DE60103172T2 - Wellenförmige dichtung mit emi-abschirmung für geringe schliesskräfte - Google Patents

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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen Dichtungen zur Bereitstellung einer Abkapselung gegen die Umgebung und/oder einer Abschirmung gegen elektromagnetische Störbeeinflussung (EMI) und insbesondere eine EMI-Abschirmungsdichtung mit geringer Schließkraft, welche insbesondere zur Verwendung innerhalb kleiner Elektronikgehäuse, wie beispielsweise Mobiltelefonen und anderen elektronischen Handgeräten, geeignet ist, siehe zum Beispiel US-A-6121545.
  • Der Betrieb von elektronischen Geräten, wie beispielsweise Fernsehern, Radios, Rechnern, medizinischen Instrumenten, Büromaschinen, Kommunikationseinrichtungen und dergleichen, wird durch die Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung innerhalb der elektronischen Schaltungsanordnung der Einrichtung besorgt. Wie in US-Patent Nr. 5,202,536; 5,142,101; 5,105,056; 5,028,739; 4,952,448 und 4,857,668 genau beschrieben wird, entwickelt sich diese Strahlung häufig als ein Feld oder als Übergänge innerhalb des Hochfrequenzbandes des elektromagnetischen Spektrums, d.h. zwischen etwa 10 KHz und 10 GHz, und wird als „elektromagnetische Störbeeinflussung" oder „EMI" bezeichnet, da sie bekanntlich den Betrieb anderer in der Nähe befindlicher elektronischer Geräte störend beeinflusst.
  • Zur Abschwächung von EMI-Effekten kann eine Abschirmung mit der Fähigkeit, EMI-Energie zu absorbieren und/oder zu reflektieren, eingesetzt werden, um sowohl die EMI-Energie innerhalb eines Quellengeräts einzuschließen als auch um dieses Gerät oder andere „Ziel"-Geräte von anderen Quellengeräten zu isolieren. Diese Abschirmung ist als eine Barriere vorgesehen, welche zwischen der Quelle und den anderen Geräten eingefügt wird, und sie ist normalerweise als ein elektrisch leitendes und geerdetes Gehäuse, welches das Gerät umschließt, ausgelegt. Da die Schaltungsanordnung des Geräts für die Wartung oder dergleichen im Allgemeinen zugänglich bleiben muss, sind die meisten Gehäuse mit Zugängen, wie beispielsweise Türen, Luken, Platten oder Abdeckungen, versehen, die geöffnet oder entfernt werden können. Doch selbst zwischen dem flachsten dieser Zugänge und seiner entsprechenden dazupassenden oder genau anliegenden Fläche können Spalte vorhanden sein, welche die Wirksamkeit der Abschirmung durch Aufweisen von Öffnungen, durch welche Strahlungsenergie entweichen oder anderweitig in das Gerät eintreten oder daraus austreten kann, verringern. Außerdem stellen solche Spalte Unterbrechungen in der Oberflächen- und Erdungsleitfähigkeit des Gehäuses oder einer anderen Abschirmung dar und können durch Funktionieren als eine Form von Schlitzantenne sogar eine Sekundärquelle von EMI-Strahlung erzeugen. In diesem Zusammenhang entwickeln Volumen- oder Oberflächenströme, welche innerhalb des Gehäuses induziert werden, Spannungsgradienten über alle Grenzflächenspalte in der Abschirmung, wodurch diese Spalte als Antennen funktionieren, welche ein EMI-Geräusch ausstrahlen. Im Allgemeinen ist die Amplitude des Geräusches proportional zur Spaltlänge, wobei die Breite des Spalts eine weniger merkliche Wirkung hat.
  • Um Spalte innerhalb zusammenpassender Oberflächen von Gehäusen und anderen EMI-Abschirmungsstrukturen auszufüllen, wurden Dichtungen und andere Dichtverschlüsse vorgeschlagen, um sowohl den elektrischen Durchgang über die Struktur aufrechtzuerhalten als auch um solche Verunreinigungssubstanzen wie Feuchtigkeit und Staub vom Innenraum des Geräts auszuschließen. Diese Dichtverschlüsse werden an eine der zusammenpassenden Oberflächen gebunden oder mechanisch daran befestigt oder durch Pressen darin eingepasst und funktionieren, um alle Grenzflächenspalte zu schließen und so einen kontinuierlichen Leitweg darüber herzustellen, indem sie sich unter einem angelegten Druck an Unregelmäßigkeiten zwischen den Oberflächen anpassen. Demgemäß sind Dichtverschlüsse, welche für EMI-Ab schirmungsanwendungen bestimmt sind, so vorgeschrieben, dass sie eine Konstruktion aufweisen, welche nicht nur selbst unter Druck elektrische Oberflächenleitfähigkeit bereitstellt, sondern welche auch eine Elastizität aufweist, die es den Dichtverschlüssen erlaubt, sich an die Größe des Spalts anzupassen. Die Dichtverschlüsse müssen außerdem verschleißfest und wirtschaftlich herzustellen sein, sowie die Fähigkeit aufweisen, wiederholten Druck- und Entspannungszyklen standzuhalten. Für weitere Informationen über Spezifikationen für EMI-Abschirmungsdichtungen kann auf Severinsen, J., „Gaskets That Block EMI", Machine Design, Band 47, Nr. 19, ff. 74 bis 77 (7. August 1975) Bezug genommen werden.
  • EMI-Abschirmungsdichtungen sind normalerweise als ein elastisches Kernelement mit Spaltfüllfähigkeiten aufgebaut, welches entweder mit einem elektrisch leitenden Element gefüllt, umhüllt oder beschichtet wird. Das elastische Kernelement, welches geschäumt oder ungeschäumt, massiv oder röhrenförmig sein kann, wird normalerweise aus einem elastomeren thermoplastischen Material, wie beispielsweise Polyethylen, Polypropylen, Polyvinylchlorid oder einer Polypropylen-EPDM-Mischung, oder einem thermoplastischen oder wärmehärtbaren Kautschuk, wie beispielsweise einem Butadien-, Styrol-Butadien-, Nitril-, Chlorsulfonat-, Neopren-, Urethan- oder Siliconkautschuk, gebildet.
  • Leitende Materialien für das Füllmittel, die Umhüllung oder die Beschichtung umfassen Metalle oder metallisierte Partikel, Stoffe, Netze und Fasern. Bevorzugte Metalle umfassen Kupfer, Nickel, Silber, Aluminium, Zinn oder eine Legierung, wie beispielsweise Monel, wobei bevorzugte Fasern und Stoffe Natur- und Kunstfasern, wie beispielsweise Baumwolle, Wolle, Seide, Cellulose, Polyester, Polyamid, Nylon und Polyimid, umfassen. Alternativerweise können andere leitende Partikel und Fasern, wie beispielsweise Kohlen stoff und Graphit, oder ein leitendes Polymermaterial als Ersatz dienen.
  • Herkömmliche Herstellungsverfahren für EMI-Abschirmungsdichtungen umfassen Extrusion, Formen oder Stanzen, wobei Formen und Stanzen für besonders kleine oder komplexe Abschirmungsformen bisher bevorzugt werden. In diesem Zusammenhang bezieht Stanzen das Bilden der Dichtung aus einer ausgehärteten Folie eines elektrisch leitenden Elastomers ein, welche unter Verwendung eines Stanzwerkzeugs oder dergleichen zur gewünschten Form zugeschnitten oder gestanzt wird. Formen wiederum bezieht Press- oder Spritzgießformen eines ungehärteten oder thermoplastischen Elastomers in die gewünschte Form ein.
  • In letzter Zeit wurde ein Am-Einsatzort-Formverfahren (FIP für engl. form-in-place) zur Herstellung von EMI-Abschirmungsdichtungen vorgeschlagen. Wie in den gemeinsam übertragenen US-Patenten Nr. 6,069,413; 5,910,524 und 5,641,438 und der PCT-Anmeldung WO 96/22672, und in US-Patent Nr. 5,882,729 und 5,731,541, sowie der japanischen Patentschrift (Kokai) Nr. 7177/1993 beschrieben wird, bezieht dieses Verfahren die Anwendung eines Strangs einer zähflüssigen, vernetzungsfähigen, elektrisch leitenden Zusammensetzung ein, welche in einem fließenden Zustand aus einer Düse direkt auf die Oberfläche eines Substrats, wie beispielsweise eines Gehäuses oder einer anderen Einfassung, ausgegeben wird. Die Zusammensetzung, normalerweise ein silbergefülltes oder anderes elektrisch leitendes Siliconelastomer, wird dann durch die Zuführung von Wärme oder mit Luftfeuchtigkeit oder Ultraviolettstrahlung (UV) am Einsatzort vernetzt, um eine elektrisch leitende elastomere EMI-Abschirmungsdichtung in situ auf der Substratfläche zu bilden.
