DE4435204A1 - Eingangsschutzschaltung - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Eingangsschutz
schaltung für integrierte MOS-Halbleiterschaltungen.
Eine integrierte Halbleiterschaltung mit einem MOS-Transistor
weist eine Eingangsschutzschaltung auf, die zwischen eine interne
Schaltung und einen Eingangsanschluß eingefügt ist, um zu verhin
dern, daß der Gateoxidfilm der internen Schaltung durch einen ex
ternen Spannungsstoß elektrostatisch durchbrochen wird. Fig. 1 ist
ein Schaltbild, das eine herkömmliche Eingangsschutzschaltung
zeigt, die in der Japanischen Offenlegungsschrift Nr. 58-58769
(1983) beschrieben ist. In Fig. 1 bezeichnet das Bezugszeichen 101
einen Eingangsanschluß. Der Spannungsstoß, der an dem Eingangsan
schluß 101 eingeht, wird an die komplementären MOS-Transistoren
Q₁, Q₂ angelegt, die eine interne Schaltung bilden.
Ein Schutzwiderstand R ist zwischen dem Eingangsanschluß 101 und
den MOS-Transistoren Q₁, Q₂ angeschlossen. Der Schutzwiderstand R
ist aus einer polykristallinen Siliziumschicht gebildet, die durch
einen Feldoxidfilm auf einem Halbleitersubstrat oder eine Diffusi
onsschicht in dem Halbleitersubstrat oder andere Elemente bzw.
Einrichtungen gelegt ist. Schutzdioden D₁, D₂, sind parallel an
der Verbindung zwischen dem Eingangsanschluß 101 und dem Wider
stand R angeschlossen. Die Schutzdiode D₁ hat ihre Anode mit dem
Eingangsanschluß 101 und ihre Kathode mit einer positiven
Spannungsversorgung VDD verbunden. Ebenso hat die Schutzdiode D₂
ihre Anode mit einer Masse bzw. Erde VSS, welche eine negative
Versorgungsspannung bereitstellt und ihre Kathode mit dem
Eingangsanschluß 101 verbunden.
Fig. 2 ist eine Draufsicht, die schematisch die Schutzdiode D₁ von
Fig. 1 darstellt. Fig. 3 ist eine schematische Schnittansicht ent
lang der Linie III-III von Fig. 2. Ein rechteckiges p-
Diffusionsgebiet 103 von hoher Konzentration ist in der Draufsicht
auf einem n-Halbleitersubstrat 102 gebildet. Ein p-
Widerstandsgebiet 105 von hoher Konzentration ist in Kontakt mit
dem p-Diffusionsgebiet 103 gebildet. Ein n-Diffusionsgebiet 104
von hoher Konzentration ist so gebildet, daß es einen PN-Übergang
in Kontakt mit der Peripherie des p-Diffusionsgebietes 103 formt.
Ein Isolierfilm 106 ist auf dem Halbleitersubstrat 102 gebildet,
und eine Elektrode 107 ist derart gebildet, daß sie in das
Kontaktloch, das auf dem p-Diffusionsgebiet 103 des Isolierfilms
106 gebildet ist, eingelassen ist. Die Schutzdiode D₂ ist ähnlich
zu der Schutzdiode D₁ mit Ausnahme, daß das Halbleitersubstrat,
die Diffusionsgebiete etc. vom umgekehrten Leitungstyp gebildet
sind, und daher wird sie nicht mehr erklärt.
Die Schutzdioden D₁, D₂ dieser Struktur sind so ausgelegt, daß in
dem Fall, in dem ein Spannungsstoß an den Eingangsanschluß 101 an
gelegt wird, der Durchlaßbetrieb oder der Durchbruchsbetrieb der
Schutzdioden D₁ oder D₂ bewirkt, daß ein Strom zur Spannungsver
sorgung VDD oder zur Masse VSS fließt, wobei die Spannung, die an
die MOS-Transistoren Q₁, Q₂ angelegt ist, reduziert wird. Im Er
gebnis wird verhindert, daß der Gateoxidfilm der MOS-Transitoren
Q₁ und Q₂, welche eine interne Schaltung bereitstellen, elektro
statisch durchgebrochen wird.
In den letzten Jahren wurde es im Zusammenhang mit der zunehmenden
Anzahl von Anschlußstiften und der Integration der MOS-integrier
ten Halbleiterschaltungen schwieriger, eine ausreichende Fläche
für eine Eingangsschutzschaltung bereitzustellen. Der elektrosta
tische Durchbruch der Schutzdiode in einer Eingangsschutzschaltung
wird hauptsächlich durch das Niederschmelzen von Silizium verur
sacht, was von der Hitze resultiert, welche durch die Konzentra
tion des Stromstoßes am PN-Übergang der Diffusionsgebiete erzeugt
wird. In dem Fall, in dem die Diffusionsfläche der Schutzdiode
klein ist, ist die Konzentration des Stromes in dem Diffusionsge
biet so groß, daß die Eingangsschutzschaltung elektrostatisch
durch einen vergleichsweise niedrigen Spannungsstoß durchbrochen
wird. Es ist daher notwendig eine ausreichende Fläche der Diffusi
onsgebiete sicherzustellen, wodurch infolge die Fläche für die
Eingangsschutzschaltung zunimmt, und es dadurch unmöglich wird,
die Siliziumfläche effektiv zu nutzen.
