DE4402247A1 - Oberflächenreinigung mit Argon - Google Patents
Oberflächenreinigung mit ArgonInfo
- Publication number
- DE4402247A1 DE4402247A1 DE4402247A DE4402247A DE4402247A1 DE 4402247 A1 DE4402247 A1 DE 4402247A1 DE 4402247 A DE4402247 A DE 4402247A DE 4402247 A DE4402247 A DE 4402247A DE 4402247 A1 DE4402247 A1 DE 4402247A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gas
- argon
- cleaned
- surface cleaning
- nozzle device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 402
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 title claims description 202
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 109
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 235
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 75
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 38
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 30
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 10
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical group OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 241001103870 Adia Species 0.000 description 1
- 101150087426 Gnal gene Proteins 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000002996 emotional effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0092—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by cooling
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
- B24C1/003—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods using material which dissolves or changes phase after the treatment, e.g. ice, CO2
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C3/00—Abrasive blasting machines or devices; Plants
- B24C3/32—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks
- B24C3/322—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks for electrical components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Reini
gungsverfahren und eine Vorrichtung und insbesondere auf
ein Reinigungsverfahren und eine Vorrichtung, die geeig
net ist, die Oberfläche einer Ebene, wie zum Beispiel die
Oberfläche eines Halbleiterwafers oder Plättchens zu rei
nigen.
Bei LSI-Herstellungsschritten bzw. Herstellungsschritten
mit hohem Integrationsgrad verringern kleine Partikel
oder Verunreinigungen oder Flecken auf der Oberfläche ei
nes Halbleiterplättchens, eines LCD, einer Solarbatterie
oder ähnlichem den letztendlichen Produktertrag erheb
lich. Die Wafer oder Plättchenoberflächenreinigung ist
daher wichtig, und die Umweltverunreinigung, die durch
die Reinigung bewirkt wird, ist auch ein wichtiger Ge
sichtspunkt.
Bisher wurden unterschiedliche Reinigungsverfahren vor
geschlagen. Oberflächenreinigungsverfahren, die bisher
für Halbleiterwafer oder Plättchen verwendet wurden, sind
nachfolgend zusammengefaßt.
Dieses Verfahren entfernt Oberflächenflecken oder Verun
reinigungen durch eine chemische Reaktion oder Zersetzung
oder Lösung, Wasser, Säure, organische Lösungsmittel,
Freon oder ähnliches werden verwendet. Es ist notwendig,
die richtigen Lösungsmittel auszuwählen, die für die zu
entfernenden Flecken, Verunreinigungen usw. wirksam sind.
Ultraschallreinigung kann zusammen damit verwendet wer
den, um die physikalische Reinigungskraft zu verbessern.
Es ist notwendig, Lösungsmittel mit einer hohen Reinheit
zu verwenden, um keine Flecken oder Verunreinigungen auf
der gereinigten Objektoberfläche zurückzulassen.
Wasser mit einer hohen Reinheit kann leicht erhalten wer
den und eine große Menge an Wasser kann kosteneffizient
verwendet werden, jedoch kann Wasser, das auf der Ober
fläche zurückbleibt, Verunreinigungen in der Zukunft be
wirken und die Art der Verunreinigungen und Flecken und
ähnliches, die durch Wasser zersetzt werden, ist be
schränkt.
Viele der anderen wirksamen Lösungsmittel verunreinigen
die Umgebung oder Umwelt, wenn sie in der Umgebung ge
lassen werden. Bei zirkulierenden Lösungsmitteln, um eine
Verunreinigung der Umwelt zu verhindern, ist es schwie
rig, die zirkulierenden Lösungsmittel kosteneffizient
oder wirtschaftlich zu raffinieren oder wiederaufzube
reiten. Wenn die Reinigung unter Verwendung desselben Lö
sungsmittels wiederholt wird, werden kontaminierte oder
verunreinigte Substanzen in diesem Lösungsmittel ange
sammelt und sie können an der gereinigten Oberfläche an
haften, was fehlerhafte Produkte zur Folge hat.
Es ist ein Blasverfahren von kleinen Eispartikeln be
kannt, um kleine Fremdpartikel oder Flecken von einer Ob
jektoberfläche zu entfernen. Jedoch ist der Durchmesser
eines kleinen Eispartikels, das derzeitig herstellbar
ist, nicht ausreichend klein, um leicht kleine Fremdpar
tikel in der Größenordnung von 1 µm oder kleiner zu ent
fernen.
Es ist ein Blasverfahren kleiner Trockeneispartikel be
kannt, um kleine Fremdpartikel oder Flecken von einer Ob
jektoberfläche zu entfernen. Jedoch ist es sehr schwie
rig, Kohlenwasserstoffverbindungen bis zu einer sehr ge
ringen Konzentration aus Kohlendioxidgas herauszuziehen.
Wenn CO2 gekühlt und geblasen wird, werden Kohlenwasser
stoffverbindungen kondensiert und sie haften an der
gereinigten Oberfläche an. CO2 kann eine C-Verun
reinigungsquelle werden.
Es ist ein Gasblasverfahren einer Objektoberfläche eines
festen Körpers bekannt, um diese zu reinigen. Jedoch wird
eine Gasgrenzschicht mit einer sehr langsamen Strömung
auf der festen Oberfläche gebildet. Solch eine langsame
Gasströmung besitzt eine schwache Leistung zum Entfernen
kleiner Partikel, was es schwierig macht, kleine Partikel
von einem Mikrometer oder kleiner zu entfernen. Die Ver
bindungsstärke eines Partikels mit der Oberfläche ist
proportional zu seinem Durchmesser und die Partikelent
fernungsleistung ist proportional zu dem Quadrat eines
Partikeldurchmessers.
Es ist auch ein Blasverfahren von Argongas oder gemisch
ten Gasen, die Argongas enthalten, und die auf eine ex
trem geringere Temperatur gekühlt sind, auf einer Ob
jektoberfläche bekannt. Durch das Freigeben eines Gases
aus einer Düse in eine Vakuumkammer wird das Gas rasch
adiabatisch ausgedehnt und verringert seine Temperatur.
Bei dieser verringerten Temperatur wird festes Argon ge
bildet und die kleinen festen Argonpartikel treffen auf
eine Objektoberfläche auf.
Es wurde ein Verfahren vorgeschlagen, um zum Beispiel ein
Argongas in ein festes Argon umzuwandeln durch Kühlen des
Gases, das Argongas enthält, und zwar unter einem Druck
zustand, auf eine Temperatur, die höher ist als die Ver
flüssigungstemperatur des Argongases, die spezifisch ist
für seinen Druck und durch Herausblasen des Gases aus der
Düse in eine Vakuumkammer.
Verunreinigungen mit einer Verflüssigungstemperatur, die
höher ist als die von Argon, können vor dem Kühlen des
Argongases auf die Verflüssigungstemperatur entfernt wer
den. Bei diesem Verfahren ist die Anzahl der kleinen fe
sten Argonpartikel jedoch gering, was nur eine schwache
Reinigungsleistung vorsieht.
Argon ist ein inertes Element und nachteilige Effekte
treten selten auf, sogar wenn es an der festen Oberfläche
anhaftet. Die Verfestigungstemperatur von Argon ist re
lativ hoch und es ist relativ leicht, festes Argon durch
das Kühlen von Argongas zu erhalten.
Jedoch wurde bis jetzt noch keine praktische Reinigungs
technik verwendet, die kleine feste Argonpartikel verwen
det, der eine hohe Reinigungsleistung vorsieht.
Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Reini
gungsverfahren und ein System vorzusehen, das Argon ver
wendet und eine in der Praxis verwendbare Reinigungslei
stung vorsieht.
Es ist ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, ein
Reinigungsverfahren und ein System vorzusehen, das Argon
verwendet, ohne die Verringerung einer Reinigungsprozeß
geschwindigkeit und ohne die Angst einer Wiederverunrei
nigung bei praktischen Anwendungen.
Es ist ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, ein
Reinigungsverfahren und ein System vorzusehen, das Argon
verwendet und eine in der Praxis verwendbare Reinigungs
leistung vorsieht, die in der Lage ist, verunreinigte
Fremdmaterialien, die in einer kleinen Nut oder einem
Loch anhaften, zu entfernen.
Ein Strömungsmittel, das kleine Argontröpfchen enthält,
wird aus einer Düsenvorrichtung in eine drucklose Atmos
phäre geblasen. Das Strömungsmittel wird adiabatisch aus
gedehnt und mindestens ein Teil der kleinen Argon
tröpfchen wird verfestigt und in kleine Argonpartikel um
gewandelt. Das Strömungsmittel, das kleine Argonpartikel
enthält, wird auf die Oberfläche eines zu reinigenden Ob
jektes geblasen, um es zu reinigen.
Kleine Argontröpfchen können gebildet werden durch Kühlen
eines Gases, das Argongas enthält, und zwar auf eine Ver
flüssigungstemperatur des Argongases, die spezifisch ist
für seinen Druck, oder darunter und durch Verflüssigen
mindestens eines Teils des Argongases.
Die Temperatur eines Gases, das kleine Argontröpfchen
enthält, kann rasch verringert werden durch Herausblasen
des Gases aus einer Düse und adiabatisches Ausdehnen des
Gases und mindestens ein Teil der feinen Tröpfchen kann
verfestigt werden.
Durch das Blasen kleiner Argonpartikel, die durch das
obige Verfahren gebildet werden, auf die Oberfläche eines
zu reinigenden Objekts, ist es möglich, die Oberfläche
effizient und wirtschaftlich zu reinigen.
Durch Kühlen des Gases, das Argongas enthält, auf die
Verflüssigungstemperatur des Argongases, die spezifisch
ist für seinen Druck, oder darunter, ist es möglich,
feine Argontröpfchen in dem gemischten Gas zu bilden.
Durch das Reinigen eines zu reinigenden Objekts mit klei
nen Argonpartikeln ist es möglich, eine Wiederverun
reinigung durch die Reinigung zu verhindern und eine Um
weltverunreinigung durch die Reinigung zu verhindern.
In der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 ein schematisches Diagramm, das die Grundstruk
tur eines Reinigungssystemes zeigt, das ein
Oberflächenreinigungsverfahren gemäß einem er
sten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er
findung verwendet;
Fig. 2 ein Argonphasendiagramm;
Fig. 3 ein schematisches Diagramm, das teilweise im
Schnitt eine Argonquelle darstellt zum Erzeugen
von Argongas und zum Erzeugen von kleinen Ar
gontröpfchen aus flüssigem Argon;
Fig. 4 ein schematisches Diagramm, das die Grundstruk
tur von Bauteilen in einer Vakuumkammer des
Reinigungssystems des Ausführungsbeispiels
zeigt;
Fig. 5A eine perspektivische Ansicht, die die Struktur
einer Düsenvorrichtung zeigt;
Fig. 5B eine Draufsicht auf die Düsenvorrichtung, die
Gas ausbläst;
Fig. 6 ein Querschnitt, der die Struktur einer anderen
Düsenvorrichtung zeigt;
Fig. 7A ein schematisches Diagramm, das die Struktur ei
nes Antriebsmechanismus zeigt;
Fig. 7B ein Querschnitt, der den Flansch eines anderen
Antriebsmechanismus zeigt;
Fig. 7C ein schematisches Diagramm, das die Struktur ei
nes anderen Antriebsmechanismus zeigt;
Fig. 8 ein schematisches Diagramm, das die Struktur ei
nes anderen Antriebsmechanismus zeigt;
Fig. 9 ein schematisches Diagramm, das die Struktur ei
nes anderen Antriebsmechanismus zeigt;
Fig. 10 ein schematisches Diagramm, das die Grundstruk
tur des Reinigungssystems gemäß einem zweiten
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung
zeigt;
Fig. 11 eine Ansicht der Vakuumkammer des Reinigungssy
stems des zweiten Ausführungsbeispiels;
Fig. 12 ein schematisches Diagramm, das den Blaszustand
eines zu reinigenden argongemischten Gases und
eines Erwärmungsgases darstellt;
Fig. 13A ein schematisches Diagramm, das die Grundstruk
tur einer Vakuumkammer des Reinigungssystems
gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 13B ein schematisches Diagramm, das die Grundstruktur
der Vakuumkammer des Reinigungssystems des
dritten Ausführungsbeispiels zeigt;
Fig. 14 eine Vorderansicht der Düsenvorrichtung und des
Antriebsmechanismus des Reinigungssystems, das
in Fig. 13A gezeigt ist;
Fig. 15A ein vergrößerter Querschnitt eines zu reinigen
den Objektes, der das Reinigungsverfahren des
dritten Ausführungsbeispiels erklärt;
Fig. 15B ein vergrößerter Querschnitt eines zu reinigen
den Objektes, der das Reinigungsverfahren des
dritten Ausführungsbeispiels erklärt;
Fig. 16 eine schematische perspektivische Ansicht, die
die Düsenvorrichtung gemäß einem anderen Aus
führungsbeispiel darstellt;
Fig. 17 eine schematische perspektivische Ansicht, die
die Düsenvorrichtung gemäß einem anderen Aus
führungsbeispiel darstellt;
Fig. 18A eine schematische Draufsicht, die ein anderes
Antriebsverfahren für den Antriebsmechanismus
erklärt;
Fig. 18B eine schematische Draufsicht, die ein anderes
Antriebsverfahren für den Antriebsmechanismus
erklärt;
Fig. 19A ein Argonphasendiagramm:
Fig. 19B eine Kurve, die die Temperatur und den Druck an
der Innenseite eines Düsenverteilers bezüglich
zur Zeit zeigt;
Fig. 19C eine Kurve, die die Beziehung zwischen der ge
kühlten Temperatur und der Strömung eines ge
mischten Gases, das Argongas enthält, zeigt;
Fig. 20 ein schematisches Diagramm, das die Grundstruk
tur des Reinigungssystems gemäß einem vierten
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung
zeigt;
Fig. 21A eine schematische Draufsicht, die die Struktur
von Kühlmitteln des vierten Ausführungs
beispiels zeigt;
Fig. 21B ein schematischer Querschnitt, der die Struktur
anderer Kühlmittel des vierten Ausfüh
rungsbeispiels zeigt;
Fig. 22A ein vergrößerter Querschnitt, der die Reinigung
erklärt, in der die Düsenausblasrichtung in
eine Richtung fest ist;
Fig. 22B ein vergrößerter Querschnitt, der die Reinigung
erklärt, bei der die Düsenaufblasrichtung in
einer Richtung fest ist.