  • Eine andere neue EMI-Abschirmungslösung für Elektronikeinfassungen, welche in den gemeinsam übertragenen US-Patent Nr. 5,566,055 und DE 19728839 näher beschrieben wird, bezieht das Überformen des Gehäuses oder der Abdeckung mit einem leitenden Elastomer ein. Das Elastomer wird in einer verhältnismäßig dünnen Schicht über die Innenfläche des Gehäuses oder der Abdeckung und in einer verhältnismäßig dicken Schicht entlang der Grenzflächenstellen davon einstückig geformt, wodurch sowohl ein dichtungsähnliches Verhalten zum dichten Verschweißen der Abdeckung am Gehäuse als auch elektrischer Durchgang für die EMI-Abschirmung der Einfassung bereitgestellt wird. Das Elastomer kann außerdem auf innere Trennwände der Abdeckung oder des Gehäuses geformt oder selbst so geformt werden, dass es einstückig solche Trennwände bildet, wodurch elektromagnetisch isolierte Abteilungen zwischen einander potenziell störend beeinflussenden Schaltungskomponenten bereitgestellt werden. Abdeckungen dieser Art werden durch die Chomerics EMC Division der Parker-Hannifin Corporation (Woburn, MA) unter der Marke Cho-Shield® im Handel vertrieben.
  • Noch eine andere Lösung zum Abschirmen von Elektronikeinfassungen und insbesondere der kleineren Einfassungen, welche für Mobiltelefone und andere elektronische Handgeräte typisch sind, betrifft die Einbindung einer dünnen Kunststoffhalteplatte oder ebensolchen Rahmens als ein Tragelement der Dichtung. Wie in der gemeinsam übertragenen, ebenfalls anhängigen Patentanmeldung U.S.S.N. 08/377,412, welche am 24. Januar 1995 eingereicht wurde, kann das elektrisch leitende Elastomer geformt oder, wie in US-Patent Nr. 5.731,541 beschrieben, am Einsatzort gebildet oder anderweitig an den Innen- oder inneren Umfangskantenflächen und/oder den Flächen der Ober- oder Unterseite des Rahmens angebracht werden. Mit diesem Aufbau kann die Dichtungs- und Rahmeneinheit innerhalb des elektronischen Geräts eingebaut werden, um einen Pfad mit niedrigem Widerstand zum Beispiel zwischen peripheren Erdleiterbahnen auf einer Leiterplatte des Geräts (PCB nach engl. printed circuit board) und anderen Komponenten davon, wie bei spielsweise der leitenden Beschichtung eines Kunststoffgehäuses, einer anderen Leiterplatte (PCB) oder einer Tastaturfeldeinheit bereitzustellen. Verwendungen für die Einlegedichtungen der Art hierin umfassen EMI-Abschirmungsanwendungen in digitalen Mobiltelefonen, Schnurlostelefonen und Handapparaten für persönliche Kommunikationsdienste (PCS für engl. personal communications services), PC-Karten (PCMCIA-Karten), globalen Navigationssystemen (GPS für engl. global positioning systems), Funkempfängern und anderen Handgeräten, wie beispielsweise persönlichen digitalen Assistenten (PDA). Andere Verwendungen umfassen als Ersatz für Metall-„Zäune" von EMI-Abschirmungen auf Leiterplatten (PB) in drahtlosen Telekommunikationsgeräten.
  • Erfordernisse für typische Anwendungen in kleinen Einfassungen schreiben im Allgemeinen einen niedrigen Widerstand und eine Flachverbindung vor, welche unter verhältnismäßig geringen Schließkraftlasten, z.B. etwa 0,2 bis 1,5 kg je cm (1,0 bis 8,0 lbs je Zoll) Dichtungslänge, biegungsfähig ist. Für gewöhnlich ist auch eine Mindestbiegung von normalerweise etwa 10 % vorgeschrieben, um sicherzustellen, dass sich die Dichtung an das dazupassende Gehäuse oder die dazupassenden Plattenflächen genügend anpasst, um einen elektrisch leitenden Pfad dazwischen zu entwickeln. Es wurde jedoch festgestellt, dass die Schließ- oder andere Biegekraft, welche erforderlich ist, um die vorgeschriebene Mindestbiegung von herkömmlichen Profilen zu bewirken, für gewisse Anwendungen größer sein kann, als durch die konkrete Konstruktion der Gehäuse- oder Leiterplatteneinheit ausgeglichen werden kann.
  • Ein Verfahren zum Erreichen einer Dichtungskonstruktion mit geringerer Schließkraft, welche insbesondere zur Verwendung in kleineren elektronischen Einfassungsanordnungen geeignet ist, war, die Dichtung so auszubilden, dass sie ein periodisches „unterbrochenes" Muster von abwechselnden örtlichen Maximal- und Minimalhöhen aufwies. Herkömmlicher weise, und wie in den gemeinsam übertragenen, ebenfalls anhängigen Patentanmeldungen U.S.S.N. 09/042,135, welche am 13. März 1998 eingereicht wurde, und U.S.S.N. 60/183,395, welche am 18. Februar 2000 eingereicht wurde, sowie in der technischen Publikation „EMI Shielding and Grounding Spacer Gasket", Parker Chomerics Division, Woburn, MA (1996), und der PCT-Anmeldung 98/54942 beschrieben wird, können Dichtungen dieser Art durch Formen oder den FIP-Prozess so, dass sie ein mit Zinnen versehenes, d.h. gekerbtes oder sägezahnförmiges, oder ein sinusförmiges „Wellenform"-Profil aufweisen, oder als eine Reihe von getrennten Tropfen ausgebildet werden. Im Allgemeinen wird für eine vorgeschriebene Verbindungsform von einer Dichtung mit solch einem „unterbrochenen" Profil oder Muster erwartet, dass sie unter einer bestimmten Drucklast eine größere Biegung als ein durchgehendes Profil an den Tag legt.
  • Eine handelsübliche Wellenformdichtungseinheit, welche für den bestehenden Stand der Technik repräsentativ ist, ist in der perspektivischen Ansicht von 1 und in der Draufsicht von 2 im Allgemeinen bei 1 so dargestellt, dass sie ein Stück einer elektrisch leitenden Elastomerdichtung 2 umfasst, welche als ein silber- oder silberplattierungsgefülltes Silicon- oder Fluorsiliconmaterial formuliert ist, das durch Spritzgieß- oder Pressformen entlang einer abgequetschten, bei 3 angezeigten Kante eines Gehäuses 4 verklebt ist. Das Gehäuse 4 kann aus einem Kunststoffmaterial, wie beispielsweise ABS, Polycarbonat, Nylon, Polyester, Polyetherimid, einem Flüssigkristallpolymer (LCP für engl. liquid crystal polymer) oder dergleichen, gebildet sein, das mit einer metallisierten Beschichtung versehen ist, um die Innenfläche 5 davon elektrisch leitend zu machen. Alternativerweise kann das Gehäuse 4 aus einem verhältnismäßig leichten Metall, wie beispielsweise Magnesium oder Aluminium, gebildet werden.
  • In der Grundgeometrie nimmt die distale Kante 6 der Dichtung 2 ein im Allgemeinen sinusförmiges Profil an. Funktionsgemäß verformt sich die Elastomerdichtung 2 durch eine Druckart, bei der die Täler der Wellenform als Druckanschläge fungieren. Dieses Verformungsverhalten der Dichtung 2 ist in 2' veranschaulicht, in welcher ein 3-D-Gittermodell eines Querschnitts davon bei 7 in Durchsicht in einer nicht zusammengedrückten oder normalen Ausrichtung dargestellt ist, welche über die verformte oder belastete Ausrichtung gelegt ist, welche bei 8 angezeigt ist und welche bei Zusammendrücken der Dichtung 2 zwischen der Kantenfläche 3 (in 2' nicht dargestellt) und einer genau anliegenden Grenzfläche, die durch die Ebene dargestellt ist, welche bei 9 in Durchsicht angezeigt ist, angenommen wird. Wie in 2' bestätigt wird, legt die Dichtung 2 ein Verformungsverhalten an den Tag, welches hauptsächlich im Zusammendrücken ist, wobei die dunkleren Schattierungsbereiche Regionen von zunehmender Druckspannung andeuten.
  • Es ist zu erkennen, dass, da die Größen der elektronischen Handgeräte, wie beispielsweise Mobiltelefone, immer kleiner geworden sind, daher weitere Verbesserungen in der Konstruktion von Dichtungsprofilen von der Elektronikindustrie willkommen geheißen werden würden. Besonders wünschenswert wäre ein Dichtungsprofil mit geringer Schließkraft, welches zur Verwendung in den kleineren Elektronikeinfassungen, die immer mehr zum Industriestandard werden, geeignet ist.
  • ALLGEMEINE DARLEGUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung ist auf eine Dichtung mit geringer Schließkraft zur Abkapselung gegen die Umgebung und/oder Abschirmung gegen elektromagnetische Störbeeinflussung (EMI) gerichtet, welche insbesondere zur Verwendung in kleineren elektronischen Einfassungsanordnungen geeignet ist. Wie bei den herkömmlichen Konstruktionen ist die Dichtung der vorliegenden Erfindung so ausgelegt, dass sie eine Apexfläche aufweist, welche in Bezug auf das Gehäuse oder ein anderes Substrat, auf welchem die Basis der Dichtung getragen werden kann, so ausgebildet ist, dass sie ein sinusförmiges oder anderes „Wellenform"-Profil an den Tag legt, um auf geringere Schließkraftlasten anzusprechen, wenn sie zwischen einem Paar von Oberflächen, wie beispielsweise zwischen zwei Hälften eines Gehäuses, zusammengedrückt wird. Die Dichtung gemäß der Erfindung ist jedoch ferner so ausgelegt, dass sie zum Beispiel wenigstens eine Seitenfläche aufweist, welche in Bezug auf die Apexfläche als ein quer verlaufendes Wellenformprofil ausgebildet ist, um ein kontrolliertes Biegeverhalten an den Tag zu legen, welches als ein Biegemoment bezeichnet werden kann. Dieses Verhalten stellt vorteilhafterweise eine große, aber kontrollierte Biegung bereit und ermöglicht einen einheitlicheren Grenzflächenkontakt mit der Kontaktfläche für einen besser gesicherten elektrischen und physischen Durchgang und wiederum einen zuverlässigeren Wirkungsgrad hinsichtlich der EMI-Abschirmung und der Abkapselung gegen die Umgebung. Wenn die erfindungsgemäße Dichtung zum Beispiel in Elektronikanwendungen eingesetzt wird, stellt sie daher einen beständigen Wirkungsgrad hinsichtlich der EMI-Abschirmung und außerdem hinsichtlich der Abkapselung gegen die Umgebung bereit.
