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Technischer Bereich der Erfindung
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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Isolierung von Mustern, die
in einer dünnen
Schicht aus einem ersten oxidierbaren Halbleitermaterial gebildet sind,
die eine vorbestimmte Dicke von unter oder gleich 20 nm aufweist
und auf einem Träger
angeordnet ist, und umfasst nacheinander:
- – die Herstellung
einer Maske auf der dünnen Schicht,
die in der dünnen
Schicht freie Bereiche und von der Maske bedeckte Bereiche definiert, die
dazu bestimmt sind, im Wesentlichen die Muster zu bilden,
- – die
Oxidierung der freien Bereiche der dünnen Schicht,
- – die
Entfernung der Maske zum Freilegen der dünnen Schicht, die in Form von
Muster strukturiert ist, die durch oxidierte Bereiche voneinander isoliert
sind.
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Stand der Technik
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In
vielen Bereichen der Mikroelektronik werden die mit Hilfe konventioneller
Technologien auf massivem Silizium hergestellten Vorrichtungen mehr und
mehr durch Vorrichtungen auf Substraten aus Silizium auf einem Isolator
(SOI) oder auf mechanisch gestressten SOI-Substraten ersetzt, besser
bekannt unter der englischen Bezeichnung "strained SOI". Ein SOI-Substrat besteht aus einem
Siliziumsubstrat, auf dem eine isolierende Schicht, beispielsweise
eine Oxidschicht, angeordnet wird, die von einer dünnen Schicht
Silizium bedeckt ist, und ein "gestresstes" SOI-Substrat ist
ein SOI-Substrat, auf dem eine dünne
Schicht aus gestresstem oder verformtem Silizium angeordnet wird.
Derartige SOI-Substrate ermöglichen
eine elektrische Isolierung bezüglich
dem Substrat der Mikrobauteile, die darin integriert werden sollen,
wie beispielsweise MOS-Transistoren, und zwar durch das Vorhandensein
der vergrabenen Isolierschicht, die auf dem Siliziumsubstrat angeordnet ist.
Sie sorgen darüber
hinaus für
eine Reduzierung von Störkapazitäten und
Kurzkanaleffekten.
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Die
elektrische Isolierung der Mikrobauteile oder Siliziummuster wird
im Allgemeinen durch eine lokale thermische Siliziumoxidierung abgeschlossen. Die
Isolierung durch lokale Siliziumoxidierung, auch bekannt unter der
Bezeichnung LOCOS-Isolierung, erfolgt mit Hilfe einer strukturierten
Maske, die aus mindestens zwei übereinander
angeordneten Schichten aus Oxid und Nitrid besteht und auf dem dünnen Siliziumschicht
angeordnet wird. Die LOCOS-Isolierung ermöglicht dann die Bildung von
Siliziumbereichen in der dünnen
Schicht, die getrennte Muster bilden und die somit durch oxidierte
Zonen elektrisch voneinander isoliert sind.
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Wenn
die in einer dünnen
Schicht gebildeten und eventuell durch LOCOS isolierten Muster eine Dicke
von unter oder gleich 20 nm haben, ergibt sich jedoch bei der Herstellung
der Mikrobauteile bei hohen Temperaturen eventuell ein Entnetzungsphänomen der
Muster in fester Phase. Dieses Phänomen wird im Allgemeinen während der
Temperschritte beobachtet, die bei Temperaturen von 850°C aufwärts und
beispielsweise bei 950°C
stattfinden.