Fig. 1 zeigt ein Reinigungssystem, das ein Oberflächen
reinigungsverfahren gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt.
Eine Bombe, Flasche oder ein Behälter 1, der Argon (Ar)-
Gas enthält, und eine andere Bombe, Flasche oder ein Be
hälter 2, der Stickstoff (N2) Gas enthält, sind über je
weilige Druckregulierventile 3 und 4 und Rohre mit einem
Schnittpunkt verbunden. Ein Ar- und N2-Gas, das an dem
Schnittpunkt gemischt wird, wird über ein Rohr 21 zu ei
nem Filter 5 geliefert, der Fremdpartikel, die in dem Gas
enthalten sind, entfernt.
Das gemischte Gas wird ohne die entfernten Partikel über
ein Rohr 22 zu einem Kühler (oder Wärmetauscher) 6 ge
liefert, der es kühlt. Das gekühlte Gas wird aus einer
Düsenvorrichtung 10 in eine Vakuumkammer 11 ausgeblasen.
Der Druck und die Temperatur des gemischten Gases, das
aus dem Kühler 6 abgegeben wird, werden durch einen
Druckmesser 8 und einen Temperaturmesser 7 gemessen und
die gemessenen Ergebnisse werden in der Form elektrischer
Signale an eine Temperatursteuerung 9 geliefert.
Die Temperatursteuerung 9 steuert die Temperatur des ge
mischten Gases, das durch den Kühler 6 gekühlt wird auf
eine Temperatur, die geringer ist als die Verflüssigungs-
oder Kondensationstemperatur des Argongases, die spezi
fisch ist für seinen Druck.
Fig. 2 ist ein Phasendiagramm, das die Verflüssigungs
temperatur und Verfestigungstemperatur von Argongas
zeigt, wobei die Abszisse Entropie in der Einheit von
Joule/Mol · K darstellt und die Ordinatetemperatur in
der Einheit von absoluter Temperatur K darstellt. In Fig.
2 stellt G eine Gasphase, L eine Flüssigphase, und S eine
Festphase dar. Eine Kurve a zeigt die Verflüssigungs
temperatur (Gas/Flüssigkeitgrenzfläche) an, eine Kurve b
zeigt die Verfestigungstemperatur
(Flüssigkeit/Festgrenzfläche) an und ein Punkt P zeigt
den Trippelpunkt von Argon an.
Die Temperatursteuerung 9, die in Fig. 1 gezeigt ist,
steuert die Temperatur des gemischten Gases, das durch
den Kühler 6 gekühlt wird, so daß sie gleich oder gerin
ger ist als die Verflüssigungstemperatur von Argongas,
die spezifisch ist für seinen Druck, wie in Fig. 2 ge
zeigt ist, und zwar gemäß der gelieferten Druck und Tem
peratursignale.
Durch diese Steuerung wird Argongas in dem gemischten Gas
gekühlt und verflüssigt und bildet kleine Tröpfchen.
Es wird bevorzugt, die Stickstoffgaskonzentration auf 2
bis 70 Mol% einzustellen, da Stickstoffgas eine größere
spezifische Wärme als Argongas besitzt, so daß, wenn die
Stickstoffgaskonzentration hocheingestellt ist, die Wär
memenge, die notwendig ist, zum Kühlen des Gases, größer
wird. Auch wenn das Trägergas übermäßig gekühlt wird,
kann es in seinem gasförmigen Zustand gehalten werden,
wenn es Stickstoffgas egal in welcher geringen Menge ent
hält, da die Stickstoffverflüssigungstemperatur geringer
ist als die von Argon. Dieser Fall kann realisiert wer
den, da die Verflüssigungstemperatur von Stickstoffgas ge
ringer ist als die von Argongas.
Wenn das gemischte Gas von der Düsenvorrichtung 10 in die
Vakuumkammer 11 geblasen wird, verringert das gemischte
Gas rasch seinen Druck und dehnt sich adiabatisch aus.
Infolgedessen verringert sich die Temperatur des ge
mischten Gases rasch und die kleinen Tröpfchen verändern
sich zu kleinen Argonpartikeln, die mindestens an ihren
Oberflächen verfestigt sind.
Ein Strömungsmittel, das eine Anzahl von kleinen Argon
partikeln besitzt, wird auf die Oberfläche eines Objektes
oder Gegenstandes 12, das zu reinigen ist, geblasen.
Die Vakuumkammer 11 ist über ein Strömungsventil mit ei
ner Vakuumpumpe (nicht gezeigt) verbunden. Ein Druck
messer 14 ist mit der Vakuumkammer 11 gekoppelt. Ein Si
gnal, das den Druck darstellt, der durch den Druckmesser
14 detektiert wird, wird an eine Drucksteuerung 15 gelie
fert. Die Drucksteuerung 15 steuert das Strömungsventil
gemäß dem detektierten Druck. Der Druck in der Vakuumkam
mer 11 wird auf einem vorbestimmten Wert gehalten, und
zwar mittels Vakuumpumpenmitteln 18, die gebildet werden,
durch das Strömungsventil 13, dem Druckmesser 14 und die
Drucksteuerung 15.
Es wird bevorzugt, das Druckventil 13 so zu regulieren,
daß es den Druck in der Vakuumkammer zwischen 0,2 ata
(Atmosphäre absolut) oder höher und 0,7 ata oder geringer
einstellt. Noch bevorzugter ist es, einen Druck an dem
Argontrippelpunkt (0,68 atmosphärischer Druck) oder ge
ringer einzustellen.
Ein ordnungsgemäßer Druck in der Düsenvorrichtung 10 wird
bestimmt in Beziehung zu dem Druck in der Vakuumkammer 11
und ist vorzugsweise 3 ata bis 7 ata.
Wenn eine Druckdifferenz zwischen der Düseneinheit 10 und
der Vakuumkammer 11 gering ist, ist der Kühleffekt
schlecht. Desto höher die Druckdifferenz, desto besser
ist der Reinigungseffekt. Wenn die Druckdifferenz zu groß
gemacht wird, schweben die kleinen Argonpartikel, die aus
der Düsenvorrichtung 10 geblasen werden, in der Vakuum
kammer 11, was den Reinigungseffekt reduziert.
Dieses Phänomen kann durch das folgende erklärt werden.
Bei einer geringen Druckdifferenz ist der Grad der adia
batischen Ausdehnung des gemischten Gases gering. Es ist
daher denkbar, daß kleine Argontröpfchen, ohne daß sie
verfestigt werden, gegen die zu reinigende Oberfläche
treffen, was eine geringe Reinigungsfähigkeit vorsieht.
Bei einer Druckdifferenz, die zu groß ist, wird der Grad
der adiabatischen Ausdehnung eines gemischten Gases groß,
was die Temperatur des gemischten Gases zu stark absenkt.
Es ist daher denkbar, daß kleine Argontröpfchen, die sich
fast bis zu dem Mittelbereich der Tröpfchen verfestigt
haben, gegen die zu reinigende Oberfläche treffen und
elastisch von ihr reflektiert werden, was auch eine
schlechte Reinigungsfähigkeit vorsieht.
Bei einer ordnungsgemäßen Druckdifferenz ist es denkbar,
daß nur die Oberfläche eines kleinen Argontröpfchens
verfestigt ist und die Innenseite in einem Flüssigpha
senzustand gelassen wird. Wenn ein kleines Argontröpf
chen, das nur an seiner Oberfläche, wie eine Hülle ver
festigt ist, gegen die zu reinigende Oberfläche trifft,
zerbricht die Hülle, wenn sie gegen die Oberfläche
trifft, so daß die elastische Reflexion nicht auftritt,
was den Reinigungseffekt verbessert.
Wenn der Druck in der Vakuumkammer 11 auf den Argontrip
pelpunkt oder darunter eingestellt ist, kann Argon nicht
in der Flüssigphase bleiben, so daß mindestens die Ober
fläche eines kleinen Argontröpfchens verfestigt ist. Da
her kann durch Einstellung des Drucks in der Kammer 11
auf den Argontrippelpunkt oder darunter ein kleines Ar
gontröpfchen verläßlich gesteuert werden, so daß es sich
in ein kleines Argonpartikel mit einer Hülle oder einem
Mantel verändert.
Vor dem Einführen des Gases in das Reinigungssystem wird
bevorzugt, daß das System über ein Ventil 17 evakuiert
wird, das mit einem Rohr 21 verbunden ist, um die Mis
chung von Verunreinigungsgasen zu verhindern. Es wird
auch bevorzugt, die gemischten Gase in dem System nach
dem Reinigen abzulassen, und zwar durch Öffnen des Ven
tils 16, wenn das System abgeschaltet ist.
Da der Druck an der stromaufwärts befindlichen Seite der
Düsenvorrichtung 10 im wesentlichen konstant gehalten
wird, kann der Druckmesser 8 an der Stromaufwärtsseite
des Kühlers 6 angebracht werden.
In der obigen Beschreibung wird ein gemischtes Gas aus
Argon und Stickstoff verwendet und ein Teil des Stick
stoffgases wird in kleine Tröpfchen umgewandelt, die in
dem Stickstoffgas oder einem gemischten Gas schweben. An
stelle des gemischten Gases könnte auch nur Argongas ver
wendet werden.
In einem solchen Fall wird ein Teil des Argongases in
feine Tröpfchen in dem Kühler 6 umgewandelt und die fei
nen Tröpfchen werden dazu gebracht, in dem verbleibenden
Argongas zu schweben. In diesem Fall kann Argongas mit
einer Konzentration von einigen Prozent bis 100% als das
Reinigungsgas verwendet werden.
Das zu reinigende Objekt oder der Gegenstand 12 in der
Vakuumkammer 11 kann erwärmt werden. Von dem Gas, das
kleine Argontröpfchen enthält, die aus der Düsenvorrich
tung 10 herausgeblasen werden, treffen feine Tröpfchen
mit mindestens verfestigten Oberflächen gegen das zu rei
nigende Objekt 12.
In diesem Fall verdampfen die feinen Argonpartikel oder
-tröpfchen, die an der Oberfläche des zu reinigenden Ob
jektes anhaften, rasch, wenn die Temperatur des zu rei
nigenden Objektes höher ist als eine bestimmte Tempera
tur.
In dieser Art und Weise kann sowohl der Partikelsandge
bläseeffekt als auch der Verdampfungsreinigungseffekt
verwendet werden. Es ist auch möglich, die Durchmesser
der kleinen Argonpartikel zu steuern, und zwar durch Ein
stellen der Argongaskonzentration und Drucks, einer Kühl
leistung, einer Kühltemperatur und ähnlichem.
In dem ersten Ausführungsbeispiel wird nur ein Kühler
verwendet. Es können auch zwei oder mehrere Kühler ver
wendet werden, die kaskadenförmig angeordnet sind. Zum
Beispiel werden Verunreinigungsgase verflüssigt und an
dem Kühler der ersten Stufe entfernt, und Argongas wird
einem Kühler der zweiten Stufe verflüssigt.
In dem ersten Ausführungsbeispiel wird Argongas gekühlt,
um Argontröpfchen zu bilden. Flüssiges Argon kann als
Quelle des Argongases verwendet werden.
Fig. 3 stellt eine Argongasquelle dar, die flüssiges Ar
gon verwendet. Flüssiges Argon 35 ist in einem thermisch
isolierten Gefäß 34 enthalten. Ein Rohr 37 wird in das
Gefäß 34 eingeführt, und zwar über die obere Wand und die
Spitze des Rohrs 37 ist in das flüssige Argon 35 einge
taucht. Das Rohr 37 ist an der Außenseite des Gefäßes 34
verzweigt, wobei eine Seite über ein Rohr 40 mit der Dü
senvorrichtung 10, die in Fig. 1 gezeigt ist, verbunden
ist und die andere Seite mit einem Rohr 38 mit einem Ven
til zum Einführen von Stickstoffgas verbunden ist.
Ein Druckrohr 36 ist an der Oberseite des Gefäßes 34 ge
öffnet. Die Innenseite der Gefäßes 34 wird durch das
Druckrohr 36 oder den Dampfdruck des flüssigen Argons 35
selbst unter Druck gesetzt. Infolgedessen wird flüssiges
Argon 35 über die Rohre 37 und 40 zu der Düsenvorrichtung
10 übertragen. Ein Teil des flüssigen Argons wird während
dieser Übertragung erwärmt und vergast, so daß flüssige
Argontröpfchen in dem Argongas schweben.
Argongas und flüssiges Argon können positiv erwärmt wer
den durch Vorsehen von Erwärmungsmitteln 39 um das Rohr
40. Durch Einstellen der Wärmemenge kann die Menge des
vergasten oder in den gasförmigen Zustand gebrachten Ar
gons gesteuert werden.
Die Einzelheiten der Düsenvorrichtung und andere Bauteile
werden unter Bezugnahme auf die Fig. 4 bis 9 beschrieben.
Fig. 4 zeigt die Grundanordnung der Innenseite der Va
kuumkammer 11. In der Vakuumkammer 11 ist eine Düsenvor
richtung 10a mit einer Vielzahl von Düsen 23a bis 23d
vorgesehen, und ein Antriebsmechanismus 24 zum Antreiben
eines zu reinigenden Objektes 12, wie zum Beispiel einem
Halbleiterplättchen oder Wafer, ist so plaziert, daß er
in Richtung der Düsen weist. Der Antriebsmechanismus 24
kann in die X-Richtung bewegt werden, was der Richtung
der Anordnung der Düsen 23a bis 23d entspricht und er
kann in die Y-Richtung senkrecht zu der X-Richtung bewegt
werden.