  • Vorteile der vorliegenden Erfindung umfassen daher die Bereitstellung eines verbesserten Dichtungsprofils für Anwendungen mit geringer Schließkraft, wie sie beispielsweise in kleinen elektronischen Handgeräten gefunden werden können. Zusätzliche Vorteile umfassen ein Dichtungsprofil, welches ein kontrolliertes Biegeverhalten für einen stabileren Grenzflächenkontakt mit dem Gehäuse oder den Leiterplattenkomponenten der Einfassung und wiederum einen besser gesicherten elektrischen Durchgang und zuverlässigeren Wirkungsgrad hinsichtlich der EMI-Abschirmung an den Tag legt. Diese und andere Vorteile sind für die Fachleute auf der Basis der hierin enthalten Offenbarung leicht zu erkennen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Zum besseren Verständnis der Beschaffenheit und der Aufgaben der Erfindung sollte auf die folgende ausführliche Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen Bezug genommen werden, wobei:
  • 1 eine perspektivische Seitenansicht, teilweise im Querschnitt, eines Abschnitts eines Gehäuses für ein elektronisches Kommunikationsbandgerät ist, welches eine „wellenförmige" EMI-Abschirmungsdichtung aufweist, die auf eine Kante davon geformt ist und die für den Stand der Technik repräsentativ ist;
  • 2 eine Draufsicht des Gehäuses von 1 ist;
  • 3 ein 3-D-Gittermodell eines Querschnitts der Wellenformdichtung von 1 nach dem Stand der Technik ist, welches das Druckverhalten davon darstellt;
  • 4 eine perspektivische Seitenansicht, teilweise im Querschnitt, eines Abschnitts einer repräsentativen EMI-Abschirmungseinheit ist, welche ein Gehäuseteil umfasst, entlang dessen Kanten eine Ausführungsform einer Kombinationswellenformdichtung gemäß der vorliegenden Erfindung geformt ist;
  • 5 eine vergrößerte, um 90° verdrehte Ansicht der EMI-Abschirmungseinheit von 4 ist;
  • 6 eine weiter vergrößerte Ansicht der EMI-Abschirmungseinheit von 5 ist, welche den Querschnitt der Wellenformdichtung der vorliegenden Erfindung in einem vergrößerten Detail darstellt;
  • 7 ein 3-D-Gittermodell eines Querschnitts der Wellenformdichtung von 6 ist, welches das Biegeverhalten davon darstellt;
  • 8 eine grafische Darstellung ist, welche das Kraft-Biegeverhalten der Kombinationswellenformdichtung von 7 gemäß der vorliegenden Erfindung mit einer ähnlich bemessenen Nichtwellenformdichtung vergleicht;
  • 9A eine grafische 3-D-Darstellung eines Finite-Elemente-Modells der vorausgesagten Spannungsverteilung bei einer Biegung von 0,50 mm (0,020 Zoll) in einem repräsentativen Wellenformdichtungsprofil der vorliegenden Erfindung ist;
  • 9B eine grafische 3-D-Darstellung der Spannungsverteilungen des Dichtungsprofils von 9A bei einer Biegung von 0,635 mm (0,025 Zoll) ist;
  • 10A eine grafische 3-D-Darstellung eines Finite-Elemente-Modells der vorausgesagten Spannungsverteilungen bei einer Biegung von 0,50 mm (0,020 Zoll) in einer alternativen Ausführungsform eines Wellenformdichtungsprofils der vorliegenden Erfindung ist;
  • 10B eine grafische 3-D-Darstellung der Spannungsverteilungen des Dichtungsprofils von 10A bei einer Biegung von 0,635 mm (0,025 Zoll) ist;
  • 11 eine grafische Darstellung ist, welche das Kraft-Biegeverhalten der Kombinationswellenformdichtung von 9 gemäß der vorliegenden Erfindung mit der herkömmlichen Wellenformdichtung von 1 vergleicht.
  • Die Zeichnungen werden in Verbindung mit der folgenden ausführlichen Beschreibung der Erfindung näher beschrieben.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Eine gewisse Terminologie kann in der folgenden Beschreibung vielmehr zur Zweckmäßigkeit als zu irgendeinem einschränkenden Zweck eingesetzt werden. Zum Beispiel bezeichnen die Begriffe „nach vorne", „nach hinten", „rechts", „links", „oberer" und „unterer" Richtungen in den Zeichnungen, auf welche Bezug genommen wird, wobei sich die Begriffe „nach innen", „innerer" oder „nach innen gerichtet" und „nach außen", „äußerer" oder „nach außen gerichtet" sich jeweils auf Richtungen zum Zentrum des erwähnten Elements hin oder davon weg beziehen, und sich die Begriffe „radial" beziehungsweise „axial" auf Richtungen beziehen, welche senkrecht und parallel zur zentralen Längsachse des erwähnten Elements sind. Terminologie ähnlicher Bedeutung, die sich von den zuvor eigens erwähnten Wörtern unterscheidet, ist gleichermaßen dahingehend zu betrachten, dass sie vielmehr aus Gründen der Zweckmäßigkeit als in irgendeinem einschränkenden Sinn verwendet wird.
  • In den Figuren können Elemente mit einer alphanumerischen Bezeichnung hierin zusammen oder alternativerweise, wie aus dem Zusammenhang zu erkennen ist, nur durch den numerischen Teil der Bezeichnung angezeigt sein. Außerdem können die Bauteile von verschiedenen Elementen in den Figuren mit getrennten Bezugzeichen bezeichnet sein, welche dahingehend zu verstehen sind, dass sie sich auf dieses Bauteil des Elements und nicht auf das Element als Ganzes beziehen. Allgemeine Bezugnahmen können zusammen mit Bezugnahmen auf Spalte, Oberflächen, Abmessungen und Ausdehnungen mit Pfeilen bezeichnet sein.
  • Für die Zwecke des folgenden Diskurses werden die hierin einbezogenen Grundsätze der Erfindung in Verbindung mit dem Formen oder anderem Aufbringen einer elektrisch leitenden Elastomerdichtung zur Abschirmung gegen elektromagnetische Störbeeinflussung (EMI) auf eine Kante oder andere Oberfläche eines Teils einer Einfassung für ein elektronisches Handgerät, wie beispielsweise ein Mobiltelefon, beschrieben. Es ist angesichts des folgenden Diskurses jedoch zu erkennen, dass Aspekte der vorliegenden Erfindung auch in anderen EMI-Abschirmungsanwendungen, wie beispielsweise für Einlegerahmendichtungen, Leiterplatten oder EMI-Abschirmungskappen, oder in elektrisch nichtleitenden und/oder wärmeleitfähigen Ausführungsformen für Anwendungen zur Abkapselung gegen die Umgebung und/oder Wärmeübertragung Verwendung finden können. Die Verwendung innerhalb dieser anderen Anwendungen ist deshalb ausdrücklich so anzusehen, dass sie innerhalb des Rahmens der vorliegenden Erfindung liegen.
  • Nunmehr unter Bezugnahme auf die Figuren ist eine beispielhafte Dichtungseinheit für EMI-Abschirmungsanwendungen in 4 im Allgemeinen bei 10 so dargestellt, dass sie ein Gehäuseteil oder eine andere Einfassung 12 für ein elektronisches Gerät umfasst, welches ein Mobiltelefon oder alternativerweise ein anderes Hand- oder anderes elektronisches Gerät, wie beispielsweise ein Handapparat für persönliche Kommunikationsdienste (PCS), eine PCMCIA-Karte, ein globales Navigationssystem (GPS), ein Funkempfänger, ein persönlicher digitaler Assistent (PDA) oder dergleichen, sein kann. Das Gehäuseteil 12 weist eine Innenfläche 14 und eine Außenfläche 16 auf, welche sich erstrecken, um Seitenwände zu bilden, von welchen eine bei 18 angezeigt ist und welche dazwischen eine Umfangskantenfläche 20 aufweisen. Die Kantenfläche 20 funktioniert als eine Grenzfläche mit einer genau anliegenden Kanten- oder anderen Grenzfläche eines dazupassenden Gehäuseteils (nicht dargestellt). Um die formschlüssige Positionierung der zusammenpassenden Teile sicherzustellen, kann jedes der Teile so ausgebildet sein, dass es einen oder mehrere Fixierstifte aufweist, von welchen einer bei 22 auf dem Teil 12 angezeigt ist und welche innerhalb eines entsprechenden, im dazupassenden Gehäuseteil vorgesehenen Loches, wie beispielsweise Loch 14 des Teils 12, aufgenommen werden können. Typischerweise ist der Innenraum des Gehäuseteils 12, beispielsweise durch eine Innenwand 26, in mehrere getrennte Hohlräume unterteilt, um elektromagnetisch isolierte Abteilungen zwischen einander potenziell störend beeinflussenden Schaltungsanordnungen bereitzustellen.