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Die
in der dünnen
Siliziumschicht gebildeten Muster sind nämlich in sich instabil und
entwickeln sich spontan in Richtung einer Gleichgewichtsform, die
durch Transport von Materie erreicht wird, und zwar hauptsächlich durch
Oberflächendiffusion,
und die in Extremfällen
einer Kristallpopulation entspricht, bei der die Kristalle voneinander
gelöst
sind. Die Energie des durch diese Kristallpopulation gebildeten Systems
ist dann schwächer
als die des ursprünglichen
Musters. Diese Form des Gleichgewichts ist somit prekär für die Folge
der Produktionsschritte eines Mikrobauteils, insbesondere eines
MOS-Transistors, bei dem die einzelnen Bereiche des Transistors,
die in dem dünnen
Muster gebildet werden sollen, beispielsweise Source, Drain, Kanal
..., eventuell nicht mehr zusammenhängend sein könnten. Ein
solches Entnetzungsphänomen
findet sich ebenfalls bei allen strukturierten dünnen Schichten aus Halbleitermaterial,
das geeignet ist, bei einer Wärme-Oxidierung
ein stabiles Oxid zu bilden, wie beispielsweise eine Silizium-Germanium-Verbindung (SiGe).
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Da
dieses Phänomen
durch die hohe Temperatur der Herstellungsschritte der Mikrobauteile
und insbesondere durch die Temperschritte induziert wird, wurde
versucht, das Tempern bei einer niedrigeren Temperatur durchzuführen. Bei
Dicken dünner Schichten
einer Größenordnung
von 5 nm und den üblichen
Temperzeiten und – temperaturen
sind dünne
Schichten bei Temper-Temperaturen unter 800°C nämlich wenig empfindlich für die Entnetzung.
Die anschließenden
Schritte, beispielsweise der der Reinigung, der eine Desorption
von Stoffen erfordert, oder der Epitaxieschritt erlauben jedoch
keinen Einsatz einer solchen Temper-Temperatur, da zum Erhalt einer
Grenzfläche,
die geeignet ist, eine gute kristalline Güte des epitaxierten Materials
zu erreichen, die Temper-Temperatur nicht unter 800°C liegen
darf.
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Gegenstand der Erfindung
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Die
Erfindung hat ein Verfahren zur Isolierung von Mustern zum Ziel,
die in einer dünnen Schicht
aus einem ersten oxidierbaren Halbleitermaterial gebildet sind,
die eine vorbestimmte Dicke von unter oder gleich 20 nm und vorzugsweise
unter oder gleich 10 nm aufweist und geeignet ist, den Nachteilen
des Stands der Technik abzuhelfen. Genauer gesagt ermöglicht das
Verfahren zum Isolierung der Muster nicht nur die elektrische Isolierung
der Muster zueinander, sondern macht sie auch stabil gegenüber hohen
Temperaturen, die bei bestimmten Schritten zur Herstellung von Mikrobauteilen
erforderlich sind.
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Dieses
Ziel wird durch die anhängenden
Ansprüche
erreicht.
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Kurzbeschreibung der Zeichnungen
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Weitere
Vorteile und Merkmale gehen klarer aus der nachfolgenden Beschreibung
besonderer Ausführungsformen
der Erfindung hervor, die beispielhaft und nicht erschöpfend gegeben
und in den beiliegenden Zeichnungen dargestellt sind, in denen:
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Die 1 bis 8 unterschiedliche
Phasen einer besonderen Ausführungsform
zur Isolierung von in einer dünnen
Schicht gebildeten Muster nach der Erfindung schematisch und im
Schnitt darstellen.
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Beschreibung besonderer Ausführungsformen
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Nach
einer besonderen, in den 1 bis 8 dargestellten
Ausführungsform
sind Muster 1a in einer dünnen Schicht 1 gebildet,
die auf einem Träger 3 angeordnet
ist, und sind diese durch oxidierte Bereiche 1b voneinander
getrennt. Die oxidierten Bereiche 1b erlauben nicht nur
die elektrische Isolierung der Muster 1a voneinander, sondern
auch eine Verankerung derselben, um dem Vernetzungsphänomen vorzubeugen,
das möglicherweise
bei bestimmten Herstellungsschritten für Mikrobauteile auftreten kann,
die bei hohen Temperaturen durchgeführt werden. Die dünne Schicht 1 besteht
aus oxidierbarem Halbleitermaterial, das vorzugsweise aus Silizium und
einer Silizium-Germanium-Verbindung ausgewählt ist und hat eine vorbestimmte
Dicke e1, die geringer als oder gleich 20 nm und vorzugsweise geringer
als oder gleich 10 nm ist.
