DE508060T1 - Verfahren zum herstellen oxydisch supraleitender schichten und oxydisch supraleitende strukturen mit derartigen schichten. - Google Patents

Verfahren zum herstellen oxydisch supraleitender schichten und oxydisch supraleitende strukturen mit derartigen schichten.

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DE508060T1
DE508060T1 DE199292102272T DE92102272T DE508060T1 DE 508060 T1 DE508060 T1 DE 508060T1 DE 199292102272 T DE199292102272 T DE 199292102272T DE 92102272 T DE92102272 T DE 92102272T DE 508060 T1 DE508060 T1 DE 508060T1
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C/O Superconduct. Res. Lab Kazutoshi Higashiyama
C/O Superconductivity Res. Lab Izumi Hirabayashi
C/O Superconductivity Res. Lab Shoji 2-Chome Atsuta-Ku Nagoya-Shi Aichi Tanaka
C/O Superconductivity Res. Lab. Takahisa Ushida
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International Superconductivity Technology Center
Hitachi Ltd
Niterra Co Ltd
Original Assignee
International Superconductivity Technology Center
Hitachi Ltd
NGK Spark Plug Co Ltd
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Claims (10)

EP 92 102 272.9 Patentansprüche
1. Verfahren zur Bildung eines supraleitenden Oxid films, umfassend die
Schritte des (1) (a) Mischens der Dämpfe von organischen Metallausgangsmaterialien (Quellengas) in solchen Verhältnissen, daß eine vorbestimmte Metallzusammensetzung erhalten wird, oder (b) Mischens der organischen Metallmaterialien in solchen Verhältnissen, dafl eine vorbestimmte Metallzusammensetzung erhalten wird, und anschließenden Verdampfens des Ausgangsmaterials, und (2) In-Kontakt-Bringens eines Quellengases mit einem erhitzten Substrat, so daß durch ein chemisches Dampfabscheidungsverfahren auf dem Substrat ein supraleitender Oxidfilm gebildet wird, bei dem während der Bildung des supraleitenden Oxidfilms auf dem Substrat Laserlicht auf das Substrat angewendet wird, wobei die kristallografische Orientierung des in dem bestrahlten Bereich des Substrats gebildeten supraleitenden Oxidfilms in einer konstanten Richtung gehalten wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der supraleitende Oxidfilm aus einem Y(Ln)-Ba-Cu-O-System-Oxid hergestellt ist, wobei Y(Ln) mindestens ein Element, ausgewählt aus Y und Ln (Lanthanoide), ist und die Richtung seiner kristallografischen Orientierung so ist, daß die c-Achse parallel zu dem Substrat ist
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der supraleitende Oxidfilm aus einem Bi-Sr-Ca-Cu-O-Oxid, einem Tl-Ba-Ca-Cu-O-Oxid oder einem Tl-Sr-Ca-Cu-O-Oxid hergestellt ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-3, bei dem das Laserlicht bei einer Wellenlänge oder mehreren in dem Bereich von 150-400 nm emittiert.
5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem das Laserlicht auf das Substrat angewendet wird, um fein verteilte Punkte, parallele Linien oder ein Netzmuster zu bilden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-5, bei dem mindestens die Oberfläche des Substrats von einem keramischen Material, ausgewählt aus MgO, SrTiO3, LaAlO3, -AJ2O3, LaGaO3, Si, SiO2, NdGaO3 und Yttriumoxid-stabilisiertem Zirconiumdioxid, gebildet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der supraleitende Oxidfilm auf den Flächen eines MgO-Kristalls, den Flächen eines SrTiO3-Kristalls mit Ausnahme einer (100)-Fläche, den Flächen eines LaAIO3-Kristalls mit Ausname einer (lOO)-Fläche oder den Flächen eines Yttriumoxid-stabilisierten Zirconiumdioxid(YSZ)-Kristalls ausgebildet ist, wobei die Flächen mindestens auf der Oberfläche des Substrats ausgebildet sind.
8. Supraleitendes Oxidteil, das ein Substrat und einen auf dem Substrat gebildeten, supraleitenden Oxidfilm umfaßt, wobei der supraleitende Oxid film aus einem Y(Ln)-Ba-Cu-O-Oxid besteht, wobei Y(Ln) mindestens ein Element, ausgewählt aus Y und Ln (Lanthanoide), ist, die Richtung seiner kristallografischen Orientierung so ist, daß die c-Achse parallel zu dem Substrat ist und seine Oberfläche in einem solchen Ausmaß glatt ist, daß in einer bei einer Vergrößerung von 14.000 aufgenommenen elektronenmikroskopischen Aufnahme keine Unebenheiten zu erkennen sind.
9. Supraleitendes Oxidteil nach Anspruch 8, bei dem mindestens die Oberfläche des Substrats von einem keramischen Material, ausgewählt aus MgO, SrTiO3, LaAlO3, LaGaO3, Al2O3, Si, SiO2, NdGaO3 und Yttriumoxid-stabilisiertem Zirconiumdioxid, gebildet ist
10. Supraleitendes Oxidteil nach Anspruch 8, bei dem der supraleitende Oxid film auf den Flächen eines MgO-Kristalls, den Flächen eines SrTiO3-Kristalls mit Ausnahme einer (lOO)-Fläche, den Flächen eines LaAlO3-KristalIs mit Ausname einer (10O)-FIache oder den Flächen eines Yttriumoxid-stabilisierten Zirconiumdioxid(YSZ)-Kristalls ausgebildet ist, wobei die Flächen mindestens auf der Oberfläche des Substrats ausgebildet sind.
U. Supraleitendes Oxidteil nach Anspruch 8, bei dem der Bereich, der aus dem supraleitenden Film besteht, dessen Richtung der kristaliografischen Orientierung so ist, dafl die c-Achse parallel zu dem Substrat ist, in solcher Weise ausgebildet ist, dafl fein
verteilte Punkte, parallele Linien oder ein Netzmuster in der Matrix erzeugt werden
oder der Teil des supraleitenden Oxidfilms, der nicht entlang der a-Achse orientiert ist
DE199292102272T 1991-02-12 1992-02-11 Verfahren zum herstellen oxydisch supraleitender schichten und oxydisch supraleitende strukturen mit derartigen schichten. Pending DE508060T1 (de)

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