Eine Konfiguration der Eingangsschutzschaltung, die die oben ge
nannten Probleme zu umgehen beabsichtigt, ist in den Japanischen
Patentoffenlegungsschriften Nr. 58-58769 (1983) und Nr. 62-71275
(1987) vorgeschlagen. In der in der Japanischen Patentoffenle
gungsschrift Nr. 58-58769 (1983) vorgeschlagenen Eingangsschaltung
ist ein Diffusionsgebiet, in dem der Stromstoß fließen kann, aus
einem p-Diffusionsgebiet von hoher Konzentration und einem p-Dif
fusionsgebiet von niedriger Konzentration, welches das p-Diffusi
onsgebiet von hoher Konzentration einschließt, und einem p-Diffu
sionsgebiet von hoher Konzentration, das das p-Diffusionsgebiet
von niedriger Konzentration einschließt, gebildet. Diese Diffusi
onsgebiete weisen einen großen Schichtwiderstand des p-Diffusions
gebietes auf, wodurch die elektrostatische Durchbruchspannung des
Diffusionsgebietes erhöht wird. Somit wird die elektrostatische
Durchbruchspannung im selben Grad wie beim Stand der Technik ver
bessert. Die Herstellung dieser Eingangsschutzschaltung erfordert
jedoch eine Vielzahl von Musterungs- bzw. Strukturierungsprozessen
zum Bilden der Diffusionsgebiete, und wirft daher das Problem ei
nes erhöhten Zeit- und Arbeitsaufwandes auf.
Andererseits weist die Eingangsschutzschaltung, die in der Japani
schen Patentoffenlegungsschrift Nr. 62-71275 (1987) vorgeschlagen
ist, eine Mehrzahl von Widerstandselementen, Schutzdioden und
Schutz-MOS-Transistoren auf. Gemäß diesem Vorschlag ist das Diffu
sionsgebiet für die Schutzdiode tiefer gebildet als das Source-
Drain-Gebiet der internen Schaltung, um den Übergangsdurchbruch in
dem Diffusionsgebiet der Schutzdiode zu verhindern. Als Folge da
von, kann die Gatespannung, die an die interne Schaltung angelegt
wird, verringert werden, ohne die Schutzdioden durchzubrechen, wo
durch verhindert wird, daß der Gateoxidfilm der internen Schaltung
elektrostatisch durchgebrochen wird. Es bleibt jedoch das Problem,
daß der Herstellungsprozeß zum Formen eines tiefen Diffusionsge
bietes der Schutzdiode eine beträchtliche Arbeit und Zeit ver
braucht.
Es ist Aufgabe der Erfindung eine Eingangsschutzschaltung bereit
zustellen, die leicht hergestellt werden kann und die eine hohe
elektrostatische Durchbruchspannung ohne eine vergrößerte Fläche
aufweist.
Entsprechend einem Aspekt der Erfindung wird eine Eingangsschutz
schaltung bereitgestellt mit einer ersten Gleichrichtereinrich
tung, die eine Halbleiterschicht eines Leitfähigkeitstyps umfaßt,
die mit einer Spannungsversorgung einer Polarität verbunden ist,
und die einen PN-Übergang mit der Peripherie eines ersten
Diffusionsgebietes aufweist, einer zweiten
Gleichrichtereinrichtung, die eine Halbleiterschicht des anderen
Leitfähigkeitstyps aufweist, die mit einer Spannungsversorgung der
anderen Polarität verbunden ist, und die einen PN-Übergang mit der
Peripherie eines zweiten Diffusionsgebietes aufweist und mit einer
Verdrahtung, die quer über die ersten und zweiten
Diffusionsgebiete gebildet ist. Die ersten und zweiten
Diffusionsgebiete weisen eine polygonische bzw. vieleckige Gestalt
auf, wobei eine Breite orthogonal zu der Richtung der Verdrahtung
größer ist als die Länge in der Richtung der Verdrahtung auf den
Diffusionsgebieten, wo der Strom, der von dem Eingangsanschluß
geliefert wird, fließt. Der Kontakt zwischen der Verdrahtung und
den ersten und zweiten Diffusionsgebieten weist eine größere
Breite auf, als die Breite der Verdrahtung, die nicht mit den
Diffusionsgebieten verbunden ist. Ferner sind die Enden entlang
der Breite des Kontaktes equidistant von dem Zentrum entlang der
Breite der Verdrahtung, die nicht mit dem Kontakt gebildet ist,
entfernt.