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So
wird, wie in 1 dargestellt, die dünne Schicht 1 vorab
auf der Oberfläche
einer Zwischenschicht 2 angeordnet, die einen Träger 3 bedeckt. Genauer
gesagt ist das Material, das den Träger 3 bildet, ein
anderes als das oxidierbare Halbleitermaterial der dünnen Schicht 1.
In dem beschriebenen Beispiel ist der Träger 3 ein Siliziumsubstrat
und ist die Zwischenschicht 2 eine elektrisch isolierende Schicht,
wobei das Ganze dann ein SOI-Substrat bildet. Die elektrisch isolierende
Schicht kann von einer Verbindung gebildet werden, die aus der von
amorphem Silizium, Aluminiumoxid, Siliziumnitrid, Quarz und Hafniumoxid
(HfO2) gebildeten Gruppe ausgewählt
ist. Die Zwischenschicht 2 kann auch eine Halbleiterschicht
sein, die beispielsweise aus einer Silizium-Germaniumverbindung
besteht.
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In 2 werden
zwei Schichten, eine aus Oxid 4 und eine aus Nitrid 5,
nacheinander auf der ganzen freien Oberfläche der dünnen Schicht 1 gebildet.
Die Oxidschicht 4, die beispielsweise aus Siliziumoxid
besteht, hat vorzugsweise eine Dicke e2 von 2 bis 5 nm. Sie kann
entweder durch Niederdruck-Gasphasenabscheidung, auch LPCVD genannt,
durch plasmaunterstützte
CVD, auch PECVD genannt, oder durch thermische Oxidierung einer dünnen Dicke
der dünnen
Schicht 1 gebildet werden. Die Oxidschicht 4 kann
auch aus einer SiO2/HfO2-Aufschichtung bestehen, wobei die SiO2–Schicht
auf die dünne
Schicht entweder aufgedampft oder beim Aufbringen der HfO2-Schicht
natürlich
gebildet werden kann.
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Anschließend wird
eine Nitridschicht 5, beispielsweise aus Siliziumnitrid,
auf die ganze freie Oberfläche
der Oxidschicht 4 aufgedampft. Die Nitridschicht 5 hat
vorzugsweise eine Dicke von 10 bis 70 nm und wird beispielsweise
durch LPCVD-Verfahren
aufgedampft.
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Die
Nitridschicht 5 und die Oxidschicht 4 werden dann
selektiv strukturiert. So endet die Strukturierung an der Oberfläche der
dünnen
Schicht 1. Die Strukturierung erfolgt beispielsweise durch
Fotolithografie oder mittels eines Verfahrens, das Elektronenstrahl-Lithografie
genannt wird und darin besteht, eine Lithografie mittels eines geführten Elektronenstrahls
und dann sukzessives Ätzen
der Nitridschicht 5 und der Oxidschicht 4 durchzuführen.
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In 3 ist
die Nitridschicht 5 durch Fotolithografie mittels eines
strukturierten Fotoresists 6 strukturiert. Eine Fotoresistschicht
wird beispielsweise auf der freien Oberfläche der Nitridschicht angeordnet
und in Form von Muster strukturiert. Das strukturierte Fotoresist 6 umfasst
dann Muster, die von offenen Bereichen begrenzt werden, die die
freie Oberfläche
der Nitridschicht zum Vorschein kommen lassen. Die Nitridschicht 5 wird
anschließend
in den offenen Bereichen des strukturierten Fotoresists 6 in der
Weise weggeätzt,
dass die Bereiche der Nitridschicht 5, die nicht von den
Mustern des Fotoresists 6 bedeckt sind, entfernt werden.
Das Wegätzen
der Nitridschicht 5 ist insofern selektiv, als nur die
Nitridschicht 5 weggeätzt
wird und der Ätzvorgang
an der Oberfläche
der Oxidschicht 4 aufhört.