  • Für viele Anwendungen kann das Gehäuseteil 12 aus einem thermoplastischen oder anderen polymeren Material, wie beispielsweise einem Poly(ether-Ether-Keton), Polyimid, Polyethylen mit hoher relativer Molekülmasse, Polypropylen, Polyetherimid, Polybutylenterephthalat, Nylon, Fluorpolymer, Polysulfon, Polyester, ABS, Acetalhomo- oder -copolymer, oder einem Flüssigkristallpolymer durch Spritzgießen oder anderweitig geformt werden. Im Falle eines elektrisch nichtleitenden Materials kann die Innenfläche 14 des Gehäuseteils gestrichen, metallisiert oder anderweitig mit einer Metall- oder metallgefüllten Deckschicht versehen werden. Alternativerweise kann das Gehäuseteil 12 aus einem verhältnismäßig leichten Metall, wie beispielsweise Magnesium oder Aluminium, gebildet werden.
  • Wie unter zusätzlicher Bezugnahme auf die vergrößerten Ansichten von 5 und 6 zu erkennen ist, ist eine elastische Dichtung, deren Bausegmente bei 30a-d angezeigt sind, auf die Seitenwand 18 und wahlweise die Innenwand 26 geformt oder wird anderweitig, wie beispielsweise durch Binden oder eine Presspassung, darauf gehalten, um unter einer vorbestimmten Drucklast zwischen der Kantenfläche 20 und der entsprechenden Oberfläche des dazupassenden Gehäuseteils (in 4 bis 6 nicht dargestellt) axial zusam mengedrückt werden zu können. In diesem Zusammenhang ist die Dichtung 30 vorzugsweise auf die Kantenfläche 20 der Seitenwand durch Spritzgieß- oder Pressformen so darüber geformt, dass sie aus einem elastomeren Material gebildet ist, welches speziell zur Temperatur-, chemischen oder physikalischen Vereinbarkeit mit dem Gehäusematerial ausgewählt ist. In Abhängigkeit von der Anwendung können geeignete Materialien Naturkautschuk, wie beispielsweise Hevea, sowie thermoplastische, d.h. schmelzverarbeitbare, oder wärmehärtbare, d.h. vulkanisierbare, Kunstkautschuke, wie beispielsweise Fluorpolymere, Chlorsulfonat, Polybutadien, Buna-N, Butyl, Neopren, Nitril, Polyisopren, Silicon und Fluorsilicon, Copolymerkautschuke, wie beispielsweise Ethylen-Propylen (EPR), Ethylen-Propylen-Dien-Monomer (EPDM), Nitrilbutadien (NBR) und Styrol-Butadien (SBR), oder Mischungen, wie beispielsweise Ethylen- oder Polypropylen-EPDM, -EPR oder -NBR, umfassen. Der Begriff „Kunstkautschuke" ist so zu verstehen, dass er auch Materialien umfasst, welche alternativerweise im Allgemeinen als thermoplastische oder wärmehärtbare Elastomere, wie beispielsweise Polyurethane, Silicone, Fluorsilicone, Styrol-Isopren-Styrol (SIS) und Styrol-Butadien-Styrol (SBS), eingestuft werden können, sowie andere Polymere, welche gummiähnliche Eigenschaften an den Tag legen, wie beispielsweise weich gemachte Nylons, Polyesters, Ethylenvinylacetate und Polyvinylchloride. Wie hierin verwendet, wird dem Begriff „elastomer" seine herkömmliche Bedeutung des Aufweisens gummiähnlicher Eigenschaften von Nachgiebigkeit, Elastizität oder Biegung unter Druck, geringem Druckverformungsrest, Flexibilität und einer Fähigkeit, sich nach der Verformung zu erholen, beigemessen.
  • Vorzugsweise für EMI-Abschirmungsanwendungen wird das elastomere Material so ausgewählt, dass es ein Silicon- oder Fluorsiliconmaterial ist. Im Allgemeinen legen Siliconelastomere wünschenswerte Eigenschaften, wie beispielsweise Wärme- und Oxidationsbeständigkeit über einen großen Temperaturbereich, sowie Beständigkeit gegen viele Chemikalien und Wettereinflüsse, an den Tag. Diese Materialien legen ferner ausgezeichnete elektrische Eigenschaften, einschließlich der Beständigkeit gegen Koronadurchschlag, über einen großen Bereich von Umgebungstemperaturen und Feuchtigkeit an den Tag.
  • Für EMI-Abschirmungsanwendungen können das Silicon- oder ein anderes elastomeres Material elektrisch leitend gemacht werden, um einen elektrisch leitenden Pfad zwischen den Grenzflächen durch Laden einer kontinuierlichen Bindemittelphase des Materials mit einem elektrisch leitenden Füllmittel bereitzustellen. Geeignete elektrisch leitende Füllmittel umfassen Nickel und nickelplattierte Substrate, wie beispielsweise Graphit und Edelmetalle, und Silber und silberplattierte Substrate, wie beispielsweise: reines Silber, silberplattierte Edelmetalle, wie beispielsweise silberplattiertes Gold; silberplattierte Nichtedelmetalle, wie beispielsweise silberplattiertes Kupfer, Nickel, Aluminium und Zinn; und silberplattiertes Glas, silberplattierte Keramikwerkstoffe, Kunststoffe und silberplattierten Glimmer; und Mischungen davon. Die Form des Füllmittels wird für die vorliegende Erfindung nicht als entscheidend betrachtet, und sie kann jede Form umfassen, welche herkömmlicherweise mit der Herstellung oder Formulierung von leitenden Materialien der hierin einbezogenen Art, einschließlich Vollkugeln, hohler Mikrokügelchen, Flocken, Plättchen, Fasern, Stäbe oder unregelmäßig geformter Partikel, zu tun haben. Auf ähnliche Weise wird die Partikelgröße des Füllmittels zwar nicht als entscheidend betrachtet, liegt aber im Allgemeinen im Bereich von etwa 0,250 bis 250 μm, wobei ein Bereich von etwa 0,250 bis 75 μm bevorzugt wird.
  • Das Füllmittel wird in einem Verhältnis in die Zusammensetzung geladen, welches ausreicht, um das Niveau elektrischer Leitfähigkeit und den EMI-Abschirmungs wirkungsgrad in der ausgehärteten Dichtung bereitzustellen, die für die beabsichtigte Anwendung erwünscht sind. Für die meisten Anwendungen wird ein EMI-Abschirmungswirkungsgrad von wenigstens 10 dB, vorzugsweise von wenigstens 20 dB und insbesondere von wenigstens 100 dB oder mehr über einen Frequenzbereich von etwa 10 MHz bis 12 GHz als annehmbar betrachtet. Ein derartiger Wirkungsgrad lässt sich in ein Füllmittelverhältnis übersetzen, welches im Allgemeinen zwischen etwa 10 bis 80 Volumen-% und vorzugsweise von etwa 20 bis 70 Volumen-%, bezogen auf das Gesamtvolumen des Reaktionssystems, beträgt. Bekanntlich variiert der endgültige Abschirmungswirkungsgrad der ausgehärteten Dichtung jedoch basierend auf der Menge von elektrisch leitendem Material im Füllmittel und der auferlegten Last oder Biegung normalerweise zwischen etwa 10 bis 50 % der Dichtung.
  • Alternativerweise kann das elektrisch leitende Füllmittel als eine verhältnismäßig dünne, d.h. 0,025 bis 0,25 mm (1 bis 10 Millizoll) dicke, Plattierungs- oder Deckschicht, welche die Dichtung abdeckt, bereitgestellt werden. Im Falle einer Beschichtung kann diese Schicht als ein Silicon-, Fluorsilicon- oder anderes elastomeres Bindemittel formuliert werden, welches eine kontinuierliche Phase bildet, innerhalb der das Füllmittel fein verteilt wird.
  • Um auf 4 bis 6 zurückzukommen, ist zu erkennen, dass die Bausegmente 30a-b der Dichtung 30 im nicht zusammengedrückten oder normalen Zustand jeweils als ein länglicher Körper 40 von unbestimmter Länge ausgebildet sind, welcher sich entlang einer Längsachse erstreckt, wobei die Achse als die zentrale Achse, welche im Allgemeinen bei 42 angezeigt ist, für die Dichtungssegmente 30a und 30b dargestellt ist. In Abhängigkeit von der Form des Gehäuseteils 12 können die Dichtung 30 und demgemäß der Körper 40 davon kontinuierlich oder diskontinuierlich sein. und sie können einen linearen, gekrümmten, geradlinigen, krummlinigen oder anderweitig geformten Pfad entlang der Längsachse 42 verfolgen.
