
Tantal-Aluminium
ist auf der Phosphor-Oxidschicht 54 ausgebildet und erstreckt
sich über
Gebiete, in denen Dünnschichtwiderstände einschließlich der
Heizwiderstände
zum Abfeuern von Tinte 56 neben der Tintenkammer 19 ausgebildet
sind. Eine strukturierte Metallisierungsschicht 57, die
beispielsweise Aluminium, dotiert mit einem kleinen Anteil von Kupfer
und/oder Silizium umfaßt,
ist oberhalb der Widerstandsschicht 55 angeordnet.
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Die
Metallisierungsschicht 57 umfaßt metallisierte Leiterbahnen,
die durch geeignetes Maskieren und Ätzen gebildet sind. Das Maskieren
und Ätzen
der Metallisierungsschicht 57 definiert auch die Widerstandsbereiche.
Insbesondere sind die Widerstandsschicht 57 und die Metallisierungsschicht 55 etwa
aufeinander ausgerichtet mit Ausnahme der in der Metallisierungsschicht 57 liegenden
Teile der Leiterbahnen, die in den Gebieten, in denen die Widerstände ausgebildet
sind, entfernt sind. Auf diese Weise umfaßt der Leitungspfad an einer
in der Metallisierungsschicht liegenden Leiterbahnlücke einen
Teil der Widerstandsschicht 55, die an einer Öffnung oder
Lücke im
Leitungspfad liegt. Mit anderen Worten ist ein Widerstandsbereich
dadurch festgelegt, daß erste
und zweite metallische Leiterbahnen bereitgestellt sind, die an
verschiedenen Stellen des Umfangs des Widerstandsbereiches enden.
Die ersten und zweiten Leiterbahnen umfassen den Anschluß oder die
Anschlußleitungen
des Widerstandes, die einen Abschnitt der Widerstandsschicht wirksam
einbeziehen, der sich zwischen den Enden der ersten und zweiten
Leiterbahnen befindet. Gemäß dieser
Technik zum Ausbilden der Widerstände können die Widerstandsschicht 55 und
die Metallisierungsschicht gleichzeitig geätzt werden, so daß sich zueinander
ausgerichtete, strukturierte Schichten gebildet werden. Daraufhin
werden die Lücken
in die Metallisierungsschicht 57 geätzt, um Widerstände auszubilden.
Die Widerstände
zum Abfeuern von Tinte 56 werden daher speziell in der
Widerstandsschicht 55 entsprechend den Leiterbahnlücken in der
Metallisierungsschicht 57 gebildet.
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Eine
Verbund-Passivierungsschicht, die aus einer Schicht aus Siliziumnitrid
(Si3N4) 59 und
einer Siliziumcarbidschicht (SiC) 60 zusammengesetzt ist,
bedeckt die Metallisierungsschicht 57, freigelegte Teile
der Widerstandsschicht 55 und freigelegte Teile der Oxidschicht 53.
In Bereichen, in denen die Tintenblasen kollabieren, ist auf einer
Verbund-Passivierungsschicht 59 eine Tantal-Passivierungsschicht 61 angelegt,
die insbesondere Inseln oder Untergebiete 61a unterhalb
der Tintenkammern 19 und von Abschnitten zugehöriger Tintenkanäle 29 benachbart
den Tintenkammern mit ein, wie in der Draufsicht von 3 gezeigt
ist. Die Untergebiete 61a der Tantal-Passivierungsschicht
schaffen für
die Widerstände
zum Abfeuern von Tinte eine mechanische Passivierung, indem sie
den Kavitationsdruck der kollabierenden treibenden Blase absorbieren.
Die Tantal-Passivierungsschicht 61 kann sich auch über Gebiete
ausdehnen, über
denen die strukturierte Goldschicht 62 gebildet ist, um
eine externe elektrische Verbindung zur Metallisierungsschicht 57 über leitende
Pfade 58 herzustellen, die in der Verbund-Passivierungsschicht 59, 60 ausgebildet
sind.
