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Die
Erfindung betrifft eine Speicherschaltung mit einem regulären Speicherbereich
und einem redundanten Speicherbereich sowie ein Verfahren zum Reparieren
einer Speicherschaltung mit redundanten Speicherbereichen.
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Speicherschaltungen
mit hoher Kapazität sind
schwierig fehlerfrei herzustellen. Nach dem Herstellen der Speicherschaltungen
treten typischerweise Einzelzellenfehler oder Fehler in Speicherbereichen
auf, die durch einen nachfolgenden Reparaturschritt korrigiert werden.
Der Reparaturschritt sieht vor, dass die fehlerhaften Speicherbereiche
bzw. die Speicherbereiche mit einer fehlerhaften Einzelzelle durch
einen entsprechenden redundanten Speicherbereich ersetzt werden,
so dass bei Anliegen der Adresse des fehlerhaften Speicherbereichs
anstelle des regulären
adressierten Speicherbereichs der redundante Speicherbereich adressiert
wird.
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So
hergestellte und reparierte Speicherschaltungen werden danach üblicherweise
zu Modulen zusammengesetzt und erneut getestet. Beim Zusammensetzen
der Speicherschaltungen zu Modulen kann es aufgrund von Zelldegradationseffekten zu
einem oder mehreren Fehlern in einem oder mehreren der Speicherschaltungen
der Module kommen. Da ein solches Speichermodul aus einer größeren Anzahl
von Speicherschaltungen, z.B. 36, aufgebaut ist, ist die Wahrscheinlichkeit,
dass ein solcher Einzelzellenfehler in einem Speichermodul auftritt,
ziemlich hoch, wodurch die Ausbeute bei der Herstellung von Speichermodulen
stark reduziert wird.
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Einige
Hersteller von Speichermodulen sehen elektrische Fuses vor, um Einzelzellenfehler nach
dem Aufbau des Speichermoduls zu reparieren. Dies wird beispielsweise
durchgeführt,
indem einzelne Register in dem in der Speicherschaltung befindli chen
Logikabschnitten vorgesehen werden. Diese Register können so
vorgesehen sein, um individuell fehlerhafte Speicherzellen zu ersetzen.
Dies wird durch das Programmieren von elektrischen Fuse mithilfe
elektrischer Ströme
durchgeführt,
nachdem das Modul aufgebaut ist. Die Fehleradresse wird dabei in den
elektrischen Fuses eingestellt. Dies hat den Nachteil, dass zusätzliche
Chipfläche
benötigt
wird, um zusätzliche
Logikschaltkreise und Registerschaltkreise unterzubringen. Zudem
können
die Register selbst fehlerhaft sein und nun weiterhin repariert
werden müssen.
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Des
weiteren können
nach dem Aufbau des Speichermoduls auftretende Einzelzellenfehler
durch weitere redundante Speicherbereich in dem Speicherzellenfeld
repariert werden. Dies kann durch Auswählen der weiteren redundanten
Speicherbereiche durch elektrische Fuses vorgenommen werden. D.h.,
bei Anliegen einer durch die elektrischen Fuses eingestellten Adresse
wird anstelle des Speicherbereichs mit der fehlerhaften Einzelzelle
ein weiterer redundanter Speicherbereich adressiert. Dies hat den Nachteil,
dass zusätzliche
redundante Speicherbereiche vorgesehen werden müssen, die nur im Fall, dass
ein Einzelzellenfehler nach dem Zusammenbau des Speichermoduls auftritt,
verwendet werden. Diese benötigen
zusätzliche
Chipfläche
und erhöht
somit die Kosten der Herstellung der Speicherschaltungen.
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Es
ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Speicherschaltung zur
Verfügung
zu stellen, mit der nach dem Zusammenbau von Speichermodulen auftretende
Fehler in Speicherbereichen in einfacher Weise repariert werden
können,
ohne dass eine große
zusätzliche
Chipfläche
benötigt
wird. Es ist weiterhin Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren
zum Reparieren einer Speicherschaltung zur Verfügung zu stellen.
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Diese
Aufgabe wird durch die Speicherschaltung nach Anspruch 1 sowie durch
das Verfahren nach Anspruch 9 gelöst.
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Weitere
vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
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Gemäß einem
ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Speicherschaltung
mit einem regulären
Speicherbereich und einem redundanten Speicherbereich vorgesehen.