Entsprechend eines anderen Aspekts der Erfindung wird eine Ein
gangsschutzschaltung bereitgestellt, die die Eigenschaft aufweist,
daß die Diffusionsgebiete rechteckig sind und daß das Verhältnis
zwischen den langen und den kurzen Seiten des Rechtecks zwischen
5/1 und 15/1 ist.
Entsprechend eines weiteren Aspekts der Erfindung wird eine Ein
gangsschutzschaltung bereitgestellt, in der ein isolierender Ab
schnitt zwischen die ersten und zweiten Gleichrichtereinrichtungen
und die Verdrahtung eingefügt ist.
Als Folge der oben genannten Eigenschaften wird in dem Fall, in
dem ein Stromstoß vom Eingangsanschluß geliefert wird, der
Stromstoß, der in die Gleichrichtereinrichtungen geeilt ist,
entlang der Breite der Diffusionsgebiete geteilt und daher wird
die Stromkonzentration, die sonst am Eingangs-PN-Übergang der
Gleichrichtereinrichtungen auftreten könnte, entspannt bzw.
reduziert. Auch im Hinblick auf die Tatsache, daß die Breite des
Kontaktes, der auf den Diffusionsgebieten gebildet ist, größer als
die Breite der Verdrahtung ist, welche den Stromstoß hindurchläßt,
wird die Stromkonzentration bzw. die Stromverdichtung zwischen den
Diffusionsgebieten mit der Verdrahtung dazwischen ausgeglichen.
Daher wird kein Strom an den Kontaktenden, die leicht einem
Stromstoß erliegen, konzentriert bzw. verdichtet, wobei die
elektrostatische Durchbruchspannung verbessert wird. In dem Fall,
in dem ein Stromstoß durch die Verdrahtung fließt, wird eine
höhere elektrostatische Durchbruchspannung erhalten, wobei die
Fläche der Diffusionsgebiete im wesentlichen unverändert ist.
Ferner wird eine ausreichende elektrostatische Durchbruchsspannung
mit einer kleinen Fläche der Diffusionsgebiete erzielt.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich
aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren.
Von den Figuren zeigt
Fig. 1 Ein Schaltbild, das eine herkömmliche Eingangs
schutzschaltung zeigt;
Fig. 2 Eine Draufsicht, die schematisch eine herkömmliche
Schutzdiode D₁ zeigt;
Fig. 3 Eine schematische Schnittansicht entlang der Linie
III-III von Fig. 2;
Fig. 4 Ein Schaltbild, welches eine Eingangsschutzschaltung
entsprechend einer Ausführungsform der Erfindung
zeigt;
Fig. 5 Eine Draufsicht, die schematisch eine Schutzdiode
entsprechend einer Ausführungsform der Erfindung
zeigt;
Fig. 6 Eine schematische Schnittansicht entlang der Linie
VI-VI von Fig. 5; und
Fig. 7 Eine Schnittansicht, die schematisch eine Schutzdi
ode in einem Herstellungsprozeß entsprechend einer
Ausführungsform der Erfindung zeigt.
Im nachfolgenden wird die Erfindung im Detail mit Bezug auf die
begleitenden Zeichnungen, die die Ausführungsformen derselben zei
gen, erklärt.
Ein Schaltbild einer Eingangsschutzschaltung entsprechend der Er
findung ist in Fig. 4 gezeigt. Das Bezugszeichen 111 bezeichnet
einen Eingangsanschluß. Ein Spannungsstoß, der an dem Eingangsan
schluß 111 ankommt, wird an eine interne Schaltung 112 angelegt.
In der Verbindung zwischen dem Eingangsanschluß 111 und der inter
nen Schaltung 112 sind eine Schutzdiode 113 und eine Schutzdiode
114, die jeweils erste und zweite Gleichrichtereinrichtung bilden,
parallel zueinander geschaltet. Die Schutzdiode 114 hat ihre Anode
mit dem Eingangsanschluß 111 und ihre Kathode mit einer positiven
Spannungsversorgung VCC verbunden. Die Schutzdiode 113 hat ihre
Anode mit einer Masse bzw. Erde VSS, welche eine negative Span
nungsversorgung bildet, und ihre Kathode mit dem Eingangsanschluß
111 verbunden.
Eine schematische Draufsicht der Schutzdioden 113, 114 von Fig. 4
ist in Fig. 5 gezeigt. Eine Schnittansicht entlang der Linie VI-VI
von Fig. 5 ist in Fig. 6 veranschaulicht. Eine p-Leitungswanne 116
und eine n-Leitungswanne 118 sind aneinander angrenzend gebildet.