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Entsprechend
einem Aspekt der Erfindung, sind die Gebiete der Grenzfläche zwischen
Siliziumcarbidschicht 60 und Tintensperrschicht 12 vorzugsweise
in der Nähe
der Tintenkammern 19 und der Tintenkanäle 29 maximiert. Beispielsweise
erstreckt sich die Siliziumcarbid-Sperrschicht-Grenzfläche zwischen dem Bereich zwischen
den Widerständen 56 und
der strukturierten Goldschicht 62 zum Ende der Sperrschichtspitzen 12a und
die Tantaluntergebiete 61a sind nach Maßgabe der Prozeßeinschränkungen
so nah wie möglich
an die Ränder
der Sperrschicht 12 zurückgeätzt, welche
die Tintenkammern 19 und die Tintenkanäle ausbilden, während gleichzeitig
sichergestellt ist, daß die
Ränder
der Tantal-Untergebiete 61a außerhalb der Tintenkammmern 19 liegen.
Mit anderen Worten erstrecken sich die Tantal- Unterbereiche 61a unterhalb
der Tintenkammern 19 und der Abschnitte der Tintenkanäle 29 (3)
um einen minimalen Betrag unter die Tintensperrschicht 12 in
Nähe der
Tintenkammer 19, was sicherstellt, daß die Ränder der Tantal-Untergebiete
außerhalb der
Tintenkammern 19 liegen. Daher ist die Tantal-Passivierungsschicht
in der Nähe
der Tintenkammer 19 61 so weit wie praktisch möglich zurückgeätzt, so
daß sie
sich um einen minimalen Betrag unter die Tintensperrschicht 12 benachbart
der Tintenkammern 19 zu liegen kommt. Beispielsweise ist
die Tantalschicht 61 derart geätzt, daß sich die Untergebiete 61a mindestens
ungefähr
8 Mikrometer unter die Tintensperrschicht 12 benachbart
der Tintenkammer 19 ausdehnen. In dieser Weise ist der
Kontakt in und um die Tintenkammer 19 und die Tintenkanäle 29 herum
zwischen der Tintensperrschicht 12 und der Siliziumcarbidschicht 60 maximiert,
und in der Nähe
der Tintenkammer 19 und der Tintenkanäle 29 ist der größte Teil
der Tintensperrschicht mit dem Siliziumcarbid verbunden.
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Als
veranschaulichendes Beispiel wird das Tantal mit einer Mischung
aus Essig-, Salpeter-, und Fluorwasserstoffsäure naßgeätzt, um Gebiete der Siliziumcarbidschicht 60 freizulegen.
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In 5 ist
ein nicht maßstäblich schematischer
Querschnitt eines Tintenstrahldruckkopfes nach 1 durch
eine typische Region der Tintentropfenerzeugung und durch einen
Teil der strukturierten Goldschicht 62 dargestellt und
zeigt eine weitere spezielle Ausführungsform eines Tintenstrahldruckkopfes
gemäß der Erfindung.
Der Tintenstrahldruckkopf nach 5 gleicht
im wesentlichen dem Tintenstrahldruckkopf nach 4 mit
dem Zusatz einer Siliziumcarbidüberzugsschicht 63 als
oberste Schicht der Dünnschichtunterstruktur 11 in
der Nähe
der Tintenkammer 19 und der Tintenkanäle 29 und als oberste
Schicht über
der strukturierten Goldschicht 62 mit Ausnahme des Bereiches
um die Verbindungs-Kontaktstellen 71. Insbesondere ist
die Siliziumcarbidüberzugsschicht 63 aus
den Gebieten der Tantalschicht Untergebieten 61a, die sich
oberhalb der Heizwiderstände
befinden, so daß die
Tintensperrschicht 12 nur in der Nähe und bei den Tintenkammern 19 und
den Tintenkanälen
mit der Siliziumcarbidschicht 63 in Kontakt steht. In anderen
Worten, sind die Ränder
der Sperrschicht, die die Tintenkammern 19 und Tintenkanäle 20 ausbilden
mit der Siliziumcarbidschicht 63 verbunden und nicht mit
der Tantalschicht 61.
