DE4327814C2 - Adressendecodierer für die Reparatur einer Speichereinrichtung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Adressendecodierer für die Reparatur einer Halbleiterspeichereinrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patent­ anspruchs 1.

ein derartiger Adressendecodierer ist bereits aus dem IEEE Journal of Solid-State Circuits, Oktober 1981, S. 506-513, bekannt, mit dessen Hilfe sich ein Fehler innerhalb der Halbleiterspeichereinrichtung wirksam beheben läßt. Dieser bekannte Adressendecodierer enthält eine elektrische Leitung, an die eine gewünschte Spannung anlegbar ist und mehrere Reparaturverbindungen, die mit der elektrischen Leitung verbunden sind, wobei diese Reparaturverbindungen in vorbestimmter Anzahl und in vor­ bestimmten Bereichen benachbart zueinander angeordnet sind und jeweils eine von ihnen bei einer Positionierung eines Lichtstrahls weg­ gebrannt werden kann.

Es ist bereits gängiger Stand der Technik, in einer Speichereinrichtung, beispielsweise in einem dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) redundante Zellenspalten für den Fall vorzusehen, daß eine oder mehrere Zellenspalten einer Speicherzellenmatrix fehlerhaft arbeiten. Ist zum Beispiel eine Zellenspalte der Speicherzellenmatrix defekt, so wird sie durch eine der redundanten Zellenspalten ersetzt. Um einen Austausch der defekten Speicherzellenspalte durch die redundante Zellenspalte durchführen zu können, ist eine Umschalteinrichtung zwischen einer Ein­ gabe/Ausgabe (I/O)-Interfaceschaltung und der Speicherzellenmatrix, die die redundanten Zellenspalten aufweist, erforderlich.

Die Fig. 1 zeigt ein Basismodell einer DRAM-Einrichtung mit redundanten Zellenspalten und der Umschalteinrichtung. Wie zu erkennen ist, weist die DRAM- Einrichtung eine Speicherzellenmatrix mit einer Mehrzahl von Zellenspalten auf, wenigstens eine redundante Zellenspalte, eine Reparaturschaltung zum Austausch einer fehlerhaft arbeitenden Zellenspalte der Speicherzellenmatrix durch die redundante Zellenspalte, eine Eingabe/Ausgabe (I/O) -Interface­ schaltung zur Eingabe und Ausgabe von Daten zwischen der Speichereinrich­ tung und einer externen Einrichtung sowie ein Anschlußflächenteil zum Anle­ gen von Treibersignalen an die Reparaturschaltung.

Entsprechend der Fig. 1 enthält die Reparaturschaltung eine Mehrzahl von npn- Transistoren T1 bis T8, eine Gleichstrom (DC)-Spannungsquelle Vcc, einen Wi­ derstand R, einen Inverter I1, eine Mehrzahl von Reparaturverbindungsgliedern L1 bis L3 zur Adressierung einer fehlerhaften Zellenspalte der Speicherzellen­ matrix sowie Knoten A und B. Darüber hinaus weist das Anschlußflächenteil ei­ ne Mehrzahl von Anschlußflächen C0 bis C2 zur Anlegung von Treibersignalen an die Reparaturschaltung auf.

Im nachfolgenden wird der Betrieb beim Reparieren der DRAM-Einrichtung ge­ mäß Fig. 1 näher erläutert.

Unter normalen Betriebsbedingungen geht die Anschlußfläche C0 auf hohen Pe­ gel, während die Anschlußflächen C1 und C2 auf niedrigem Pegel gehalten wer­ den. Dadurch wird der Transistor T4 eingeschaltet, der den Knoten B auf Erde legt. Die Folge davon ist, daß der Transistor T7 ausgeschaltet wird, während die Transistoren T8 und T1 eingeschaltet werden. Sind die Anschlußflächen C1 und C2 auf niedrigem Spannungspegel gehalten, so bleiben die Transistoren T2 und T3 ausgeschaltet. Zu diesem Zeitpunkt können also nur Daten von der ersten Zellenspalte der Speicherzellenmatrix zum Knoten A ausgegeben werden, so daß diese Daten die Eingabe/Ausgabe (I/O)-Interfaceschaltung erreichen, da der Transistor T8 eingeschaltet ist.