Wenn der Antriebsmechanismus 24 das zu reinigende Objekt
12 in der X-Richtung mit einer hohen Geschwindigkeit hin
und her und gerade in die Y-Richtung mit einer geringen
Geschwindigkeit bewegt, wird ein Lokus oder eine Orts
kurve 25 kleiner Argonpartikel, die durch einen Zick-
Zack-Pfeil in Fig. 4 angezeigt sind, auf der Oberfläche
des zu reinigenden Objektes gebildet, um die gesamte
Oberfläche davon zu reinigen.
Bauteile der Düsenvorrichtung und des Antriebsmechanismus
werden im einzelnen unten beschrieben.
Die Fig. 5A und 5B sind Diagramme, die eine Düsenvor
richtung darstellen. Fig. 5A ist eine perspektivische An
sicht der Düsenvorrichtung.
Die Düsenvorrichtung 10 besitzt eine Vielzahl von Düsen
23 und ist mit einer Quelle gekühlten Argongases über ein
Rohr verbunden. Die Anzahl der Düsen 23 wird durch die
Gasversorgungskapazität der Quelle gekühlten Argongases
und ähnlichem bestimmt.
Fig. 5B stellt Argongasströmungen dar, die aus einer
Vielzahl von Düsen ausgeblasen werden. Jede Gasströmung
26, die aus einer Düse geblasen wird, divergiert bzw.
läuft auseinander, aber es gibt einen Spalt zwischen be
nachbarten Gasströmungen 26.
Wenn das zu reinigende Objekt oder der Gegenstand in die
Richtung senkrecht zu der Richtung der Anordnung der Dü
sen der Düsenvorrichtung, die in Fig. 5A gezeigt ist, be
wegt wird, kann eine Vielzahl von Streifenregionen oder
-bereichen auf der Oberfläche des zu reinigenden Objektes
gereinigt werden, aber die Bereiche zwischen den Strei
fenbereichen werden nicht gereinigt.
Es ist möglich, die Anzahl der Düsen zu erhöhen, um die
gesamte Oberfläche des zu reinigenden Objektes zu reini
gen, indem es in einer Richtung bewegt wird. Bei dieser
Struktur wird jedoch die gesamte Menge des ausgeblasenen
Argongases sehr groß und die Struktur des Systems wird
sperrig.
Bei diesem Beispiel der Düsenvorrichtung, wird eine Viel
zahl von Düsen, die mit einem vorbestimmten Intervall,
wie in Fig. 5A gezeigt ist, angeordnet sind, mit einer
hohen Geschwindigkeit in der X-Richtung hin- und herbe
wegt und mit einer geringen Geschwindigkeit in die
Y-Richtung bewegt. Mit dieser Hochgeschwindigkeitshin- und
-herbewegung in X-Richtung kann die gesamte Oberfläche
des zu reinigenden Objektes gereinigt werden.
Fig. 6 zeigt ein anderes Beispiel der Düsenvorrichtung.
Kreisförmige Löcher sind in der Wand eines zylindrischen
Düsenverteilers 10b auf einer Reihe in Axialrichtung aus
gebildet. Eine zylindrische Düse 23, zum Beispiel mit ei
nem 2 mm Außendurchmesser und einem 0,2 bis 0,25 mm In
nendurchmesser wird in jedes kreisförmige Loch eingepaßt.
Die Innenoberflächen des Düsenverteilers 10b und der Düse
23 sind mechano-chemisch poliert. Ein Ende des Düsenver
teilers 10b ist abgedichtet und Gas, das kleine Argon
tröpfchen enthält, wird von dem anderen Ende geliefert.
Gas und kleine Argontröpfchen, die an den Düsenverteilern
10b geliefert werden, werden aus den Düsen 23 ausgeblasen
durch eine Druckdifferenz zwischen den inneren und äuße
ren Räumen des Düsenverteilers 10b.
Die Fig. 7A und 7B zeigen ein Beispiel des Antriebsme
chanismus.
In Fig. 7A erstreckt sich ein Balgen 27 von einer Vakuum
kammer 11 und ist mit einem Flansch 28 verbunden. Der
Flansch 28 ist an einem Tragmechanismus 29 befestigt, der
durch einen externen Antrieb in die X- und Y-Richtungen
angetrieben ist. Das distale Ende des Tragmechanismus be
sitzt einen Tisch zum Plazieren eines zu reinigenden Ge
genstandes oder Objektes.
Während ein Strömungsmittel, das kleine Argonpartikel
enthält, aus einer Vielzahl von Düsen 23, einer Düsen
vorrichtung 10 ausgeblasen wird, wird der Tragmechanismus
29 mit einer hohen Geschwindigkeit in die X-Richtung hin -
und herbewegt und mit einer geringen Geschwindigkeit in
die Y-Richtung bewegt. In dieser Art und Weise kann die
gesamte Oberfläche des zu reinigenden Objektes durch die
Düsenströmungen, die kleine Argonpartikel enthalten, ge
scannt werden.
Der Flansch 28 und der Tragmechanismus 29, der an dem
Flansch 28 befestigt ist, werden beide in die X- und
Y-Richtungen angetrieben, wie in Fig. 7A beschrieben ist.
Der Flansch 28 kann in Y-Richtung fest sein und nur der
Tragmechanismus 29 ist in Y-Richtung angetrieben.
Fig. 7B ist ein Querschnitt des Flansches, bei dem nur
der Tragmechanismus 29 in die Y-Richtung angetrieben ist.
Wie in Fig. 7B gezeigt ist, geht der Tragmechanismus 29
durch ein Loch des Flansches 28 hindurch. O-Ringe 32a und
32b sind an den Öffnungen des Lochs vorgesehen, um die
Innenseite des Lochs und den Umfang des Tragmechanismus
29 abzudichten und sie werden durch Flanschdruckplatten
28a und 28b gedrückt. Infolgedessen kann der Tragmecha
nismus 29 in die Y-Richtung angetrieben werden, während
die Luftdichtheit der Vakuumkammer 11 beibehalten wird.
Der Flansch 28 und der Tragmechanismus 29 werden beide in
die X-Richtung angetrieben, und zwar ähnlich wie in Fig.
7A. Bei dieser Anordnung kann der Flansch 28 in der
Y-Richtung fest sein.
Die Antriebsbreite in X-Richtung liegt in derselben Grö
ßenordnung wie das Intervall der Düsen und die An
triebsbreite in der Y-Richtung ist zum Beispiel ungefähr
15,2 cm (6 Zoll) zum Reinigen eines 15,2 cm Wafers oder
Plättchens. Bei dem in Fig. 7B dargestellten Verfahren
ist es nicht notwendig, den Flansch 28 in die Y-Richtung
anzutreiben, in dem er nur mit der kleinen Antriebsbreite
in die X-Richtung angetrieben wird. Daher ist die Aus
dehnungs/Zusammenziehungsbreite des Balgens 27 gering,
was die Verläßlichkeit des Balgens erhöht.
Fig. 7C zeigt ein anderes Beispiel des Antriebsmechanis
mus. Ein gleitbarer Arm 30 ist an einer Seite einer Va
kuumkammer 11 angebracht, während die Luftdichte der Kam
mer in derselben Art und Weise beibehalten wird, wie in
bezug auf Fig. 7B beschrieben wird. Der Arm 30 wird durch
einen externen Antrieb in die Y-Richtung bewegt. Ein
Tisch 31 ist an einem Ende des Arms getragen und wird
dazu gebracht, sich hin- und herzudrehen.
Während der Tisch mit einer hohen Geschwindigkeit hin-
und hergedreht wird, wird der Arm 30 mit einer geringen
Geschwindigkeit in die Y-Richtung bewegt. In dieser Art
und Weise kann dieselbe Funktion wie in Fig. 7A erhalten
werden. Ein Gasausstoßmechanismus wurde in Fig. 7C weg
gelassen.
Fig. 8 zeigt ein anderes Beispiel des Antriebsmechanis
mus. Ein Substrathalter 41 besitzt einen Arm 42, der an
dem Halter 41 an seiner oberen vorragenden Schulter be
festigt ist. Der Arm 42 ist über ein Linearlager 43 mit
einem Führungsrahmen 44 verbunden. Der Substrathalter 41
wird dadurch in die X-Richtung durch das Linearlager 43
getragen. Ein Balgen 46 ist um den Arm 42 angeordnet.
Eine Feder 45 erstreckt sich zwischen dem linken Ende des
Führungsrahmens 44 und dem Arm 42, um den Arm 42 nach
rechts vorzuspannen. Eine Rolle oder Umlenkscheibe 47 ist
an dem Führungsrahmen 44 angebracht und eine weitere
Rolle oder Umlenkscheibe 48 ist an dem Führungsrahmen 44
angebracht. Ein Draht oder ein Seil 49, das mit der
Spitze des Arms 42 verbunden ist, erstreckt nach oben
über die Rollen 47 und 48.
Wenn der Draht 49 nach oben gezogen wird, bewirkt der Arm
42, daß sich der Arm 42 und somit der Substrathalter 41
nach links bewegen. Wenn der Draht 49 gelöst wird, bewegt
sich der Substrathalter 41 nach rechts durch die Kraft
der Feder 45.
Ein Trag- oder Stützarm 50 ist an der Führungsplatte 44
befestigt und in die Y-Richtung angetrieben durch einen
weiteren Antriebsmechanismus. Wenn der Tragarm 50 in die
Y-Richtung angetrieben ist, bewegt sich der Substrathal
ter 41 in die Y-Richtung. In der obigen Art und Weise
kann durch Antrieb des Tragarmes 50 und des Drahtes 49
der Substrathalter 41 in die X- und Y-Richtungen bewegt
werden.
Der Substrathalter 41 mit einem zu reinigenden Objekt 12
wird in die Y-Richtung mit einer geringen Geschwindigkeit
bewegt durch Antrieb des Tragarms 50 und in die X-Rich
tung mit einer hohen Geschwindigkeit hin- und herbewegt
durch die Verwendung des Drahtes 49. In dieser Art und
Weise kann die gesamte Oberfläche des zu reinigenden Ob
jektes 12 gereinigt werden durch eine Vielzahl von Strö
mungen, die kleine Argonpartikel enthalten, die aus der
Düsenvorrichtung ausgeblasen wird, die zum Beispiel in
den Fig. 5A, 5B und 6 gezeigt ist.
Fig. 9 zeigt ein anderes Beispiel des Antriebsmechanis
mus. Ein Substrathalter 41, und ein Arm 42, eine Feder 45
und ein Balgen 46 besitzen dieselbe Struktur wie in Fig.
8. Ein Führungsrahmen 44a besitzt einen hohlen Tragarm
50a, indem ein Arm 52 mit einem Nockenmechanismus aufge
nommen ist. Eine Rolle 51 ist an dem Arm 42 angebracht
und steht in Eingriff mit einem Nocken des Arms 52. Eine
Rolle 53 und eine Buchse 54 unterstützen die Linearbewe
gung des Arms 52.
Wenn der Tragarm 50a in die Y-Richtung bewegt wird, wird
der Subtrathalter 41 in die Y-Richtung bewegt. Wenn der
Arm 52 in dem Tragarm 50a in die Y-Richtung hin- und her
bewegt wird, wird der Substrathalter 41 in die X-Richtung
hin- und herbewegt, mittels des Nockenmechanismus. In
dieser Art und Weise ist der Substrattrag- oder
Stützmechanismus, der in die X- und Y-Richtungen bewegbar
ist, realisierbar.
Die Bewegung in die X- und Y-Richtungen folgt der Orts
kurve 25, die in Fig. 4 gezeigt ist, so daß Gasströmun
gen, die aus der Düse 23 ausgeblasen werden, die Ober
fläche eines zu reinigenden Objektes in einem Zick-Zack-
Kurs nachfahren. Bei diesem Fall wird die Bewegungsge
schwindigkeit in die Y-Richtung gesteuert, um zu ermög
lichen, daß sich benachbarte Zick-Zack-Kurven einander
kontaktieren oder teilweise eine über der anderen über
lagern.
Die Bewegungsbreite in der X-Richtung wird auch regu
liert, um zu ermöglichen, daß benachbarte Kurven der Gas
strömungen, die aus den Düsen ausgeblasen werden, einan
der kontaktieren oder teilweise übereinander überlagert
sind. Das heißt, die Hin- und Herbewegungs- breite in der
X-Richtung ist vorzugsweise auf den Abstand zwischen be
nachbarten Düsen oder größer eingestellt.
Auch wenn die Bewegungsbreite in der X-Richtung nicht
größer ist als der Abstand zwischen benachbarten Düsen
kann eine kontinuierlich gereinigte Oberfläche erhalten
werden, wenn er größer ist als der Abstand zwischen be
nachbarten Düsen weniger dem Durchmesser einer Düsengas
strömung. Der zuletzt genannte Abstand soll in dieser Be
schreibung den Abstand zwischen benachbarten Düsen um
fassen.
Wie oben beschrieben, kann die gesamte Oberfläche eines
zu reinigenden Objektes durch Düsengasströmungen mit ei
ner ordnungsgemäßen Gasmenge gereinigt werden durch eine
Kombination der Gasströmungen, die aus einer Vielzahl von
Düsen einer Düsenvorrichtung ausgeblasen werden und dem
zweidimensionalen Antriebsmechanismus für ein zu reini
gendes Objekt.
Ein zweites Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin
dung wird nachfolgend beschrieben.
Die Oberfläche eines zu reinigenden Objektes oder Gegen
standes, das mit einer extremen Tieftemperaturströmung,
die kleine Argonpartikel enthält, angeblasen wird, wird
in einer kurzen Zeit rasch abgekühlt und kann manchmal
durch eine thermische Verwindung oder Formänderung be
schädigt werden, die durch eine Temperaturdifferenz zwi
schen der Oberfläche und der Innenseite des zu reinigen
den Objektes bewirkt wird. Darüber hinaus kann, wenn das
zu reinigende Objekt direkt nach dem Reinigen durch Bla
sen mit kleinen Argonpartikeln luftausgesetzt wird,
Feuchtigkeit in der Luft Tau und Reif oder Gefrierbrände
auf der Oberfläche des eine tiefe Temperatur aufweisenden
zu reinigenden Objektes bilden. Um Tau und Gefrierungen
zu verhindern, ist es notwendig, die Temperatur des zu
reinigenden Objektes allmählich auf die Raumtemperatur
anzuheben, was die Zeit, die für den Reinigungsprozeß
benötigt wird, verlängert und die Produktivität verrin
gert.