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Als
Beispiel kann die Siliziumcarbidüberzugsschicht 63 durch
Plasmaabscheidung ausgebildet werden, indem Silane und Methane als
reaktive Gase verwendet werden. Eine angemessene Dicke der Siliziumcarbidschicht
wäre mindestens
ungefähr
100 Angström.
Die Silizium carbidschicht 63 kann ebenfalls mit reaktiven
oder nicht reaktiven Sprühabscheidungs-Prozessen gebildet
werden. Ein Beispiel eines reaktiven Prozesses ist das Besprühen eines
Siliziumzieles in einer Strömung
aus Methan- oder organischem Gas. Ein Beispiel eines nicht reaktiven
Prozesses ist das direkte Besprühen
eines Siliziumcarbidzieles.
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In
der Ausführungsform
nach 5 können
sich die Tantaluntergebiete weiter von den Tintenkammern 19 ausbreiten,
da die Siliziumcarbidüberzugsschicht 63 sicherstellt,
daß sich
direkt anschließend
an die Tintenkammer 19 eine Sperre zu der Siliziumcarbidgrenzfläche anschließt.
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Die
Oberflächenanalysen
von Siliziumcarbidschichten mittels Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (X-Ray
Photoelectron Spectroscopy, XPS) von Siliziumcarbidschichten gemäß der Erfindung
haben gezeigt, daß eine
relativ hohe Konzentration von Kohlenstoff in Carbidform im Vergleich
zu Tantal- und thermischen Oxidschichten und eine relativ geringe
Konzentration von Sauerstoff im Vergleich zu Tantaloxid und thermischen
Oxiden gegeben hat. Die folgende Tabelle zeigt Ergebnisse eines
PHI Quantum 2000 XPS Apparats mit einem 100 nm-Lichtstrahl, über eine
Fläche
von 500 μm × 500 μm gerastert.
Die Konzentrationen wurden unter Benutzung von Empfindlichkeitsfaktoren
gegenüber
Elementen festgestellt. Die Oberflächen sind mit ihren entsprechenden
atomaren Konzentrationen von Tantal (Ta), Silizium (Si), Sauerstoff
(0) und Kohlenstoff (C) gelistet. Kohlenstoff wurde in Nicht-Carbid und Carbidkomponenten
unterteilt. In den Fällen,
in denen die Summe der einzelnen Konzentrationen von Ta, Si, 0 und
C nicht 100% ist, ergibt sich die Differenz aufgrund einer kleinen
Konzentration von Fluor, die zum einfacheren Verständnis in
der Tabelle vernachlässigt
wurde. Die Nicht-Carbidkomponente ist hinzugekommener Kohlenstoff,
der von gebundenem Kohlenstoff unterschieden und in Kohlenstoff,
Graphit oder Diamant aufgeteilt ist. Hinzugekommener Kohlenstoff
kann entweder Kohlenwasserstoff oder ein oxidierter Kohlenwasserstoff
sein, der von der Probenoberfläche
absorbiert wurde und der durch Aussetzen atmosphärischer Luft gebildet werden
kann.
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Prüfung der
Haftung durch Schab- und Schälversuche
an Sperrschichtmaterial einer Siliziumcarbidschicht auf einem Substrat
ergaben eine ausgezeichnete Haftung im Vergleich zur Haftung von
Sperrschichtmaterial auf Tantaloxid (Das Interface zwischen der
Sperrschicht 12 und der Tantalschicht 61 bildet
tatsächlich die
Tantaloxidschicht auf der Tantalschicht, wie die vorangehenden XPS-Daten
zeigen) und im Vergleich von Sperrschichtmaterial auf thermischen
Oxid. Beschleunigte Langzeittests der Tintendurchdringfestigkeit
und beschleunigte Tests der Haltbarkeit der Haftung des Tintensperrschichtmaterials
auf Siliziumcarbid haben im Vergleich zur Haftung von Sperrschichtmaterial
auf Tantaloxid und auf thermischem Oxid eine höhere Leistungsfähigkeit
gezeigt.
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Die
Erfindung sieht ferner eine Haft-Promoterschicht vor, die zwischen
der Tintensperrsicht 12 und den Dünnschicht-Unterstrukturen nach 4 und 5,
wie in 6 und 7 gezeigt ist, angeordnet sind.