Ein n-Diffusionsgebiet 117 von hoher Konzentration ist durch Do
tieren mit Phosphor im wesentlichen im zentralen Abschnitt der p-
Leitungswanne 116 gebildet und ein p-Diffusionsgebiet 119 mit ho
her Konzentration ist durch Dotieren mit Bor in im Wesentlichen
dem zentralen Abschnitt der n-Leitungswanne 118 gebildet. Das n-
Diffusionsgebiet 117 und das p-Diffusionsgebiet 119 zeigen jeweils
in der Draufsicht eine rechteckige Form. Bei diesen Rechtecken
sind deren Seiten, die parallel zu der Grenze zwischen den p-Lei
tungswannen 116 und den n-Leitungswannen 118 sind, länger als die
Länge entlang der Richtung senkrecht zu der Grenze. Das Verhältnis
zwischen langen und kurzen Seiten eines jeden Diffusionsgebietes
ist vorzugsweise ungefähr zwischen 5 : 1 und 15 : 1. In dem Fall, in
dem die lange Seite extrem lang eingestellt ist, ist es für den
Stromstoß schwierig entlang der langen Seite zu propagieren, wie
später beschrieben wird.
Ein Isolierfilm 122 ist auf der Oberfläche der Halbleiterdiffusi
onsschicht gebildet, die wie oben beschrieben aufgebaut ist. Der
Isolierfilm 122 weist eine darauf gebildete Aluminiumverdrahtung
115 auf bis zu der Position, die die interne Schaltung 112 von dem
Eingangsanschluß 111 durch die Oberflächen der Leitungswanne 116,
des n-Diffusionsgebietes 117, der Leitungswanne 118 und des p-Dif
fusionsgebietes 119 erreicht. Die Aluminiumverdrahtung 115 ist so
gebildet, daß sie die Stelle, die das Zentrum bzw. den Mittelpunkt
auf dem n-Diffusionsgebiet 117 kreuzt und die Stelle, die den Mit
telpunkt auf dem p-Diffusionsgebiet 119 kreuzt, miteinander ver
bindet. Die Breite der Aluminiumverdrahtung 115 auf dem n-Diffusi
onsgebiet 117 und dem p-Diffusionsgebiet 119, d. h. die Länge ent
lang der Längsrichtung der jeweiligen Diffusionsgebiete ist länger
als die Breite der Aluminiumverdrahtung 115, die auf der Leitungs
wanne 116 und der Leitungswanne 118 gebildet ist.
Der Isolierfilm 122 auf dem n-Diffusionsgebiet 117 und dem p-Dif
fusionsgebiet 119 weist Kontaktlöcher auf, so daß das n-Diffusi
onsgebiet 117 und das p-Diffusionsgebiet 119 mit der Aluminiumver
drahtung 115 jeweils durch Kontakte 120, 120 verbunden sind. Die
Kontakte 120, 120 sind in der Gestalt des n-Diffusionsgebietes 117
und des p-Diffusionsgebietes 119 gebildet und jeweils um ungefähr
2 µm verkleinert. Dies ist der Fall um den Effekt der Hitze zu ver
meiden, die in den PN-Übergängen der Schutzdioden 113, 114 erzeugt
wird. Der Verkleinerungsfaktor für die kurzen Seiten der Kontakte
120, 120 ist vorzugsweise größer als der für die langen Seiten
derselben, wodurch die Konzentration bzw. die Verdichtung des
Stromstoßes entlang der kurzen Seiten verringert wird. Im Hinblick
auf die Tatsache, daß die Kontaktenden, d. h. die Längsenden bzw.
die longitudinalen Enden der Kontakte 120, 120 equidistant von dem
Mittelpunkt der Aluminiumverdrahtung 115 und außerhalb der Kanten
bzw. Ränder der Breite der Aluminiumverdrahtung 115 angeordnet
sind, wird kein Strom an den Kontaktenden, die leicht dem
Stromstoß erliegen, konzentriert bzw. angehäuft.
Eine Masse bzw. Erde VSS ist in gegenüberliegender bzw.
entgegengesetzter Beziehung mit und auf den Seiten der
Aluminiumverdrahtung 115 auf dem Isolierfilm 122, der auf der
Oberfläche der Leitungswanne 116 gebildet ist, gebildet. Eine
Spannungsversorgung VCC ist auf dieselbe Weise auf dem Isolierfilm
122, der auf der Oberfläche der Leitungswanne 118 gebildet ist,
gebildet. Kontaktlöcher sind in dem Isolierfilm 122 gebildet, so
daß die Masse VSS und die Spannungsversorgung VCC mit der
Leitungswanne 116 und der Leitungswanne 118 durch die Kontakte
121, 121 verbunden sind.
