DE69118969T2

DE69118969T2 - Prozess und Apparat zur Herstellung supraleitender Dünnschichten

Info

Publication number: DE69118969T2
Application number: DE69118969T
Authority: DE
Inventors: Keizo Harada; Hisao Hattori; Kenjiro Higaki; Hideo Itozaki
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1990-06-21
Filing date: 1991-06-21
Publication date: 1996-11-21
Anticipated expiration: 2011-06-22
Also published as: DE69118969D1; EP0462906A3; AU7923091A; EP0462906B1; CA2045267C; AU651597B2; CA2045267A1; US5182256A; EP0462906A2

Description

Hintergrund der Erfindung

Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verbesserung eines Verfahrens zur Herstellung supraleitender Dünnschichten und eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens und insbesondere ein verbessertes Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht aus einem supraleitenden Hochtemperatur-Verbundoxid auf einem Substrat durch das Verfahren der Magnetron-Zerstäubung sowie eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.
Das supraleitende Hochtemperatur-Verbundoxid (La, Sr)&sub2;CuO&sub4;, welches bei 30 K Supraleitung zeigt, wurde 1986 von Bednorz und Müller entdeckt (Z. Phys. B64, 1986, Seite 189). Ein anderes supraleitendes Material YBa&sub2;Cu&sub3;O7-δ mit einer kritischen Temperatur von ungefähr 90 K wurde von W. Chu et al. in den Vereinigten Staaten von Amerika 1987 entdeckt (Physical Review Letters, Band 58, Nr. 9, Seite 908). Maeda et al. entdeckten ein Wismut enthaltendes supraleitendes Material (Japanese Journal of Applied Physics, Band 27, Nr. 2, 1987, Seiten 1209 bis 1210). Im folgenden wird unter einem supraleitenden Hochtemperatur-Verbundoxid ein supraleitendes Verbundoxid mit einer kritischen Temperatur von mehr als 30 K verstanden.
Supraleitende Hochtemperatur-Verbundoxide wurden zuerst mittels der Pulvermetallurgie als Sintermasse hergestellt. Sintermassen zeigen jedoch geringe supraleitende Eigenschaften, insbesondere eine geringe Stromdichte Jc. Zur Erhöhung der kritischen Stromdichte Jc wurde eine Vielzahl von Verfahren zur Herstellung von Dünnschichten untersucht, wobei nunmehr supraleitende Dünnschichten aus derartigen Verbundoxiden durch eine Vielzahl von Dampfabscheideverfahren hergestellt werden können, wie z. B. die Vakuumverdampfung, die Zerstäubung sowie die Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf Einkristallsubstraten, z. B. aus SrTiO&sub3;, MgO und dgl. Erhebliche Vergrößerungen der kritischen Stromdichte bei diesen Verbundoxiden und ihren Dünnschichten konnten erzielt werden.
Kürzlich wurden zahlreiche Studien hinsichtlich der Herstellung elektronischer Anordnungen und Schaltungen unter Einsatz der supraleitenden Dünnschichten begonnen. Während der Erforschung und Entwicklung derartiger elektronischer Anordnungen entwikkelte sich ein starkes Verlangen nach supraleitenden Dünnschichten aus Hochtemperatur-Oxiden mit gleichbleibender Qualität. Ferner besteht ein starker Wunsch nach der Bereitstellung supraleitender Dünnschichten aus Hochtemperatur-Oxid mit großer Fläche und Gleichförmigkeit.
Die Qualität der supraleitenden Dünnschichten aus Hochtemperatur-Verbundoxiden, die mit der herkömmlichen Technik erhalten wurden, wie z. B. der Zerstäubung, ist nicht konstant, da es schwierig ist, sowohl die großen Flächen als auch die Gleichförmigkeit oder die homogene Qualität beizubehalten. Aus diesem Grund ist es nicht einfach, elektronische Anordnungen und/oder Schaltungen auf einer einzigen Dünnschicht herzustellen.
Ferner ist die Produktivität sehr gering, da die Herstellungsschritte zur Ausbildung dünner Schichten auf Substraten nacheinander erfolgen müssen.
Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, die oben angesprochenen Probleme zu beseitigen und ein wirksames Verfahren zur Herstellung gleichförmiger und homogener supraleitender Dünnschichten aus Hochtemperatur-Verbundoxiden auf Substraten mittels der Magnetron-Zerstäubung zu schaffen sowie eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens bereitzustellen.

