DE522002C - Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen Selenzellen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen SelenzellenInfo
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Description
- Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen Selenzellen Es ist bekannt, daß lichtempfindliche Zellen von besonderer Zusammensetzung, z. B. Selen-Tellur, die Eigenschaft haben, unter dem Einfluß der ultraroten Strahlung ihren elektrischen Widerstand zu ändern, daß sie also infolge ihrer geringen Trägheit in Verbindung mit elektrischen Verstärkern zum Nachweis sehr geringer Strahlungsintensitäten im Ultrarot geeignet sind. Da es bekannt ist, daß durch die Wirkung der Atmosphäre, insbesondere durch den Wasserdampfgehalt der Luft, die Empfindlichkeit solcher Zellen infolge chemischer Umsetzungen im Laufe der Zeit ganz bedeutend verschlechtert wird, schließt man die fertige Zelle unter Verwendung einer geeigneten Halterung in ein vollkommen luftdichtes Gefäß ein, welches ein ultrarot durchlässiges Fenster hat. Die in dem Gefäß befindliche Luft wird durch Anwendung eines geeigneten Trockemnittels, z. B. Phosphorpentoxyd, vollkommen vonWasserdampf gereinigt, bzw. die Zelle wird evakuiert. Die Erfindung betrifft ein gewisse Nachteile des Bekannten vermeidendes Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen Selenzellen und besteht darin, daß die Zelle in einer Atmosphäre von inertem Gas formiert wird, welches gegebenenfalls nach erfolgter Formierung wieder abgepumpt wird.
- Für das thermische Formieren von Zellen hat sich das folgende Verfahren besonders bewährt. Nachdem in geeigneter Weise auf der Zelle das ultrarotempfindliche Material aufgetragen ist (z. B. durch Kathodenzerstäubung), wird sie in einen Behälter aus ultrarotdurchlässigem Glas oder Quarzglas eingeschmolzen, wobei eine vakuumdichte Stromzuführung zu der Zelle und eine stabile Halterung vorgesehen ist. Das Gefäß wird evakuiert und gemäß der Erfindung mit sorgfältig gereinigtem inertem Gas, insbesondere Argon, von geeignetem Druck gefüllt. Argon hat sich hierbei besonders bewährt. Es wird nämlich die sonst bei der thermischen Forrnierung auftretende Verdampfung der ultrarotempfindlichen Schicht durch die Verwendung von Argon infolge Herabsetzung der Verdampfungsgeschwindigkeit vermieden. Nach erfolgter Formierung kann dann das Gefäß wieder evakuiert werden. Es ist jedoch bei dem Auspumpen darauf zu achten, daß eine sogenannte Quecksilberfalle vorgesehen sein muß, welche die Zelle vor Verunreinigung durch Quecksilber schützt.
Claims (2)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen Selenzellen, dadurch gekennzeichnet, daß die Zelle in einer Atmosphäre von inertem Gas formiert wird, welches gegebenenfalls nach erfolgter Formierung wieder abgepumpt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß Argon als inertes Formierungsgas dient.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET36054D DE522002C (de) | 1928-12-02 | 1928-12-02 | Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen Selenzellen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DET36054D DE522002C (de) | 1928-12-02 | 1928-12-02 | Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen Selenzellen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE522002C true DE522002C (de) | 1931-03-28 |
Family
ID=7559573
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DET36054D Expired DE522002C (de) | 1928-12-02 | 1928-12-02 | Verfahren zur Herstellung von ultrarotempfindlichen Selenzellen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE522002C (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE947919C (de) * | 1951-07-04 | 1956-08-23 | Siemens Ag | Transistor |
DE1162489B (de) * | 1959-01-30 | 1964-02-06 | Siemens Ag | Verfahren zum Behandeln von Halbleiterbauelementen mit einem Halbleiterkoerper aus Halbleitermaterial mit einer grossen Diffusionslaenge |
-
1928
- 1928-12-02 DE DET36054D patent/DE522002C/de not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE947919C (de) * | 1951-07-04 | 1956-08-23 | Siemens Ag | Transistor |
DE1162489B (de) * | 1959-01-30 | 1964-02-06 | Siemens Ag | Verfahren zum Behandeln von Halbleiterbauelementen mit einem Halbleiterkoerper aus Halbleitermaterial mit einer grossen Diffusionslaenge |
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