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6 zeigt
speziell einen schematischen Querschnitt des Tintenstrahldruckkopfes
nach 1 durch einen typischen Bereich der Tintentropfenerzeugung
und einen Teil des zentral gelegenen Goldschichtbereichs 162 und
veranschaulicht ein weiteres Ausführungsbeispiel der Dünnschicht-Unterstruktur 11,
die den Strukturen von 4 gleicht, mit dem Zusatz einer
zwischenliegenden Haft-Promoterschicht 64, die sich zwischen
der Siliziumcarbidschicht 60 und der Tintensperrschicht 12 befindet.
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7 zeigt
einen nicht maßstäblichen
Querschnitt des Tintenstrahldruckkopfes nach 1 durch
einen typischen Bereich der Tintentropfenerzeugung und einen Teil
des zentral angeordneten Goldschichtbereiches 162 und eine
Ausführung
der Dünnschicht-Unterstruktur 11, die
der Struktur nach 5 gleicht, mit dem Zusatz einer
Haft-Promoterschicht 65 zwischen der Siliziumcarbidschicht 63 und
der Tintensperrschicht 12.
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Als
veranschaulichendes Beispiel schließen die Haft-Promoterschichten 64, 65 Organosilan-Haft-Promotoren,
Polyacrylsäure-Haftpromotoren
oder Polymethylacrylsäure-Haft-Promotoren mit ein.
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Wie
bei der Siliziumcarbidschicht 14 (1) zwischen
der Tintensperrschicht 12 und der Düsenplatte 13 wird
eine solche Siliziumcarbidschicht 14 auf die Düsenplatte 13 vor
dem Laminieren auf die Dünnschichtunterstruktur 11 aufgebracht,
z.B. durch Plasmaabscheidung mittels Silan und Methan als reaktiven
Gasen. Die Siliziumcarbidschicht 14 kann ebenfalls durch
reaktive oder nicht reaktive Sputter-Abscheidungsprozesse ausgebildet
werden. Ein Beispiel eines reaktiven Prozesses ist das Sputtern
eines Siliziumwerkstückes
in einem Methan- oder anderen organischen Gasfluß. Ein Beispiel eines nicht
reaktiven Prozesse ist das direkte Sputtern eines Siliziumcarbid-Werkstückes.
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Für eine Ausführung, bei
der die Düsenplatte 13 aus
einem Polymermaterial besteht, kann die Siliziumcarbidschicht 14 vor
oder nach der Ausbildung der Düsen
durch Laserabtragung gebildet werden. Wenn die Düsenplatten 13 eine
Metallbeschichtung umfassen, wird die Siliziumcarbidschicht 14 nach
Ausbildung der Düsen
geformt. Eine geeignete Dicke der Siliziumcarbidschicht beträgt mindestens
ungefähr
100 Angström. Wie
schematisch in 8 dargestellt ist, kann eine
zwischenliegende Haft-Promoterschicht 15 auch zwischen der
Siliziumcarbidschicht 14 und der Düsenplatte 13 enthalten
sein.
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Der
voranstehende Druckkopf wird nach einem Standardverfahren zur Herstellung
von Dünnfilm-Schaltkreisen
folgend vollständig
hergestellt, einschließlich
chemischer Dampfabscheidung, Fotolackabscheidung, Maskierung, Entwicklung
und Ätzen,
wie z.B. in den üblicherweise
referierten U.S. Patenten U.S. 4,719,477 und U.S. 5,317,346 offenbart
wird.
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Als
veranschaulichendes Beispiel können
die vorangegangenen Strukturen wie folgt erzeugt werden. In dem
mit dem Siliziumsubstrat 51 begonnen wird, sind sämtliche
aktive Regionen, in denen Transistoren gebildet werden, durch eine
strukturierte Oxid- und Nitridschicht geschützt. Flächenoxid 53 wird auf
nicht geschützten
Bereichen erzeugt und Oxid- und Nitridschichten werden entfernt.