Im folgenden sei angenommen, daß die erste Zellenspalte der Speicherzellenma­ trix defekt sein soll. Um die erste Zellenspalte durch die redundante Zellenspalte zu ersetzen, braucht lediglich die Verbindung L1 entfernt zu werden. Geht dann die Anschlußfläche C0 auf hohen Pegel und die Anschlußflächen C1 und C2 auf niedrigen Pegel, so werden zwar die Transistoren T1 und T4 eingeschal­ tet, jedoch kann der Transistor den Knoten B nicht länger auf Erde ziehen, da der Knoten B nicht mehr mit dem Transistor T4 verbunden ist.

In diesem Fall wird also der Knoten B über den Widerstand R auf hohen Pegel ge­ zogen. Dadurch wird der Transistor T7 eingeschaltet, während der Transistor T8 ausgeschaltet wird. Bei ausgeschaltetem Transistor T8 können die Daten von der ersten Zellenspalte der Speicherzellenmatrix nicht mehr zur Eingabe/Aus­ gabe (I/O)-Interfaceschaltung gelangen. Statt dessen kommen jetzt Daten von der redundanten Zellenspalte über den Transistor T7 zur Eingabe/Ausgabe (I/O)-Interfaceschaltung. Mit anderen Worten wird jetzt die redundante Zellen­ spalte anstelle der defekten Zellenspalte der Speicherzellenmatrix verwendet.

Obwohl zu Illustrationszwecken in Fig. 1 nur eine redundante Zellenspalte dis­ kutiert wurde, können auch mehrere redundante Zellenspalten für den Fall verwendet werden, daß eine oder mehrere der Zellenspalten der Speicherzellen­ matrix defekt sind und durch redundante Zellenspalten ersetzt werden sollen.

Wird dieses Einzelverbindungs-Redundanzschema gemäß Fig. 1 In einer Ein­ richtung mit 64 Spalten implementiert, so ist es erforderlich, 64 Schalteinrich­ tungen wie die Transistoren T4, T5 und T6 vorzusehen, und zwar jeweils einen für eine Spalte, um die jeweiligen Spalten durch redundante ersetzen zu kön­ nen. Ferner sind auch 64 Verbindungen erforderlich, worauf besonders hinge­ wiesen wird.

Wie bereits oben angeklungen, dienen die Verbindungen dazu, die Adresse einer fehlerhaften Zellenspalte einer redundanten Zellenspalte zuzuordnen, um die fehlerhafte Zellenspalte durch die redundante Zellenspalte zu ersetzen. In die­ sem Sinne kann ein Satz von Verbindungen der genannten Art als Adressende­ codierer bezeichnet werden.

Ein konventioneller Adressendecodierer zur Reparatur eines 1 Mega-DRAMs wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Fig. 2a und 2b näher beschrieben.

Die Fig. 2a zeigt den 1 Mega-DRAM mit drei redundanten Zellenspalten zu Repa­ ratur- bzw. Ersatzzwecken sowie mit einer zu diesem Zweck vorgesehenen Repa­ raturschaltung. Wie zu erkennen ist, enthält der 1 Mega-DRAM eine 1 Mega- Speicherzellenmatrix 1 mit 1024 × 1024 Zellen, eine redundante Zellenmatrix 2 mit drei redundanten Zellenspalten, einen Matrixadressendecodierer 3, der mit einer DC-Spannung Vcc versorgt wird und zur Adressierung von Zellenspalten der 1 Mega-Speicherzellenmatrix 1 dient, sowie einen Reparaturadressendeco­ dierer 4 zur Zuteilung einer Adresse einer fehlerhaften der Zellenspalten der 1 Mega-Speicherzellenmatrix 1 zu einer entsprechenden der redundanten Zellen­ spalten der redundanten Zellenmatrix 2 zwecks Ersatz der fehlerhaften Zellen­ spalte.