  • Unter besonderer Bezugnahme auf die vergrößerten Ansichten von 5 und 6 ist zu erkennen, dass der Körper 40 gemäß den Grundsätzen der vorliegenden Erfindung so ausgelegt ist, dass er ein kombiniertes Wellenformprofil aufweist, welches ein kontrolliertes Biegeverhalten in der Dichtung 30 bewirkt. Im Grundaufbau umfasst dieses Profil eine Basis- oder untere Fläche 50, eine Apex- oder obere Fläche 52, welche das erste Wellenformprofil der Dichtung 30 definiert und von welcher ein Abschnitt bei 53 angezeigt ist, eine nach innen gerichtete Seitenfläche 54 und eine nach außen gerichtete Seitenfläche 56, welche gegenüber der nach innen gerichteten Seitenfläche 54 angeordnet ist und welche das zweite Wellenformprofil der Dichtung definiert. Wie zu erkennen ist, können alle der Flächen 50, 52, 54 und 56 innerhalb des Körpers 40 einstückig ausgebildet sein.
  • Die Basisfläche 50 in der veranschaulichten Form der Dichtung 30 ist im Allgemeinen flach und erstreckt sich im Allgemeinen parallel zur Kantenfläche 20 des Gehäuseteils entlang der Länge des Dichtungskörpers 40. Indem die Dichtung 30 auf die Kantenfläche 20 geformt oder anderweitig daran gebunden oder befestigt wird, trägt die Basisfläche 50 dadurch die Dichtung auf der Fläche 20 proximal, um zwischen derselben und der genau anliegenden Grenzfläche (in 5 und 6 nicht dargestellt) zum Beispiel des dazupassenden Gehäuseteils zusammengedrückt zu werden. In Abhängigkeit von der Geometrie oder der Ausrichtung der Kantenfläche 20 kann die Basisfläche 50 jedoch alternativerweise so ausgelegt werden, dass sie zum Beispiel abgefast oder abgeschrägt ist, um jeder Abfasung oder Abschrägung der nach innen gerichteten Ecke 60 der Fläche 20 zu entsprechen. Außerdem ist die Basisfläche 50 in der veranschaulichten Ausführungsform von 5 und 6 ferner so ausgebildet, dass sie in Abhängigkeit davon, ob sie an die Innenfläche 14 der Seitenwand 18 gebunden oder anderweitig daran gesichert ist, einen Erweiterungsabschnitt aufweist, welcher am besten in 6 bei 62 in Durchsicht zu erkennen ist. Es versteht sich von selbst, dass der Erweiterungsabschnitt 62 eine zusätzliche Oberfläche, sowie eine Scherflächenbefestigung zur weiteren Sicherung, wie beispielsweise durch selbstklebendes Formen oder Klebebinden, des Dichtungskörpers 40 am Gehäuseteil 12 bereitstellt.
  • Die Apexfläche 52 erstreckt sich radial von der Längsachse 42, und zwar so, dass sie von der Basisfläche 50 zum distalen Kontakt mit der genau anliegenden Grenzfläche (nicht dargestellt) beabstandet ist. In der veranschaulichten Ausführungsform von 5 und 6 definiert die Apexfläche 52 das erste Wellenformprofil 53 der Dichtung 30, indem sie sich entlang der Längsachse 42 in einer ersten periodischen Reihe von abwechselnden ersten Intervallen mit hoher Amplitude oder Gipfeln, von welchen einer bei 70 angezeigt ist, und ersten Intervallen mit niedriger Amplitude oder Tälern, von welchen eines bei 72 angezeigt ist, erstreckt. Das erste Wellenformprofil 53, welches durch die Apexfläche 52 definiert ist, kann zwar jedes Muster, wie beispielsweise Rechteckwelle, Rampe, Sägezahn, aufweisen, ist aber in der veranschaulichten Ausführungsform von 6 so dargestellt, dass es im Allgemeinen sinusförmig ist und eine bestimmte, vorzugsweise konstante Wellenlänge, die bei λ1 angezeigt ist und für viele Anwendungen zwischen etwa 0,25 bis 12,7 mm (0,01 bis 0,50 Zoll) sein kann, und eine Höhe h oder Doppelwellenamplitude, welche zwischen etwa 0,13 bis 12,7 mm (0,005 bis 0,50 Zoll) sein kann, aufweist. Für EMI-Abschirmungsanwendungen können die Wellenlänge λ1 und demgemäß die Spalte zwischen den Gipfeln 70 in Bezug auf die Wellenlänge der einfallenden EMI-Strahlung so bemessen werden, dass sie beispielsweise etwa weniger als 1/4 dieser Wellenlänge für Frequenzen im Bereich von 10 MHz bis 10 GHz sind, um das erforderliche Niveau an EMI-Abschirmung aufrechtzuerhalten. Außerdem wird für EMI-Abschirmungsanwendungen bevorzugt, dass ein minimaler elektrischer Widerstand, der normalerweise etwa 0,1 Ω oder weniger beträgt, je Längeneinheit der Dichtung 30 aufrechterhalten wird.
  • Die nach innen gerichtete Seitenfläche 54 erstreckt sich zwischen der Basis- und der Apexfläche 50 und 52, indem sie eine Seite des Dichtungskörpers 40 bildet. Indem die andere Seite des Dichtungskörpers 40 durch die nach außen gerichtete Seitenfläche 56 gebildet wird, ist eine Breitenausdehnung, welche in 6 bei w angezeigt ist, der Apexfläche dazwischen definiert, welche zur Erleichterung der Herstellung des Form- oder anderen Werkzeugs für die Dichtung 30 mittels eines CNC- oder Drahtschneide-EDM-Prozesses im Allgemeinen so gehalten werden kann, dass sie konstant ist. Um zur Kontrolle der Biegung der Dichtung auf die später zu beschreibende Weise beizutragen, kann die nach innen gerichtete Seitenfläche 54 so ausgelegt sein, dass sie ein im Allgemeinen konkaves Profil entlang der Längsachse 42 zwischen der Basis- und der Apexfläche 52 annimmt, indem sie einen Krümmungsradius, der in 6 bei r1 angezeigt ist, um die Achse 74, welche sich im Allgemeinen parallel zur Längsachse 42 erstreckt, aufweist. Der Radius r1 ist normalerweise zwischen etwa 0,05 bis 5,8 mm (0,002 bis 0,20 Zoll) für viele der hierin einbezogenen Anwendungen.
  • Die nach außen gerichtete Seitenfläche 56 wiederum erstreckt sich auf ähnliche Weise zwischen der Basisfläche 50 und der Apexfläche 52 gegenüber der nach innen gerichteten Seitenfläche 54. Wie unter Bezugnahme auf die vergrößerte Ansicht von 6 zu erkennen ist, ist die nach außen gerichtete Seitenfläche 56 vorzugsweise entlang der Achse 76 von der Basisfläche 50 zur Apexfläche 52 in der Richtung der nach innen gerichteten Seitenfläche 54 so geneigt, dass sie mit der vertikalen Achse 78 einen spitzen Winkel bildet, der bei θ angezeigt ist. Diese Neigung der Seitenfläche 56 trägt weiter zur kontrollierten Biegung der Dichtung 30 bei, wie im Folgenden beschrieben wird.
  • Gemäß den Grundsätzen der vorliegenden Erfindung ist die nach außen gerichtete Seitenfläche 56 so ausgelegt, dass sie ein zweites Wellenformprofil der Dichtung 30 definiert. Wie am besten in 5 zu erkennen ist, ist dieses Profil, das in 5 bei 80 allgemein angezeigt ist, im Allgemeinen quer zum ersten Wellenformprofil 53 der Apexfläche 52 angeordnet und erstreckt sich entlang der Längsachse 42 in einer zweiten periodischen Reihe von abwechselnden zweiten Intervallen mit hoher Amplitude oder Gipfeln, von welchen einer in 5 bei 82 angezeigt ist, und zweiten Intervallen mit niedriger Amplitude oder Tälern, von welchen eines in 5 bei 84 angezeigt ist. Das zweite Wellenformprofil 80, welches durch die nach außen gerichtete Seitenwand 56 definiert ist, kann abermals jedes Muster, wie beispielsweise Rechteckwelle, Rampe, Sägezahn, aufweisen, und es kann dasselbe Muster wie das erste Wellenformprofil 53 der Apexfläche 52 aufweisen oder sich davon unterscheiden. In der veranschaulichten Ausführungsform von 5 ist das zweite Wellenformprofil 80 jedoch ebenfalls so dargestellt, dass es im Allgemeinen sinusförmig ist, indem es eine konvexe Krümmung, wie beispielsweise um eine geneigte zentrale Achse 86, in der Richtung, welche durch den Pfeil 88 angezeigt ist, zwischen jedem aufeinander folgenden Paar von Tälern 84 aufweist. Jedes derartige Talpaar definiert vorzugsweise auch eine konstante Wellenlänge, welche dazwischen bei λ2 angezeigt ist und welche in der Ausführungsform von 5 etwa gleich λ1 (6) des ersten Wellenformprofils 53 ist. Vorzugsweise ist jeder Gipfel 82 des zweiten Wellenprofils 80 in Passgenauigkeit mit einem entsprechenden Gipfel 70 des ersten Wellenformprofils 53 und ist jedes Tal 84 des zweiten Wellenformprofils 80 in Passgenauigkeit mit einem entsprechenden Tal 72 des ersten Wellenformprofils 53, so dass das erste und das zweite Wellenformprofil entlang der Längsachse 42 im Allgemeinen phasengleich sind.
