DE60032653D1 - Magnetoresistive Halbleiteranordnung, magnetischer Sensor und dazugehöriges Herstellungsverfahren - Google Patents

Magnetoresistive Halbleiteranordnung, magnetischer Sensor und dazugehöriges Herstellungsverfahren

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Masaichi Miyano
Katsuya Iwai
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8219374B1 (en) 2007-02-21 2012-07-10 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Symbolic switch/linear circuit simulator systems and methods
JP5314261B2 (ja) * 2007-08-31 2013-10-16 旭化成エレクトロニクス株式会社 半導体磁気抵抗素子およびその設計方法
JP5066579B2 (ja) * 2007-12-28 2012-11-07 アルプス電気株式会社 磁気センサ及び磁気センサモジュール
JP2013036862A (ja) * 2011-08-09 2013-02-21 Alps Electric Co Ltd 磁気検出装置とその製造方法
US20130113473A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-09 Sae Magnetics (H.K.) Magnetic sensor with shunting layers and manufacturing method thereof
WO2015182370A1 (ja) * 2014-05-30 2015-12-03 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
US10145906B2 (en) 2015-12-17 2018-12-04 Analog Devices Global Devices, systems and methods including magnetic structures
CN106707644A (zh) * 2017-01-06 2017-05-24 京东方科技集团股份有限公司 短路棒结构及其制作方法以及薄膜晶体管基板
HUE059648T2 (hu) * 2019-03-15 2022-12-28 Bourns Inc Kormányzásiszög-érzékelõvel ellátott jármû
JP7354836B2 (ja) * 2019-12-25 2023-10-03 Tdk株式会社 磁気センサ

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2132768C3 (de) * 1971-07-01 1980-04-17 Denki Onkyo Co., Ltd., Tokio Verfahren zur Herstellung eines aus einer intermetallischen Verbindung bestehenden Halbleiterplättchens mit auf der Oberfläche ausgebildeten Metallstreifen
US4296424A (en) * 1978-03-27 1981-10-20 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Compound semiconductor device having a semiconductor-converted conductive region
JPS5638880A (en) * 1979-09-07 1981-04-14 Hitachi Ltd Substrate for magnetism-electricity converter element
JPS5660078A (en) 1979-10-19 1981-05-23 Masahide Oshita Magnetic reluctance effect element
JPH03214783A (ja) * 1990-01-19 1991-09-19 Aichi Tokei Denki Co Ltd 積層型センサ
US5196821A (en) * 1992-03-09 1993-03-23 General Motors Corporation Integrated magnetic field sensor
US5656381A (en) * 1993-03-24 1997-08-12 Sanyo Electric Co., Ltd. Magnetoresistance-effect element
US5491461A (en) * 1994-05-09 1996-02-13 General Motors Corporation Magnetic field sensor on elemental semiconductor substrate with electric field reduction means
JP3452233B2 (ja) 1996-08-29 2003-09-29 日本精機株式会社 半導体磁気抵抗素子
JPH10209524A (ja) * 1997-01-21 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体薄膜磁気抵抗素子とその製造方法
JP3588952B2 (ja) 1997-01-21 2004-11-17 松下電器産業株式会社 半導体薄膜磁気抵抗素子
JPH10209523A (ja) 1997-01-21 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁電変換素子

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