Als nächstes
wird Gate-Oxid in den aktiven Bereichen erzeugt und eine Polysiliziumschicht
wird über
dem gesamten Substrat aufgetragen. Das Gate-Oxid und das Polysilizium
werden geätzt,
um Polysiliziumgates oberhalb den aktiven Gebieten auszubilden.
Die resultierende Dünnschichtstruktur
wird einer Vorabscheidung von Phosphor unterworfen, wodurch Phosphor
in die nicht geschützten
Bereiche des Siliziumsubstrats eingefügt wird. Eine Schicht von phosphordotiertem
Oxid 54 wird dann über
die gesamte dem Prozeß unterworfene
Dünnschichtstruktur
abgelagert und die phosphordotierte oxidbedeckte Struktur wird einem
Diffusionsdurchlaufschritt unterworfen, um die gewünschte Diffusionstiefe
in den aktiven Gebieten zu erreichen. Die phosphordotierte Oxidschicht
wird dann maskiert und geätzt,
um Kontakte zu den aktiven Elementen zu öffnen.
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Dann
werden die Tantal-Aluminiumwiderstandsschicht 55 aufgebracht,
worauf die Aluminium-Metallisierungsschicht 57 auf der
Tantal-Aluminiumschicht 55 aufgebracht wird. Die Aluminiumschicht 57 und
die Tantal-Aluminiumschicht 55 werden zusammen geätzt und
bilden das gewünschte
leitende Muster. Die resultierende strukturierte Aluminiumschicht
wird anschließend
geätzt,
um die Widerstandsbereiche zu öffnen.
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Die
Siliziumnitrid-Passivierungsschicht 59 und die SiC Passivierungsschicht 60 werden
entsprechend aufgetragen. Ein Fotolackmuster, das die in den Siliziumnitrid-
und Siliziumcarbidschichten 59, 60 auszubildenden
Wege bestimmt, wird auf die Siliziumcarbidschicht 60 aufgebracht,
und die Dünnschichtstruktur
wird einem Überätz-Prozeß unterworfen,
der die Verbindungen zur Aluminium-Metallisierungsschicht mittels
der Verbund-Passivierungsschicht
bildet, die aus Siliziumnitrid und Siliziumcarbid besteht.
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Die
folgenden Schichten, einschließlich
der Tantalpassivierungsschicht 61, sämtlicher Goldschichten 62 zur
Verbindung nach außen
und jeder zweiten Siliziumcarbidschicht 63 werden entsprechend
aufgebracht und geätzt.
Wie vorher beschrieben, wird die Tantalpassivierungsschicht vorzugsweise
naßgeätzt, um
die Siliziumcarbidschicht 60 freizulegen. Die Tintenstrahlschicht 12 wird
dann durch Hitze und Druck auf die Dünnschicht-Unterstruktur beschichtet.
Falls gewünscht,
wird die Haft-Promoterschicht 64 entsprechend den üblichen
bestehenden Techniken zur Beschichtung der Tintensperrschicht 12 auf
die Dünnschicht-Unterstruktur 11 ausgebildet.
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Auf
der Düsenplatte 13 wird
die Siliziumcarbidschicht 14 ausgebildet und die Düsenplatte 13 mit
der Siliziumcarbidschicht 14 wird auf die Schichtstruktur
aufgebracht, welche die Siliziumcarbidschicht 14, die Tintensperrschicht 12 und
die Dünmschicht-Unterstruktur 11 umfaßt.
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Falls
gewünscht,
wird die Haft-Promoterschicht 15 auf der Siliziumcarbidschicht 14 mittels
der üblichen
Techniken zur Beschichtung der Düsenplatte 13 ausgebildet.
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Vorstehend
ist ein Tintenstrahldruckkopf offenbart, bei dem eine robuste Haftung
der Tintensperrschicht durch eine Siliziumcarbidschicht erreicht
wird.
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Obwohl
im Vorangegangenen spezielle Ausführungen der Erfindung beschrieben
und dargestellt sind, können
verschiedene Modifizierungen und Änderungen durch einen Fachmann
vorgenommen werden, ohne daß der
Schutzbereich der Ansprüche
verlassen wird.