  • Durch die Bereitstellung einer Kombination von Wellenformprofilen wird die Dichtung 30 der Erfindung dadurch so gemacht, dass sie ein kontrolliertes Biegeverhalten an den Tag legt, wenn sie unter einer axial gerichteten Kraft zum Beispiel zwischen der Kantenfläche 20 des Gehäuseteils 12 und einer genau anliegenden Grenzfläche von einem dazupassenden Gehäuseteil oder einer anderen Komponente verformt wird. Dieses Verformungsverhalten der Dichtung 30 ist in 7 veranschaulicht, wobei ein 3-D-Gittermodell eines Querschnitts der Dichtung 30 bei 90 in Durchsicht in einer nicht zusammengedrückten oder normalen Ausrichtung dargestellt ist, welche über die verformte oder belastete Ausrichtung gelegt ist, welche bei 92 angezeigt ist und bei Zusammendrücken der Dichtung 30 zwischen den Grenzflächen 94 und 96 angenommen wird. Wie in 7 zu sehen ist, ist das kontrollierte Biegeverhalten der Dichtung 30 darin gekennzeichnet, dass der Dichtungskörper 40 zwischen der Basis- und der Apexfläche 50 und 52 davon um einen entsprechenden Biege- oder Momentarm in der radialen Richtung, die durch den Pfeil 98 angezeigt ist, winkelig umgebogen, d.h. gebeugt oder gefaltet, wird. Die dunkleren Schattierungsbereiche in der Figur deuten Regionen von zunehmender Druckspannung an.
  • Es wurde festgestellt, dass die Bereitstellung eines solchen Biegemechanismus vorteilhafterweise die Last, welche erforderlich ist, um eine bestimmte Biegung der Dichtung 30 um bis zu etwa 50 % oder mehr zu bewirken, im Vergleich zur Biegung, welche durch das Zusammendrücken der Dichtung alleine zu erreichen ist, verringern kann. Das heißt, für eine bestimmte Drucklast kann die axiale Biegung der Dichtung 30 gemäß der vorliegenden Erfindung mehr als zweimal die Biegung einer Dichtung herkömmlicher Konstruktion, welche das beschriebene Biegemoment nicht aufweist, sein. Zum Beispiel kann die Dichtung der Erfindung unter einer Drucklast von etwa 0,2 bis 0,8 kg/cm (1,0 bis 4,0 lb/in) in einer typischen Anwendung um wenigstens etwa 0,15 bis 0,4 mm (0,006 bis 0,015 Zoll) umgebogen werden. Die Wirkungen einer Nichtwellenform- und einer Kombinationswellenformdichtungsform werden in 8 bei 100 verglichen. In 8 sind bei 102 und 104 normalisierte Last-Biegekurven als Funktionen der Gesamtlastkraft entlang der Achse, welche mit 106 bezeichnet ist, und der Biegeversetzung entlang der Achse, welche mit 108 bezeichnet ist, für Längeneinheiten des Kombinationswellenformdichtungsprofils von 7 (Kurve 102) beziehungsweise eines vergleichbar bemessenen, d.h. oben und unten gleich breiten und gleich hohen, Nichtwellenformprofils (Kurve 104) grafisch dargestellt.
  • Aus den Ergebnissen von 8 ist zu erkennen, dass innerhalb einer bestimmten Anwendung die Kraft, welche benötigt wird, um eine Kombinationswellenformkonstruktion umzubiegen, geringer ist als für eine vergleichbare kontinuierliche Konstruktion. Es ist zu erkennen, dass die Dichtung der vorliegenden Erfindung demgemäß zur Verwendung in EMI-Abschirmungsanwendungen, wie beispielsweise in Kommunikationshandapparaten und anderen Handgeräten, welche eine Abschirmungslösung mit geringer Schließkraft vorschreiben, besonders geeignet ist. In der Tat kann durch die Biegung der Dichtung ein vergrößerter Oberflächenkontakt zwischen der Dichtung und der Grenzfläche für einen verbesserten elektrischen Durchgang entwickelt werden.
  • Die Kombinationswellenformkonstruktion der vorliegenden Erfindung berücksichtigt außerdem, dass die Richtung der Dichtungsbiegung in Abhängigkeit von der Anforderungen der konkreten Anwendung geändert wird. Zum Beispiel ist in der Einheit 10 von 4 bis 6 die Richtung der Biegung der Dichtung 30 nach innen, d.h. zur Innenseite des Gehäuseteils 12, gerichtet. Alternativerweise kann die Biegung der Dichtung 30 durch Umkehren der Form der Seitenflächen 54 und 56 nach außen, d.h. zur Außenseite des Gehäuseteils 12, gerichtet werden. Diese Fähigkeit ermöglicht eine größere Flexibilität bei der Konstruktion der Einfassung. Obwohl die Dichtung 30 in 4 bis 6 so ausgelegt ist, dass sie auf einer Kantenfläche der Einfassung getragen wird, versteht es sich in der Tat von selbst, dass die Dichtung symmetrisch, d.h. mit zwei gegenüberliegenden Basisflächen 50 und zwei gegenüberliegend angeordneten Apexflächen 52, hergestellt werden kann, um auf gegenüberliegenden Seiten eines Substrats getragen werden zu können, wie beispielsweise der Einlegedichtungsrahmen, welche in der gemeinsam übertragenen, ebenfalls anhängigen Patentanmeldung U.S.S.N. 08/377,412, die am 24. Januar 1995 eingereicht wurde, und in US-Patent Nr. 5,731,541 näher beschrieben werden.
  • Das folgende Beispiel dient der Veranschaulichung der Durchführung und eindeutiger Merkmale der Erfindung, die hierin einbezogen sind, sollte aber nicht in irgendeinem einschränkenden Sinne ausgelegt werden.
  • BEISPIEL
  • Zur Bestätigung der Grundsätze der vorliegenden Erfindung wurde das statische Last-Biegeverhalten zweier Dichtungsprofile, welche gemäß der Erfindung ausgelegt waren, unter Verwendung eines nichtlinearen Finite-Elemente-Modellierprogramms MARC K6 (MARC Analysis Research Corp. Palo Alto, CA) vorausgesagt. Die Ergebnisse für die Dichtungsprofile, welche in 9A und 9B bei 200 und in 10A und 10B bei 300 ausgewiesen sind, sind für die zweite Cauchy-Spannungskomponente bei einer Biegung von 0,50 mm (0,020 Zoll) für 9A und 10A und 0,635 mm (0,025 Zoll) für 9B und 10B grafisch dargestellt.
  • Die Profile wurden unter Verwendung von achtknotigen 3-D-Hermann-Elementen modelliert, welche durch die Rasterlinien, die gemeinhin bei 400 angezeigt sind, dargestellt sind.
  • Das Zusammendrücken der Profile 200 und 300 wurde unter Verwendung eines Kontaktelements simuliert, welches als die Ebene, die gemeinhin bei 502 angezeigt ist, dargestellt ist. Die gegenüberliegende Kantenfläche (nicht dargestellt) wurde in der Analyse als ein starrer Körper in Bezug auf die Dichtungsprofile angesehen. Es ist zu erkennen, dass sich das Profil 300 von 10A und 10B vom Profil 200 von 9A und 9B im Wesentlichen darin unterscheidet, dass es eine Basisfläche 50 aufweist, welche einen abgewinkelten Abschnitt 302 zum Tragen des Profils 300 auf einer entsprechend abgeschrägten Kantenfläche umfasst.
  • Basierend auf den zuvor erwähnten Modellen wurde das Last-Biegeverhalten der Dichtungsprofile durch Finite-Elemente-Analyse unter Verwendung der Formänderungsenergiefunktion von Mooney-Rivlin vorausgesagt: W = C1 (I1 – 1) + C2 (I2 – 1) (1)wobei C1, C2 Materialkoeffizienten und I1, I2 Verformungsinvarianten sind, welche sich auf die Ogden-Funktion reduziert:
    Figure 00250001
    wobei λ1, λ2, λ3 Streckverhältnisse und αi, μi die Materialkoeffizienten sind. Für ein zweigliedriges Ogden-Modell, d.h. m = 2, sind die Gleichungen 1 und 2 äquivalent. Tabelle 1 fasst die zweigliedrigen Ogden-Konstanten und den Volumenelastizitätsmodul, welcher verwendet wurde, um die Beinahe-Unzusammendrückbarkeit von elastomeren Materialien zu berücksichtigen, eines repräsentativen siliconbasierten, gefüllten Elastomerformmaterials zusammen.
  • Tabelle 1 Repräsentative Ogden-Modell-Materialkonstanten
    Figure 00260001
  • In den FEA-Modellen von 9 und 10 ist die vorausgesagte Spannungskomponentenverteilung in der vertikalen Richtung durch die Konturschattierung mit den dunkleren Bereichen, welche Regionen von zunehmender Druckspannung andeuten, dargestellt. Es ist zu erkennen, dass das Biegemechanismusverhalten der Profile die Kraft, welche zur Biegung der Dichtung benötigt wird, merklich verringert. Natürlich können basierend auf den vorhergehenden Simulationen andere Dichtungsgeometrien als jene, welche in 8 und 9 dargestellt sind, ausgemalt werden, welche dieses Biegemechanismusmerkmal einbinden. Diese anderen Geometrien werden daher als innerhalb des Rahmens der vorliegenden Erfindung angesehen.