Dem redundanten Speicherbereich ist eine Redundanzschaltung zugeordnet,
die permanent einstellbare Speicherelemente aufweist, um in einen
ersten Einstellungszustand bei Adressierung des regulären Speicherbereichs
mit einer durch den ersten Einstellungszustand bestimmten Speicheradresse
den zugeordneten redundanten Speicherbereich zu adressieren. Erfindungsgemäß ist die
Redundanzschaltung so geschaltet, dass sie in einem zweiten Einstellungszustand
der permanent einstellbaren Speicherelemente den redundanten Speicherbereich
abhängig
von einem Aktivierungssignal adressiert.
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Die
erfindungsgemäße Speicherschaltung hat
den Vorteil, dass nach der Reparatur der Speicherschaltung, z.B.
in einem Frontend-Reparaturverfahren, durch Einstellen der permanent
einstellbaren Speicherelemente, die beispielsweise als Laser-Fuses ausgebildet
sind, z.B. in einem Laser-Trimming-Prozess, ein weiterer Reparaturschritt
erfolgen kann, der die nicht verwendeten redundanten Speicherbereiche
zur Reparatur von Einzelzellenfehlern benutzt, die nach dem Zusammenbau
der Speicherschaltungen in einem Speichermodul aufgetreten sind.
Dies wird durchgeführt,
indem ein erster und ein zweiter Einstellungszustand in der Redundanzschaltung
festgestellt wird, wobei abhängig
von einem zweiten Einstellungszustand der jeweils zugeordnete redundante
Speicherbereich mit einem Aktivierungssignal adressiert werden kann.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung können
die permanent einstellbaren Speicherelemente jeder der Redundanzschaltungen
ein permanent einstellbares Aktivierungsspeicherelement umfassen.
Der erste Einstellungszustand einer der Redundanzschaltungen ist
dadurch bestimmt, dass sich mindestens das Aktivierungsspeicherelement
in einem ersten Einstellungszustand befindet.
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Alternativ
kann der zweite Einstellungszustand dadurch bestimmt sein, dass
sich das Aktivierungsspeicherelement in einem zweiten Einstellungszustand
befindet.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung ist es möglich,
dass die permanent einstellbaren Speicherelemente jeder der Redundanzschaltungen
jeweils ein Korrekturspeicherelement umfassen, wobei der zweite
Einstellungszustand durch einen Einstellungszustand des Korrekturspeicherelementes
bestimmt ist.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist eine Fehlerkorrekturschaltung vorgesehen,
die weitere permanent einstellbare Speicherelemente zum Einstellen
einer weiteren Speicheradresse umfasst, um das Aktivierungssignal abhängig von
dem Anliegen der weiteren Speicheradresse zu generieren. Insbesondere
kann die Fehlerkorrekturschaltung mit mehreren Redundanzschaltungen
für mehrere
redundante Speicherbereiche verbunden sein, um das Aktivierungssignal
den mehreren Redundanzschaltungen zur Verfügung zu stellen. Auf diese
Weise kann mithilfe der Fehlerkorrekturschaltung ein nach dem Einbau
der Speicherschaltung auftretender Fehler in einer Einzelzelle oder
in einem Speicherbereich mithilfe der Fehlerkorrekturschaltung repariert
werden. Dazu wird die Adresse des zu reparierenden Speicherbereichs
in den weiteren permanent einstellbaren Speicherelementen kodiert,
so dass das Aktivierungssignal bei Anliegen dieser Adresse so ausgegeben
wird, dass zumindest einer der angeschlossenen Redundanzschaltungen
zugeordneten redundanten Speicherbereich adressieren. Weiterhin
ist es dadurch möglich, zuvor
bei dem Reparaturschritt während
des Fertigungsverfahrens der Speicherschaltungen nicht benutzte
redundante Speicherbereiche für
die Reparatur von anschließend
auftretenden Fehlern zu verwenden.
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Vorzugsweise
ist mindestens eines der permanent einstellbaren Speicherelemente
und/oder der weiteren permanent einstellbaren Speicherelemente mit
einem Fuse-Speicherelement ausgebildet. Dabei sind zumindest die
permanent einstellbaren Speicherelemente mit einem Laserfuse-Speicherelement
und einem der weiteren permanent einstellbaren Speicherelemente
mit einem e-Fuse-Speicherelement (eine elektronische Fuse, die elektrisch
programmierbar ist) ausgebildet. Dies hat den Vorteil, dass bei
dem Herstellungsverfahren der Speicherschaltung auftretende Fehler
mithilfe eines Laser-Trimming-Prozesses,
bei dem Laser-Fuses gemäß einer
Vorgabe durchtrennt werden oder nicht, repariert werden können, während nach
dem Fertigstellen der Speicherschaltungen auftretenden Fehler durch
einen elektrischen Programmierprozess von einer oder mehreren e-Fuses
durchgeführt
wird, da die Speicherschaltungen in der Regel in ein Gehäuse eingehäust sind
und somit für
einen Laser-Trimming-Prozess nicht mehr zugänglich sind.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum
Reparieren einer Speicherschaltung mit regulären Speicherbereichen und redundanten
Speicherbereichen vorgesehen. Jedem der redundanten Speicherbereiche
ist eine Gruppe permanent einstellbarer Speicherelement zugeordnet.
Es ist ein erster Reparaturschritt vorgesehen, in dem die Speicherelement
einer der Gruppen so eingestellt werden, dass anstelle eines der
regulären
Speicherbereiche an einer durch den ersten Einstellungszustand bestimmten
Speicheradresse der zugeordnete redundante Speicherbereich adressiert
wird. Es ist ein zweiter Reparaturschritt vorgesehen, in dem weitere
permanent einstellbare Speicherelemente so eingestellt werden, dass
abhängig
von dem Anliegen einer zu reparierenden weiteren Speicheradresse
eine der verbliebenen, nicht in dem ersten Reparaturschritt eingestellten
Gruppen der einstellbaren Speicherelemente adressiert wird.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
hat den Vorteil, dass in der Speicherschaltung alle redundanten
Speicherbereiche zum Reparieren von defekten Speicherbereichen bereits
bei der Herstellung der Speicherschaltung zur Verfügung stehen.
Bei Auftreten eines weiteren Fehlers nach dem Fertigstellen der
Speicherschaltung können
dann die nicht verwendeten redundanten Speicherbereiche dazu verwendet
werden, den nachträglich
aufgetretenen Fehler zu reparieren. Ein Vorsehen zusätzlicher
redundanter Speicherbereiche, die nur für den Fall von nachträglich auftretenden
Fehlern vorgesehen werden, ist dadurch überflüssig.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung umfasst der erste Reparaturschritt einen Laser-Trimming-Prozess
zum „Schießen" der als Laser-Fuses
ausgebildeten permanent einstellbaren Speicherelemente und der zweite
Reparaturschritt ein Programmieren von als e-Fuse-Elemente ausgebildete
weitere permanent einstellbare Speicherelemente.
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Bevorzugte
Ausführungsformen
der Erfindung werden im folgenden anhand der beigefügten Zeichnungen
näher erläutert. Es
zeigen:
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1 eine
schematische Darstellung eines Ausschnitts aus einer Speicherschaltung
gemäß dem Stand
der Technik;
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2 eine
Redundanzschaltung zum Adressieren eines redundanten Speicherbereiches
anstelle eines regulären
Speicherbereiches gemäß dem Stand
der Technik;
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3 eine
erfindungsgemäße Speicherschaltung
gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung; und
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4 eine
erfindungsgemäße Speicherschaltung
gemäß einer
weiteren Ausführungsform der
Erfindung.
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In 1 ist
Ausschnitt aus einer herkömmlichen
Speicherschaltung gezeigt, die ein Speicherzellenfeld 1 aufweist,
das reguläre
Speicherbereiche 2 und redundante Speicherbereiche 3 aufweist.
Die regulären
Speicherbereiche 2 sind über reguläre Wortleitungen WL1 adressierbar,
von denen zur besseren Darstellung nur eine gezeigt ist. Die redundanten Speicherbereiche 3 sind
entsprechend über
redundante Wortleitungen WL2 adressierbar, von denen ebenfalls nur
eine gezeigt ist. Zur besseren Übersichtlichkeit
der Darstellungen sind ebenfalls vorhandene Bitleitungen zum Adressieren
der Speicherzellen, die im Wesentlichen senkrecht zur Wortleitung WL
verlaufen, um eine Matrix zu bilden, nicht dargestellt. Die regulären Wortleitungen
WL1 sind mit einem ersten Wortleitungstreiber 4 verbunden,
so dass entsprechende Ansteuersignale auf den regulären Wortleitungen
WL1 durch den ersten Wortleitungstreiber 4 getrieben werden
können.
Gleichermaßen ist
ein zweiter Wortleitungstreiber 5 vorgesehen, um Adressierungssignale
auf die redundanten Wortleitungen WL2 zu treiben.
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Der
erste Wortleitungstreiber 4 ist mit Adressleitungen 6 verbunden,
um abhängig
von einer anliegenden Speicheradresse eine der regulären Wortleitungen
WL1 auszuwählen.
Weiterhin ist der erste Wortleitungstreiber 4 mit einer
Wortleitungsaktivierungsleitung 7 verbunden, über die
ein Wortleitungsaktivierungssignal WL_drive anlegbar ist. Die Wortleitungs-Aktivierungsleitung 7 weist
ein Schaltelement 8 auf, mit dem das Wortleitungsaktivierungssignal
WL_drive an den ersten Wortleitungstreiber 4 angelegt werden
kann oder nicht.
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Der
zweite Wortleitungstreiber 5 ist mit einer Redundanzschaltung 9 verbunden,
wobei abhängig von
der Redundanzschaltung die redundante Wortleitung 2 aktiviert
wird oder nicht. Die Redundanzschaltung 9 ist ebenfalls
mit den Adressleitungen 6 gekoppelt, so dass der zweite
Wortleitungstreiber 5 die redundante Wortleitung abhängig von
einer in der Redundanzschaltung eingestellten Adresse aktiviert und
bei allen übrigen
Adressen die redundante Wortleitung WL2 nicht aktiviert wird. Die
Redundanzschaltung 9 ist dazu mit dem Schaltelement 8 verbunden, um
bei einer Aktivierung einer der redundanten Wortleitungen WL2 das
Schaltelement 8 so zu schalten, dass das Wortleitungsaktivierungssignal
nicht an den ersten Wortleitungstreiber 4 angelegt wird
und somit der erste Wortleitungstreiber 4 keine der regulären Wortleitungen
WL1 aktiviert, wenn die redundante Wortleitung WL2 gesteuert von
der Redundanzschaltung 9 adressiert wird. Ist das Schaltelement 8 so
geschaltet, dass das Wortleitungsaktivierungssignal nicht an den
ersten Wortleitungstreiber 4 angelegt wird, wird das Wortleitungsaktivierungssignal 4 an den
zweiten Wortleitungstreiber 5 angelegt.
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In 2 ist
ein Ausschnitt aus der schematischen Darstellung der 1 dargestellt,
der die Redundanzschaltung 9 und den zweiten Wortleitungstreiber 5 ausführlicher
darstellt. Die Redundanzschaltung umfasst im Wesentlichen ein UND-Gatter,
das mit Fuse-Speicherelementen 10 an seinen Eingängen so
gekoppelt ist, dass bei Anliegen einer in den Fuse-Speichern 10 eingestellten
Speicheradresse an den Adressleitungen 6 eine logische „1" an dem Ausgang des
UND-Gatters anliegt. Die Fuse-Speicherelemente 10 arbeiten
dabei je nach gespeicherter Information als Inverter für das jeweilige
anliegende Adressbit oder nicht, so dass eine vorgegebene Speicheradresse
so kodiert werden kann, dass bei Anliegen der vorgegebenen Speicheradresse
alle Eingänge
des UND-Gatters 11 eine logische „1" annehmen und somit eine logische „1" an dem Ausgang des UND-Gatters 11 bewirken.
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Das
UND-Gatter 11 der Redundanzschaltung 9 gibt als
Ausgangssignal ein Redundanzsignal aus, das zum einen bewirkt, dass
das Schaltelement 8 das Wortleitungsaktivierungssignal
auf den zweiten Wortleitungstreiber 5 umleitet (nicht gezeigt)
und zum anderen dafür
sorgt, dass bei Aktivierung durch das Wortleitungsaktivierungssignal
der zweite Wortleitungstreiber 5 eine logische „1" auf die redundante Wortleitung
ausgibt, um den redundanten Speicherbereich zu aktivieren. Die Fuse- Speicherelemente 10 umfassen
Adress-Fuse-Elemente 12, um die vorbestimmte Adresse einzustellen
und ein Aktivierungs-Fuse-Element 13,
um abhängig
von ihrem Einstellungszustand anzugeben, ob die in den Adress-Fuse-Elementen 12 eingestellte
Adresse gültig
ist oder nicht, d. h. verwendet werden soll oder nicht.