Wenn ein zu reinigendes Objekt durch einen Erwärmer oder
ähnliches vom Boden her erwärmt wird, wird das Objekt
thermisch verformt, was ein Problem des Verwindens des
Objektes mit sich bringt. Das zweite Ausführungsbeispiel
löst das obige Problem, wie nachfolgend beschrieben wird.
Fig. 10 zeigt eine Grundstruktur des Reinigungssystems
gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung. Der Aufbau der Bauteile von einem Argongas
behälter 1 und einem Stickstoffgasbehälter 2 zu einer Dü
senvorrichtung 10 in einer Vakuumkammer 11 über einen
Filter 5 und einem Kühler 6 und der Aufbau eines An
triebsmechanismus 24 in der Vakuumkammer 11, des zu rei
nigenden Objektes 12 und Vakuumpumpenmittel 18 sind ähn
lich zu dem ersten Ausführungsbeispiel, das in Fig. 1 ge
zeigt ist.
Der Stickstoffgasbehälter 2 ist über ein Rohr 56 mit ei
nem Druckventil 55 mit einem anderen Filter 57 verbunden,
der Fremdpartikel in dem Stickstoffgas entfernt.
Das Stickstoffgas, dessen Fremdpartikel entfernt sind,
wird über ein Rohr 58 an eine andere Düsenvorrichtung 60
geliefert und in die Vakuumkammer 11 geblasen. Ein Er
wärmer oder Heizer 59 ist in der Nähe oder in dem Rohr 58
angeordnet, um das Stickstoffgas zu erwärmen. Die Aus
lässe der Düsenvorrichtungen 10 und 60 sind in der Nähe
zueinander angeordnet. Der Erwärmer 59 erwärmt das Stick
stoffgas vorzugsweise auf ungefähr die Raumtemperatur
oder höher, wenn es in der Vakuumkammer adiabatisch aus
gedehnt wird.
Während des Ausblasens eines argongemischten Gases aus
der Düsenvorrichtung 10 wird das zu reinigende Objekt 12
langsam in die Y-Richtung, die in Fig. 10 gezeigt ist,
bewegt, und zwar in Richtung der Düsenvorrichtungen unter
Verwendung des Antriebsmechanismus 24, so daß die Ober
fläche des zu reinigenden Objektes 12 in der Y-Richtung
gescannt oder abgetastet wird durch extrem geringe Tempe
raturen aufweisende kleine Argonpartikel, die aus der Dü
senvorrichtung 10 ausgeblasen werden. Strömungen, die
tiefe Temperaturen aufweisende kleine Argonpartikel ent
halten, treffen auf kontaminierte Materialien auf der
Oberfläche des zu reinigenden Objektes 12 auf und entfer
nen diese. Zur selben Zeit wird die Oberfläche des zu
reinigenden Objekts auf eine tiefe Temperatur gekühlt.
Stickstoffgas wird aus der Düse 60 auf die Oberfläche des
zu reinigenden Objektes, das durch den Reinigungsprozeß
gekühlt ist, ausgeblasen. Da das Stickstoffgas durch den
Erwärmer 59 erwärmt wurde auf ungefähr Raumtemperatur
oder eine ordnungsgemäße Temperatur, erhöht sich die Tem
peratur der gekühlten Oberfläche des zu reinigenden Ob
jektes vorzugsweise auf ungefähr Raumtemperatur.
Das zu reinigende Objekt wird ungefähr auf Raumtemperatur
oder höher erwärmt durch das Stickstoffgas sofort nach
dem Reinigen durch kleine Argonpartikel. Daher wird, so
gar wenn das zu reinigende Objekt 12 direkt nach dem Rei
nigen zur Außenseite der Vakuumkammer 11 gebracht wird,
kein Tau oder keine Gefrierungen erzeugt, noch wird das
zu reinigende Objekt 12 durch die thermische Verformung
beschädigt, die durch die Temperaturdifferenz erzeugt
werden kann. Ein Verwindungsproblem wird verringert, da
nicht das gesamte zu reinigende Objekt durch einen Erwär
mer erwärmt wird.
Fig. 11 zeigt die Struktur der Innenseite der Vakuumkam
mer 11 von oben.
Die Düsenvorrichtung 10 besitzt eine Vielzahl Düsen, die
auf einer Reihe in der X-Richtung angeordnet sind. Ein
gemischtes Gas aus Ar und N2 wird vom Kühler 6 zu der Dü
senvorrichtung 10 geliefert. Die andere Düsenvorrichtung
60 auf der Rückseite der Düsenvorrichtung 10 besitzt auch
eine Vielzahl von Düsen, die auf einer Reihe in der
X-Richtung angeordnet sind.
Die Düsen der Düsenvorrichtungen 10 und 60 sind abwech
selnd angeordnet, wie in Fig. 11 gezeigt ist. Dieses Po
sitionieren bewirkt das Vorsehen der Interferenz zwischen
den gekühlten gemischten Gasströmungen aus Ar + N2 und
den erwärmten N2-Gasströmungen, und zwar so stark wie
möglich.
Wenn das zu reinigende Objekt 12 mit einer hohen Ge
schwindigkeit in der X-Richtung hin und her und mit einer
geringen Geschwindigkeit in Y-Richtung in Richtung der
Düsen bewegt wird, und zwar durch den Antriebsmechanis
mus, wird eine Ortskurve 25, die schematisch durch einen
Zick-Zack-Pfeil in Fig. 11 angezeigt ist, gebildet durch
die kleinen Argonpartikel und die erwärmte oder erwär
mende Gasströmung. Demgemäß kann die gesamte Oberfläche
des zu reinigenden Objektes gleichförmig gereinigt werden
und die gekühlte Oberfläche kann auf ungefähr Raumtempe
ratur erwärmt werden. Dieselben Effekte können erhalten
werden durch Festlegen des zu reinigenden Objektes 12 und
Bewegen der Düsenvorrichtungen 10 und 60.
In dem obigen Ausführungsbeispiel werden das gemischte
Argongas und das erwärmte Gas aus derselben Richtung auf
das zu reinigende Objekt geblasen. Die Blasrichtungen der
Düsenvorrichtungen können unterschiedlich von den in Fig.
12 gezeigten sein. Insbesondere können die Strömungen 62
aus gemischtem Argongas aus einer ersten Düsenvorrichtung
10 von rechts geblasen werden, wohingegen die erwärmten
Gasströmungen 63 von einer zweiten Düsenvorrichtung 60
von links geblasen werden und der Antriebsmechanismus
wird von rechts nach links betätigt.
Die Oberfläche des zu reinigenden Objektes 12 wird erst
gereinigt und gekühlt und danach erwärmt.
In der obigen Beschreibung des zweiten Ausführungsbei
spiels ist die Anordnung der Düsen und die Anzahl der Dü
sen nur als Beispiel dargestellt und sollte nicht als
Einschränkung angesehen werden, sondern sie können, wie
gewünscht, ausgewählt und geändert werden abhängig von
der Form und Größe eines zu reinigenden Objektes 12. Fer
ner können anstelle des erwärmten Stickstoffgases andere
Gase, wie zum Beispiel inerte Gase, verwendet werden.
In der obigen Beschreibung wird das Erwärmen nach dem
Reinigen und Kühlen durchgeführt. Das Reinigen kann nach
dem Erwärmen durchgeführt werden, während die Oberfläche
eines zu reinigenden Objektes auf ungefähr Raumtemperatur
gehalten wird.
Als nächstes wird ein drittes Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung beschrieben.
Die Oberfläche eines Halbleiterwafers oder Plättchens
oder das Substrat einer Flüssigkristallanzeige besitzen
ein feines oder kleines unebenes Muster. Nun ziehen wir
den in Fig. 22A gezeigten Fall in Betracht, in dem ein
kontaminiertes Material 102 in einer feinen Nut 101 an
haftet, die auf der Oberfläche eines Halbleiterplättchens
100 gebildet ist, und in dem das Plättchen 100 in die
Pfeilrichtung bewegt wird, während kleine Argonpartikel
104 aus einer Düsenvorrichtung 103 auf die Oberfläche des
Plättchens 100 geblasen werden.
In einem solchen Fall werden kontaminierte Materialien
auf der Fläche oder dem Gebiet A in der Nut 101 durch
kleine Argonpartikel herausgeblasen, aber Argonpartikel
treffen nicht auf kontaminierte Materialien auf der Flä
che oder dem Bereich B infolge der Behinderung durch die
Wand der Nut 101.
Auch in dem in Fig. 22B gezeigten Fall, wo ein Vorsprung
105 auf der Oberfläche des Plättchens 100 gebildet ist,
sind kontaminierte Materialien 106 auf der Fläche oder
dem Bereich C, wo der Vorsprung 105 die Strömungsrichtung
der Düsenvorrichtung 103 behindert, schwierig zu entfer
nen. Das dritte Ausführungsbeispiel, das die obigen Pro
bleme löst, wird nachfolgend beschrieben.
Die Fig. 13A und 13B zeigen die Grundstruktur der Innen
seite einer Vakuumkammer 11 des Reinigungssystems gemäß
dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin
dung.
Die hermetisch abgedichtete Vakuumkammer 11 ist mit einer
Evakuiervorrichtung 18, wie zum Beispiel einer Vakuum
pumpe, verbunden, durch die die Innenseite der Kammer
evakuiert wird. In der Vakuumkammer 11 sind eine Düsen
vorrichtung 10 mit einer Vielzahl von Düsen und ein An
triebsmechanismus 24 zum Tragen eines zu reinigenden Ob
jektes, wie zum Beispiel eines Halbleiterplättchens da
durch, daß es in Richtung der Düsenvorrichtung 10 weist,
angeordnet. Der Antriebsmechanismus 24 kann bewegt wer
den, und zwar in die Y-Richtung, die in Fig. 13A gezeigt
ist und in die X-Richtung (senkrecht zu der Blattober
fläche der Zeichnung), wobei eine Vielzahl von Düsen
senkrecht zu der Y-Richtung angeordnet ist.
Die argongasausblasende Düsenvorrichtung 10 ist über
Schließventile 66a und 66b und ein verzweigtes Rohr 67
mit Gasversorgungsmitteln verbunden, die durch die glei
chen Bauteile aufgebaut sind wie das erste Ausführungs
beispiel, das in Fig. 1 gezeigt ist, was die Behälter 1
und 2, den Filter 5 und den Kühler 6 umfaßt. Die Düsen
vorrichtung 10 bläst ein Strömungsmittel aus, das feine
oder kleine Argonpartikel enthält, und zwar in die Va
kuumkammer 11 aus einer Vielzahl von Düsen. Die Düsen
vorrichtung 10 besitzt zwei Düsenanordnungen 10c und 10d,
deren Blasrichtungen sich in der Ebene des Zeichnungs
blattes, wie in Fig. 13A gezeigt ist, schneiden.
Fig. 14 zeigt die Düsenanordnung 10c (10d) der Fig. 13A
und 13B, wie sie in Y-Richtung zu sehen sind. Die Düsen
anordnung 10c (10d) besitzt eine Vielzahl von Düsen 65,
die in einer Reihe oder Linie in der X-Richtung angeord
net sind. In der in Fig. 14 gezeigten Düsenvorrichtung
ist die Ausblasrichtung der kleinen Argonpartikel aus der
Düse 65 im wesentlichen im rechten Winkel bezüglich des
zu reinigenden Objektes, und zwar wie es in der Y-Rich
tung zu sehen ist.
Gemäß Fig. 13A ist das Schließventil 66b geschlossen und
das Schließventil 66a geöffnet. Während des Ausblasens
von Argongas aus einer Vielzahl von Düsen 65 der Düsen
anordnung 10c in die Vakuumkammer 11 wird das zu reini
gende Objekt 12 in die Y1-Richtung bewegt, die in Fig.
13A gezeigt ist, und zwar langsam durch den Antriebsme
chanismus 24, so daß kleine Argonpartikel aus der Düsen
anordnung 10c auf die Gesamtoberfläche des zu reinigenden
Objektes 12 ausgeblasen werden.
Wenn es einen Spalt zwischen benachbarten Argongasdüsen
strömungen gibt, wird der Antriebsmechanismus 24 schnell
in die X-Richtung geschwenkt und langsam in die Y-Rich
tung, um dadurch Argongasdüsenströmungen gleichförmig
über die gesamte Oberfläche zu blasen.
Nachdem die Gesamtoberfläche des zu reinigenden Objektes
12 durch die Verwendung der Düsenanordnung 10c gereinigt
ist, während das Objekt in die Y1-Richtung bewegt wird,
wird das Schließventil 66a geschlossen und das Schließ
ventil 66b wird geöffnet. Während des Ausblasens von
kleinen Argonpartikeln aus der Düsenanordnung 10d in die
in Fig. 13B gezeigte Richtung, wird das zu reinigende Ob
jekt 12 langsam in die Y2-Richtung durch den Antriebs
mechanismus 24 bewegt, so daß kleine Argonpartikel von
der Düsenanordnung 10d auf die gesamte Oberfläche des zu
reinigenden Objektes 12 ausgeblasen werden. Bei einer
Kombination der Vorgänge, die in den Fig. 13A und 13B ge
zeigt sind, bei denen sich die Düsenrichtungen in der
Ebene des Zeichnungsblattes schneiden, ist es möglich,
vollständig die Gesamtoberfläche des zu reinigenden Ob
jektes 12 zu reinigen, was auch die unebenen Flächen oder
Gebiete bzw. Bereiche umfaßt, wie zum Beispiel eine Nut.