Der Prozeß zur Herstellung der Schutzdioden 113, 114, die die oben
beschriebene Struktur aufweisen, wird nun erklärt. Fig. 7 ist eine
Schnittansicht, die schematisch die Schutzdioden 113, 114 von Fig.
6 in dem Herstellungsprozeß zeigt. Wie in diesem Diagramm gezeigt
ist, werden die p-Leitungswanne 116 und die n-Leitungswanne 118
aneinandergrenzend gebildet. Ein Isolierfilm wird auf den Lei
tungswannen 116, 118 abgeschieden bzw. abgelegt und eine Maske 110
wird durch Mustern des Isolierfilms gebildet. Die p-Leitungswanne
116 wird mit Phosphor dotiert und die n-Leitungswanne 118 mit Bor,
um dabei jeweils das n-Diffusionsgebiet 117 und das p-Diffusions
gebiet 119 zu bilden.
Wie in Fig. 6 gezeigt ist, wird die Maske 110 entfernt und der
Isolierfilm 122 wird auf den Leitungswannen 116, 118 abgeschieden
bzw. aufgebracht. Kontaktlöcher werden dann auf den Leitungswannen
116, 118, dem n-Diffusionsgebiet 117 und dem p-Diffusionsgebiet
119 des Isolierfilms 122 gebildet. Kontakte 120, 120 werden ge
bildet zum Verbinden der Aluminiumverdrahtung mit sowohl dem n-
Diffusionsgebiet 117 als auch dem p-Diffusionsgebiet 119. Kontakte
121, 121 werden gebildet zum Verbinden der Masse VSS und der Span
nungsversorgung VCC jeweils mit den Leitungswannen 116 und 118.
Mit den somit hergestellten Schutzdioden 113, 114, fließt ein
Spannungsstoß, der an den Eingangsanschluß 111 angelegt wird durch
die Aluminiumverdrahtung 115 und wird der internen Schaltung 112
durch die Leitungswanne 116, das n-Diffusionsgebiet 117, die
Leitungswanne 118 und das p-Diffusionsgebiet 119 zugeführt. In dem
Fall, in dem die angelegte Spannung ein übermäßiger positiver
Spannungsstoß ist, und die Durchbruchspannung der Schutzdiode 113
übersteigt, bricht die Schutzdiode 113 durch, womit der Strom
entlang der Grenze zwischen dem n-Diffusionsgebiet 117 und dem
Isolierfilm 122 gegen den PN-Übergang zwischen der p-Leitungswanne
116 und dem n-Diffusionsgebiet 117 fließen kann, wo er letztlich
die Masse VSS erreicht. Die Schutzdiode 114 schaltet andererseits
in Durchlaßrichtung durch, wenn der übermäßige positive
Spannungsstoß höher als die Quellspannung VCC ist. Im Ergebnis
propagiert der Strom entlang der Grenze zwischen dem p-
Diffusionsgebiet 119 und dem Isolierfilm 122 gegen den PN-Übergang
zwischen der n-Leitungswanne 118 und dem p-Diffusionsgebiet 119,
wo er letztlich die Spannungsversorgung VCC erreicht.
In dem Fall, in dem die angelegte Spannung ein übermäßiger negati
ver Spannungstoß ist, schaltet im Gegensatz zu oben die Schutzdi
ode 113 in der Durchlaßrichtung bzw. Vorwärtsrichtung durch und
bewirkt, daß der Strom von der Masse VSS zu der internen Schaltung
112 fließt, während die Schutzdiode 114 durchbricht und bewirkt,
daß Strom von VCC zu der internen Schaltung 112 fließt.
Auf diese Weise eilt der Strom, der durch die Aluminiumverdrahtung
115 auf Anlegen eines Stromstoßes hin fließt, gegen den PN-
Übergang der Diffusionsgebiete von den Kontakten 120, 120. In dem
Prozeß ist, da die Diffusionsbereiche in der Draufsicht ein
Reckteck sind, das länger in der Richtung, die orthogonal zu der
Aluminiumverdrahtung 115 ist, die Stromdichte an dem PN-Übergang,
in den der Stromstoß geeilt ist, verringert, wodurch die
Konzentration des Stromstoßes erniedrigt wird. Gleichfalls sind
die Enden der Kontakte zwischen der Aluminiumverdrahtung 115 und
jedem Diffusionsgebiet equidistant von dem Verdrahtungszentrum
bzw. Mittelpunkt und außerhalb der Kanten bzw. Ränder der Breite
der Aluminiumverdrahtung 115 angeordnet. Daher wird der Strom
nicht verdichtet bzw. konzentriert, was zu einer hohen Festigkeit
gegenüber elektrostatischem Durchbruch führt. All diese Tatsachen
tragen zu einer verbesserten elektrostatischen Durchbruchspannung
der Schutzdioden 113, 114 bei.
