DE563819C - Ruhender Kontaktgleichrichter - Google Patents

Ruhender Kontaktgleichrichter

Info

Publication number
DE563819C
DE563819C DES86425D DES0086425D DE563819C DE 563819 C DE563819 C DE 563819C DE S86425 D DES86425 D DE S86425D DE S0086425 D DES0086425 D DE S0086425D DE 563819 C DE563819 C DE 563819C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contact rectifier
negative electrode
copper
resting contact
double
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DES86425D
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Hans Gerdien
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Schuckertwerke AG, Siemens AG filed Critical Siemens Schuckertwerke AG
Priority to DES86425D priority Critical patent/DE563819C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE563819C publication Critical patent/DE563819C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/16Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

DEUTSCHES REICH
AUSGEGEBEN AM 10. NOVEMBER 1932
REICHSPATENTAMT
PATENTSCHRIFT
JVl 563819 KLASSE 21g GRUPPE
Patentiert im Deutschen Reiche vom 4. Juli 1928 ab
Es sind ruhende Kontaktgleichrichter vorgeschlagen worden, deren negative Elektrode durch eine Halogenverbindung eines Metalls (z. B. ein Kupferjodid) oder durch Mischungen solcher Verbindungen und deren Gegenelektrode durch ein anderes Metall (z. B. Blei) gebildet wird.
Die Erfahrung hat gezeigt, daß, wenn man zum Aufbau der negativen Elektrode derartiger Kontaktgleichrichter gewöhnliche Metalljodide (z.B. CuJ) verwendet, als Metall für die Gegenelektrode praktisch nur Blei in Frage kommt. Bei allen anderen Metallen, die für die Gegenelektrode gewählt wurden, ergab sich dagegen eine sehr rasche Verschlechterung der Gleichrichterwirkung. Der Grund für diese Erscheinung ist wahrscheinlich darin zu suchen, daß das Jod des Kupferjodids verhältnismäßig locker an das Metall
ao gebunden ist, so daß es beim Anpressen der Elektroden aneinander leicht mit dem Metall der Gegenelektrode in Reaktion tritt. Nur bei Gegenelektroden aus Blei macht sich dieser Nachteil nicht oder nur in sehr geringem Grade bemerkbar.
Gemäß der Erfindung erhält man einen Kontaktgleichrichter von sehr guter und dauernder Wirkung auch bei Verwendung anderer Metalle als Blei für die Gegenelektrode, wenn man für die negative Elektrode eine Halogendoppelverbindung, d. h. die Verbindung eines Halogens, z„B. Jod, mit zwei verschiedenen Metallen, wählt. Als besonders geeignet hat sich für diesen Zweck das aus Quecksilberjodid und Kupferjodür zusammen- -35 gesetzte Doppelsalz erwiesen.
Man stellt dieses Doppelsalz am besten dadurch her, daß man Quecksilberjodid in einer Jodkaliumlösung auflöst, Kupfervitriol zusetzt und mit schwefliger Säure reduziert. Das so erhaltene, aus Quecksilberjodid und Kupferjodür bestehende Doppelsalz von rotbrauner Farbe wandelt man durch Erhitzen auf etwa roo° C in die schwarzgrüne Modifikation gleicher Zusammensetzung um.
Preßt man die pulverförmige Doppelverbindung aus Quecksilberjodid und Kupferjodür mit pulverisiertem Kupfer unter sehr starkem Druck zu einer flachen Pastille zusammen, so ist die negative Elektrode fertig. Um den Kontaktgleichrichter zu erhalten, braucht man dann nur noch eine metallische Gegenelektrode unter mäßigem Druck gegen die negative Elektrode anzupressen.
Unter den Metallen, die für die Gegenelektrode vorzugsweise in Frage kommen, sind besonders Aluminium und Magnesium sowie deren Legierungen miteinander oder mit Mangan und Kupfer zu nennen. Während alle diese Stoffe sich nicht zum Zusammenarbeiten
*) Fon dem Patentsucher ist als der Erfinder angegeben zvorden:
Dr. Hans Gerdien in Berlin-Grunewald.
mit einer aus einem gewöhnlichen Metall· jodid bestehenden ..Elektrode eignen, ergeben sie beim Zusammenwirken mit Halogendoppelverbindungen einen Kontaktgleichrichter von großer Konstanz.

Claims (4)

  1. Patentansprüche:
    i. Ruhender Kontaktgleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß die negative Elektrode eine Doppelverbindung eines Halogens mit zwei Metallen enthält.
  2. 2. Kontaktgleichrichter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Doppelverbindung aus Quecksilberjodid und Kupfer j odür besteht.
  3. 3. Kontaktgleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die negative Elektrode eine flache Pastille darstellt, die durch Zusammenpressen der pulverförmigen Doppelverbindung mit pulverisiertem Kupfer unter sehr starkem Druck hergestellt ist.
  4. 4. Kontaktgleichrichter nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenelektrode als Hauptbestandteil Aluminium oder Magnesium enthält.
DES86425D 1928-07-03 1928-07-04 Ruhender Kontaktgleichrichter Expired DE563819C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES86425D DE563819C (de) 1928-07-03 1928-07-04 Ruhender Kontaktgleichrichter

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0086425 1928-07-03
DES86425D DE563819C (de) 1928-07-03 1928-07-04 Ruhender Kontaktgleichrichter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE563819C true DE563819C (de) 1932-11-10

Family

ID=25997325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES86425D Expired DE563819C (de) 1928-07-03 1928-07-04 Ruhender Kontaktgleichrichter

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE563819C (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE563819C (de) Ruhender Kontaktgleichrichter
DE522656C (de) Schweissdraht fuer Kupfer
DE1671790A1 (de) Stabiles Rueckhaltegebilde zum Zurueckhalten des Elektrolyten von mit hoher Temperatur arbeitenden Brennstoffelementen
DE553662C (de) Verfahren zur Gewinnung von Zinn
DE351509C (de) Aus Loetmetall und Loetmitteln durch Zusammenpressen erhaltener Loetstab
DE703531C (de) Verwendung von Zinnlegierungen fuer zahnaerztliche Zwecke
DE703977C (de) eitung
DE541159C (de) Gewinnung von Zinn aus zinnhaltigen Legierungen
DE823764C (de) Selengleichrichter mit einer Elektrode, die aus einer Cadmium enthaltenden, nahezu eutektischen Legierung besteht
DE539294C (de) Kupfer-Kobalt-Silicium-Legierungen
DE472711C (de) Flussmittel zum Schweissen und Loeten von Leichtmetallen
DE436876C (de) Verfahren zur Herstellung homogener Blei- bzw. Zinklegierungen mit Wolfram
DE452239C (de) Flussmittel zum Loeten und Schweissen von Leichtmetallen
AT123827B (de) Verfahren zur Herstellung eines Bleilotes.
DE643449C (de) Umhuellte Elektrode fuer die elektrische Lichtbogenschweissung von Aluminium oder Aluminiumlegierungen
DE468853C (de) Lot fuer Aluminium und Aluminiumlegierungen
AT101299B (de) Verfahren zum Löten mittels Vor- und Hauptlot.
DE562953C (de) Schlaglot
DE652572C (de) Lot fuer Aluminiumbleche
DE933845C (de) Flussmittel zum Hartloeten von Aluminium und Aluminiumlegierungen
DE446039C (de) Verfahren zur Herstellung eines chlorcalciumhaltigen Futtermittels
DE903125C (de) Verfahren zur Herstellung von Selen-Wechselstromgleichrichtern
DE476965C (de) Aluminiumlot
DE510581C (de) Verfahren zur Herstellung von mangannitrathaltigen Depolarisationselektroden
CH338680A (de) Niedrigschmelzendes Hartlot