Der Matrixadressendecodierer 3 dient dazu, eine Adresse zum wahlweisen Anle­ gen der DC-Spannung Vcc an die Zellenspalten der Speicherzellenmatrix 1 zu erzeugen. In Fig. 2a weist jede Zellenspalte 1024 Zellen auf und kann dann nicht verwendet werden, wenn wenigstens eine dieser Zellen defekt ist. Der Fehler in­ nerhalb des DRAMs wird daher durch Austausch bzw. Ersatz der fehlerhaften Zellenspalte durch eine entsprechende der redundanten Zellenspalten der re­ dundanten Zellenmatrix 2 vorgenommen. Um die fehlerhafte Zellenspalte der Speicherzellenmatrix 1 durch eine entsprechende der redundanten Zellenspal­ ten der redundanten Zellenmatrix zu ersetzen, ist der Reparaturadressendeco­ dierer 4 so ausgebildet, daß er eine Adresse der fehlerhaften Zellenspalte einer entsprechenden der redundanten Zellenspalten zuordnet.

Nachfolgend wird der Betrieb der Zuteilung der Adresse unter Bezugnahme auf die Fig. 2b näher beschrieben.

Die Fig. 2b zeigt den Aufbau des Reparaturadressendecodierers 4. Ein 10-Bit- Signal ist erforderlich, um den 1 Mega-DRAM in Fig. 2a zu adressieren, da die Anzahl der Spalten von 2⁰-2¹⁰ läuft bzw. 1024 beträgt. Der Reparaturadres­ sendecodierer 4 weist eine Mehrzahl von Verbindungen oder Sicherungen auf, genauer gesagt zehn Verbindungen oder Sicherungen, zur Adressierung jeder redundanten Zellenspalte im 1 Mega-DRAM gemäß Fig. 2a. Aus diese Grunde sind also im Reparaturadressendecodierer 4 30 Verbindungen bzw. Sicherun­ gen erforderlich, da die redundante Zellenmatrix 2 insgesamt drei redundante Zellenspalten besitzt.

Unter Bezugnahme auf die Fig. 2b wird nachfolgend als Beispiel die Adressie­ rung nur einer redundanten Zellenspalte erläutert. Insbesondere weist der Re­ paraturadressendecodierer 4 eine Leitung 5 auf, die mit der DC-Spannungs­ quelle Vcc verbunden ist, sowie zehn lineare Verbindungen oder Sicherungen L10-L100, die zwischen der Leitung 5 und dem Matrixadressendecodierer 3 lie­ gen und die ferner einen vorbestimmten Abstand voneinander aufweisen.

Zeigt beim Betrieb die dritte Zellenspalte der Speicherzellenmatrix 1 gemäß Fig. 2a einen Defekt, so erzeugt der Reparaturadressendecodierer 4 eine Adresse "1100000000". Diese Adresse wird dadurch erzeugt, daß die erste und zweite Verbindung L10 und L20 so bleiben wie sie sind, also nicht unterbrochen wer­ den, während die verbleibenden Verbindungen beseitigt werden, wie die Fig. 2c erkennen läßt. Wird jetzt die DC-Spannung Vcc an die Leitung 5 angelegt, so wird die Adresse "1100000000" zum Matrixadressendecodierer 3 geliefert, wo­ durch jetzt die redundante Zellenspalte mit der Adresse verwendet wird, anstelle der fehlerhaften dritten Zellenspalte.

Ein Laserstrahl dient zur Unterbrechung der acht Verbindungen L30-L100, die linear zwischen der die DC-Spannung Vcc empfangenden Leitung 5 und dem Matrixadressendecodierer 3 liegen. Die Verbindungen L30-L100 werden momentan erhitzt und verdampfen, wenn deren Zentren plötzlich durch den Laserstrahl abgetastet bzw. gescannt werden. Auf diese Weise werden die Verbindungen L30-L100 praktisch beseitigt.

Nachteilig beim konventionellen Reparaturadressendecodierer ist jedoch die Tatsache, daß die Verbindungen nur eine nach der anderen bzw. der Reihe nach durch den Laserstrahl beaufschlagt werden können, da sie linear bzw. geradli­ nig und in vorbestimmtem Abstand voneinander angeordnet sind. Genauer ge­ sagt muß im vorliegenden Fall beim konventionellen Reparaturadressendeco­ dierer der Laserstrahl achtmal positioniert werden, um zu versuchen, all die er­ forderlichen Verbindungen zu beseitigen. Je mehr Verbindungen also benutzt werden, desto größer ist der Zeitaufwand für den Betrieb zur Reparatur der feh­ lerhaften Zellenspalte unter Zuhilfenahme des Laserstrahls. Dies führt zu einer Verminderung der Arbeitseffizienz und zu einer geringeren Produktivität. Je öf­ ter darüber hinaus Verbindungen mit Hilfe des Laserstrahls beseitigt werden sollen, desto größer wird die Wahrscheinlichkeit, daß die beabsichtigte Reparatur mißlingt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Adressendecodierer für die Reparatur einer Speichereinrichtung zu schaffen, mit dessen Hilfe sich ein Fehler in der Speichereinrichtung wirksamer beheben läßt.

Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Patent­ anspruchs 1 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.

Ein Adressendecodierer nach der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß die Reparaturverbindungen in einem ersten vorbestimmten Bereich so eng benachbart verlaufen, daß sie gleichzeitig mit nur einer Lichtstrahl­ positionierung durchtrennbar sind, und daß sie in einem zweiten vor­ bestimmten Bereich so weit voneinander entfernt verlaufen, daß nur jeweils eine von ihnen mit einer Lichtstrahlpositionierung durchtrennbar ist.

Dadurch ist es möglich, ohne Veränderung der Größe des Brennfleck­ durchmessers des Lichtstrahls mehrere der Reparaturverbindungen gleichzeitig wegzudampfen. Der Brennfleckdurchmesser des Lichtstrahls braucht somit gegenüber dem konventionellen Fall nicht vergrößert zu werden, was eine Intensitätsabnahme zur Folge hätte und dadurch ein Wegbrennen von Reparaturverbindungen unmöglich machen würde.

Die Zeichnung stellt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dar. Es zeigt:

Fig. 1 ein Schaltungsdiagramm eines DRAMs mit einer einzigen re­ dundannten Zellenspalte für Ersatzzwecke sowie mit einer zu diesem Zweck vorgesehenen Reparaturschaltung,

Fig. 2a ein Schaltungsdiagramm eines 1 Mega-DRAMs mit drei re­ dundanten Zellenspalten für Ersatzzwecke und eine zu diesem Zweck vorgesehene konventionelle Reparaturschaltung,

Fig. 2b den Aufbau eines Reparaturadressendecoders gemäß Fig. 2a,

Fig. 2c einen Prozeß zur Erzeugung einer Reparaturadresse, ausgehend vom Aufbau nach Fig. 2b,

Fig. 3a den Aufbau eines Reparaturadreßdecodierers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung und

Fig. 3b einen Prozeß zur Erzeugung einer Reparaturadresse, ausgehend vom Aufbau nach Fig. 3a.

Die Fig. 3a zeigt den Aufbau eines Reparaturadreßdecodierers in Übereinstim­ mung mit der vorliegenden Erfindung. Wie zu erkennen ist, enthält der Repara­ turadreßdecodierer eine Leitung 6, an die eine gewünschte Spannung Vcc ange­ legt wird, sowie zehn Reparaturverbindungen L110-L200, von denen jede eine gekrümmte Form aufweist, mit einem Ende mit dem Matrixdecodierer 3 gemäß Fig. 2a und mit dem anderen Ende mit der Leitung 6 verbunden ist. Die Repara­ turverbindungen L110-L200 sind in vorbestimmter Anzahl in vorbestimmten Bereichen benachbart zueinander angeordnet, so daß sich eine oder mehrere von ihnen wahlweise mit Hilfe eines Laserstrahls wegdampfen bzw. unterbre­ chen lassen.

Gemäß Fig. 3a sind die Verbindungen L110-L200 paarweise in ihren vorbe­ stimmten Bereichen benachbart zueinander angeordnet, jedoch kann die An­ zahl der benachbart zueinander angeordneten Verbindungen in den vorbe­ stimmten Bereichen auch drei oder mehr betragen. Im zuletzt genannten Fall würde dies bedeuten, daß drei oder mehr der Verbindungen L110-L200 gleich­ zeitig weggedampft bzw. unterbrochen werden können. Der Grund, warum die Reparaturverbindungen L110-L200 in vorbestimmter Anzahl in ihren vorbe­ stimmten Bereichen benachbart zueinander angeordnet sind, liegt darin, daß dann wahlweise eine oder mehrere von ihnen nur durch einmaliges Positionie­ ren des Laserstrahls weggedampft bzw. unterbrochen werden können. Diese Struktur wird nur durch einen Maskierungsprozeß für die erforderliche Struk­ turierung erhalten, wobei der Maskierungsprozeß derselbe wie beim Stand der Technik ist, so daß gegenüber diesem keine zusätzlichen Prozeßschritte bei der Erfindung erforderlich sind.