Eine Eingangsschutzschaltung mit den oben beschriebenen Schutzdi
oden 113, 114 weist ein Diffusionsgebiet mit einer Fläche von
1000 µm² auf und eine elektrostatische Durchbruchspannung von mehr
als 450 V in einem Überspannungstest von 200 pF und 0 Ω, welches
ausreichende Werte für praktische Anwendungen sind. Wenn man be
denkt, daß eine Diffusionsfläche von 2500 m² bis 3500 µm² für die
herkömmlichen Schutzdioden zum Sicherstellen einer ausreichenden
Durchbruchspannung erforderlich ist, ist ersichtlich, daß eine
elektrostatische Durchbruchspannung derselben Größe wie in den
herkömmlichen Dioden mit einer sehr kleinen Fläche erhalten werden
kann. Gleichermaßen war die elektrostatische Durchbruchspannung
geringer als die Hälfte, wenn die Breite der Kontakte kleiner ist
als die der Aluminiumverdrahtung, wobei die langen und kurzen Sei
ten der Diffusionsgebiete in einer Anordnung ähnlich der vorherge
nannten Ausführungsform umgekehrt sind. Wie es ersichtlich ist,
kann eine wie oben beschriebene Eingangsschutzschaltung eine aus
reichende elektrostatische Durchbruchspannung mit einer kleinen
Fläche sicherstellen. Die Spannung, die an die interne Schaltung
112 angelegt wird, kann somit verringert werden, ohne den elektro
statischen Durchbruch der Eingangsschutzschaltung zu bewirken, wo
durch der elektrostatische Durchbruch der internen Schaltung 112
verhindert wird.
Gemäß den Ausführungsformen der Erfindung ist ein Kontakt zum Ver
binden der Verdrahtung und des Diffusionsgebietes gebildet. Die
Erfindung ist jedoch nicht auf solche Fälle beschränkt. Eine Mehr
zahl von Kontakten, die eine ähnliche Form bilden, können mit
gleicher Wirkung gebildet werden. Gleichfalls kann entweder ein
oder eine Mehrzahl von Kontakten mit gleicher Wirkung gebildet
werden zum Verbinden der Diffusionsschicht bzw. der
Halbleiterschicht durch einen PN-Übergang mit den
Diffusionsgebieten und der Spannungsversorgung VCC oder der Masse
VSS in solch einer Weise, daß sie die Diffusionsgebiete umgeben.
Ferner kann die Verdrahtung in direktem Kontakt auf den
Diffusionsgebieten ohne irgendeinen Isolierfilm dazwischen gebil
det werden.
Zusätzlich können anders als in der vorhergehenden Beschreibung
der Ausführungsformen, die sich auf rechteckige Diffusionsgebiete
beziehen, polygonische bzw. vieleckige Diffusionsgebiete verwendet
werden, wobei diese dieselbe Wirkung zeigen.
Außerdem ist, abgesehen von der Struktur, in der die ersten und
zweiten Gleichrichtereinrichtungen aneinander angrenzen gemäß den
oben genannten Ausführungsformen, die Erfindung nicht auf eine
solche Struktur beschränkt, sondern es kann irgendeine Struktur,
in der die zwei Gleichrichtereinrichtungen durch eine geeignete
Länge voneinander entfernt sind, aufgenommen bzw. verwendet
werden.
Zusätzlich ist, obwohl die vorhergenannten Ausführungsformen den
Fall betreffen, bei dem nur eine Schutzdiode für eine Eingangs
schutzschaltung verwendet wird, die Erfindung nicht auf solch
einen Fall beschränkt, sondern es kann z. B. ein Widerstand zwi
schen einem Eingangsanschluß und einer internen Schaltung geschal
tet sein.
Anstatt des Bildens der Verdrahtung entlang der Richtung parallel
zu der Ausrichtung der ersten und zweiten Diffusionsgebiete ent
sprechend der oben genannten Ausführungsformen kann die Erfindung
alternativ auch so verwirklicht sein, daß die Verdrahtung entlang
der Richtung orthogonal zu der Ausrichtung der Diffusionsgebiete
gebildet ist.
Gemäß der vorhergehenden Beschreibung kann die Eingangsschutz
schaltung entsprechend der Erfindung, in der Diffusionsgebiete von
unterschiedlichen Leitungstypen, die ein Paar von Gleichrichter
einrichtungen aufweisen, mit dem Verbindungspunkt zwischen dem
Eingangsanschluß und der internen Schaltung verbunden sind, leicht
hergestellt werden. Ferner haben die Diffusionsgebiete in der
Draufsicht eine polygonische Form, die breiter ist senkrecht zu
der Richtung des Stromflusses in der Verdrahtung, die quer über
die Diffusionsgebiete gebildet ist. Gleichermaßen ist die Breite
der Kontakte größer als die Breite der Verdrahtung mit Ausnahme
für die Bereiche, die die Kontakte aufweisen, und die Enden ent
lang der Breite der Kontakte befinden sich in gleichem Abstand von
der Verdrahtung. Im Ergebnis wird die Stromkonzentration an dem
PN-Übergang erniedrigt, was zu den verschiedenen Vorteilen ein
schließlich einer verbesserten elektrostatischen Durchbruchspan
nung ohne erhöhte Fläche führt.