Zusammenfassung der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Dünnschicht aus einem Hochtemperatur- Verbundoxid auf einem Substrat durch ein Magnetron- Zerstäubungsverfahren, wobei es dadurch gekennzeichnet ist, daß das Substrat und ein Target parallel zueinander in einer Vakuumkammer angeordnet werden und daß entweder das Substrat oder das Target relativ und parallel zueinander bewegt werden, während die Dünnschicht durch die Zerstäubung ausgebildet wird.
Die vorliegende Erfindung schafft ebenfalls eine Magnetron- Zerstäubungsvorrichtung zur Herstellung einer supraleitenden Dünnschicht aus einem Hochtemperatur-Verbundoxid auf einem diskontinuierlichem Substrat mit einem Targethalter, auf dem ein entsprechendes Target befestigt werden kann und mit einem Substrathalter, auf dem das Substrat befestigt werden kann in einer Vakuumkammer, wobei sie dadurch gekennzeichnet ist, daß die Vorrichtung ferner eine Anordnung aufweist, um entweder den Substrathalter oder den Targethalter derart zu bewegen, daß die entsprechenden Hauptoberflächen des Substrates oder des Target durch eine Hin- und Herbewegung entlang zweier aufeinander senkrecht stehender Richtungen x, y und parallel zum anderen Teil ausführen, während die Dünnschicht durch die Zerstäubung ausgebildet wird.
Das Substrat und das Target sind üblicherweise horizontal ausgerichtet, können jedoch auch senkrecht oder geneigt ausgerichtet werden.
Die Bewegungsgeschwindigkeit des Substrats relativ zum Target kann in einem weiten Bereich verändert werden, in Abhängigkeit von den Substratabmessungen. So kann die Bewegungsgeschwindigkeit z. B. aus einem Bereich ausgewählt werden, der zwischen mehreren Millimetern pro Sekunde und mehreren zehn Millimetern pro Sekunde liegt.
Bei einem Ausführungsbeispiel gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine Vielzahl von Targets in einer Reihe zusammen mit einer Vielzahl von Substraten gemeinsam bewegt werden. In diesem Fall wird die Vielzahl von Substraten aufeinanderfolgend durch ein Förderband bewegt.
Beim Zerstäubungsverfahren weisen die aus dem Target herausgelösten Teilchen unterschiedliche Energien auf und werden gemäß einem Muster verteilt. Wird demzufolge eine supraleitende Dünnschicht aus einem Hochtemperatur-Verbundoxid mittels einer Zerstäubung hergestellt, so wird angenommen, daß die Substratoberfläche eine vorgegebene Stellung relativ zum Target einnehmen muß, da die Zerstäubungsbedingungen bei der Herstellung einer derartigen Dünnschicht auf relativ enge Bereiche begrenzt sind.