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Wie
in 4 dargestellt, wird das strukturierte Fotoresist 6 anschließend abgelöst, bevor
die Oxidschicht 4 selektiv durch die vorab strukturierte Nitridschicht 5 hindurch
weggeätzt
wird. Das Wegätzen
der Oxidschicht 4 ist insofern selektiv, als nur die Oxidschicht 4 weggeätzt wird
und der Ätzvorgang
an der Oberfläche
der dünnen
Schicht 1 aufhört.
Die nicht von den Muster der Nitridschicht 5 bedeckten Bereiche
der Oxidschicht 4 werden dann entfernt.
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So
bleiben nach diesem Strukturierungsschritt nur noch die vorher bedeckten
Bereiche 5a und 4a jeweils der Nitridschicht 5 bzw.
der Oxidschicht 4 auf der Oberfläche der dünnen Schicht 1 bestehen
und bilden eine Maske 7. Die Maske 7 ermöglicht so
die Abgrenzung zweier Arten von Bereichen in der dünnen Schicht 1:
Bereiche, die von der Maske 7 bedeckt sind und im Wesentlichen
die Muster 1a der dünnen
Schicht 1 bilden sollen, und freie Bereiche 1c,
die von der übrigen
dünnen
Schicht 1 gebildet werden.
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Anschließend erfolgt,
wie in 5 dargestellt, ein Aufwachsen durch selektive
Epitaxie, um die Dicke der freien Bereiche 1c zu verstärken, während die
von der Maske 7 bedeckten Bereiche eine konstante Dicke
behalten, die der Dicke e1 der dünnen
Schicht 1 entsprechen. Am Ende des Aufwachsschritts haben
die freien Bereiche 1c eine Gesamtdicke e3, die über der
ursprünglichen
Dicke e1 der dünnen
Schicht 1 liegt. Die Epitaxie ist insofern selektiv, als
das Aufwachsen durch Epitaxie nur in den freien Bereichen 1c der
dünnen
Schicht stattfindet und der Rest der dünnen Schicht 1 nämlich durch
die Maske 7 geschützt
ist, die sie bedeckt. So zeigt in 5 die gestrichelte
Linie 8 die Position der dünnen Schicht vor dem Aufwachsschritt,
wobei der Höhenunterschied
zwischen der freien Fläche
der freien Bereiche 1c nach dem Aufwachsschritt und der
Linie 8 dann den epitaxierten freien Bereichen während des Aufwachsen
entspricht.
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Anchließend erfolgt
ein Oxidationsschritt der freien Bereiche 1c der dünnen Schicht,
vorzugsweise bei einer hohen Temperatur wie beispielsweise 1050°C. Der Oxidationsschritt
ermöglicht
nicht nur eine komplette Oxidierung der freien Bereiche 1c, sondern
auch die Bildung der Muster 1a. Sie erfolgt nämlich durch
die Maske 7 hindurch, die die Bereiche, die sie bedeckt,
vor der Oxidierung schützt.
Mit vollständiger
Oxidierung der freien Bereiche 1c ist hier gemeint, dass
die freien Bereiche 1c auf ihrer ganzen Dicke e3 oxidieren.
Außerdem
bewirkt die Oxidierung eine Erhöhung
der Dicke der oxidierten Bereiche 1b bezogen auf die freien,
nicht oxidierten Bereiche. So entspricht diese Erhöhung bei
mit Siliziumoxid oxidierten Bereichen und nicht mit Siliziumoxid
oxidierten freien Bereichen einer Verstärkung um einen Faktor 1/0,45,
d. h. etwa 2,22. So haben die oxidierten Bereiche 1b, nachdem
die Dicke der freien Bereiche 1c e3 ist, am Ende des Oxidierungsschritts eine
Dicke e4, die im Wesentlichen dem 2,22 fachen der Dicke e3 entspricht.
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Wie
in 6 dargestellt, verlängern sich die oxidierten Bereiche 1b unter
der Maske 7 und ist der Grenzbereich zwischen den oxidierten
Bereichen 1b und den Mustern 1a gekrümmt. So
sind die Ränder der
von der Maske 7 bedeckten Bereiche teilweise oxidiert,
obwohl die freien Bereiche 1b vollständig oxidiert sind, und bilden
so einen "Vogelschnabel" in den Siliziummustern 1a.
Die Muster 1a sind dann durch die oxidierten Bereiche 1b voneinander
getrennt und somit elektrisch isoliert.
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Dann
werden, wie in den 7 und 8 dargestellt,
die Nitridschicht 5 und die Oxidschicht 4 nacheinander
abgelöst,
sodass die Muster 1a freigelegt werden. Die Nitridschicht 5 wird
beispielsweise durch chemische Behandlung mit beispielsweise H3PO4
entfernt. Eine Siliziumoxidschicht 4 wird beispielsweise
mittels einer Fluorwasserstoffsäurelösung entfernt.
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Wenn
das Verfahren zum Ablösen
der Oxidschicht 4 nicht selektiv erfolgt, kann eine solche
Ablösung
auch zu einem Teilabbau der oxidierten Bereiche 1b führen, entschprechend
einer Dicke, die abhängig
von der Geschwindigkeit ist, mit der das Oxid der Schicht 4 und
das Oxid der oxidierten Bereiche 1b abgebaut wird. So entspricht,
wenn die Oxide der freien Bereiche 1b und der Schicht 4 identisch
sind, die abgebaute Dicke der freien Bereiche beim Entfernen der
Oxidschicht 4 der Dicke e2 der Oxidschicht 4.
In diesem Fall entspricht die Dicke e5 der oxidierten Bereiche 1b am
Ende des Isolierungsprozesses der Dicke e4 der oxidierten Bereiche
vor dem Ablösen
der Oxidschicht 4 abzüglich
der Dicke e2 der Oxidschicht 4.
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Ein
solcher Isolierungsprozess ermöglicht somit
die Bildung und elektrische Isolierung der Muster in einer dünnen Schicht
aus oxidierbarem Halbleitermaterial mit einer Dicke von unter oder
gleich 20 nm und vorzugsweise unter oder gleich 10 nm. Im Gegensatz
jedoch zu einer Isolierung mit dem LOCOS-Verfahren des Stands der
Technik ermöglicht es
auch deren Stabilisierung bei hohen Temperaturen, insbesondere während der
einzelnen Schritte zur Herstellung eines Mikrobauteils. Ein solcher
Isolierungsprozess ermöglicht
das Umgeben jedes Musters mit einem oxidierten Bereich an seinem
Umfang, insbesondere während
der einzelnen Schritte der Herstellung eines Mikrobauteils. Dadurch
wird eine thermische Stabilität
erreicht, da die oxidierten Bereiche, die die Muster umgeben, das
Phänomen
der Entnetzung der Muster verzögern.
Außerdem
bildet, wenn die Zwischenschicht 2 eine Isolierschicht
ist, die Grenzfläche
zwischen einem Muster 1a, den oxidierten Bereichen 1b,
die es umgeben, und der Isolierschicht 2 einen Verankerungspunkt,
da sie einer makroskopischen Rauheit entspricht, die umgangen werden
muss, wenn das Muster dem Entnetzungsphänomen ausgesetzt werden soll.
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Mit
einem LOCOS-Isolierungsverfahren des Stands der Technik ist der
Erhalt stabiler Muster bei hohen Temperaturen während der einzelnen Schritte zur
Herstellung eines Mikrobauteils jedoch unmöglich. Bei einem LOCOS-Isolierungsverfahren
hängt die
Dicke der oxidierten Bereiche nämlich
von der Dicke e1 der dünnen
Schicht und eventuell von der Dicke e2 der Oxidschicht der Maske
ab. Bei einer dünnen
Schicht einer Dicke e1 zu erhalten, die unter oder gleich 20 nm,
insbesondere unter oder gleich 10 nm liegt, reicht also die Dicke
der oxidierten Bereiche am Ende eines LOCOS-Isolierungsverfahrens nach dem Stand
der Technik nicht aus, um sie während
der einzelnen Phasen der Herstellung eines Mikrobauteils zu erhalten.