Claims (8)
1. Eingangsschutzschaltung, die eine interne Schaltung vor elek
trostatischem Durchbruch schützt, mit
einem Eingangsanschluß (111), der Strom an die interne Schaltung (112) liefert;
einer ersten Gleichrichtereinrichtung (113), gebildet aus einer Halbleiterschicht (116) eines ersten Leitungstyps, die mit einer Spannungsversorgung (VSS) einer Polarität verbunden ist und die einen PN-Übergang mit der Peripherie eines ersten Dotierungs gebietes (117) aufweist;
einer zweiten Gleichrichtereinrichtung (114), gebildet aus einer Halbleiterschicht (118) des anderen Leitungstyps, die mit einer Spannungsversorgung (VCC) der anderen Polarität verbunden ist und die einen PN-Übergang mit der Peripherie eines zweiten Diffusionsgebietes (119) aufweist;
einer Verdrahtung (115), die so ausgebildet ist, daß sie über den ersten und zweiten Diffusionsgebieten (117, 119) kreuzt, zum Ver binden der ersten und zweiten Gleichrichtereinrichtung (113, 114) mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Eingangsanschluß (111) und der internen Schaltung (112); und
Kontakten (120, 120) die auf den ersten und zweiten Diffusionsge bieten (117, 119) gebildet sind, zum Bringen der ersten und zwei ten Diffusionsgebiete (117, 119) jeweils in Kontakt mit der Ver drahtung (115),
dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Diffusionsge biete (117, 119) in der Draufsicht eine vieleckige Gestalt aufweisen mit einer Länge, die länger entlang der Breite orthogonal zu als entlang der Richtung des Stromflusses ist, der von dem Eingangsanschluß (111) durch die Verdrahtung (115) zugeführt wird, und daß die Breite der Kontakte (120, 120) länger als die Breite der Verdrahtung (115), die auf den Halbleiterschichten (116, 118) des einen und des anderen Leitungstyps gebildet ist, ist.
einem Eingangsanschluß (111), der Strom an die interne Schaltung (112) liefert;
einer ersten Gleichrichtereinrichtung (113), gebildet aus einer Halbleiterschicht (116) eines ersten Leitungstyps, die mit einer Spannungsversorgung (VSS) einer Polarität verbunden ist und die einen PN-Übergang mit der Peripherie eines ersten Dotierungs gebietes (117) aufweist;
einer zweiten Gleichrichtereinrichtung (114), gebildet aus einer Halbleiterschicht (118) des anderen Leitungstyps, die mit einer Spannungsversorgung (VCC) der anderen Polarität verbunden ist und die einen PN-Übergang mit der Peripherie eines zweiten Diffusionsgebietes (119) aufweist;
einer Verdrahtung (115), die so ausgebildet ist, daß sie über den ersten und zweiten Diffusionsgebieten (117, 119) kreuzt, zum Ver binden der ersten und zweiten Gleichrichtereinrichtung (113, 114) mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Eingangsanschluß (111) und der internen Schaltung (112); und
Kontakten (120, 120) die auf den ersten und zweiten Diffusionsge bieten (117, 119) gebildet sind, zum Bringen der ersten und zwei ten Diffusionsgebiete (117, 119) jeweils in Kontakt mit der Ver drahtung (115),
dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Diffusionsge biete (117, 119) in der Draufsicht eine vieleckige Gestalt aufweisen mit einer Länge, die länger entlang der Breite orthogonal zu als entlang der Richtung des Stromflusses ist, der von dem Eingangsanschluß (111) durch die Verdrahtung (115) zugeführt wird, und daß die Breite der Kontakte (120, 120) länger als die Breite der Verdrahtung (115), die auf den Halbleiterschichten (116, 118) des einen und des anderen Leitungstyps gebildet ist, ist.
2. Eingangsschutzschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Diffusionsge
biete (117, 119) jeweils eine reckteckige Gestalt aufweisen.
3. Eingangsschutzschaltung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Diffusionsge
biete (117, 119) Längen der langen und kurzen Seiten derselben mit
einem Verhältnis, das zwischen 5/1 und 15/1 liegt, aufweisen.
4. Eingangsschutzschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
gekennzeichnet durch einen isolierenden Abschnitt (122), der zwi
schen die ersten und zweiten Gleichrichtereinrichtungen (113, 114)
und die Verdrahtung (115) eingefügt ist.