Die Erfinder haben festgestellt, daß es nicht erforderlich ist, konstante Bedingungen während der Zerstäubung aufrecht zu erhalten. Mit anderen Worten zeigt die erhaltene Dünnschicht wirksame supraleitende Eigenschaften, wenn bestimmte Bedingungen, welche zur Ausbildung der supraleitenden Dünnschicht beitragen, eingehalten werden während einer vorgegebenen Zeitdauer des Zerstäubungsverfahrens. Auf dieser Basis entstand die vorliegende Erfindung.
Bei der herkömmlichen Zerstäubungstechnik wird ein Substrat an derjenigen Stelle angeordnet, von der angenommen wird, daß sie der wirksamste Bereich zur Ausbildung einer supraleitenden Dünnschicht ist. Entgegen der Erwartungen zeigten jedoch die erhaltenen Dünnschichten unterschiedliche und inhomogene Qualitäten aufgrund des Verteilungsmusters der zerstäubten Teilchen.
Erfindungsgemäß wird das Substrat relativ zum Target während Zerstäubungsverfahrens bewegt oder verschoben, so daß die gesamte Substratoberfläche wenigstens einmal durch einen vorgegebenen Bereich mit zerstäubten Teilchen wandert, welcher zur Ausbildung der supraleitenden Dünnschicht besonders wirksam ist. Die derart erhaltenen Dünnschichten zeigen eine gleichförmige Qualität im wesentlichen über die gesamte Oberfläche. Durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann eine Vielzahl von Dünnschichten kontinuierlich in einer einzigen Kammer hergestellt werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich für jegliche Art von supraleitender Hochtemperatur-Verbundoxide einschließlich der (La, Sr)&sub2;CUO&sub4;-, der Y-Ba-Cu-O-Verbindungen, wie z. B. Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O7-δ (δ = ± 1), Bi-Sr-Ca-Cu-O-Verbindungen, wie z. B. Bi&sub2;Sr&sub2;Ca&sub2;Cu&sub3;Ox (x = ungefähr 10) sowie Tl-Ba-Ca-Cu-O-Verbindungen, wie z. B. Tl&sub2;Ba&sub2;cCa&sub2;Cu&sub3;Ox (x = ungefähr 10).
Das Substratmaterial ist nicht begrenzt, jedoch wird ein Einkristalloxid bevorzugt, wie z. B. MgO, SrTiO&sub3;, LaAlO&sub3;, LaGaO&sub3; sowie Yttrium-stabilisiertes Zirkonium-Dioxid (YSZ).
Die Magnetron-Zerstäubung gemäß der vorliegenden Erfindung selbst ist lang bekannt. Erfindungsgemäß werden die folgenden Betriebsbedingungen bevorzugt.
Gasdruck während der Zerstäubung: 1,33 bis 133 Pa (0,01 bis 1 Torr)
Substrattemperatur: 550 bis 750ºC
Energieversorgung während der Zerstäubung: 3 bis 8 W/cm²
Außerhalb dieser Betriebsbedingungen treten supraleitende Eigenschaften oftmals nur gering oder gar nicht auf.
Die folgenden Vorteile werden durch die Erfindung erhalten:
(1) Supraleitende Dünnschichten aus Hochtemperatur-Verbundoxid mit gleichförmiger und homogener Qualität sind erhältlich;
(2) Eine Vielzahl von supraleitenden Dünnschichten aus Hochtemperatur-Verbundoxid können zugleich und mit hohem Wirkungsgrad hergestellt werden.