  • Quantitativ ist die Wirkung des beschriebenen Biegeverhaltens in 11 bei 600 modelliert, wobei Kurven normalisierter Lastkraft (Achse 602) zu Biegung (Achse 604) für Längeneinheiten des Kombinationswellenformdichtungsprofils von 9 (Kurve 606) und des herkömmlichen Wellenformprofils, d.h. ohne Biegung, von 1 (Kurve 608) grafisch dargestellt sind. Die jeweiligen Dichtungsprofile, welche für die Modelle verwendet wurden, wurden vergleichsweise so bemessen, dass sie gleiche obere und untere Breiten und gleiche Höhen aufwiesen.
  • Aus 11 ist zu erkennen, dass die Bereitstellung des beschriebenen Biegemechanismus die Last, welche erforderlich ist, um eine bestimmte Biegung einer Wellenformdichtung um bis zu etwa 50 % oder mehr zu bewirken, im Vergleich zur Biegung, welche durch das Zusammendrücken der Dichtung alleine zu erreichen ist, verringern kann. Das heißt, die axiale Biegung der Kombinationswellenformdichtung gemäß der vorliegenden Erfindung (Kurve 606) kann für eine bestimmte Drucklast mehr als zweimal die Biegung einer Dichtung herkömmlicher Konstruktion (Kurve 608), welche das beschriebene Biegemoment nicht aufweist, sein. Zum Beispiel kann die Kombinationswellenformdichtung der Erfindung unter einer Drucklast von etwa 0,2 bis 0,4 kg/cm (1,0 bis 2,0 lb/in), welche für elektronische Miniaturgeräte oder andere Anwendungen mit sehr geringer Schließkraft normalerweise vorgeschrieben ist, im Vergleich zu den nur etwa 0,25 bis 0,38 mm (0,01 bis 0,015 Zoll) für das herkömmliche Profil um wenigstens etwa 0,76 bis 0,89 mm (0,03 bis 0,035 Zoll) umgebogen werden. Es ist zu erkennen, dass das Biegemechanismusverhalten den Biegungsbereich für das Dichtungsprofil der vorliegenden Erfindung erweitert und es zur Verwendung in einer Vielfalt von Anwendungen geeignet macht.
  • Da bereits vorausgeschickt wurde, dass gewisse Änderungen in der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne sich von den hierin einbezogenen Grundsätzen zu entfernen, ist beabsichtigt, dass alles, was in der vorangehenden Beschreibung enthalten ist, im Sinne einer Veranschaulichung und nicht einer Einschränkung auszulegen ist. Sämtliche Bezugsquellen, welche hierin zitiert wurden, werden durch Bezugnahme ausdrücklich hierin aufgenommen.

Claims (26)

  1. Elastische Dichtung (30) zum Einlegen zwischen einer ersten Grenzfläche (20) und einer gegenüber angeordneten zweiten Grenzfläche, wobei die Dichtung einen länglichen Körper (40) von unbestimmter Länge umfasst, welcher sich entlang einer Längsachse erstreckt, und wobei der Körper umfasst: eine Basisfläche (50), welche sich entlang der Länge des Körpers erstreckt, wobei die Basisfläche so ausgelegt ist, dass sie die Dichtung auf der ersten Grenzfläche proximal trägt: eine Apexfläche (52), welche sich zum distalen Kontakt mit der zweiten Grenzfläche radial von der Längsachse erstreckt, wobei sich die Apexfläche entlang der Längsachse erstreckt, indem sie ein erstes Wellenformprofil (53) definiert, und das Wellenformprofil eine erste periodische Reihe von ersten Intervallen mit abwechselnd hoher und niedriger Amplitude aufweist eine erste Seitenfläche (54), welche sich zwischen der Basisfläche und der Apexfläche erstreckt; und eine zweite Seitenfläche (56), welche sich gegenüber der ersten Seitenfläche zwischen der Basisfläche und der Apexfläche erstreckt, wobei die Dichtung unter einer vorbestimmten Druckkraft zwischen den ersten und zweiten Grenzflächen in eine belastete Ausrichtung verformbar ist und der Körper zwischen der Basisfläche und der Apexfläche umgebogen wird.
  2. Dichtung nach Anspruch 1, wobei sich die zweite Seitenfläche entlang der Längsachse erstreckt, indem sie ein zweites Wellenformprofil (80) definiert, welches im Allgemeinen quer zum ersten Wellenformprofil angeordnet und als eine zweite periodische Reihe von zweiten Intervallen mit abwechselnd hoher und niedriger Amplitude aufweisend gekennzeichnet ist.
  3. Dichtung nach Anspruch 2, wobei die ersten Intervalle mit hoher und niedriger Amplitude der ersten periodischen Reihe mit den zweiten Intervallen mit hoher und niedriger Amplitude der zweiten periodischen Reihe im Allgemeinen phasengleich sind.
  4. Dichtung nach Anspruch 1, wobei bei belasteter Ausrichtung der Dichtung der Körper zur ersten Seitenfläche umgebogen ist.
  5. Dichtung nach Anspruch 1, wobei der Körper im Allgemeinen geradlinig ist.
  6. Dichtung nach Anspruch 1, wobei der Körper im Allgemeinen krummlinig ist.
  7. Dichtung nach Anspruch 1, wobei das erste Wellenformprofil im Allgemeinen sinusförmig ist.
  8. Dichtung nach Anspruch 2, wobei das zweite Wellenformprofil im Allgemeinen sinusförmig ist.
  9. Dichtung nach Anspruch 2, wobei das erste und das zweite Wellenformprofil im Allgemeinen sinusförmig sind.
  10. Dichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Seitenfläche im Allgemeinen konkav ist.
  11. Dichtung nach Anspruch 1, wobei die zweite Seitenfläche zur ersten Seitenfläche abgewinkelt ist.
  12. Dichtung nach Anspruch 1, wobei der Körper aus einem elastomeren Polymermaterial gebildet ist.
  13. Dichtung nach Anspruch 12, wobei das Polymermaterial einen elektrisch leitenden Füllstoff enthält.
  14. Versiegelungseinheit, umfassend: eine erste Grenzfläche (20) und eine elastische Dichtung (30), welche zwischen der ersten Grenzfläche und einer gegenüber angeordneten zweiten Grenzfläche zusammendrückbar ist, wobei die Dichtung einen länglichen Körper (40) von unbestimmter Länge umfasst, welcher sich entlang einer Längsachse (42) erstreckt, und wobei der Körper umfasst: eine Basisfläche (50), welche sich entlang der Länge des Körpers erstreckt, wobei die Basisfläche auf der ersten Grenzfläche proximal getragen wird: eine Apexfläche (52), welche sich zum distalen Kontakt mit der zweiten Grenzfläche radial von der Längsachse erstreckt, wobei sich die Apexfläche entlang der Längsachse erstreckt, indem sie ein erstes Wellenformprofil (53) definiert, und das erste Wellenformprofil eine erste periodische Reihe von ersten Intervallen (70) mit abwechselnd hoher und niedriger Amplitude aufweist; eine erste Seitenfläche (54), welche sich zwischen der Basisfläche und der Apexfläche erstreckt; und eine zweite Seitenfläche (56), welche sich gegenüber der ersten Seitenfläche zwischen der Basisfläche und der Apexfläche erstreckt, wobei die Dichtung unter einer vorbestimmten Druckkraft zwischen den ersten und zweiten Grenzflächen in eine belastete Ausrichtung verformbar ist und der Körper zwischen der Basisfläche und der Apexfläche umgebogen wird.
  15. Versiegelungseinheit nach Anspruch 14, wobei sich die zweite Seitenfläche entlang der ersten Achse erstreckt, indem sie ein zweites Wellenformprofil definiert, welches im Allgemeinen quer zum ersten Wellenformprofil angeordnet und als eine zweite periodische Reihe von zweiten Intervallen mit abwechselnd hoher und niedriger Amplitude aufweisend gekennzeichnet ist.
  16. Versiegelungseinheit nach Anspruch 15, wobei die ersten Intervalle mit hoher und niedriger Amplitude der ersten periodischen Reihe mit den zweiten Intervallen mit hoher und niedriger Amplitude der zweiten periodischen Reihe im Allgemeinen phasengleich sind.
  17. Versiegelungseinheit nach Anspruch 14, wobei bei belasteter Ausrichtung der Dichtung der Körper zur ersten Seitenfläche umgebogen ist.
  18. Versiegelungseinheit nach Anspruch 14, wobei der Körper im Allgemeinen geradlinig ist.
  19. Versiegelungseinheit nach Anspruch 14, wobei der Körper im Allgemeinen krummlinig ist.
  20. Versiegelungseinheit nach Anspruch 14, wobei das erste Wellenformprofil im Allgemeinen sinusförmig ist.
  21. Versiegelungseinheit nach Anspruch 15, wobei das zweite Wellenformprofil im Allgemeinen sinusförmig ist.
  22. Versiegelungseinheit nach Anspruch 15, wobei das erste und das zweite Wellenformprofil im Allgemeinen sinusförmig sind.
