DE438429C - Herstellung von besonders hartem Kohlenstoff - Google Patents

Herstellung von besonders hartem Kohlenstoff

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DE438429C
DE438429C DES69878D DES0069878D DE438429C DE 438429 C DE438429 C DE 438429C DE S69878 D DES69878 D DE S69878D DE S0069878 D DES0069878 D DE S0069878D DE 438429 C DE438429 C DE 438429C
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coal
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DES69878D
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English (en)
Inventor
Dr Carl A Hartmann
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Siemens and Halske AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens and Halske AG
Siemens Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

  • Herstellung von besonders hartem Kohlenstoff. Es ist -bekannt, Hartkohle dadurch zu gewinnen, daß man sie als überzug auf harten Körpern entstehen läßt, die entweder in eine Kohle enthaltende Gasflamme gehalten oder in erhitztem- Zustande, der z. B. elektrisch hergestellt werden kann, in einem Gefäß einer nicht brennenden Kohlenstoffverbindung ausgesetzt werden.
  • Diese Verfahren gestatten jedoch nicht, die Stärke und Härte der niedergeschlagenen Kohleschicht mit der z. B. bei der Herstel= Jung von elektrischen Widerständen erforderlichen Genauigkeit zu regeln und überhaupt nicht fiberzüge sehr großer Härte zu erlangen.
  • Nach der Erfindung wird diese Regelung und Härte dadurch erzielt, daß man, ausgehend von der zweiten der genannten Methoden, in das vor Beginn des Prozesse vollständig luftleer gepumpte Gefäß die gasförmige Kohleverbindung, z. B. Kohlenwasserstoff, nur in äußerster Verdünnung eintreten läßt.
  • Mit dem Verdünnungsgrad läßt sich die Abscheidungsgeschwindigkeit und mit dieser die Härte der Kohleschicht sehr genau regulieren. Außerdem wird die Schichtdicke sehr gleichmäßig und kann durch die eingelassene Gasmenge sehr gut geregelt werden.
  • Statt das Gefäß vorher luftleer zu machen, kann man es auch mit einem gegenüber dem Herstellungsprozeß neutralen Gase (z. B. Stickstoff, Argon) von beliebigem Druck füllen, wobei aber wiederum nur eine im Verhältnis zum Gefäßvolumen ganz geringe Kohle enthaltende Gasmenge, die ohne das neutrale Gas unter einem beträchtlichen Unterdruck stünde, verwendet wird.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoff besonders großer Härte als Schicht auf erhitzten harten Körpern, beispielsweise Quarz, Porzellan, Kohle, die in einem Gefäß einer kühleren, nicht brennenden, gasförmigen Kohlenstoffverbindung ausgesetzt werden, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorgang in einem luftleeren oder mit einem neutralen Gas (z. B. Stickstoff, Argon) gefüllten Gefäße erfolgt und die jeweils zu zersetzende Menge der gasförmigen Kohlenstoffverbindung gegenüber dem Rauminhalt des Gefäßes sehr gering ist.
DES69878D 1925-05-05 1925-05-05 Herstellung von besonders hartem Kohlenstoff Expired DE438429C (de)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE929204C (de) * 1944-10-18 1955-06-20 Ulrich Hofmann Dr Ing Verfahren zur Herstellung von festen Kohlenstoffueberzuegen auf Kohlekoerpern
DE1111745B (de) * 1958-08-07 1961-07-27 Schunk & Ebe Gmbh Graphitanoden mit einer glatten und festen Aussenschicht fuer Quecksilberdampf-Gleichrichter, Gluehkathoden-Gleichrichter und Senderoehren
DE1127785B (de) * 1960-05-06 1962-04-12 Schunk & Ebe Gmbh Kunstkohle- und Graphitformen zum Herstellen von Halbleitern

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE929204C (de) * 1944-10-18 1955-06-20 Ulrich Hofmann Dr Ing Verfahren zur Herstellung von festen Kohlenstoffueberzuegen auf Kohlekoerpern
DE1111745B (de) * 1958-08-07 1961-07-27 Schunk & Ebe Gmbh Graphitanoden mit einer glatten und festen Aussenschicht fuer Quecksilberdampf-Gleichrichter, Gluehkathoden-Gleichrichter und Senderoehren
DE1127785B (de) * 1960-05-06 1962-04-12 Schunk & Ebe Gmbh Kunstkohle- und Graphitformen zum Herstellen von Halbleitern

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