Kurze Beschreibung der Zeichnung

Figur 1 zeigt eine Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung.
Figur 2 zeigt eine Darstellung eines anderen Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Vorrichtung.
Figur 3 zeigt eine Draufsicht auf eine Dünnschicht eines Ausführungsbeispiels, die erfindungsgemäß hergestellt wurde, mit den Stellen, an denen supraleitende Eigenschaften gemessen wurden.
Figur 4 zeigt eine Draufsicht ähnlich derjenigen von Figur 3, mit den Stellen an denen supraleitende Eigenschaften bei einem Ausführungsbeispiel gemessen wurden und
Figur 5 zeigt eine Darstellung eines anderen Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Vorrichtung.

Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele

Im folgenden wird die Erfindung im Zusammenhang mit der Zeichnung beschrieben.
Die in Figur 1 dargestellte Vorrichtung kann zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens eingesetzt werden. Die Vorrichtung weist eine Vakuumkammer 1 auf, in welcher eine Magnetron-Elektrode oder Targethalter 2 und ein Substrathalter 3 mit einer (nicht dargestellten) Heizung angeordnet sind. Der Targethalter 2 trägt ein Target 8 während ein (nicht dargestelltes) Substrat auf der Unterseite des Substrathalters 3 befestigt ist, der eine Hin- und Herbewegung entlang zweier Richtungen x, y, die senkrecht aufeinander stehen, mittels einer x- y- Stufe (nicht dargestellt) ausführen kann. Die Vakuumkammer 1 ist mit einem Absaugstutzen 4 versehen, um ein Vakuum in der Kammer 1 herzustellen sowie mit einem Gaseinlaßstutzen 5, um das Zerstäubungsgas einführen zu können und einer Sauerstoffzufuhröf fnung 6, um Sauerstoffgas einer (nicht dargestellten) Düse zuzuführen, durch welche der Sauerstoff in die Nähe der Substratoberfläche des am Substrathalter 3 befestigten Substrates gelangt.
Figur 2 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel einer zur Durchführung der Erfindung verwendbaren Vorrichtung. Figur 2 ähnelt Figur 1 mit der Ausnahme, daß eine Anordnung zur Bewegung des Substrats dargestellt ist. In Figur 2 ist ein Substrat 10 dargestellt im Zusammenhang mit einer Heizung 9, die von einem Substrathalterarm 3' herabhängt, der durch einen Aktuator 7 bewegt werden kann. Ein Ende des Aktuators 7 ist mit dem Substrathalterarm 3, verbunden, während das andere Ende an der Vakuumkammer 1 befestigt ist. Wird der Aktuator 7 durch ein Signal von außerhalb der Kammer 1 angetrieben, so bewegt sich der Substrathalterarm 3' derart, daß das Substrat 10 sich in einer im wesentlichen waagrechten Ebene bewegt.
Während des Einsatzes wird das Target 8 an der Magnetron- Elektrode 2 befestigt und das (nicht dargestellte) Substrat am Substrathalter 3 befestigt (Figur 1) oder das Bauteil aus Substrat 10/Heizung 9 wird am Substrathalterarm 3' aufgehängt (Figur 2). Danach wird die Vakuumkammer 1 durch die Öffnung 4 evakuiert und ein Edelgas wie z. B. Argon in die Vakuumkammer durch den Einlaß 5 eingefüllt. Die Heizung 9 wird in Betrieb genommen, um die Substrattemperatur zu erhöhen und die Magnetron-Elektrode 2 wird mit Energie beaufschlagt, während Sauerstoffgas kontinuierlich durch die Sauerstoffzufuhrdüse 6 auf das Substrat geleitet wird, um das Zerstäubungsverfahren einzuleiten. Während der Zerstäubung gelangen aus dem Target herausgelöste Teilchen zum Substrat und werden dort in einer Sauerstoffatmosphäre abgeschieden.
Figur 5 zeigt eine Vorrichtung zur kontinuierlichen Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens. In Figur 5 sind eine Vielzahl von Magnetron-Elektroden 22 in einer Vakuumkammer 21 in einer Reihe angeordnet sowie eine Vielzahl von Substrathaltern 23a, die sich waagrecht und aufeinanderfolgend in die Magetron-Elektrode 22 hinwegbewegen.
Während des Betriebes wird jedes Target 28 einer entsprechenden Magnetron-Elektrode 22 zugeordnet, wobei jedes Substrat am entsprechenden Substrathalter 23a befestigt ist. Danach wird die Vakuumkammer evakuiert und ein Edelgas, wie z. B. Argon in die Vakuumkammer 21 eingefüllt. Die Heizungen der Substrathalter 23a und der Magnetron-Elektroden 22 werden mit Energie beaufschlagt. Die von den Substrathaltern 23a getragenen Substrate 23 bewegen sich über eine Reihe von Magetron-Elektroden 22 nacheinander, so daß die Substrate 23 ein Plasma durchsetzen, welches von den Magnetron-Elektroden 22 erzeugt wird. Bei jedem Durchgang wird eine supraleitende oxidische Dünnschicht abgeschieden. Gegebenenfalls werden die Substrate 23 in entgegengesetzter Richtung bewegt. Bei einer Variante wird eine Vielzahl von Dünnschichten zugleich hergestellt durch Zufuhr und Abfuhr von Substraten 23/Substrathaltern 23a und zwar kontinuierlich in die Vakuumkammer 21 und aus dieser heraus.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Beispielen beschrieben, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein.