Fig. 15A ist ein schematisches Diagramm, das teilweise
geschnitten ist, bei dem die innere Oberfläche einer
kleinen Nut 68, die auf der Oberfläche eines zu reini
genden Objektes 12 gebildet ist, gereinigt wird durch die
Verwendung der Düsenvorrichtung, die in den Fig. 13A und
13B gezeigt ist. Durch Blasen kleiner Argonpartikel in
unterschiedliche Richtungen, und zwar zur selben Zeit,
können alle kontaminierten Materialien durch Reinigen der
inneren Oberfläche der Nut 68 durch kleine Argonpartikel
entfernt werden.
Fig. 15B ist ein schematisches Diagramm, das teilweise
geschnitten ist, bei dem die Oberfläche eines kleinen
Vorsprungs 69, der auf der Oberfläche eines zu reinigen
den Objektes 12 gebildet ist, gereinigt wird durch die
Verwendung der Düsenvorrichtung, die in den Fig. 13A und
13B gezeigt ist. Auch in diesem Fall können durch Blasen
kleine Argonpartikel in unterschiedliche Richtungen zur
selben Zeit alle kontaminierten Materialien entfernt wer
den durch Reinigen der Oberfläche des Vorsprungs 69 durch
kleine Argonpartikel.
Wenn der Kontamination- oder Verschmutzungsgrad groß ist,
kann ein zu reinigendes Objekt 12 in der Y-Richtung hin-
und herbewegt werden und der Schaltprozeß oder -vorgang
zwischen den Düsen 10c und 10d wird mehrmals durchge
führt, was einen verbesserten Reinigungseffekt zur Folge
hat.
Die Fig. 16 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der
Düsenvorrichtung 10. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist
die Düsenvorrichtung 10 aus einer Düsenanordnung oder
Reihe 10e und einer Düsenanordnungsdreheinheit 70 aufge
baut. Die Dreheinheit 70 ist so aufgebaut, daß, während
sie das Rohr und die Düsenanordnung 10e hermetisch ab
dichtet, die Düsenanordnung 10e in die Pfeilrichtung ge
dreht wird, durch Antriebsmittel, wie zum Beispiel einem
Schrittmotor.
Durch die Verwendung der Düsenanordnung 10e, die in Fig.
16 gezeigt ist, und Verändern der Düsenrichtung der klei
nen Argonpartikel ist es möglich, dieselbe Funktion und
dieselben Effekte zu erhalten, wie bei dem im Aus
führungsbeispiel der Fig. 13A und 13B und 14 beschrieben
wurden. Bei diesem Ausführungsbeispiel kann, wenn der Dü
senwinkel der Düsenanordnung 10e fortlaufend veränderbar
ist, eine bessere Düsenwinkelanpassung an die Ober
flächenmusterform eines zu reinigenden Objektes erhalten
werden. Wenn der Düsenwinkel der Düsenanordnung 10e in
die Richtung des Pfeils bewegt wird, während kleine Ar
gonpartikel ausgeblasen werden, kann eine bessere oder
effektivere Reinigung erwartet werden.
Fig. 17 zeigt ein weiteres Beispiel der Düsenvorrichtung
mit einer unterschiedlichen Anordnung der Düsen. Die
Blasrichtung der Düsen 65 der Düsenvorrichtung, die in
Fig. 14 gezeigt ist, ist rechtwinklig bezüglich eines zu
reinigenden Objektes 12, und zwar in Y-Richtung. In der
Düsenanordnung 10f, die in Fig. 17 gezeigt ist, bläst je
des Paar benachbarter Düsen 73 und 74, die mit einem vor
bestimmten Winkel angeordnet sind, kleine Argonpartikel
in Richtung eines zu reinigenden Objektes 12. Andere
Paare benachbarter Düsen sind in derselben Art und Weise
aufgebaut. Bei diesem Ausführungsbeispiel kann auch die
vertikale Oberfläche in der Y-Richtung besser oder effek
tiver gereinigt werden.
Die Fig. 18A und 18B sind Draufsichten auf ein zu reini
gendes Objekt oder einen zu reinigenden Gegenstand 12
(zum Beispiel ein Halbleiterwafer oder Plättchen), das
auf einen Antriebsmechanismus 24 in einer Vakuumkammer 11
plaziert ist.
Während der Bewegung des zu reinigenden Objektes 12 in
die Y-Richtung wird der Antriebsmechanismus 24 um den
Drehwinkelbereich von ungefähr 10° um einen Punkt O auf
dem zu reinigenden Objekt gedreht. Ähnlich zu dem in Fig.
17 gezeigten Ausführungsbeispiel können verbesserte Rei
nigungseffekte für die vertikale Oberfläche in die
Y-Richtung und andere Oberflächen erhalten werden. Die
Drehmitte kann außerhalb der Oberfläche eines zu reini
genden Objektes 12 angeordnet sein, um es in einer
Schwenkart zu drehen.
Wenn der Antriebsmechanismus 24 in der X-Richtung mit ei
ner geringen Amplitude, wie in Fig. 18B gezeigt ist, hin-
und herbewegt wird, während er das zu reinigende Objekt
in die Y-Richtung bewegt, erhöht sich die Fläche oder der
Bereich, der durch die Argonsgasströmungen gereinigt
wird, was verbesserte Reinigungseffekte und eine gleich
förmige Reinigung der zu reinigenden Objektsoberfläche
vorsieht.
Die obige Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die An
ordnung der Düsen, die Anzahl der Düsen und der Düsen
durchmesser dienen nur zur Darstellung und sie sollen
nicht einschränkend sein, sondern sie können, wie ge
wünscht, ausgewählt werden, abhängig von der Form und
Größe eines zu reinigenden Objektes oder Gegenstandes und
der Dimension oder Abmessung einer Nut oder eines Vor
sprungs auf der Oberfläche des zu reinigenden Objektes.
Die Oberfläche eines zu reinigenden Objektes kann be
schädigt werden, obwohl sie gereinigt wird durch das Bla
sen eines Strömungsmittels, das kleine Argonpartikel ent
hält. Um eine überragende Reinigung der Oberfläche eines
zu reinigenden Objektes zu erhalten, ist es wün
schenswert, die Reinigungsleistung zu erhöhen, während
Oberflächenbeschädigungen unterdrückt werden. Aus diesem
Grunde ist es notwendig, präzise die verflüssigte Menge
von Argongas in dem gemischten Gas zu steuern. Es ist für
diesen Zweck denkbar, den Kühlungsgrad des gemischten
Gases zu steuern, indem man die gemessene Temperatur des
gekühlten gemischten Gases konstant macht. Bei diesem
Verfahren ist jedoch das genaue Steuern der verflüssigten
Menge Argongas schwierig, und zwar aus den folgenden
Gründen.
Fig. 19A zeigt ein Argonphasendiagramm, wobei die Ab
szisse eine Entropie in der Einheit Joule/Mol · K dar
stellt und die Ordinate eine Temperatur in der Einheit
absolute Temperatur K darstellt. In Fig. 19A zeigt eine
Kurve die Verflüssigungstemperatur (Gas/Flüssigkeit
grenzfläche). Der Bereich oberhalb der Kurve a entspricht
der Gasphase, und der Bereich unterhalb der Kurve a ent
spricht dem gemischten Zustand der Gas- und Flüssigpha
sen. Die Kurven b1, b2 und b3 zeigen die Temperaturver
änderungen für die Verflüssigungstemperaturen von unge
fähr 95 K, 100 K und 105 K unter konstantem Druck.
Zum Beispiel im Falle der Kurve b1 verringert sich, wenn
das Argongas gekühlt wird, die Entropie und die Tempera
tur, was vorsieht, daß die Kurve nach links abfällt. Eine
Verflüssigung beginnt an dem Kreuzungspunkt zwischen der
Kurve b1 und der Kurve a bei einer Temperatur von unge
fähr 95 K. Wenn die Kühlung weiter durchgeführt wird,
verringert sich die Entropie, aber die Temperatur verrin
gert sich nicht und nimmt einen konstanten Wert ein. Dies
tritt auf, da die Kühlung nicht verwendet wird zum Ver
ringern der Temperatur, sondern zum Ändern der Phase von
der Gasphase zu der Flüssigphase. Die Kurven b2 und b3
zeigen auch ähnliche Temperaturveränderungen mit unter
schiedlichen Verflüssigungstemperaturen und -drücken.
Nachdem das Ar-Gas die Verflüssigungstemperatur erreicht,
die spezifisch ist für seinen Druck, und beginnt sich in
Argontröpfchen zu ändern, verändert sich die Temperatur
des Argongases kaum. Infolgedessen ist es schwierig, die
verflüssigte Menge an Ar-Gas in dem gemischten Gas zu
messen, durch Messung der Argongastemperatur. Gemäß der
vorliegenden Erfindung kann dieses Problem gelöst werden
durch Steuern der Verflüssigungsmenge an Argongas in dem
gemischten Gas durch Messen des Drucks des gekühlten Ar-
Gases anstelle des Messens seiner Temperatur.
Fig. 20 zeigt das Reinigungssystem gemäß dem vierten Aus
führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Ar-Gas und
N2-Gas, die durch Massenströmungssteuerungen 91 und 92 so
reguliert sind, daß sie konstante Gasströmungen besitzen,
werden gemischt. Das gemischte Gas wird über ein Rohr 21
zu einem Filter 5 geliefert. Das gemischte Gas, dessen
Fremdpartikel durch den Filter 5 entfernt sind, wird über
ein Rohr 22 zu einem Doppelrohrwärmetauscher 77 geliefert.
Der Doppelrohrwärmetauscher 77 wird mit flüssigem Stick
stoff von einem Rohr 86 versorgt. Der flüssige Stickstoff
kühlt das gemischte Gas, das von dem Rohr 22 geliefert
wird, auf die Verflüssigungstemperatur von Ar-Gas, die
spezifisch ist für seinen Druck. Der flüssige Stickstoff,
der teilweise oder vollständig in Gas umgewandelt wird,
wird aus einem Rohr 87 abgelassen. Eine Strömungsteuerung
82 ist an dem Rohr 87 eingestellt zum Regulieren der
Strömung des ausgeblasenen Stickstoffgases und des flüs
sigen Stickstoffs, und zwar auf einen gewünschten Wert.
Das gemischte Gas, das an den Doppelrohrwärmetauscher 77
geliefert wird, wird auf die Verflüssigungstemperatur des
Argongases, die spezifisch ist für seinen Druck, gekühlt
und feine oder kleine Tröpfchen werden zu einer Düsen
vorrichtung 10 in einer Vakuumkammer 11 geliefert. Das
Rohr, das den Doppelrohrwärmetauscher 77 und die Düsen
vorrichtung 10 verbindet, ist vorzugsweise ein gerades
Rohr.
Wenn das Rohr einen gebogenen Teil besitzt, ist es
schwierig, eine Spiegeloberflächenpolierung oder elek
trolytische Polierung durchzuführen und unmöglich, die
Erzeugung von Fremdpartikeln an den unebenen Flächen oder
Bereichen der inneren Oberfläche des Rohrs zu verhindern.
Eine Anzahl von unebenen Bereichen werden auf der Innen
oberfläche des gebogenen Teils gebildet, so daß viele
Fremdpartikel erzeugt werden. Eine Vielzahl von Düsen
sind in der Düsenvorrichtung 10 ausgebildet und das ge
kühlte, gemischte Gas sowie die Argontröpfchen werden von
den Düsen in die Vakuumkammer 11 geblasen.
Die Düsenvorrichtung 10 ist über ein Rohr 75 mit einem
Druckmesser 78 an der Außenseite der Vakuumkammer 11 ver
bunden, um den Druck der Innenseite der Düsenvorrichtung
10 zu messen. Ein Thermoelement 76 wird über das Rohr 75
in die Düsenvorrichtung 10 eingeführt, um die Temperatur
der Innenseite der Düsenvorrichtung 10 zu messen.
Ein Wafer- oder Plättchentisch 79 ist unter der Düsen
vorrichtung 10 positioniert. Das gemischte Gas, das
kleine Argonpartikel enthält, wird aus den Düsen auf die
Oberfläche eines zu reinigenden Objektes geblasen, das
auf dem Wafertisch plaziert ist, um die Oberfläche zu
reinigen.
Die Vakuumkammer 11 ist mit einer Evakuiervorrichtung 85
verbunden, und zwar über ein Rohr 83 und- einem Ölfang
oder -abscheider 84, um die Innenseite der Vakuumkammer
11 zu evakuieren. Der Ölfang 84 wird verwendet, um zu
verhindern, daß Öl von der Evakuiervorrichtung 85 durch
eine Gegenströmung wegfließt. Eine Trockenpumpe kann ver
wendet werden, um das Wegfließen des Öls zu reduzieren.
Die Ergebnisse, die durch den Druckmesser 78 und das
Thermoelement gemessen werden, werden zu einer Steuerung
81 in der Form von elektrischen Signalen gesendet. Die
Steuerung 81 steuert die Strömung, die durch die Strö
mungssteuerung 82 gesteuert werden soll, indem sie den
Druck der Innenseite der Düsenvorrichtung 10 auf einen
vorbestimmten Wert einstellt.
Die Fig. 19B ist eine Kurve, die die Veränderungen in der
Temperatur und dem Druck an der Innenseite der Düsen
vorrichtung 10 darstellt, wobei die Abszisse eine Zeit
darstellt und die Ordinate die Temperatur und den Druck
darstellt. Wenn das gemischte Gas durch den Doppelrohr
wärmetauscher 77 gekühlt wird, verringert sich die Tem
peratur der Innenseite der Düsenvorrichtung 10. Nachdem
das gemischte Gas anfängt, sich bei der Temperatur TO und
dem Druck PO zu verflüssigen, wird die Temperatur
veränderung sehr viel langsamer.
Wenn sich die Temperatur verringert, verringert sich der
Druck und erreicht einen Druck PO bei der Temperatur TO.