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In 3 ist
eine schematische Darstellung eines Ausschnitts einer erfindungsgemäßen Speicherschaltung
dargestellt. Sie zeigt eine erste Redundanzschaltung 21 und
eine zweite Redundanzschaltung 22, die jeweils über einen
zweiten Wortleitungstreiber 5 mit einer ersten redundanten
Wortleitung WL2' und
einer zweiten redundanten Wortleitung WL2'' so
gekoppelt sind, dass abhängig
von dem Ausgangssignal der ersten bzw. zweiten Redundanzschaltung
die erste redundante Wortleitung WL2' bzw. die zweite redundante Wortleitung
WL2'' aktiviert wird.
Die erste und die zweite Redundanzschaltung 21, 22 sind
im Wesentlichen identisch aufgebaut. Sie dienen dazu, bei Auftreten
eines Fehlers in dem Speicherzellenfeld 1 den fehlerhaften Speicherbereich
durch einen redundanten Speicherbereich zu ersetzen. Der Fehler
wird in einem Testverfahren in einem Frontend-Testprozess festgestellt und
abhängig
von der daraus ermittelten Reparaturlösung Einstellungen in den Redundanzschaltunen 21, 22 vorgenommen.
Dazu sehen die Redundanzschaltungen 21, 22 die
Fuse-Speicherelemente 10 vor, die die Adress-Fuseelement 12 und
das Aktivierungs-Fuse-Element 13 umfassen.
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Die
Fuse-Speicherelemente 10 sind vorzugsweise als Laser-Fuses ausgebildet,
die in einem Laser-Trimming-Prozess in einem nicht gehäusten Zustand
der integrierten Speicherschaltung eingestellt werden. Beim Laser-Trimming-Prozess
wird mit einem Laserstrahl eine vormals bestehende Verbindungsleitung
an einer definierten Position durch Aufschmelzen durchgeschnitten,
so dass die Verbindungsleitung getrennt wird. Das Verwenden solcher Laserfuses
ist vorteilhaft, da diese in einfacher Weise und mit vergleichsweise
geringem Flächenauf wand in
der integrierten Speicherschaltung realisiert werden können.
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Die
Fuse-Elemente 10 sind mit Eingängen eines UND-Gatters 23 verbunden,
das bei Anliegen der eingestellten Adresse in den Adress-Fuse-Elementen 12 und
bei einem Durchtrennen des Aktivierungs-Fuse-Elementes 13 an
jedem der Eingänge des
UND-Gatters 23 eine
logische „1" anliegt und somit
an dem Ausgang des UND-Gatters 23 ebenfalls eine logische „1" anliegt, die an
einen Eingang eines ODER-Gatters 24 geleitet wird. Das
ODER-Gatter 24 gibt an seinem Ausgang eine logische „1" aus, wenn an dem
ersten Eingang eine logische „1" anliegt. Dadurch
kann die jeweilige redundante Wortleitung WL2 aktiviert werden.
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Die
Redundanzschaltung 21, 22 weist weiterhin ein
weiteres UND-Gatter 25 auf, das mit einem ersten Eingang
mit einem Fehlerkorrektur-Fuse-Element 26 und mit einem
zweiten Eingang mit einer Fehlerkorrekturschaltung 27 verbunden
ist. Ein Ausgang des weiteren UND-Gatters 25 ist mit einem zweiten
Eingang des ODER-Gatters 24 verbunden. Somit wird die jeweilige
redundante Wortleitung WL2 aktiviert, wenn entweder die in den Adress-Fuse-Elementen 12 eingestellte
Adresse an den Adressleitungen 6 anliegt und das Aktivierungs-Fuse-Element 13 durchtrennt
ist oder wenn am Ausgang des weiteren UND-Gatters 25 eine
logische „1" anliegt. Dies ist
der Fall, wenn das Korrektur-Fuse-Element 26 entsprechend
eingestellt ist, d. h. durchtrennt ist und somit an dem ersten Eingang
des weiteren UND-Gatters 25 eine logische „1" anliegt, wenn ein
Aktivierungssignal von der Fehlerkorrekturschaltung 27 an
dem zweiten Eingang des weiteren UND-Gatters 25 angelegt
ist.
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Das
Aktivierungssignal wird von der Fehlerkorrekturschaltung 27 generiert,
die elektrische Fuse-Elemente 28 aufweist, um eine angelegte
Adresse so zu kodieren, dass bei der angelegten Speicheradresse
ein Aktivierungssignal mit einer logischen "1" erzeugt
wird. Die elektrischen Fuse-Elemente 28 wei sen elektrische
Fuse-Elemente 29 und ein weiteres Aktivierungsfuse-Element 30 auf.
Elektrische Fuse-Elemente 28 werden im Gegensatz zu Laserfuses durch
Anlegen eines elektrischen Programmierstromes programmiert, so dass
die freie Zugänglichkeit der
Chipfläche,
wie in einem Laser-Trimming-Prozess benötigt, nicht notwendig ist.
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Im
dargestellten Ausführungsbeispiel
der 3 ist die Fehlerkorrekturschaltung 27 mit
zwei Redundanzschaltungen 21, 22 verbunden. Die
Anzahl der angeschlossenen Redundanzschaltungen ist jedoch nicht
auf zwei begrenzt und es können
beliebig viele Redundanzschaltungen mit der Fehlerkorrekturschaltung 27 verbunden
sein. Das Korrektur-Fuse-Element 26 ist ebenfalls als Laserfuse-Element
ausgebildet. Zum Reparieren wird das Laserfuse-Element so ausgewählt, dass
eine in dem Frontend-Reparaturschritt nicht benötigte Redundanzschaltung aus
allen mit einer Fehlerkorrekturschaltung 27 verbundenen
Redundanzschaltungen ausgewählt
wird, die für
einen nachfolgenden nach Fertigstellung der Speicherschaltung evtl.
vorzusehenden Reparaturschritt ausgewählt wird. Alternativ kann das
Korrekturfuse-Element 26 auch als elektrisches Fuse-Element
ausgebildet sein, um das Auswählen
der bei dem Frontend-Reparaturschritt
nicht benötigten
Redundanzschaltung im Wesentlichen gleichzeitig mit dem Programmieren
der elektrischen Fuse-Elemente 28 der Fehlerkorrekturschaltung 27 zu
programmieren.
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Es
kann ebenso vorgesehen sein, dass das Aktivierungssignal über einen
externen Anschluss an die Speicherschaltung herangeführt wird
und die Fehlerkorrekturschaltung 27 sich im Wesentlichen außerhalb
der zu reparierenden Speicherschaltung befindet.
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In 4 ist
eine weitere Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung dargestellt. Gleiche Bezugszeichen entsprechen
im Wesentlichen den gleichen Elementen wie in der Ausführungsform
der 3. Die Ausführungsform
der 4 ermöglicht es,
das Aktivierungsfuse-Element 13 der Redundanzschaltungen 21, 22 wegzulassen
und statt dessen den entsprechenden Eingang des UND-Gatters 23 über einen
Inverter mit dem Korrekturfuse-Element 26 zu koppeln. Ist
das Korrekturfuse-Element in einem ersten unveränderten Zustand, liegt eine
logische „0" an dem ersten Eingang
des weiteren UND-Gatters an und eine logische „1" an dem entsprechenden Eingang des UND-Gatters 23 an,
wodurch die Kodierung der Adressfuse-Elemente 12 wirksam
ist.
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Befindet
sich das Korrekturfuse-Element 26 in einem zweiten Zustand,
liegt an dem ersten Eingang des weiteren UND-Gatters 25 eine
logische „1" an und somit einen
logische „0" an dem entsprechenden
Eingang des UND-Gatters 23, wodurch am Ausgang des UND-Gatters 23 in
jedem Fall eine logische „0" anliegt, so dass
die angelegte Adresse in keinem Fall die zugeordnete redundante
Wortleitung WL2 aktivieren kann. Damit steht jedoch die Redundanzschaltung
für eine
Reparatur durch die Vorgabe des Aktivierungssignals, das von der
Fehlerkorrekturschaltung 27 generiert werden kann, zur
Verfügung.
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- 1
- Speicherzellenfeld
- 2
- regulärer Speicherbereich
- 3
- redundanter
Speicherbereich
- 4
- erster
Wortleitungstreiber
- 5
- zweiter
Wortleitungstreiber
- 6
- Adressleitungen
- 7
- Wortleitungs-Aktivierungsleitung
- 8
- Schaltelement
- 9
- Redundanzschaltung
- 10
- Fus-Elemente
- 11
- UND-Gatter
- 12
- Adress-Fuse-Elemente
- 13
- Aktivierungs-Fuse-Element
- 21,
22
- Redundanzschaltungen
- 23
- UND-Gatter
- 24
- ODER-Gatter
- 25
- weiteres
UND-Gatter
- 26
- Korrektur-Fuse-Element
- 27
- Fehlerkorrekturschaltung
- 28
- elektrische
Fuseelemente
- 29
- weitere
Adressfuse-Elemente
- 30
- weiteres
Aktivierungsfuse-Element