Beispiel 1

Zwei Muster 1 und 2 einer supraleitenden Dünnschicht mit der gleichen Zusammensetzung Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O7-δ (δ ist ± 1) wurden jeweils auf der (100)-Ebene eines quadratischen MgO-Einkristalls (20 x 20 mm) durch die Substrat-Magnetron-Zerstäubung unter Verwendung der in Figur 1 gezeigten Vorrichtung abgeschieden.
Muster 1 wurde mittels einer (nicht dargestellten) X-Y-Stufe hin- und herbewegt, sowohl entlang der X- als auch der Y-Achse (Figur 1) parallel zur Oberfläche des Targets 8 mit einer Geschwindigkeit von 5 mm/sec. bei einem Hub von ± 20 mm während der Magnetron-Zerstäubung. Am Ende eines Zyklus wurde das Substrat in die Ausgangsstellung zurückverfahren. Das Substrat wurde abwechselnd in die X-Richtung und die Y-Richtung bewegt.
Muster 2 (Vergleichsmuster) wurde nicht bewegt, sondern derart festgehalten, daß das Substrat zum Target zentriert war.
Die Magnetron-Elektrode für beide Muster wies einen Durchmesser von 10 cm (4 Zoll) auf; die wesentlichen Betriebsbedingungen für die Magnetron-Zerstäubung sind in Tabelle 1 zusammengefaßt: Tabelle 1 Target-Zusammensetzung (Atomverhältnis) Zerstäubungsgas O&sub2;/(Ar + O&sub2;) Gasdruck Substrattemperatur elektrische Energie Schichtdicke (Volumenverhältnis)
Die supraleitenden Eigenschaften (Tc und Jc) wurden an verschiedenen Stellen auf der erhaltenen Dünnschicht gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 zusammengefaßt. Die gemessenen Stellen (a bis c) sind in Figur 3 angegeben; die Länge ist dabei in Millimetern ausgedrückt. Tabelle 2 BEISPIEL (Erfindung) (Vergleich) Meßstelle kritische Temperatur kritische Stromdichte

(Beachte):

Die kritische Temperatur (Tc) bezeichnet die Temperatur, bei der der elektrische Widerstand des Musters unter die Meßgrenze fällt;
die kritische Stromdichte (Jc) bezeichnet die Stromdichte bei 77K.
Die Ergebnisse zeigen, daß die Qualität der durch das erfindungsgemäße Verfahren erhaltenen Dünnschicht aus dem Verbundoxid nicht von der Meßstelle abhängt und daß hochqualitative Dünnschichten aus Verbundoxid mit gleichmäßiger Oberfläche erhalten werden.

Beispiel 2

Zwei Muster 1 und 2 aus supraleitender Dünnschicht mit der gleichen Zusammensetzung Y&sub1;Ba&sub2;Cu&sub3;O7-δ (δ ist ± 1) wurden auf der (100)-Ebene eines rechtwinkligen MgO-Einkristall-Substrats (20 x 40 mm) durch die Magnetron-Zerstäubung unter Verwendung der in Figur 2 gezeigten Vorrichtung abgeschieden.
Muster 1 wurde bewegt durch Betätigung des Aktuators 7, während Muster 2 (Vergleichsmuster) nicht bewegt wurde.
Die wesentlichen Betriebsbedingungen bei der Magnetron- Zerstäubung sind in Tabelle 3 zusammengefaßt. Tabelle 3 Target-Zusammensetzung (Atomverhältnis) Zerstäubungsgas O&sub2;/(Ar + 02) (Volumenfeld) Gasdruck Substrattemperatur elektrische Energie Schichtdicke Target-Substrat-Entfernung Substrat-Verschiebung Geschwindigkeit
Die supraleitenden Eigenschaften Tc und Jc wurden an verschiedenen Stellen der erhaltenen Dünnschicht gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 zusammengefaßt; die Meßstellen a bis c sind in Figur 4 dargestellt. Tabelle 4 BEISPIEL (Erfindung) (Vergleich) Meßstelle kritische Temperatur Schichtdicke
Die Ergebnisse des mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltenen Musters 1 des Beispiels 2 zeigen, daß die Qualität der Dünnschicht aus dem Verbundoxid nicht von der gemessenen Stelle abhängt und daß eine hochqualitative Dünnschicht aus Verbundoxid über die gesamte Oberfläche erhalten wurde.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Dünnschicht aus einem Hochtemperatur-Verbundoxyd auf einem diskontinuierlichen Substrat durch ein Magnetron- Zerstäubungsverfahren,dadurch gekennzeichnet, daß die entsprechenden Hauptoberflächen des Substrats (3, 10) und eines Zerstäubungstargets (8) im wesentlichen parallel zueinander in einer Vakuumkammer (1, 21) angeordnet werden, und daß eines der beiden Teile, entweder das Substrat oder das Target, entlang zweier aufeinander senkrecht stehender Richtungen (X, Y) eine Hin- und Herbewegung parallel zum anderen Teil ausführt, während die Dünnschicht durch die Zerstäubung ausgebildet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Substrat (3, 10) und das Target (8) waagrecht angeordnet werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das Substrat (3, 10) relativ zum Target (8) mit einer Bewegungsgeschwindigkeit zwischen einigen Millimetern pro Sekunde und einigen zehn Millimetern pro Sekunde bewegt wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das supraleitende Hochtemperatur-Verbundoxyd aus (La, Sr)&sub2;CuO&sub4;, einer Y-Ba-Cu-O-Verbindung, einer Bi-Sr-Ca-Cu-O-Verbindung oder einer Tl-Ba-Ca-Cu-O-Verbindung besteht.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das Substrat ein Einkristall-Substrat aus MgO, SrTiO&sub3;, LaAlO&sub3;, LaGaO&sub3; oder mit Yttrium stabilisiertem Zirkoniumoxyd (YSZ) ist.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der Gasdruck während der Zerstäubung in einem Bereich von 1,33 Pa bis 133 Pa liegt (=,01 bis 1 Torr)

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Substrattemperatur während der Zerstäubung in einem Bereich von 550ºC bis 750ºC liegt.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die dem Target (8) während der Zerstäubung zugeführte Energie in einem Bereich von 3 bis 8 W/cm².

9. Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung zur Herstellung einer supraleitenden Dünnschicht aus einem Hochtemperatur-Verbundoxyd auf einem diskontinuierlichen Substrat (3, 10) mit einem Targethalter, auf dem ein entsprechendes Target (8) befestigt werden kann, und mit einem Substrathalter, auf dem ein geeignetes Substrat befestigt werden kann in einer Vakuumkammer, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung ferner eine Anordnung aufweist, um eines der Teile, entweder den Substrathalter oder den Targethalter, derart zu bewegen, daß die entsprechenden Hauptoberflächen des Substrates (3, 10) oder des Targets (8) eine Hin- und Herbewegung entlang zweier aufeinander senkrecht stehender Richtungen (X, Y) und parallel zum anderen Teil ausführen, während die Dünnschicht durch die Zerstäubung ausgebildet wird.

10. Magnetron-Zerstäubungsvorrichtung zur Herstellung einer supraleitenden Dünnschicht aus einem Hochtemperatur-Verbundoxyd auf einem diskontinuierlichen ebenen Substrat (10, 23) mit einem Targethalter, auf dem ein entsprechendes Target (8, 28) befestigt werden kann, und mit einem Substrathalter, auf dem ein geeignetes Substrat befestigt werden kann in einer Vakuumkammer, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung ferner eine Anordnung aufweist, um eines der Teile, entweder den Substrathalter oder den Targethalter, derart zu bewegen, daß die entsprechende Hauptoberfläche des Substrats (10, 23) oder des Targets (8, 28) eine Hin- und Herbewegung parallel zum anderen Teil ausführt, während die Dünnschicht durch die Zerstäubung ausgebildet wird.

11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, bei der eine Düse (6) zur Sauerstoffzufuhr in der Nähe des Substrathalters angeordnet ist.

12. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 11, bei der die Anordnung zur Bewegung entweder des Substrathalters oder des Targethalters eine X-Y-Stufe ist.

13. Vorrichtung nach Anspruch 10, bei der die Anordnung zur Bewegung des Substrathalters ein Aktuator ist.

14. Vorrichtung nach Anspruch 10, bei der die Anordnung zur Bewegung des Substrathalters ein Förderband ist, welches eine Vielzahl von Substrathaltern (23a) an einer Vielzahl von Targethaltern vorschiebt.