Jede der Reparaturverbindungen L110-L200 besteht aus einem Material, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, zu welcher Polysilicium, Siliciummetallver­ bindungen bzw. Silicide und Metalle gehören. Vorzugsweise besteht jede Reparaturverbindung aus Polysilicium oder aus einer Siliciummetallverbindung bzw. einem Silicid und erst in zweiter Linie aus einem Metall, da Polysilicium oder die Siliciummetallverbindungen bzw. Silicide besser verdampfen. Unter Umständen bleibt aber auch hier eine geringe Menge an Metall zurück, nachdem der Abtast- bzw. Verdampfungsprozeß durch den Laserstrahl durchgeführt worden ist.

Im folgenden sei angenommen, daß die dritte Zellenspalte der Speicherzellen­ matrix 1 in Fig. 2a defekt ist und daß unter Bezugnahme auf die Fig. 3b be­ schrieben wird, wie eine Adresse der defekten dritten Zellenspalte einer redun­ danten Zellenspalte zwecks Reparatur bzw. Ersatz zugeteilt wird.

Im vorliegenden Fall muß der Reparaturadressendecodierer eine Adresse "1100000000" erzeugen. Wie bereits zuvor erwähnt, muß hierzu beim konven­ tionellen Reparaturadressendecodierer 4 gemäß Fig. 2b die Abtastung mit Hilfe des Laserstrahls achtmal durchgeführt werden, um alle erforderlichen Verbin­ dungen wegzublasen bzw. zu unterbrechen. Nach der vorliegenden Erfindung können jedoch eine oder mehrere der Verbindungen im Reparaturadressendecodierer gleichzeitig durch nur eine Abtastung des Laserstrahls weggedampft bzw. unterbrochen werden, wie durch die gestrichelten Kreise in Fig. 3a ange­ deutet ist, da die Verbindungen die bereits erwähnten gekrümmten Strukturen bzw. Formen aufweisen und in ihren vorbestimmten Bereichen paarweise oder in noch größerer Anzahl benachbart zueinander angeordnet sind. Um also die Adresse "1100000000" generieren zu können, braucht bei der Erfindung der La­ serstrahl nur fünfmal positioniert zu werden, wie die Fig. 3b zeigt.

Natürlich ist es nach der vorliegenden Erfindung auch möglich, beim Reparatu­ radressendecodierer nach Fig. 3a die Verbindungen L110-L200 nur jeweils ein­ zeln zu unterbrechen. Soll beispielsweise eine Adresse "0111111111" durch den Reparaturadressendecodierer generiert werden, so wird nur die erste Verbin­ dung L110 weggedampft bzw. unterbrochen, und zwar durch entsprechende Po­ sitionierung des Laserstrahls im Zentrum des durch gestrichelte Linien darge­ stellten kleinen Kreises in Fig. 3a.

Wie bereits erwähnt, ist zur Erzeugung der Adresse "1100000000" für den Fall, daß die dritte Zellenspalte der Speicherzellenmatrix 1 in Fig. 2a defekt ist und ersetzt werden soll, beim konventionellen Reparaturadressendecodierer in Fig. 2b der Laserstrahl achtmal zu positionieren, während beim Reparaturadressen­ decodierer nach der vorliegenden Erfindung in Fig. 3a der Laserstrahl zu dem­ selben Zweck nur fünfmal positioniert zu werden braucht. Im Vergleich zum konventionellen Reparaturadressendecodierer werden bei dem nach der Erfin­ dung also drei Positionierungsvorgänge des Laserstrahls eingespart. Dadurch läßt sich die Reparaturzeit erheblich verkürzen bei gleichzeitiger Verminderung der Wahrscheinlichkeit, daß eine fehlerhafte Reparatur erfolgt.