Wenn die Kühlung weiter fortfährt, wird die Verringe
rungsrate des Druckes beschleunigt infolge des Beginnens
der Verflüssigung von Argongas, und der Druck erreicht
schließlich den vorbestimmten Druck P1, der in der
Steuerung 11 eingestellt ist.
Nachdem die Steuerung 81 detektiert, daß der Druck der
Innenseite der Düsenvorrichtung 10 P1 erreicht, wird die
zu steuernde Strömung durch die Strömungssteuerung 82 re
guliert durch konstantes Beibehalten des Drucks. Da eine
Differenz zwischen PO und P1 der verflüssigten Menge an
Argongas entspricht, kann diese Menge aus der Druckdif
ferenz bestimmt werden. Daher ist es durch Einstellen des
Druckes P1 auf den vorbestimmten Wert möglich, die ge
wünschte Menge an Ar-Gas zu verflüssigen. Da sich die
Drücke stark mit der verflüssigten Menge verändern, ist
es möglich, die verflüssigte Menge an Ar-Gas mit einem
geringen Fehleranteil zu steuern.
Wenn die verflüssigte Menge an Ar-Gas konstant ist, kann
die Menge an kleinen Argonpartikeln, die aus den Düsen
ausgeblasen werden, als konstant angesehen werden. Daher
kann eine gewünschte Menge an kleinen Argonpartikeln auf
die Oberfläche eines zu reinigenden Objektes geblasen
werden. In dieser Art und Weise kann die Reinigung durch
geführt werden, während der Grad der Beschädigungen der
Objektoberfläche und die Reinigungsleistung auf an
gemessenen Niveaus gehalten werden.
Der Kühlungsgrad wird reguliert durch konstantes Ein
stellen der Strömung des gemischten Gases und durch De
tektieren einer Veränderung im Druck, wie unter Bezug
nahme auf Fig. 19B beschrieben wurde. Die Strömung des
gemischten Gases kann erhöht werden durch Einstellen des
Drucks auf einen gewünschten Wert und indem er konstant
gemacht wird.
Fig. 19C zeigt eine Veränderung in der Strömung bezüglich
der gekühlten Temperatur des gemischten Gases beim Erhö
hen der Strömung, während der Druck an der Innenseite an
der Düsenvorrichtung konstant gehalten wird. Die Abszisse
stellt die gekühlte Temperatur des gemischten Gases in
der Einheit absolute Temperatur K dar, und die Ordinate
stellt die Gesamtströmung an Argongas und Stickstoffgas
in der Einheit slm dar.
Wenn die Strömung allmählich erhöht wird, erhöht sich der
Druck an der Innenseite der Düsenvorrichtung 10. Da der
Druck durch die Steuerung 81 so gesteuert wird, daß er
konstant ist, wird der Kühlungsgrad erhöht, so daß sich
die Temperatur des gemischten Gases verringert. In dieser
Art und Weise verringert sich die Temperatur des gekühl
ten, gemischten Gases allmählich, wenn die Strömung all
mählich erhöht wird.
Wenn die Temperatur des gekühlten gemischten Gases die
Verflüssigungstemperatur des Argongases erreicht, die
spezifisch ist für seinen Druck, beginnt das Argongas
sich zu verflüssigen. Die Temperatur und die Strömung des
gemischten Gases beim Start der Verflüssigung waren unge
fähr 100 K und ungefähr 20 l/min in dem Fall dieses Aus
führungsbeispiels, obwohl sie sich mit dem Druck an der
Innenseite der Düsenvorrichtung 10 und der Düsenform ver
ändern.
Wenn die Strömung weiter erhöht wird, wird der Kühlungs
grad durch die Steuerung der Steuerung 81 erhöht, was die
Verflüssigung von Argongas verbessert oder fördert. Je
doch wird die Temperatur des gemischten Gases im allge
meinen konstant bei der Argongasverflüssigungstemperatur.
Nachdem das gemischte Gas auf die Argongasverflüssi
gungstemperatur gekühlt ist, wie in Fig. 19C gezeigt ist,
verringert sich die Temperatur des gemischten Gases daher
nur leicht, und nur die Strömung erhöht sich abrupt.
Diese Erhöhung entspricht der verflüssigten Menge an Ar
gongas.
Es ist daher möglich, die verflüssigte Menge an Argongas
aus einer Differenz zwischen der Strömung des gemischten
Gases, das für die Reinigung verwendet wird und der Strö
mung beim Start oder Einsetzen der Verflüssigung des Ar
gongases, zu berechnen. Um gute Reinigungseffekte zu er
halten, ohne große Beschädigungen auf der Reinigungsober
fläche, ist es bevorzugt, die Strömung des gemischten
Gases, das für die Reinigung verwendet wird, so einzu
stellen, daß sie 1,2- bis 4mal der Strömung beim Start
der Verflüssigung des Argongases entspricht.
Bei dem obigen Ausführungsbeispiel wurde ein Verfahren
beschrieben zum Steuern des Kühlungsgrades durch Verän
dern der Strömung von N2-Gas an der Auslaßseite des Dop
pelrohrwärmetauschers 77. Der Kühlungsgrad kann durch an
dere Verfahren gesteuert werden. Zum Beispiel kann die
Strömung von flüssigem Stickstoff gesteuert werden durch
Verändern des Drucks des Behälters, der flüssigen Stick
stoff enthält.
In dem obigen Ausführungsbeispiel wurden als Kühlmittel
auch der Doppelrohrwärmetauscher verwendet, der flüssigen
Stickstoff verwendet. Andere Kühlmittel können auch ver
wendet werden, wie zum Beispiel ein Cryo- oder Tiefsttem
peratursystem, die folgendes aufweisen: einen Gifford Mc-
Mohon Kühler (GM-Kühler), einen Stirling-Kühler und einen
Turbokühler.
Die Fig. 21A und 21B zeigen Kühlmittel, die GM-Kühler
verwenden. Fig. 21A ist eine Draufsicht und Fig. 21B ist
eine Seitenansicht. Wie in Fig. 21A gezeigt ist, wird ein
gemischtes Gas aus Ar- und N2-Gasen, deren Fremdpartikel
durch einen Filter entfernt wurden, von einem Biegepunkt
88 eines Rohrs 22 geliefert. Das Rohr 22 zwischen dem
Biegepunkt 88 und einer Vakuumkammer 11 kontaktiert eine
Kühlplatte 89 des GM-Kühlers mit einer hohen Wärmeleit
fähigkeit. Ein Erwärmer oder Heizer 90 ist in der Nähe
des Rohrs 22 angebracht. Das Rohr 22 ist von dem Biege
punkt 88 bis zu den Düsen gerade ausgebildet. Wie bei dem
in Fig. 20 gezeigten Ausführungsbeispiel beschrieben
wurde, bewirkt das gerade Rohr die Verhinderung von
Fremdpartikeln. Das Rohr 22, die Kühlplatte 89 und der
Erwärmer oder Erhitzer 90 sind in dem Vakuumgehäuse 94
zur thermischen Isolierung aufgenommen.
Wie in Fig. 21B gezeigt ist, kühlen die GM-Kühler 95a und
95b unter der Kühlplatte 89 die Platte 89. In Fig. 21
sind zwei GM-Kühler in Serie mit dem Rohr 22 verbunden.
Wenn die Kühlleistung ausreicht, kann nur ein GM-Kühler
verwendet werden. Wenn sie nicht ausreicht, kann die Küh
lung durch flüssigen Stickstoff, wie unter Bezugnahme auf
Fig. 20 erklärt wurde, zusammen damit verwendet werden.
Der Erwärmer 90 ist mit einer Steuerung 93 verbunden, die
die Heiz- oder Wärmeleistung des Erwärmers 90 steuert.
Der Kühlungsgrad des Argongases kann gesteuert werden
durch Regulieren der Heizleistung des Erwärmers oder Hei
zers 90. Die Steuerung 91 wird mit einem elektrischen Si
gnal versorgt, das den gemessenen Druck der Innenseite
der Düsenvorrichtung darstellt. Gemäß diesem Signal regu
liert die Steuerung 91 die Heizleistung des Erwärmers 90.
Die Erfindung wurde in Verbindung mit dem bevorzugten
Ausführungsbeispielen beschrieben. Die Erfindung ist je
doch nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt. Zum
Beispiel kann als das gemischte Gas, Argongas und inertes
Gas mit einer geringeren Verflüssigungstemperatur als Ar
gongas verwendet werden. Eine Argonflüssigkeit (nicht
Tröpfchen) kann in die Düse geliefert werden, um als Ar
gontröpfchen ausgeblasen zu werden. In diesem Fall kann
das Gas, das in die Düse geliefert wird, Argon, ge
mischtes Gas, das Argon enthält, reiner Stickstoff usw.,
sein.
Das zu reinigende Objekt oder der Gegenstand ist nicht
auf einen Halbleiterwafer oder ein Plättchen beschränkt,
sondern es können andere Objekte für die Oberflächen
reinigung bei den Herstellungsschritten verwendet wer
den, die zum Beispiel gedruckte Schaltungsplatten, opti
sche Disk′s, magnetische Disk′s, flache Tafeln von Flüs
sigkristallanzeigen, und flache Tafeln von Solarbatterien
aufweisen.
Dem Fachmann ist klar, daß unterschiedliche Veränderun
gen, Verbesserungen, Kombinationen und ähnliches durch
geführt werden kennen.
Zusammenfassend sieht die Erfindung folgendes vor. Argon
gas und Stickstoffgas werden zusammen vermischt und durch
einen Kühler auf eine Verflüssigungstemperatur des Argon
gases, die spezifisch ist für seinen Druck gekühlt, um
kleine Argontröpfchen in dem gemischten Gas zu bilden.
Das Gas wird dann aus Düsen ausgeblasen und in eine Va
kuumkammer geblasen, um adiabatisch die Temperatur noch
weiter zu verringern und die kleinen Tröpfchen in kleine
feste Partikel zu verändern, die verwendet werden, um die
Oberfläche eines Objektes oder Gegenstandes zu reinigen.
Claims (39)
1. Ein Oberflächenreinigungsverfahren, das folgendes
aufweist:
einen Bildungsschritt von kleinen oder feinen Ar
gontröpfchen zum Ausblasen eines Strömungsmittels,
das Argonflüssigkeit enthält, und zwar aus einer Dü
senvorrichtung in eine drucklose Atmosphäre und Ex
pandieren oder Ausdehnen des Strömungsmittels zum
Verfestigen mindestens eines Teils der Argonflüs
sigkeit in feine oder kleine Argonpartikel; und
einen Blasschritt des Blasens des Strömungsmittels,
das kleine Argonpartikel enthält auf die Oberfläche
eines zu reinigenden Objektes.
2. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 1, das
ferner einen Kühlschritt aufweist, und zwar vor dem
Bildungsschritt der kleinen Argonpartikel, zum Küh
len eines Gases, das ein Argongas enthält, und zwar
auf die Verflüssigungstemperatur des Argongases, die
spezifisch ist für den Druck des Argongases oder
darunter, zum Bilden der kleinen Argontröpfchen.
3. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 2, wo
bei die Düsenvorrichtung und das zu reinigende Objekt
bzw. der Gegenstand in einer Vakuumkammer auf
genommen sind.
4. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 2, wo
bei das Gas, das Argongas enthält, ein gemischtes
Gas aus Argongas und Stickstoffgas ist, und die Kon
zentration des Stickstoffgases bei 2 bis 70 Mol%
liegt.
5. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 3, wo
bei der Druck der Innenseite der Vakuumkammer in dem
Bereich von 0,2 Atmosphären oder höher bis 0,7 Atmo
sphären oder darunter liegt.
6. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 3, wo
bei der Druck des Gases, das Argongas enthält, in
der Düsenvorrichtung innerhalb eines Bereichs von
3 Atmosphären oder darüber bis 7 Atmosphären oder
darunter liegt.
7. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 2, wo
bei die kleinen Argonpartikeln eine Oberfläche mit
einer festen Phase besitzen und die inneren Bereiche
eine Flüssigphase aufweisen.
8. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 2, wo
bei der Kühlschritt folgendes aufweist:
einen Schritt des Messens der Temperatur des Gases, das Argongas enthält, und zwar in der Düsenvorrich tung und Detektieren, wenn die Temperatur im allge meinen konstant wird und die kleinen Argontröpfchen anfangen in dem Gas, das das Argongas enthält, ge bildet zu werden; und
einen Schritt des Messens eines ersten Druckes des Gases in der Düsenvorrichtung zu einer Zeit, wenn die Temperatur im allgemeinen konstant wird und Steuern des Kühlungsgrades des Gases, das das Ar gongas enthält, um zu bewirken, daß das Gas in der Düsenvorrichtung einen konstanten zweiten Druck be sitzt, der geringer ist als der erste Druck, und zwar um einen vorbestimmten Wert.
einen Schritt des Messens der Temperatur des Gases, das Argongas enthält, und zwar in der Düsenvorrich tung und Detektieren, wenn die Temperatur im allge meinen konstant wird und die kleinen Argontröpfchen anfangen in dem Gas, das das Argongas enthält, ge bildet zu werden; und
einen Schritt des Messens eines ersten Druckes des Gases in der Düsenvorrichtung zu einer Zeit, wenn die Temperatur im allgemeinen konstant wird und Steuern des Kühlungsgrades des Gases, das das Ar gongas enthält, um zu bewirken, daß das Gas in der Düsenvorrichtung einen konstanten zweiten Druck be sitzt, der geringer ist als der erste Druck, und zwar um einen vorbestimmten Wert.
9. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 2, wo
bei der Kühlschritt folgendes aufweist:
einen Schritt des Kühlens des Gases, das das Argon gas enthält, das allmähliche Erhöhen der Molströmung des Gases, das das Argongas enthält, und das Messen einer ersten Molströmung, wenn die Molströmung an fängt, sich rasch zu erhöhen, und zwar während der Druck an der Innenseite der Düsenvorrichtung auf ei nem vorbestimmten Druck gehalten wird; und
einen Schritt des Kühlens des Gases, das das Argon gas enthält, ein weiteres Erhöhen der Molströmung und Steuern des Kühlungsgrades des Argongases und der Molströmung, um die Molströmung auf eine vorbe stimmte zweite Molströmung einzustellen, während der Druck an der Innenseite der Düsenvorrichtung auf einen vorbestimmten Druck gehalten wird.
einen Schritt des Kühlens des Gases, das das Argon gas enthält, das allmähliche Erhöhen der Molströmung des Gases, das das Argongas enthält, und das Messen einer ersten Molströmung, wenn die Molströmung an fängt, sich rasch zu erhöhen, und zwar während der Druck an der Innenseite der Düsenvorrichtung auf ei nem vorbestimmten Druck gehalten wird; und
einen Schritt des Kühlens des Gases, das das Argon gas enthält, ein weiteres Erhöhen der Molströmung und Steuern des Kühlungsgrades des Argongases und der Molströmung, um die Molströmung auf eine vorbe stimmte zweite Molströmung einzustellen, während der Druck an der Innenseite der Düsenvorrichtung auf einen vorbestimmten Druck gehalten wird.
10. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 9, wo
bei der Druck an der Innenseite der Düsenvorrichtung
in einem Bereich von 3 Atmosphären oder höher bis
7 Atmosphären oder darunter liegt.
11. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 9, wo
bei die zweite Molströmung in einem Bereich von
1,2mal der ersten Molströmung oder darüber bis 4mal
der ersten Molströmung oder darunter liegt.
12. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 2, wo
bei der Blasschritt ferner einen Schritt des Aus
blasens eines Gases von einer anderen Düsenvorrich
tung und das Blasen des Gases auf die Oberfläche des
zu reinigenden Objektes aufweist.
13. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 12, wo
bei der Blasschritt ferner einen Schritt des Er
wärmens des Gases, das aus der anderen Düsenvor
richtung ausgeblasen wird, umfaßt.
14. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 12, wo
bei der Blasschritt ferner einen Schritt des Aus
blasens des Gases von der anderen Düsenvorrichtung
und das Blasen des Gases auf die Oberfläche oder
das Oberflächengebiet des zu reinigenden Objektes
aufweist, auf das das Strömungsmittel, das die klei
nen Argonpartikel enthält, aus der Düsenvorrichtung
geblasen wurde.
15. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 12, wo
bei das Gas, das aus der anderen Düse ausgeblasen
wird, Stickstoffgas ist.
16. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 1, das
ferner einen Schritt des Vorsehens einer Relativbe
wegung zwischen der Düsenvorrichtung und dem zu rei
nigenden Objekt aufweist.
17. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 16, wo
bei die Düsenvorrichtung eine Vielzahl von Düsen
aufweist, die mit einer im allgemeinen gleichen
Steigung, Schräge oder Neigung in einer Richtung an
geordnet sind und wobei der Schritt, der die Rela
tivbewegung vorsieht, folgendes vorsieht: eine Rela
tivbewegung zwischen der Vielzahl von Düsen und dem
zu reinigenden Objekt, und zwar in der erwähnten
einen Richtung mit einer hohen Geschwindigkeit, und
zwar mit einer Bewegungsbreite, die gleich oder grö
ßer ist wie die gleiche Steigung und in eine andere
Richtung im allgemeinen unter einem rechten Winkel
bezüglich der erwähnten einen Richtung, und zwar mit
einer geringen Geschwindigkeit.
18. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 16, wo
bei der Schritt des Bildens kleiner Argonpartikel
folgendes aufweist: einen Schritt des Ausblasens des
Strömungsmittels, das die kleinen Argontröpfchen
enthält, und zwar mindestens in einer vorbestimmte
erste Richtung; und
einen Schritt des Ausblasens des Strömungsmittels, das die kleinen Argontröpfchen enthält, in eine zweite Richtung, die unterschiedlich ist von der er sten Richtung.
einen Schritt des Ausblasens des Strömungsmittels, das die kleinen Argontröpfchen enthält, in eine zweite Richtung, die unterschiedlich ist von der er sten Richtung.
19. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 16, wo
bei die erste Richtung entgegengesetzt zu der zwei
ten Richtung ist, und zwar hinsichtlich der Projek
tion auf die Oberfläche des zu reinigenden Objektes.
20. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 19, wo
bei während der Relativbewegung das zu reinigende
Objekt mit einer höheren Geschwindigkeit als die Re
lativbewegung in der Richtung hin- und herbewegt
wird, und zwar in der Richtung, die die Relativbewe
gungsrichtung schneidet.
21. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 19, wo
bei während der Relativbewegung das zu reinigende
Objekt um die Mittelachse des zu reinigenden Objekts
gedreht wird, und zwar innerhalb eines Bereichs ei
nes vorbestimmten Drehwinkels.
22. Oberflächenreinigungsverfahren gemäß Anspruch 16, wo
bei:
der Relativbewegungsschritt einen Schritt der Hin- und Herbewegung des zu reinigenden Objektes in einer vorbestimmten Richtung aufweist; und wobei der Blas schritt folgendes aufweist:
einen Schritt des Ausblasens des Strömungsmittels, das die kleinen Argonpartikel enthält, und zwar von einer Vielzahl von Düsen, die an der Düsenvorrich tung angeordnet sind, und zwar mit einer im allge meinen gleichen Steigung oder Neigung in einer Rich tung senkrecht zu der Richtung der Hin- und Herbewe gung des zu reinigenden Objektes und Blasen des Strömungsmittels in einer ersten Richtung schräg nach unten auf die Oberfläche des zu reinigenden Ob jektes in die Vorwärtsbewegungsrichtung des zu rei nigenden Objektes; und
einen Schritt des Ausblasens des Strömungsmittels, das Argonpartikel enthält von der Vielzahl von Düsen und Blasen des Strömungsmittels in eine zweite Rich tung schräg nach unten auf die Oberfläche des zu reinigenden Objektes in die Richtung der Rückwärtsbewegung des zu reinigenden Objektes, wobei die ersten und zweiten Richtungen entgegengesetzt sind hinsichtlich eines Vorsprungs auf der Oberflä che des zu reinigenden Objektes.
der Relativbewegungsschritt einen Schritt der Hin- und Herbewegung des zu reinigenden Objektes in einer vorbestimmten Richtung aufweist; und wobei der Blas schritt folgendes aufweist:
einen Schritt des Ausblasens des Strömungsmittels, das die kleinen Argonpartikel enthält, und zwar von einer Vielzahl von Düsen, die an der Düsenvorrich tung angeordnet sind, und zwar mit einer im allge meinen gleichen Steigung oder Neigung in einer Rich tung senkrecht zu der Richtung der Hin- und Herbewe gung des zu reinigenden Objektes und Blasen des Strömungsmittels in einer ersten Richtung schräg nach unten auf die Oberfläche des zu reinigenden Ob jektes in die Vorwärtsbewegungsrichtung des zu rei nigenden Objektes; und
einen Schritt des Ausblasens des Strömungsmittels, das Argonpartikel enthält von der Vielzahl von Düsen und Blasen des Strömungsmittels in eine zweite Rich tung schräg nach unten auf die Oberfläche des zu reinigenden Objektes in die Richtung der Rückwärtsbewegung des zu reinigenden Objektes, wobei die ersten und zweiten Richtungen entgegengesetzt sind hinsichtlich eines Vorsprungs auf der Oberflä che des zu reinigenden Objektes.
23. Ein Oberflächenreinigungssystem, das folgendes auf
weist:
Gasversorgungsmittel zum Liefern eines Gases, das eine Argonflüssigkeit enthält;
eine Düsenvorrichtung, die mit mindestens dem Gas versorgt wird, das Argonflüssigkeit enthält, wobei die Düsenvorrichtung eine Vielzahl von Düsen besitzt zum Herausblasen des Gases, das die Argonflüssigkeit enthält;
Trag- oder Stützmittel zum Tragen des zu reinigenden Objektes durch Richten des zu reinigenden Objektes in Richtung der Gasausblasrichtung der Düsenvor richtung;
eine hermetisch abgedichtete Kammer zum Aufnehmen der Düsenvorrichtung und der Tragmittel für das zu reinigende Objekt; und
Auslaßmittel zum Auslassen eines Gases in die her metisch abgedichtete Kammer.
Gasversorgungsmittel zum Liefern eines Gases, das eine Argonflüssigkeit enthält;
eine Düsenvorrichtung, die mit mindestens dem Gas versorgt wird, das Argonflüssigkeit enthält, wobei die Düsenvorrichtung eine Vielzahl von Düsen besitzt zum Herausblasen des Gases, das die Argonflüssigkeit enthält;
Trag- oder Stützmittel zum Tragen des zu reinigenden Objektes durch Richten des zu reinigenden Objektes in Richtung der Gasausblasrichtung der Düsenvor richtung;
eine hermetisch abgedichtete Kammer zum Aufnehmen der Düsenvorrichtung und der Tragmittel für das zu reinigende Objekt; und
Auslaßmittel zum Auslassen eines Gases in die her metisch abgedichtete Kammer.
24. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 23, wobei
die Gasversorgungsmittel folgendes aufweisen:
eine Argongasquelle zum Liefern eines Gases, das mindestens ein Arongas enthält; und
Kühlmittel zum Kühlen des Gases, das von der Ar gongasquelle geliefert wird, und zwar auf eine Ver flüssigungstemperatur des Argongases, die spezifisch ist für den Druck des Argongases, wobei die Kühlmit tel in der Lage sind, den Kühlungsgrad zu steuern, und ferner folgendes aufweist:
einen Temperaturmesser zum Messen einer Temperatur der Innenseite der Düsenvorrichtung;
einen Druckmesser zum Messen eines Druckes der In nenseite der Düsenvorrichtung; und
Steuermittel zum Empfangen eines Temperaturwertes, der gemessen wird durch den Temperaturmesser und ei nes Druckwertes, gemessen durch den Druckmesser und Steuern des Kühlungsgrades der Kühlmittel zum Ein stellen des Druckwertes auf einen vorbestimmten Wert.
eine Argongasquelle zum Liefern eines Gases, das mindestens ein Arongas enthält; und
Kühlmittel zum Kühlen des Gases, das von der Ar gongasquelle geliefert wird, und zwar auf eine Ver flüssigungstemperatur des Argongases, die spezifisch ist für den Druck des Argongases, wobei die Kühlmit tel in der Lage sind, den Kühlungsgrad zu steuern, und ferner folgendes aufweist:
einen Temperaturmesser zum Messen einer Temperatur der Innenseite der Düsenvorrichtung;
einen Druckmesser zum Messen eines Druckes der In nenseite der Düsenvorrichtung; und
Steuermittel zum Empfangen eines Temperaturwertes, der gemessen wird durch den Temperaturmesser und ei nes Druckwertes, gemessen durch den Druckmesser und Steuern des Kühlungsgrades der Kühlmittel zum Ein stellen des Druckwertes auf einen vorbestimmten Wert.
25. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 24, das
ferner Argonströmungsreguliermittel aufweist, die an
der Stromaufwärtsseite der Kühlmittel angebracht
sind zum Regulieren der Strömung des Gases, das das
Argongas enthält, so daß es eine vorbestimmte Mol
strömung besitzt.
26. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 24, wobei
die Kühlmittel einen Wärmetauscher und die Kühlmedi
umströmungsreguliermittel aufweisen zum Regulieren
der Strömung des flüssigen Stickstoffs, der durch
den Wärmetauscher fließt.
27. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 24, wobei
die Kühlmittel ein Cryo- oder Tiefsttemperatursystem
und Erwärmungs- und Heizmittel aufweisen.
28. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 23, wobei
die Tragmittel für das zu reinigende Objekt oder den
Gegenstand Antriebsmittel aufweisen zum Vorsehen
einer Relativbewegung zwischen der Düsenvorrichtung
und dem zu reinigenden Objekt, und zwar in einer
vorbestimmten Richtung.
29. Oberflächeneinigungssystem gemäß Anspruch 28, wobei
die Düsenvorrichtung eine Vielzahl von Düsen auf
weist, die im allgemeinen mit einer gleichen Stei
gung oder Neigung in einer Richtung angeordnet sind
und wobei die Antriebsmittel eine Relativbewegung
zwischen der Düsenvorrichtung und dem zu reinigenden
Objekt vorsieht, und zwar in die eine Richtung mit
einer hohen Geschwindigkeit mit einer Bewegungs
breite, die gleich oder größer ist als die gleiche
Neigung und mit einer geringen Geschwindigkeit in
eine andere Richtung, die im allgemeinen senkrecht
ist zu der einen Richtung.
30. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 28, wobei
die Düsenvorrichtung eine Gruppe von Düsen aufweist
zum Herausblasen eines Gases, das kleine Argon
tröpfchen enthält und eine andere Gruppe von Düsen
zum Herausblasen eines anderen Gases.
31. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 30, wobei
die eine und die andere Düsengruppe je eine Reihe
von Düsen aus einer Vielzahl von Düsen aufweist, die
in einer Richtung angeordnet sind, wobei die Reihe
von Düsen der einen Düsengruppe parallel zu der
Reihe von Düsen der anderen Düsengruppe angeordnet
sind.
32. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 31, wobei
die Antriebsmittel in der Lage sind, die Relativbe
wegung in die eine Richtung der Anordnung der Dü
senreihen der einen und der anderen Düsengruppen
vorzusehen, und in eine andere Richtung, die senk
recht ist zu der einen Richtung.
33. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 31, wobei
die andere Düsengruppe mit einer Einheit versehen
ist zum Erwärmen oder Heizen des Gases.
34. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 28, wobei
die Düsenvorrichtung in der Lage ist, das Gas, das
kleine Argontröpfchen enthält, in einer Vielzahl von
unterschiedlichen Richtungen auszublasen.
35. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 34, wobei
die Düsenvorrichtung eine Vielzahl von Düsen und
zwei Ausblasrichtungen aufweist, die entgegengesetzt
liegen hinsichtlich der Projektion auf die Ober
fläche des zu reinigenden Objektes oder Gegenstan
des.
36. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 34, wobei
die Düsenvorrichtung eine Vielzahl von Düsen auf
weist, die in der Lage ist, die Ausblasrichtung zwi
schen zwei Richtungen zu verändern, die sich hin
sichtlich der Projektion auf die Oberfläche des zu
reinigenden Objektes gegenüberliegen.
37. Oberflächenreinigungssystem gemäß einem der Ansprüche
35 und 36, wobei die Ausblasrichtung durch einen
vorbestimmten Winkel von einer vertikalen Ebene, die
parallel ist zu der Richtung der Relativbewegung
zwischen der Düsenvorrichtung und dem zu reinigenden
Objekt abgewinkelt ist.
38. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 34, wobei
die Antriebsmittel eine Schwenkbewegung vorsehen,
die die Richtung der Relativbewegung zwischen der
Düsenvorrichtung und dem zu reinigenden Objekt
schneidet.
39. Oberflächenreinigungssystem gemäß Anspruch 34, wobei
die Antriebsmittel eine Drehbewegung des zu reini
genden Objektes innerhalb eines vorbestimmten Dreh
winkelbereichs um einen Punkt auf dem zu reinigenden
Objekt vorsehen.
Applications Claiming Priority (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5-11519 | 1993-01-27 | ||
JP1151993 | 1993-01-27 | ||
JP5-31950 | 1993-02-22 | ||
JP3195093A JP2828859B2 (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP5-71777 | 1993-03-30 | ||
JP7177793A JPH06283489A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP08223493A JP3201549B2 (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP5-82234 | 1993-04-08 | ||
JP5-189541 | 1993-07-30 | ||
JP18954193A JP2828876B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 表面洗浄方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4402247A1 true DE4402247A1 (de) | 1994-07-28 |
DE4402247B4 DE4402247B4 (de) | 2007-07-12 |
Family
ID=27519293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4402247A Expired - Fee Related DE4402247B4 (de) | 1993-01-27 | 1994-01-26 | Oberflächenreinigung mit Argon |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5512106A (de) |
KR (1) | KR100332707B1 (de) |
DE (1) | DE4402247B4 (de) |
GB (1) | GB2274742B (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19623766A1 (de) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Vorrichtung zum Trockenreinigen von staubverschmutzten Hilfsgegenständen zur Handhabung und Aufbewahrung von Halbleiterwafern |
EP0842739A2 (de) * | 1996-10-04 | 1998-05-20 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum mechanischen Entfernen einer Fremdstoffbeschichtung von einem Basismaterial |
DE19807635A1 (de) * | 1998-02-23 | 1999-08-26 | Air Liquide Gmbh | Verfahren und Einrichtung zum Entfernen bituminöser und ähnlicher Verunreinigungsschichten von der Oberfläche einer Wandung |
DE19926119A1 (de) * | 1999-06-08 | 2000-12-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Strahlwerkzeug und Vorrichtung enthaltend ein Strahlwerkzeug |
NL1013978C2 (nl) * | 1999-12-29 | 2001-07-02 | Huibert Konings | Inrichting voor het bewerken van oppervlakken met koolzuurkristallen in een koolzuurgasstraal. |
FR2956600A1 (fr) * | 2010-02-22 | 2011-08-26 | Erick Canicas | Procede de decapage ecologique d'un support de cuisson |
EP2583790A1 (de) * | 2011-10-17 | 2013-04-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Strahlschneidvorrichtung |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2809995B2 (ja) * | 1994-10-19 | 1998-10-15 | 住友重機械工業株式会社 | 極低温用ウルトラクリーンノズルとその製造方法 |
US5931721A (en) * | 1994-11-07 | 1999-08-03 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Aerosol surface processing |
US5942037A (en) * | 1996-12-23 | 1999-08-24 | Fsi International, Inc. | Rotatable and translatable spray nozzle |
JP2993455B2 (ja) | 1997-03-10 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 画像と音声の再生装置 |
JP3183214B2 (ja) * | 1997-05-26 | 2001-07-09 | 日本電気株式会社 | 洗浄方法および洗浄装置 |
US5961732A (en) * | 1997-06-11 | 1999-10-05 | Fsi International, Inc | Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol |
US6036786A (en) * | 1997-06-11 | 2000-03-14 | Fsi International Inc. | Eliminating stiction with the use of cryogenic aerosol |
US6220935B1 (en) * | 1997-08-11 | 2001-04-24 | Sprout Co., Ltd. | Apparatus and method for cleaning substrate |
FR2772291B1 (fr) * | 1997-12-12 | 2000-03-17 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede de nettoyage d'un polymere contenant de l'aluminium sur une plaquette de silicium |
US6332470B1 (en) * | 1997-12-30 | 2001-12-25 | Boris Fishkin | Aerosol substrate cleaner |
US6596091B1 (en) * | 1998-04-29 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | Method for sweeping contaminants from a process chamber |
US6740247B1 (en) | 1999-02-05 | 2004-05-25 | Massachusetts Institute Of Technology | HF vapor phase wafer cleaning and oxide etching |
US6105274A (en) * | 1999-03-18 | 2000-08-22 | International Business Machines Corporation | Cryogenic/phase change cooling for rapid thermal process systems |
KR100469133B1 (ko) * | 1999-06-24 | 2005-01-29 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 유체스프레이에 의한 세정방법 및 장치 |
AU772539B2 (en) * | 1999-07-29 | 2004-04-29 | Kaneka Corporation | Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus |
KR100349948B1 (ko) | 1999-11-17 | 2002-08-22 | 주식회사 다산 씨.앤드.아이 | 클러스터를 이용한 건식 세정 장치 및 방법 |
KR100359339B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-11-01 | (주)케이.씨.텍 | 반도체 장비 세정 장치 및 방법 |
JP4268303B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2009-05-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | インライン型基板処理装置 |
KR100385431B1 (ko) * | 2000-09-19 | 2003-05-27 | 주식회사 케이씨텍 | 표면 세정용 에어로졸 생성 시스템 |
JP3511514B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2004-03-29 | エム・エフエスアイ株式会社 | 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法 |
US8192555B2 (en) | 2002-12-31 | 2012-06-05 | Micron Technology, Inc. | Non-chemical, non-optical edge bead removal process |
KR20040101948A (ko) * | 2004-05-31 | 2004-12-03 | (주)케이.씨.텍 | 표면세정용 승화성 고체입자 분사용 노즐 및 이를 이용한 세정방법 |
DE102005001700A1 (de) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Julius-Maximilians-Universität Würzburg | Instrumenten-Reinigungsvorrichtung für Behandlungsinstrumente |
ES2313564T3 (es) * | 2005-09-28 | 2009-03-01 | Desisa Gmbh | Dispositivo y procedimiento de limpieza con hielo seco. |
DE102007017212A1 (de) * | 2007-04-12 | 2008-10-16 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur Kühlung eines Gases |
DE102009041798A1 (de) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Khs Gmbh | Verfahren zum Ablösen von Etiketten und Verschmutzungen aller Art |
JP5490563B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2014-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
WO2011135979A1 (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | コニカミノルタオプト株式会社 | 撮像用レンズの製造方法 |
JP5776397B2 (ja) * | 2011-07-19 | 2015-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄方法、処理装置及び記憶媒体 |
JP5984424B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-09-06 | 国立大学法人京都大学 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理装置 |
US10014191B2 (en) | 2014-10-06 | 2018-07-03 | Tel Fsi, Inc. | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures |
KR102468564B1 (ko) * | 2014-10-06 | 2022-11-17 | 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. | 극저온 유체 혼합물로 기판을 처리하는 시스템 및 방법 |
US10625280B2 (en) | 2014-10-06 | 2020-04-21 | Tel Fsi, Inc. | Apparatus for spraying cryogenic fluids |
WO2018004678A1 (en) * | 2016-06-29 | 2018-01-04 | Tel Fsi, Inc. | Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures |
KR101971152B1 (ko) * | 2017-08-18 | 2019-04-22 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 장치의 클리닝 방법 |
CN111589793B (zh) * | 2020-05-28 | 2021-02-19 | 重庆东登科技有限公司 | 应急救援的移动医院系统 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5062898A (en) * | 1990-06-05 | 1991-11-05 | Air Products And Chemicals, Inc. | Surface cleaning using a cryogenic aerosol |
US5209028A (en) * | 1992-04-15 | 1993-05-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Apparatus to clean solid surfaces using a cryogenic aerosol |
DE69333248T2 (de) * | 1992-04-15 | 2004-04-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Reinigungseinrichtung für harte Oberflächen mittels cryogenen Aerosols |
US5294261A (en) * | 1992-11-02 | 1994-03-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Surface cleaning using an argon or nitrogen aerosol |
US5377911A (en) * | 1993-06-14 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Apparatus for producing cryogenic aerosol |
US5400603A (en) * | 1993-06-14 | 1995-03-28 | International Business Machines Corporation | Heat exchanger |
US5366156A (en) * | 1993-06-14 | 1994-11-22 | International Business Machines Corporation | Nozzle apparatus for producing aerosol |
US5378312A (en) * | 1993-12-07 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating a semiconductor structure having sidewalls |
-
1994
- 1994-01-21 US US08/185,184 patent/US5512106A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-01-25 KR KR1019940001248A patent/KR100332707B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-01-26 DE DE4402247A patent/DE4402247B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-01-27 GB GB9401588A patent/GB2274742B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19623766A1 (de) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Vorrichtung zum Trockenreinigen von staubverschmutzten Hilfsgegenständen zur Handhabung und Aufbewahrung von Halbleiterwafern |
US5991965A (en) * | 1996-06-14 | 1999-11-30 | Micronas Intermetall Gmbh | Apparatus for dry-cleaning dust-contaminated auxiliary objects for handling and storing semiconductor wafers |
EP0842739A2 (de) * | 1996-10-04 | 1998-05-20 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum mechanischen Entfernen einer Fremdstoffbeschichtung von einem Basismaterial |
EP0842739A3 (de) * | 1996-10-04 | 1998-12-16 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum mechanischen Entfernen einer Fremdstoffbeschichtung von einem Basismaterial |
US6095903A (en) * | 1996-10-04 | 2000-08-01 | U.S. Philips Corporation | Method and device for the mechanical removal of a layer of alien material from a basic material |
DE19807635A1 (de) * | 1998-02-23 | 1999-08-26 | Air Liquide Gmbh | Verfahren und Einrichtung zum Entfernen bituminöser und ähnlicher Verunreinigungsschichten von der Oberfläche einer Wandung |
DE19807635B4 (de) * | 1998-02-23 | 2015-12-17 | Air Liquide Gmbh | Dosierwaage mit einer Einrichtung zum Entfernen bituminöser und ähnlicher Verunreinigungsschichten von der Oberfläche einer Wandung |
DE19926119A1 (de) * | 1999-06-08 | 2000-12-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Strahlwerkzeug und Vorrichtung enthaltend ein Strahlwerkzeug |
DE19926119C2 (de) * | 1999-06-08 | 2001-06-07 | Fraunhofer Ges Forschung | Strahlwerkzeug |
NL1013978C2 (nl) * | 1999-12-29 | 2001-07-02 | Huibert Konings | Inrichting voor het bewerken van oppervlakken met koolzuurkristallen in een koolzuurgasstraal. |
FR2956600A1 (fr) * | 2010-02-22 | 2011-08-26 | Erick Canicas | Procede de decapage ecologique d'un support de cuisson |
EP2583790A1 (de) * | 2011-10-17 | 2013-04-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Strahlschneidvorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100332707B1 (ko) | 2002-08-24 |
KR940018926A (ko) | 1994-08-19 |
GB2274742B (en) | 1996-09-04 |
GB9401588D0 (en) | 1994-03-23 |
US5512106A (en) | 1996-04-30 |
DE4402247B4 (de) | 2007-07-12 |
GB2274742A (en) | 1994-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4402247A1 (de) | Oberflächenreinigung mit Argon | |
DE69112913T2 (de) | Reinigung einer Oberfläche mittels eines kryogenen Aerosols. | |
DE3844648C2 (de) | ||
DE4230807C2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Substratkühlung in einer evakuierten Umgebung | |
DE69417109T2 (de) | Wärmetauscher | |
DE19926119C2 (de) | Strahlwerkzeug | |
DE69730349T2 (de) | Drehbare und verschiebbare sprühdüse | |
DE69530118T2 (de) | Reinigung von halbleitern unter ultraniedrigen partikelgehaltsbedingungen | |
DE19630912A1 (de) | Roboterarm, der ein Objekt durch einen interaktiven Mechanismus trägt | |
DE4104543C2 (de) | Mit feinen Eisteilchen arbeitende Reinigungsvorrichtung | |
DE19544353A1 (de) | Waschvorrichtung und Waschverfahren | |
EP1162680A2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Befeuchten eines Gasstroms sowie Verwendung der Vorrichtung | |
EP1169145B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum reinigen von substraten | |
DE3730147A1 (de) | Verfahren zur herstellung von pulvern aus geschmolzenen stoffen | |
DE69404692T2 (de) | Direkt gekühlter kryogener Kristallisator | |
WO2015074765A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines strahlmittels, verfahren zum strahlen, strahlmittel und vorrichtung zur herstellung des strahlmittels | |
DE19654554A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Dünnfilms aus ultrafeinen Teilchen | |
AT10749U1 (de) | Verfahren zur herstellung von clathratverbindungen | |
DE69333248T2 (de) | Reinigungseinrichtung für harte Oberflächen mittels cryogenen Aerosols | |
DE3720992C2 (de) | ||
EP1133593B1 (de) | Verfahren zum aufwachsen einer kristallinen struktur | |
DE4039004A1 (de) | Verfahren zur orientierungsbehandlung einer fluessigkristallanzeige-einrichtung | |
DE102009003898A1 (de) | Turbinenschaufeln und andere massive Bauteile | |
EP1528856B1 (de) | Kryokonservierung mit einem gas- oder dampfförmigen kühlmedium | |
DE19860084A1 (de) | Verfahren zum Strukturieren eines Substrats |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |