DE4205576A1

DE4205576A1 - Reinigungsvorrichtung und reinigungsverfahren

Info

Publication number: DE4205576A1
Application number: DE4205576A
Authority: DE
Inventors: Masashi Ohmori; Satoru Kotoh; Shinji Nakajima
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1991-10-09
Filing date: 1992-02-24
Publication date: 1993-04-15
Anticipated expiration: 2012-02-25
Also published as: JPH05102119A; DE4205576C2; US5379785A; JP2696017B2

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Reinigungsvorrichtung sowie ein Reinigungsverfahren und insbesondere auf eine sol che Reinigungsvorrichtung sowie ein solches Reinigungsver fahren, um ein Reinigen durchzuführen, beispielsweise Fremd körperchen zu entfernen, indem das gesamte zu reinigende Substrat in einem Reinigungsbehälter mit Ultraschallwellen bestrahlt wird.

Zum Stand der Technik zeigt die beigefügte Fig. 11 eine her kömmliche Reinigungsvorrichtung, um ein Halbleiterplättchen (Wafer) in einem Chemikalien enthaltenden Behälter unter Anwendung von Ultraschallschwingungen zu reinigen. Bei die ser Vorrichtung wird ein innerer Behälter 2, der im allge meinen aus Quarz gefertigt wird, mit einer Chemikalie 19 be schickt, die für ein Beseitigen von Fremdkörpern oder kon taminierenden Stoffen von einem zu reinigenden Substrat 4 präpariert ist, z. B. eine Mischung aus NH₄OH, H₂O₂ und rei nem Wasser ist. Die vom inneren Behälter 2 überfließende Reinigungschemikalie 19 wird in einem Überlaufbehälter 3 aufgenommen, der an der Außenseite des inneren Behälters 2 vorgesehen ist. Die Chemikalie 19 in dem Überlaufbehäl ter 3 wird durch ein (nicht dargestelltes) Filter gefiltert und dann durch eine (nicht dargestellte) Umwälzpumpe zum inneren Behälter 2 zurückgeführt, wobei die Chemikalie 19 im inneren Behälter 2 auf diese Weise saubergehalten wird. Wenn es erwünscht ist, die Temperatur der Chemikalie 19 in dem inneren Behälter 2 auf 40°C bis 70°C zu halten, kann eine (nicht dargestellte) Heizvorrichtung, die in einer Quarzröhre eingeschlossen ist, innerhalb des Behälters 2 angeordnet werden.

Sowohl der innere Behälter 2 als auch der Überlaufbehälter 3 werden in einem Außenbehälter 9 gehalten, an dessen Boden bereich eine Flüssigkeit, z. B. Wasser, die als Ultraschall wellen-Übertragungsmedium dient, vorhanden bzw. in Berührung ist, wobei die untere Fläche des inneren Behälters 2 von dem Ultraschallwellen-Übertragungsmedium 8 bespült wird. Wenigstens ein Teil der Bodenfläche des Außenbehälters 9 wird von einer Ultraschallwellen-Strahlungsplatte 6 gebil det. An der unteren Fläche dieser Strahlungsplatte 6 sind Ultraschallschwinger 7 in einer Mehrzahl angebracht. Ein Waferkorb 1 hält eine Mehrzahl von zu reinigenden Substraten 4 in vertikaler Ausrichtung, wie in Fig. 11 gezeigt ist. Durch eine Korbführung 5 wird der Waferkorb 1 im inneren Behälter 2 positioniert.

Bei der herkömmlichen Reinigungsvorrichtung mit dem vorste hend beschriebenen Aufbau, die der Reinigung von Substraten 4 dient, werden Ultraschallwellen in das diese übertragende Medium 8 von den Ultraschallschwingern 7 durch die Ultraschall wellen-Strahlungsplatte 6 hindurch zum Einstrahlen gebracht. Diese eingestrahlen Ultraschallwellen treten durch den Boden des inneren Behälters 2 und werden in die Chemikalie 19 hin ein übertragen. Dabei bringt die Ultraschallenergie die Chemikalie 19 mit einer durch die Ultraschallschwinger 7 bestimmten Frequenz zum Vibrieren. Die in Schwingungen ver setzte Chemikalie 19 wirkt physikalisch auf die Flächen am zu reinigenden Substrat 4 ein. Insofern werden die Flächen dieses Substrats 7 aufgrund einer Kombination einer chemi schen Reinigungswirkung durch die Chemikalie 19 und einer physikalischen Reinigungswirkung durch die Ultraschallschwin gungen in ausreichender Weise gereinigt.

Der untere Teil des Waferkorbs 1 ist im allgemeinen einwärts gezogen, um ein Wafer-Lagerungsteil 20 zu bilden, das das zu reinigende Substrat 4 festhält. Das Lagerungsteil 20 wirkt jedoch dahingehend, Ultraschallschwingungen, die von der Bodenfläche des inneren Behälters 2 in einer aufwärtigen Richtung in die Chemikalie 19 hinein übertragen werden, zu dämpfen. Vor allem werden Ultraschallschwingungen nicht in zufriedenstellender und ausreichender Weise zu den Periphe riebereichen 10 des zu reinigenden Substrats 4 hin, die ober halb des Wafer-Lagerungsteils 20 liegen und in Fig. 11 durch eine Serie von x-Zeichen am zu reinigenden Substrat 4 ange geben sind, übertragen. Deshalb werden diese Peripheriebe reiche 10 des Substrats 4 nicht der physikalischen Wirkung der Ultraschallwellen ausgesetzt und insofern nicht in aus reichender Weise gereinigt, wie der Fig. 12 zu entnehmen ist, die eine Darstellung dafür gibt, wie das zu reinigen de Substrat 4 mit der Zeit gereinigt wird. Ein Reinigen der Peripheriebereiche 10 allein durch die chemische Wirkung der Chemikalie 19 beansprucht einen langen Zeitraum.

Die oben beschriebene Art einer herkömmlichen Reinigungsvor richtung und eines herkömmlichen Reinigungsverfahrens weisen den Nachteil auf, daß die Ultraschallschwingungen nicht aus reichend auf die Peripheriebereiche des zu reinigenden Sub strats 4 übertragen werden und insofern dieses Substrat nicht gleichförmig, wirksam und gründlich gereinigt werden kann.

Es ist folglich die primäre Aufgabe der Erfindung, eine Rei nigungsvorrichtung zu schaffen und ein Reinigungsverfahren anzugeben, womit man in der Lage ist, das gesamte Halbleiter plättchen gleichförmig, leistungsfähig und gründlich zu rei nigen.

Um diese Aufgabe zu lösen, schafft die Erfindung eine Reini gungsvorrichtung, die ein Trägerelement zur Abstützung eines zu reinigenden Substrats, einen inneren Behälter zur Aufnah me des zu reinigenden Substrats und des Trägerelements, wobei der innere Behälter mit einer Reinigungschemikalie beschickt wird, einen rund um den inneren Behälter herum angeordneten Außenbehälter, wobei der Außenbehälter mit einem Ultraschall wellen-Übertragungsmedium beschickt wird, und einen Ultra schallschwinger, der an einer Außenwand des äußeren Behäl ters vorgesehen ist, um Ultraschallwellen zu dem zu reini genden Substrat im inneren Behälter auszustrahlen, umfaßt.

Das Reinigungsverfahren gemäß der Erfindung sieht die Schrit te vor: Einfüllen eines Ultraschallwellen-Übertragungsmediums in einen Außenbehälter, wobei an einer Seitenwand von diesem ein Ultraschallschwinger vorhanden ist, Aufnehmen eines zu reinigenden Substrats in einem inneren Behälter, der im Außenbehälter angeordnet sowie mit einer reinigenden Chemi kalie angefüllt ist, und Einstrahlen von Ultraschallwellen zum zu reinigenden Substrat hin von der Seite des Außenbehäl ters aus, um das zu reinigende Substrat einem Reinigungsvor gang zu unterwerfen.

Die Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen an hand von verschiedenen bevorzugten Ausführungsformen von Reinigungsvorrichtungen und damit durchzuführenden Verfahren erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 einen schematischen Querschnitt einer ersten Ausfüh rungsform einer Reinigungsvorrichtung gemäß der Erfindung;

Fig. 2 eine Ansicht eines zu reinigenden Substrats, wobei dargestellt ist, wie sich die Verschmutzung an die sem Substrat ändert oder verringert, wenn das Sub strat in Übereinstimmung mit der Erfindung gereinigt wird;

Fig. 3 einen schematischen Querschnitt einer zweiten Ausfüh rungsform einer Reinigungsvorrichtung gemäß der Erfindung;

Fig. 4 einen schematischen Querschnitt einer dritten Ausfüh rungsform einer Reinigungsvorrichtung gemäß der Erfindung;

Fig. 5 eine Ansicht eines Trägerelements der Reinigungsvor richtung von Fig. 3;

Fig. 6 eine Seitenansicht des Trägerelements der Reinigungs vorrichtung von Fig. 3;

Fig. 7 bis 9 schematische Querschnitte einer vierten, fünf ten sowie sechsten Ausführungsform einer Reinigungs vorrichtung gemäß der Erfindung;

Fig. 10 einen schematischen Querschnitt der Reinigungsvor richtung zur Erläuterung der Brechung und Reflexion von Ultraschallwellen bei der fünften und sechsten Ausführungsform;

Fig. 11 einen schematischen Querschnitt der bereits bespro chenen herkömmlichen Reinigungsvorrichtung;

Fig. 12 eine Ansicht eines zu reinigenden Substrats, wobei dargestellt ist, wie sich die Verschmutzung des Substrats ändert, wenn dieses mittels der herkömm lichen Reinigungsvorrichtung gereinigt wird.

Im folgenden werden die verschiedenen erfindungsgemäßen Aus führungsformen im einzelnen beschrieben.

1. Ausführungsform

Es ist vorauszuschicken, daß in den Figuren gleiche Bezugszei chen jeweils gleiche Teile bezeichnen.

Die in Fig. 1 gezeigte Reinigungsvorrichtung besitzt einen inneren Behälter 2 und einen Außenbehälter 9, die als die Reinigungsbehälter verwendet werden. Im inneren Behälter 2 werden zu reinigende Substrate 4, z. B. Halbleiterplätt chen,von einer Mehrzahl von Trägerelementen 21 abgestützt. Der innere Behälter 2 ist mit einer Reinigungschemikalie 19, z. B. einer organischen Flüssigkeit, einer Säure oder einem Alkali gefüllt. Ultraschallschwinger 7, die Ultraschallwel len mit einem Frequenzbereich von 10 kHz bis einige zehn MHz erzeugen, sind an der Seitenwand des Außenbehälters 9 vorhanden. Die von den Schwingern 7 hervorgerufenen Ultra schallwellen werden durch das Ultraschallwellen-Übertragungs medium 8 hindurch, z. B. Wasser, das zwischen den Außenbehäl ter 9 und den inneren Behälter 2 eingefüllt ist, in die Che mikalie im inneren Behälter 2 übertragen.

Bei der in der obigen Weise ausgestalteten Reinigungsvor richtung pflanzen sich Ultraschallwellen im allgemeinen in gerader Richtung oder Linie fort. Wenn das Substrat 4 durch die Chemikalie 19 gereinigt wird, so kann eine wirksamere Reinigung durch das Einstrahlen von Ultraschallwellen auf das zu reinigende Substrat 4 erzielt werden. Werden die Ul traschallwellen von der Seite der Reinigungsvorrichtung aus durch die Ultraschallschwinger 7 eingestrahlt, wie in Fig. 1 gezeigt ist, so blockieren die Trägerelemente 21 einen äußerst geringen Teil der Ultraschallwellen, der dann nicht das Substrat 4 erreicht. Dennoch kann dieses Substrat 4 gleichförmig und wirksam gereinigt werden. Das bedeutet, daß das Substrat 4 auf seiner gesamten Oberfläche gereinigt wird, wie in Fig. 2 gezeigt ist.

2. Ausführungsform

Gemäß dieser Ausführungsform (s. Fig. 3) wird das Substrat 4 von Trägerelementen 21a und 21b abgestützt, die auf unter schiedlichen Höhenlagen angeordnet sind, so daß das Träger element 21a nicht die vom Ultraschallwellenschwinger 7a er zeugten Ultraschallwellen am Erreichen des Trägerelements 21b hindert, während andererseits das Trägerelement 21b nicht die von den Ultraschallschwingern 7b erzeugten Ultra schallwellen blockiert, so daß diese das Trägerelement 21a erreichen können.

Da bei dieser Vorrichtung Ultraschallwellen, wenn sie auf das Substrat 4 zum Einstrahlen gebracht werden, nicht bloc kiert werden, kann das Substrat auf seiner gesamten Ober fläche gleichförmig und leistungsfähig gereinigt werden.