In Übereinstimmung mit der Erfindung weisen die Reparaturverbindungen bzw. Sicherungen eine gekrümmte Form auf, sind zwischen dem Matrixadressende­ codierer und der genannten Leitung angeordnet, an die die DC-Spannung ange­ legt wird, und sind ferner in vorbestimmten Bereichen zu zweit oder in noch grö­ ßerer Anzahl benachbart zueinander angeordnet, so daß eine oder mehrere von ihnen wahlweise durch nur einen Positionierungsvorgang des Laserstrahls weg­ gedampft oder unterbrochen werden können. Mit einer Abtasteinstellung bzw. Positionierung des Laserstrahls lassen sich also unter Um­ ständen mehrere der Sicherungsverbindungen gleichzeitig beseitigen, so daß bei der Erzeugung längerer Adressen der Laserstrahl nicht mehr so oft wie im konventionellen Fall positioniert zu werden braucht, was zu einer Verringerung der Reparaturzeit der fehlerhaften Zellenspalte unter Verwendung des Laser­ strahls führt. Dadurch wird ein höherer Nutzeffekt bei der Reparatur bei gleich­ zeitig geringerer Reparaturfehlerquote erreicht.

Gemäß Fig. 3a verlaufen im vorliegenden Ausführungsbeispiel des Reparatur­ adressendecodierers zwei Stränge der Leitung 6 im Abstand parallel zueinan­ der. An einem Ende sind diese Stränge untereinander und mit der DC-Span­ nungsquelle Vcc verbunden. Es sind hier zehn Sicherungsverbindungen L110- L200 vorhanden, von denen die oberen L110, L120, L130, L140 und L150 U-för­ mig ausgebildet sind, während die unteren L160, L170, L180, L190 und L200 ∩-förmig ausgebildet sind. Die U-förmigen Sicherungsverbindungen und die ∩-förmigen Sicherungsverbindungen sind in Längsrichtung zwischen den Strän­ gen wechselweise zueinander angeordnet, wobei jeweils eines ihrer Enden mit einem der Stränge und das jeweils andere Ende mit dem Matrixadressendeco­ dierer 3′ verbunden ist. Die vertikalen und benachbart zueinander liegenden Schenkel jeweils aufeinanderfolgender Sicherungselemente liegen relativ eng benachbart zueinander im Vergleich zum Abstand der jeweiligen Schenkel, die zu einem Sicherungselement gehören. Der Schenkelabstand ist so eng gewählt, daß mit Hilfe des Laserstrahls die beiden benachbarten Schenkel unterschied­ licher Sicherungselemente gleichzeitig weggebrannt werden können.

Claims (6)

1. Adressendecodierer für die Reparatur einer Halbleiter­ speichereinrichtung mit:

• - einer elektrischen Leitung (6), an die eine gewünschte Spannung (Vcc) anlegbar ist und
• - mehreren Reparaturverbindungen (L110-L200), die mit der elektri­ schen Leitung (6) verbunden sind, wobei diese Reparaturverbindungen in vorbestimmter Anzahl und in vorbestimmten Bereichen benachbart zueinander angeordnet sind und jeweils eine von ihnen bei einer Positionierung eines Lichtstrahls weggebrannt werden kann,
  dadurch gekennzeichnet, daß die Reparaturverbindungen (L110, L160; L120, L170; . . .; L150, L200) in einem ersten vorbestimmten Bereich so eng benachbart verlaufen, daß sie gleichzeitig mit nur einer Lichtstrahl­ positionierung durchtrennbar sind, und daß sie in einem zweiten vor­ bestimmten Bereich so weit voneinander entfernt verlaufen, daß nur jeweils eine von ihnen (L100; . . .; L200) mit einer Lichtstrahlpositionierung durchtrennbar ist.

2. Adressendecodierer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reparaturverbindungen aus Polysilicium hergestellt sind.

3. Adressendecodierer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reparaturverbindungen aus Siliciummetallverbindungen bzw. Siliciden hergestellt sind.

4. Adressendecodierer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reparaturverbindungen aus Metall hergestellt sind.

5. Adressendecodierer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtstrahl ein Laserstrahl ist.

6. Adressendecodierer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reparaturverbindungen jeweils eine gekrümmte Form bzw. einen gekrümmten Verlauf aufweisen.