Zum Beispiel haben bei einer dünnen Schicht
einer Dicke e1 von 8 nm bei einem LOCOS-Isolierungsverfahren nach dem Stand
der Technik vor dem Schritt der Entfernung der Oxidschicht 4 die
oxidierten Bereiche eine Dicke e4 von 17 nm. Nun wird aber während der
einzelnen Reinigungsschritte, die bei einem Verfahren zur Herstellung
eines MOS-Transistors erfolgen, diese Dicke e4 beim Ätzen vollständig abgebaut,
wodurch die Seiten der Siliziummuster freigelegt werden. Nachdem
das Entnetzungsphänomen
in der Regel bei jedem beliebigen Arbeitsschritt bei hohen Temperaturen
auftritt, während
dessen die Oberfläche
sowohl des Musters als auch seiner Seitenwände freiliegen, kann die LOCOS-Isolierung
nach dem Stand der Technik bei diesem Phänomen während der einzelnen Herstellungsschritte
für ein
Mikrobauteil und insbesondere während
der Tempervorgänge
keine Abhilfe schaffen.
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Die
Durchführung
eines Schritts des selektiven epitaktischen Aufwachsen zwischen
dem Schritt der Herstellung der Maske und dem Schritt der Oxidierung
der freien Bereiche der dünnen
Schicht ermöglicht
am Ende des Isolierungsvorgangs vielmehr den Erhalt von oxidierten
Bereichen mit einer Dicke, die ausreicht, um sich während der
einzelnen Schritte zur Herstellung eines Mikrobauteils zu halten.
Die durch das selektive epitaktische Aufwachsen erhaltene zusätzliche
Dicke, d. h. die Bildung von epitaxierten freien Bereichen, ermöglicht nämlich eine
Erhöhung
der Gesamtdicke der oxidierten Bereiche am Ende des Isolierungsvorgangs.
So wird die Dicke der epitaxierten Bereiche vorzugsweise so bestimmt, dass
an den Seiten der Muster während
des ganzen Herstellungsverfahrens für ein Mikrobauteil oxidierte Bereiche
bestehen bleiben. Die Parameter des Schritts des Aufwachsen durch
selektive Epitaxie und genauer die Dicke der epitaxierten Bereiche
wird so gewählt,
dass die endgültige
Dicke e5 der oxidierten Bereiche größer oder gleich 17 nm ist.
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Bei
einer dünnen
Siliziumschicht einer Dicke e1 von 8 nm mit einer Oxidschicht von
2 nm Dicke muss 1 nm Silizium epitaxiert werden, damit man am Ende
des Isolierungsvorgangs oxidierte Bereiche erhält, die eine Dicke e5 von 18
nm haben.
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Außerdem wird
der Vorgang des Aufwachsens durch selektive Epitaxie an einer noch
nicht strukturierten Schicht vorgenommen, bei der die Muster noch
nicht erzeugt wurden. Der Schritt des Aufwachsen wird somit in der "ganzen Platte" durchgeführt, was
den Vorteil hat, dass während
des Isolierungsvorgangs kein frühzeitiges
Entnetzungsphänomen
auftritt. Ferner können,
wenn die Struktur innere Spannungen aufweist (gestresste Schicht
oder Verbundstruktur), Destabilisierungsphänomene beobachtet werden, wenn
die Epitaxiegeschwindigkeit zu gering oder wenn die Dicke der epitaxierten
Bereiche zu groß ist.
Zur Vermeidung dieser Destabilisierungsphänomene können die Bedingungen des Aufwachsen
durch selektive Epitaxie wie die Dicke der epitaxierten Bereiche
und die Epitaxiegeschwindigkeit dann in bekannter Weise angepasst
werden.
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Bei
einer Ausführungsvariante
kann der Schritt des Aufwachsens durch selektive Epitaxie im Bereich
der freien Bereiche der dünnen
Schicht durch einen Schritt der selektiven Bildung einer zusätzlichen
Schicht ersetzt werden, die aus einem Oxid eines zweiten halbleitenden
Materials besteht. Das zweite halbleitende Material kann das gleiche wie
das oxidierbare halbleitende Material, aus dem die dünne Schicht
besteht, oder ein anderes sein.
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Die
selektive Bildung der zusätzlichen Schicht
im Bereich der freien Bereiche der dünnen Schicht kann durch ein
direktes selektives Aufdampfen des Oxids des zweiten Halbleitermaterials
erfolgen. In diesem Fall erfolgt die Oxidierung der freien Bereiche der
dünnen
Schicht durch die zusätzliche Oxidschicht
hindurch.
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Die
selektive Bildung der zusätzlichen Schicht
im Bereich der freien Bereiche der dünnen Schicht kann auch durch
vorheriges Aufbringen des zweiten Halbleitermaterials und dessen
anschließende
Oxidierung erfolgen. Die Oxidierung des zweiten Halbleitermaterials
kann dann vor der Oxidierung der freien Bereiche der dünnen Schicht
vorgenommen werden, die dann durch die zusätzliche Oxidschicht hindurch
erfolgt. Die Oxidierung des zweiten Halbleitermaterials kann auch
gleichzeitig mit der Oxidierung der freien Bereiche der dünnen Schicht
durchgeführt
werden. Beispielsweise können
selektiv, d. h. nur auf die freien Bereiche der dünnen Schicht,
eine SiGe-Verbindung auf freie Bereiche aus Silizium, Silizium auf
freie Bereiche aus SiGe oder auch Polysilizium auf freie Bereiche
aus Silizium oder SiGe aufgebracht werden. Wenn das zweite Halbleitermaterial
einen geeigneten Gitterparameter hat, kann das selektive Aufbringen
des zweiten Halbleitermaterials auf die freien Bereiche der dünnen Schicht
beispielsweise durch Aufwachsen durch selektive Epitaxie der freien
Bereiche der dünnen
Schicht erfolgen. Die Durchführung
eines Schritts der selektiven Bildung einer zusätzlichen Schicht, die aus einem
Oxid aus einem Halbleitermaterial besteht, ermöglicht wie vorstehend am Ende
des Isolierungsvorgangs den Erhalt oxidierter Bereiche mit einer
Dicke, die ausreicht, um während
der einzelnen Schritte zur Herstellung eines Mikrobauteils erhalten
zu werden. Die durch die Bildung der zusätzlichen Schicht erreichte
zusätzliche
Dicke ermöglicht
nämlich
eine Erhöhung der
Gesamtdicke der oxidierten Bereiche am Ende des Isolierungsvorgangs
und somit den Erhalt von Muster, die nicht nur elektrisch voneinander
isoliert, sondern auch bei hohen Temperaturen während der einzelnen Schritte
der Herstellung eines Mikrobauteils stabil sind.
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Bei
einer anderen Ausführungsvariante
kann die Oxidschicht 4 unstrukturiert sein. In diesem Fall begrenzt
die Nitridschicht 5 der Maske 7 wie vorstehend
in der dünnen
Schicht 1 so genannte von der Maske 7 bedeckte
Bereiche, d. h. sowohl von der Oxidschicht 4 als auch der
Nitridschicht 5, und so genannte freie Bereiche 1c,
d. h. Bereiche, die nur von der Oxidschicht 4 bedeckt sind.
Die selektive Bildung der zusätzlichen
Schicht erfolgt dann auf dieser dünnen Oxidschicht 4 nur
im Bereich der so genannten freien Bereiche.
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Die
Erfindung ist nicht auf die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen
begrenzt. So wird die dünne
Schicht 1 nicht zwingend auf einem SOI-Substrat, d. h.
einer Zwischenschicht 2, angeordnet, die einen Träger 3 bedeckt.
Die dünne Schicht
kann direkt auf dem Träger
angeordnet werden. Der Träger
kann dann ein massives Substrat aus beispielsweise Silizium sein
oder sich aus einer Aufschichtung mehrerer Schichten aus einem oder mehreren
Materialien zusammensetzen.