3. Ausführungsform

Die Fig. 4 zeigt die dritte Ausführungsform einer erfindungs gemäßen Reinigungsvorrichtung. Hierbei sind die Seitenwände 9a und 9b des Außenbehälters 9 derart geneigt, daß die Win kel R₁ und R₂ zwischen in den Trägerelementen 21a sowie 21b ausgebildeten Kehlen 22a sowie 22b und den Seitenwänden 9a sowie 9b einen Wert von 90° oder darüber haben. Die Ausbil dung und Ausrichtung der Kehlen 22a, 22b in den Trägerelemen ten 21a, 21b sind in Fig. 5 und 6 dargestellt. Die Seiten wände 9a und 9b des Außenbehälters 9 sind folglich derart geneigt, daß die Trägerelemente 21a und 21b die von den Ultraschallschwingern 7a und 7b erzeugten Ultraschallwellen nicht an einem Erreichen des Substrats hindern. Demzufolge werden Ultraschallwellen auf das gesamte Substrat 4 zum Ein strahlen gebracht, welches insofern wirksam gereinigt werden kann.

4. Ausführungsform

Bei der in Fig. 7 gezeigten Vorrichtung in einer vierten erfindungsgemäßen Ausführungsform sind sowohl die Seitenwän de 9a und 9b eines Außenbehälters 9A als auch die Seiten wände 2a und 2b eines inneren Behälters 2A geneigt, so daß die Ultraschallwellen von den Ultraschallschwingern 7a in einer Abwärtsrichtung durch die Seitenwand 2b des inneren Behälters 2A reflektiert werden können. Die reflektierten Ultraschallwellen werden zum Einstrahlen auf das Substrat 4 gebracht. Von den Seitenwänden 2a und 2b reflektierte Ul traschallwellen werden somit für ein Reinigen verwendet, wodurch die Reinigungsleistung gesteigert werden kann.

Wenn angenommen wird, daß die Chemikalie 19 reines Wasser ist und die Seitenwände 2a sowie 2b des inneren Behälters aus Quarz gefertigt sind, so ist der kritische Winkel Rb der vom Wasser zum Quarz laufenden Ultraschallwellen durch sin Rb = 1483/6570 gegeben und beträgt folglich 15°. Bei diesem Winkel werden die von der Chemikalie 19 auf die Sei tenwand 2b einfallenden Ultraschallwellen alle durch die Quarzfläche in die Chemikalie 19 reflektiert. Das bedeutet, daß die reflektierten Ultraschallwellen auf das Substrat 4 wirksamer zum Einstrahlen gebracht werden können, indem der Einfallswinkel Ra der Ultraschallwellen auf den kriti schen Winkel Rb oder darüber vergrößert wird. Hierbei werden die Seitenwände 2a, 2b, 9a und 9b bevorzugterweise so ge neigt, daß der Einfallswinkel Ra größer als der durch das Material der Chemikalie 19 bestimmte kritische Winkel ist, und daß der Winkel des inneren Behälters 2A beispielsweise 10° oder mehr beträgt.

5. Ausführungsform

Die Fig. 8 zeigt in einem schematischen Querschnitt die fünf te Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Reinigungsvorrich tung, wobei die Seitenwände 2c und 2d eines inneren Behälters 2B eine keilförmige Gestalt haben und die obere Fläche die ser Wände breiter als die untere Fläche ist. Durch die Ultra schallschwinger 7a erzeugte Ultraschallwellen 25 pflanzen sich durch das im Außenbehälter 9 enthaltene Ultraschallwel len-Übertragungsmedium 8 hindurch fort, werden durch die Seitenwand 2c des inneren Behälters 2B gebrochen und treten dann in den inneren Behälter 2B ein. In diesem Behälter 2B werden die Ultraschallwellen 25 zum Einstrahlen auf das Sub strat 4 gebracht, so daß die Reinigungswirkung der Chemikalie 19 gesteigert wird. Die durch das Substrat tretenden Ultra schallwellen 25 werden von der Seitenwand 2d des inneren Behälters 2B reflektiert und strahlen erneut auf das Sub strat 4 ein. Insofern kann die Reinigungswirkung am Substrat 4 erheblich gesteigert werden.

6. Ausführungsform

Bei der in Fig. 9 gezeigten 6. Ausführungsform einer Reini gungsvorrichtung haben die Seitenwände 2e und 2f eines inne ren Behälters 2C eine mehrstufige, keilförmige Gestalt und sind insofern dünn gefertigt. Ultraschallwellen 25 pflanzen sich in derselben Weise wie bei der 5. Ausführungsform fort. Da jedoch die Seitenwände 2e und 2f des inneren Behälters 2C schwächer sind, kann der Durchlaßgrad der vom Außenbehälter 9 in den inneren Behälter 2C sich fortpflanzenden Ultraschall wellen mit Bezug auf die Seitenwände 2e und 2f vergrößert werden.

Im folgenden wird die 5. Ausführungsform mit der 6. Ausfüh rungsform bezüglich des Einstrahlens der Ultraschallwellen 25 in rechtwinkliger Richtung zum inneren Behälter 2B, wie in Fig. 10 gezeigt ist, verglichen. Bei der 5. Ausführungs form ist die Beziehung zwischen dem Durchlaßgrad D an der Seitenwand 2c des inneren Behälters 2B, des Einfallswinkels Ri an der Seitenwand 2c des inneren Behälters 2B und des Reflexionswinkels Rx durch die folgende Gleichung gegeben (in Fig. 10 ist Rt der Übertragungswinkel der Ultraschall wellen, die in den inneren Behälter 2B eintreten):
1/R = cos² (2πb/λ₁) + (ϕ₁C₁/ϕ₀C₀ + ϕ₀C₀/ϕ₁C₁)²sin²(2πb/λ₁). Hierin ist ϕ₀ die Dichte der Chemikalie 19 (die, wenn die Chemikalie Wasser ist, gleich 0,992·10³ kg/m³ ist), ϕ₁ die Dichte der Seitenwände 2c und 2d des inneren Behälters 2B (die, wenn die Seitenwände aus Quarz bestehen, gleich 2,7·10³ kg/m³ ist), C₀ die Schallgeschwindigkeit der Ultra schallwellen in der Chemikalie 19 (die, wenn die Chemikalie 19 Wasser ist, gleich 1483 m/s ist), C₁ die Schallgeschwin digkeit der Ultraschallwellen in den Seitenwänden 2c und 2d des inneren Behälters 2B (die, wenn die Seitenwände aus Quarz bestehen, gleich 5570 m/s ist), b die mittlere Dicke der Seitenwände 2c und 2d des inneren Behälters 2B und λ₁ die Wellenlänge der Ultraschallwellen in den Seitenwän den 2c und 2d des inneren Behälters 2B, wobei λ₁ = 5570/1·10⁶ = 0,00557 m ist, wenn die Seitenwände aus Quarz bestehen und die Frequenz der Ultraschallwellen 1 MHz ist.

Es folgt aus Rx = 2Ri - sin^-1(1483/5570 sinRi),
wenn Ri = 3°, D = 25,5%, Rx = 5,20° und b = 7,9 mm,
wenn Ri = 5°, D = 11,2%, Rx = 8,67° und b = 13,1 mm,
wenn Ri = 7°, D = 6,4%, Rx = 12,14° und b = 18,4 mm,
wenn Ri = 10°, D = 3,1%, Rx = 17,35° und b = 26,4 mm.

Aus den obigen Ergebnissen wird klar, daß alle Ultraschall wellen 25 durch die Seitenwand 2d des inneren Behälters 2B reflektiert werden können, wenn Ri 8° ist. Die mehrstufigen, keilförmig gestalteten Seitenwände 2e und 2f von Fig. 9 sind dünner als die Seitenwände 2c und 2d von Fig. 8, jedoch ge währleisten sie, daß Ri 8° ist. Das bedeutet, daß bei spielsweise im Fall von fünfstufigen Keilen b = 17,6% ist, wenn Ri = 10 ist. Deshalb kann der Durchlaßgrad D an den Seitenwänden 2e und 2f doppelt so groß wie derjenige der Seitenwände 2c und 2d gemacht werden. Durch weitere Erhöhung der Anzahl der Stufen des Keils kann der Durchlaßgrad D weiter vergrößert werden.

Bei der 5. Ausführungsform (Fig. 8) sind der Außenbehälter 9 und die außenliegenden Seitenwände des inneren Behälters 2B parallel zueinander ausgestaltet, wobei die Ultraschallwel len von den Ultraschallschwingern 7a und 7b rechtwinklig zum inneren Behälters 2B eingestrahlt werden. Jedoch kann die mittlere Dicke 2b des inneren Behälters vermindert werden, um den Durchlaßgrad D zu vergrößern, indem ein Außenbehäl ter 9 vorgesehen wird, der eine entgegengesetzt keilförmig verlaufende Seitenwand hat, so daß Rx ohne eine Vergrößerung von Ri vergrößert wird.

Mittels einer Reinigungsvorrichtung und einem Reinigungs verfahren wird die gesamte Oberfläche eines zu reinigenden Substrats leistungsfähig und wirksam gereinigt, indem gleich förmig Ultraschallwellen auf das Substrat eingestrahlt wer den. Von an der Seitenwand eines Außenbehälters vorgesehenen Ultraschallschwingern erzeugte Ultraschallwellen werden durch ein Ultraschallwellen-Übertragungsmedium, z. B. Wasser, das zwischen dem Außenbehälter und einem Innenbehälter vorhanden ist, übertragen und auf ein zu reinigendes Substrat, z. B. ein Halbleiterplättchen, im inneren Behälter durch eine Rei nigungschemikalie im inneren Behälter eingestrahlt. Durch Einstrahlen der Ultraschallwellen von der Seite der Reini gungsvorrichtung sperrt ein Trägerelement den geringsten Anteil an Ultraschallwellen gegenüber einem Erreichen des Substrats ab. Dadurch wird eine gleichförmige Reinigung des Substrats wirksam erreicht.

Claims

1. Reinigungsvorrichtung, die umfaßt:

- ein Trägerelement (21, 21a, 21b), das ein zu reinigen des Substrat (4) abstützt,
- einen inneren, einen Reinigungsbehälter bildenden Behäl ter (2, 2A, 2B, 2C), der mit einer Reinigungschemikalie (19) gefüllt ist und das zu reinigende Substrat (4) sowie die Trägerelemente (21, 21a, 21b) aufnimmt,
- einen rund um den inneren Behälter (2, 2A, 2B, 2C) herum angeordneten Außenbehälter (9, 9A), der mit einem Ultra schallwellen-Übertragungsmedium (8) gefüllt ist, und
- einen Ultraschallschwinger (7, 7a, 7b), der an einer äußeren Wand (9a, 9b) des Außenbehälters (9, 9A) ange bracht ist und Ultraschallwellen (25) zu dem in dem in neren Behälter (2, 2A, 2B, 2C) befindlichen zu reinigenden Substrat (4) hin einstrahlt.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerelement wenigstens zwei Trägerelemente (21a, 21b) umfaßt, die auf unterschiedlichen Höhenlagen angeord net sind, so daß sie die Ultraschallwellen (25) gegenüber einem Erreichen des zu reinigenden Substrats (4) nicht abschirmen.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerelement (21a, 21b) eine das zu reinigende Sub strat (4) festhaltende Kehle (22a, 22b) besitzt und eine äußere Wand (9a, 9b) des Außenbehälters (9) eine derartige Neigung hat, daß ein Winkel (R₁, R₂) zwischen der Kehle und der äußeren Wand des Außenbehälters 90° oder mehr be trägt.

4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl eine Seitenwand (9a, 9b) des Außenbehälters (9A) als auch eine Seitenwand (2a, 2b) des inneren Behälters (2A) so geneigt sind, daß alle durch das zu reinigende Substrat (4) tretenden Ultraschallwellen (25) durch die Seitenwand (2a, 2b) reflektiert werden.

5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Seitenwand (2c, 2d, 2e, 2f) des inneren Behälters (2B, 2C) eine keilförmige Gestalt hat, so daß alle durch das zu reinigende Substrat (4) tretenden Ultraschallwellen (25) durch die Seitenwand des inneren Behälters reflek tiert werden.

6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die keilförmig gestaltete Seitenwand (2e, 2f) des inneren Behälters (2C) eine mehrstufige, keilförmige Gestalt be sitzt.

7. Reinigungsverfahren, das die folgenden Schritte umfaßt:

- Füllen eines Außenbehälters, an dessen Seitenwand ein Ultraschallschwinger angebracht ist, mit einem Ultraschall wellen-Übertragungsmedium,
- Aufnehmen eines zu reinigenden Substrats in einem in dem Außenbehälter angeordneten sowie mit einer Reinigungs chemikalie gefüllten inneren Behälter und
- Einstrahlen von Ultraschallwellen von der Seite des Außenbehälters zu dem zu reinigenden Substrat hin, um die ses Substrat zu reinigen.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die auf das zu reinigende Substrat eingestrahlten Ultra schallwellen durch eine Seitenwand des inneren Behälters reflektiert werden, so daß sie erneut auf das zu reinigen de Substrat zu dessen Reinigung eingestrahlt werden.