  23. Versiegelungseinheit nach Anspruch 14, wobei die erste Seitenfläche im Allgemeinen konkav ist.
  24. Versiegelungseinheit nach Anspruch 14, wobei die zweite Seitenfläche zur ersten Seitenfläche abgewinkelt ist.
  25. Versiegelungseinheit nach Anspruch 14, wobei der Körper aus einem elastomeren Polymermaterial gebildet ist.
  26. Versiegelungseinheit nach Anspruch 25, wobei das Polymermaterial einen elektrisch leitenden Füllstoff enthält.
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002094689A (ja) * 2000-06-07 2002-03-29 Sony Computer Entertainment Inc プログラム実行システム、プログラム実行装置、中継装置、および記録媒体
US6557859B2 (en) * 2000-08-04 2003-05-06 Cool Options, Inc. Injection moldable elastomeric gasket
DE60206489T2 (de) * 2001-05-11 2006-07-13 Parker-Hannifin Corp., Cleveland Gezahnte Dichtung für EMI-Abschirmungsanwendungen mit niedrigen Verpressungskräften
US6547001B2 (en) * 2001-06-08 2003-04-15 Cool Shield, Inc. Flexible glove-like heat sink
US6886625B1 (en) * 2001-08-23 2005-05-03 Cool Options, Inc. Elastomeric heat sink with a pressure sensitive adhesive backing
US7013555B2 (en) * 2001-08-31 2006-03-21 Cool Shield, Inc. Method of applying phase change thermal interface materials
US6651732B2 (en) * 2001-08-31 2003-11-25 Cool Shield, Inc. Thermally conductive elastomeric heat dissipation assembly with snap-in heat transfer conduit
US6919115B2 (en) * 2002-01-08 2005-07-19 Cool Options, Inc. Thermally conductive drive belt
US6919504B2 (en) * 2002-12-19 2005-07-19 3M Innovative Properties Company Flexible heat sink
US7005573B2 (en) 2003-02-13 2006-02-28 Parker-Hannifin Corporation Composite EMI shield
US7326862B2 (en) * 2003-02-13 2008-02-05 Parker-Hannifin Corporation Combination metal and plastic EMI shield
JP2005158101A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Hitachi Ltd ディスクアレイ装置
US6919505B2 (en) * 2003-12-04 2005-07-19 Eaton Corporation Electronic apparatus and enclosure employing substantially co-planar portions with mating crenellations
US20060087809A1 (en) * 2004-10-21 2006-04-27 Ng Kai M Drive bay cover for reducing high frequency electromagnetic interference (EMI) emissions
US7078614B1 (en) 2005-02-11 2006-07-18 Laird Technologies, Inc. Shielding strips
US7112740B2 (en) * 2005-02-11 2006-09-26 Laird Technologies, Inc. Shielding strips
JP2007157341A (ja) * 2005-11-30 2007-06-21 Pioneer Electronic Corp 導通装置、および、電子機器
US7262369B1 (en) * 2006-03-09 2007-08-28 Laird Technologies, Inc. Combined board level EMI shielding and thermal management
US20080080160A1 (en) * 2005-12-16 2008-04-03 Laird Technologies, Inc. Emi shielding assemblies
US7288727B1 (en) * 2006-05-31 2007-10-30 Motorola, Inc. Shield frame for a radio frequency shielding assembly
US20080047745A1 (en) * 2006-08-28 2008-02-28 David Christopher Smeltz Flexible clip-on shielding and/or grounding strips
TWM313957U (en) * 2007-01-03 2007-06-11 Chin-Fu Horng Anti- electromagnetic interference shielding apparatus
US20080191474A1 (en) * 2007-02-12 2008-08-14 Kotz George J Tri-Lobed O-Ring Seal
WO2009064253A2 (en) * 2007-11-13 2009-05-22 Olympus Technologies Singapore Pte Ltd Improved housing and manufacture thereof
US7687725B2 (en) * 2008-01-18 2010-03-30 Delphi Technologies, Inc. Corrosion resistant faraday cage electronic enclosure assembly
JP5152032B2 (ja) * 2008-02-22 2013-02-27 住友電気工業株式会社 光トランシーバ
CN102037799B (zh) * 2008-04-17 2013-04-17 莱尔德电子材料(深圳)有限公司 便携式电子设备的emi屏蔽滑动组件
WO2010036563A1 (en) 2008-09-26 2010-04-01 Parker-Hannifin Corporation Electrically-conductive foam emi shield
US7910839B2 (en) * 2008-11-26 2011-03-22 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Electro-conductive contact structure for enclosure sealing in housings
EP2570013B1 (de) * 2010-05-12 2019-07-10 Parker-Hannifin Corporation Korrosionsfeste emv-dichtung mit geringer kraftablenkung
JP2012239025A (ja) * 2011-05-11 2012-12-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 光トランシーバ、及びホストコネクタカバー
KR20140126507A (ko) * 2013-04-23 2014-10-31 삼성전자주식회사 전자 기기의 차폐 장치
CN105723266B (zh) * 2015-06-16 2017-09-08 索尔思光电(成都)有限公司 适用于光收发器的电磁干扰屏蔽装置
US10521551B2 (en) * 2015-11-16 2019-12-31 The Boeing Company Methods for shimming flexible bodies
US10156870B2 (en) * 2016-01-29 2018-12-18 Google Llc Flexible electromagnetic interference (EMI) shield
US9898054B2 (en) 2016-02-12 2018-02-20 Apple Inc. Near zero force grounding feature
DE102018105375A1 (de) * 2018-03-08 2019-09-12 Carl Freudenberg Kg Dichtung
WO2020030249A1 (en) * 2018-08-07 2020-02-13 Nokia Solutions And Networks Oy Radio frequency radio-frequency apparatus and components thereof
US11661196B2 (en) * 2019-06-25 2023-05-30 B/E Aerospace, Inc. Optimized electronics grounding path for high-frequency noise
EP4145701A4 (de) * 2020-04-29 2024-05-22 Kmw Inc Filter und herstellungsverfahren dafür
EP4161226A1 (de) 2021-09-30 2023-04-05 Aptiv Technologies Limited Emv-gehäuse

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2778868A (en) 1953-04-07 1957-01-22 Walter E Stinger Integral radio frequency attenuation seal
US4652695A (en) 1983-06-20 1987-03-24 Pawling Corporation Mesh-covered core strip for high frequency RFI/EMI radiation shielding
US4857668A (en) 1988-04-15 1989-08-15 Schlegel Corporation Multi-function gasket
JPH0787275B2 (ja) 1988-10-28 1995-09-20 北川工業株式会社 導電性シール材
US5028739A (en) 1989-04-13 1991-07-02 Chomerics, Inc. EMI/REI shielding gasket
US4952448A (en) 1989-05-03 1990-08-28 General Electric Company Fiber reinforced polymeric structure for EMI shielding and process for making same
US5039825A (en) 1989-06-09 1991-08-13 Digital Equipment Corporation Corrugated strip gasket for an electronic enclosure joint to reduce both electromagnetic and radio frequency radiation
US5045635A (en) 1989-06-16 1991-09-03 Schlegel Corporation Conductive gasket with flame and abrasion resistant conductive coating
USRE34393E (en) 1989-11-13 1993-09-28 Gichner Systems Group, Inc. Enclosure for housing electronic components
US5020866A (en) 1989-11-13 1991-06-04 Gichner Systems Group, Inc. Enclosure for housing electronic components
US5147121A (en) 1989-11-13 1992-09-15 Gichner Systems Group, Inc. Gasket for providing EMI/RFI shielding
US5105056A (en) 1990-10-26 1992-04-14 Schlegel Corporation Electromagentic shielding with discontinuous adhesive
JP2510404Y2 (ja) 1990-11-29 1996-09-11 北川工業株式会社 電磁波シ―ルド用ガスケット
JP2825670B2 (ja) 1990-12-14 1998-11-18 富士通株式会社 高周波回路装置のシールド構造
US5205781A (en) * 1991-01-18 1993-04-27 Naldec Corporation Preliminary ventilation device for vehicles
JPH07112296B2 (ja) 1991-02-08 1995-11-29 信越化学工業株式会社 Emiシールドを施した携帯用電話機の製造方法
US5202536A (en) 1992-02-03 1993-04-13 Schlegel Corporation EMI shielding seal with partial conductive sheath
DE4319965C3 (de) 1993-06-14 2000-09-14 Emi Tec Elektronische Material Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses mit elektromagnetischer Abschirmung
CA2129073C (en) 1993-09-10 2007-06-05 John P. Kalinoski Form-in-place emi gaskets
DE4340108C3 (de) 1993-11-22 2003-08-14 Emi Tec Elektronische Material Abschirmelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US5641438A (en) 1995-01-24 1997-06-24 Bunyan; Michael H. Method for forming an EMI shielding gasket
US5910524A (en) 1995-01-20 1999-06-08 Parker-Hannifin Corporation Corrosion-resistant, form-in-place EMI shielding gasket
US5566055A (en) 1995-03-03 1996-10-15 Parker-Hannifin Corporation Shieled enclosure for electronics
US5578790A (en) 1995-09-06 1996-11-26 The Whitaker Corporation Shielding gasket
WO1998006246A1 (de) 1996-08-01 1998-02-12 Helmut Kahl Verfahren zum herstellen einer elektromagnetisch abschirmenden dichtung
US5847317A (en) 1997-04-30 1998-12-08 Ericsson Inc. Plated rubber gasket for RF shielding
US6121545A (en) * 1997-07-11 2000-09-19 Parker-Hannifin Corporation Low closure force EMI shielding spacer gasket

Also Published As

Publication number Publication date
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