5. Eingangsschutzschaltung, die eine interne Schaltung vor elek
trostatischem Durchbruch schützt, mit
einem Eingangsanschluß (111), der der internen Schaltung (112) Strom liefert;
einer ersten Gleichrichtereinrichtung (113), gebildet aus einer Halbleiterschicht (116) eines Leitungstyps, die mit einer Ver sorgungsspannung (VSS) einer Polarität verbunden ist und die einen PN-Übergang mit der Peripherie eines ersten Diffusionsgebietes (117) aufweist;
einer zweiten Gleichrichtereinrichtung (114), gebildet aus einer Halbleiterschicht (118) des anderen Leitungstyps, die mit einer Spannungsversorgung (VCC) der anderen Polarität verbunden ist und die einen PN-Übergang mit der Peripherie eines zweiten Diffusionsgebietes (119) aufweist;
einer Verdrahtung (115), die quer über den Oberflächen der ersten und zweiten Diffusionsgebiete (117, 119) gebildet ist, zum Verbinden der ersten und zweiten Gleichrichtereinrichtungen (113, 114) mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Eingangsanschluß (111) und der internen Schaltung (112); und
Kontakten (120, 120), die auf den ersten und zweiten Diffusionsge bieten (117, 119) gebildet sind, zum Bringen der ersten und zwei ten Diffusionsgebiete (117, 119) jeweils in Kontakt mit der Ver drahtung (115),
dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Diffusionsge biete (117, 119) in der Draufsicht eine vieleckige Form aufweisen mit einer Länge, die länger entlang der Breite orthogonal zu als entlang der Richtung des Stromflusses, der von dem Eingangsan schluß (111) durch die Verdrahtung (115) geliefert wird, ist, und
daß die Breite der Kontakte (120, 120) länger als die Breite der Ver drahtung (115) ist, die auf den Halbleiterschichten (116, 118) des einen und des anderen Leitungstyps gebildet ist, und die Ränder der Breite der Kontakte sich equidistant entfernt von dem Mittel punkt entlang der Breite der Verdrahtung (115) befinden.
einem Eingangsanschluß (111), der der internen Schaltung (112) Strom liefert;
einer ersten Gleichrichtereinrichtung (113), gebildet aus einer Halbleiterschicht (116) eines Leitungstyps, die mit einer Ver sorgungsspannung (VSS) einer Polarität verbunden ist und die einen PN-Übergang mit der Peripherie eines ersten Diffusionsgebietes (117) aufweist;
einer zweiten Gleichrichtereinrichtung (114), gebildet aus einer Halbleiterschicht (118) des anderen Leitungstyps, die mit einer Spannungsversorgung (VCC) der anderen Polarität verbunden ist und die einen PN-Übergang mit der Peripherie eines zweiten Diffusionsgebietes (119) aufweist;
einer Verdrahtung (115), die quer über den Oberflächen der ersten und zweiten Diffusionsgebiete (117, 119) gebildet ist, zum Verbinden der ersten und zweiten Gleichrichtereinrichtungen (113, 114) mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Eingangsanschluß (111) und der internen Schaltung (112); und
Kontakten (120, 120), die auf den ersten und zweiten Diffusionsge bieten (117, 119) gebildet sind, zum Bringen der ersten und zwei ten Diffusionsgebiete (117, 119) jeweils in Kontakt mit der Ver drahtung (115),
dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Diffusionsge biete (117, 119) in der Draufsicht eine vieleckige Form aufweisen mit einer Länge, die länger entlang der Breite orthogonal zu als entlang der Richtung des Stromflusses, der von dem Eingangsan schluß (111) durch die Verdrahtung (115) geliefert wird, ist, und
daß die Breite der Kontakte (120, 120) länger als die Breite der Ver drahtung (115) ist, die auf den Halbleiterschichten (116, 118) des einen und des anderen Leitungstyps gebildet ist, und die Ränder der Breite der Kontakte sich equidistant entfernt von dem Mittel punkt entlang der Breite der Verdrahtung (115) befinden.
6. Eingangsschutzschaltung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Diffusionsbe
reiche (117, 119) jeweils rechteckige Form aufweisen.
7. Eingangsschutzschaltung nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Diffusionsbe
reiche (117, 119) Längen der langen und kurzen Seiten derselben
mit einem Verhältnis, das zwischen 5/1 und 15/1 liegt, aufweisen.
8. Eingangsschutzschaltung nach einem der Ansprüche 5 bis 7,
gekennzeichnet durch einen isolierenden Abschnitt (122), der zwi
schen die Verdrahtung (115) und die ersten und zweiten Gleichrich
tereinrichtungen (113, 114) eingefügt ist.
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Ipc: H01L 23/60 |
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8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |