DE522002C - Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen Selenzellen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen Selenzellen

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DE522002C
DE522002C DET36054D DET0036054D DE522002C DE 522002 C DE522002 C DE 522002C DE T36054 D DET36054 D DE T36054D DE T0036054 D DET0036054 D DE T0036054D DE 522002 C DE522002 C DE 522002C
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Germany
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ultra
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selenium cells
cells
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DET36054D
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Otto Von Bronk
Fritz Michelssen
Fritz Schroeter
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Telefunken AG
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Telefunken AG
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Publication date
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    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
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    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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Description

  • Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen Selenzellen Es ist bekannt, daß lichtempfindliche Zellen von besonderer Zusammensetzung, z. B. Selen-Tellur, die Eigenschaft haben, unter dem Einfluß der ultraroten Strahlung ihren elektrischen Widerstand zu ändern, daß sie also infolge ihrer geringen Trägheit in Verbindung mit elektrischen Verstärkern zum Nachweis sehr geringer Strahlungsintensitäten im Ultrarot geeignet sind. Da es bekannt ist, daß durch die Wirkung der Atmosphäre, insbesondere durch den Wasserdampfgehalt der Luft, die Empfindlichkeit solcher Zellen infolge chemischer Umsetzungen im Laufe der Zeit ganz bedeutend verschlechtert wird, schließt man die fertige Zelle unter Verwendung einer geeigneten Halterung in ein vollkommen luftdichtes Gefäß ein, welches ein ultrarot durchlässiges Fenster hat. Die in dem Gefäß befindliche Luft wird durch Anwendung eines geeigneten Trockemnittels, z. B. Phosphorpentoxyd, vollkommen vonWasserdampf gereinigt, bzw. die Zelle wird evakuiert. Die Erfindung betrifft ein gewisse Nachteile des Bekannten vermeidendes Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen Selenzellen und besteht darin, daß die Zelle in einer Atmosphäre von inertem Gas formiert wird, welches gegebenenfalls nach erfolgter Formierung wieder abgepumpt wird.
  • Für das thermische Formieren von Zellen hat sich das folgende Verfahren besonders bewährt. Nachdem in geeigneter Weise auf der Zelle das ultrarotempfindliche Material aufgetragen ist (z. B. durch Kathodenzerstäubung), wird sie in einen Behälter aus ultrarotdurchlässigem Glas oder Quarzglas eingeschmolzen, wobei eine vakuumdichte Stromzuführung zu der Zelle und eine stabile Halterung vorgesehen ist. Das Gefäß wird evakuiert und gemäß der Erfindung mit sorgfältig gereinigtem inertem Gas, insbesondere Argon, von geeignetem Druck gefüllt. Argon hat sich hierbei besonders bewährt. Es wird nämlich die sonst bei der thermischen Forrnierung auftretende Verdampfung der ultrarotempfindlichen Schicht durch die Verwendung von Argon infolge Herabsetzung der Verdampfungsgeschwindigkeit vermieden. Nach erfolgter Formierung kann dann das Gefäß wieder evakuiert werden. Es ist jedoch bei dem Auspumpen darauf zu achten, daß eine sogenannte Quecksilberfalle vorgesehen sein muß, welche die Zelle vor Verunreinigung durch Quecksilber schützt.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen Selenzellen, dadurch gekennzeichnet, daß die Zelle in einer Atmosphäre von inertem Gas formiert wird, welches gegebenenfalls nach erfolgter Formierung wieder abgepumpt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß Argon als inertes Formierungsgas dient.
DET36054D 1928-12-02 1928-12-02 Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen Selenzellen Expired DE522002C (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE947919C (de) * 1951-07-04 1956-08-23 Siemens Ag Transistor
DE1162489B (de) * 1959-01-30 1964-02-06 Siemens Ag Verfahren zum Behandeln von Halbleiterbauelementen mit einem Halbleiterkoerper aus Halbleitermaterial mit einer grossen Diffusionslaenge

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DE947919C (de) * 1951-07-04 1956-08-23 Siemens Ag Transistor
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