NL1007357C2 - Verbeterde inrichting ten behoeve van wafer reiniging. - Google Patents

Description

- 1 -

Verbeterde inrichting ten behoeve van wafer reiniging.

In de US Octrooien No's 3 893 869, 4 118 649, 4 326 553, 4 543 130, 5 017 236, 5 037 208 en 5 037 481 zijn inrichtingen omschreven, waarbij in een reinigingskamer ervan met behulp van door een enkele transducer-opstelling bewerkstelligde megasonische trillingen via een daarmede 5 gekoppelde trilwand van deze kamer het daarin aanwezige vloeibare reini-gingsmedium in trilling wordt gebracht ten behoeve van het reinigen van tenminste een wafer of ander object voor de micro-electronische industrie. Daarbij de navolgende hoofdbezwaren van deze inrichtingen: 1. Geen in een enkele module plaats vindende opvolgende fasen van het to-10 tale reinigingsproces, omvattende het reinigen met vloeibaar reinigings- medium, het met behulp van vloeibaar dpoelmedium verwijderen van dit medium, het uitdrijven van dit vloeibare medium en het tenslotte drogen van de wafer.

2. Daarin geen toepassing van een tweetal transducer-opstellingen in hoog-ic ceric'nting aan weerszijde van de reinigingskamer ten behoeve van een optimaal feinigings-vermogen en snelle uitdrijving van het spoelmedium; 3. Geen tijdelijke overdruk in de reinigingskamer en transducerkamers ; 4. Geen trilwand, welke parallel is met de wafer; 4. In de module geen eigen centrering van de daarin toegevoerde wafer ten 20 opzichte van de reinigingskamer; en 5. Geen combinatie van reinigingsmodules.

In deze inrichtingen is het verder niet mogelijk cm in een reinigingskamer ervan met minimale afmetingen de primaire trillingen van de trilwand loodrecht op de wafer te doen plaats vinden.

25 Zulks, omdat daardoor bij een enkele wafer de vanaf deze wafer naar deze wand gereflecteerde secundaire trillingen deze primaire trillingen zodanig dempen, dat in het ongunstigste geval het beoogde reinigingsproces mogelijk nagenoeg geheel teniet wordt gedaan.

Voor modules, waarin zulk een totaal reinigingsproces van een enkele 30 wafer plaats vindt, moet de tijdsduur zo kort mogelijk zijn.

Tevens moet de wafer transfer naar en vanaf zulk een module zo eenvoudig, snel en effectief mogelijk geschieden.

Zulk een totaal reinigingsysteem was tot op heden onmogelijk, mede in verband met het navolgende: 35 1. Het onvermijdelijk onder capillaire aanzuig-krachtwerking tijdelijk plaatselijk plakken van de wafer tegen een naastliggende, en vooral niet trillende horizontale zijwandsectie en opstaande zijwandsectie van de reini- 1007357 - 2 - gingskamer, waardoor geen gelijkmatige en volkomen reiniging van de wafer plaats kan vinden; 2. De in voorgaande jaren nog beperkte afmetingen van de wafer, waardoor in combinatie met de noodzakelijke toepassing van een compleet . . 2 5 reinigingssvsteem een te geringe reinigmgsproauctie in cm wafer oppervlak per tijdseenheid; 3. Geen goede afdichting van de module, waardoor aggressief reinigings-medium kan ontsnappen; en 4. Geen eenvoudig, doelmatig wafer transfersysteem met behulp van een 10 transferrobot.

Met de inrichting volgens de uitvinding wordt nu beoogd om deze hoofdbezwaren op te heffen en tenminste mede aan deze vereisten te voldoen.

De reinigingsmodule van zulk een inrichting bestaat daartoe uit ten-15 minste het navolgende: a) een boven- en onderkamerblok; b) in het bovenste gedeelte van het onderkamerblok een centrale uitsparing onder de vorming van een reinigingskamer in aangesloten positie van deze beide blokken; 20 c) 'net centrale gedeelte van het bovenkamerblok als dunwandige tril-wand, met erboven een transducerblok, verschaffende een boventransducer-kamer, waarin de opname van een boven-transduceropstelling ten behoeve van het doen trillen van deze trilwand; en d) het centrale gedeelte van het onderkamerblok als dunwandige onder-25 trilwand, met onder dit blok een transducerblok, verschaffende een on-dertransducerkamer, waarin de opname van een onder-transduceropstelling ten behoeve van het doen trillen van deze ondertrilwand.

Verder, dat dit boventransducerblok zich tenminste plaatselijk lateraal verder buitenwaarts het onderkamerblok uitstrekt, tegen de onder-3Q wand van dit lateraal buitenste gedeelte een montageblok is vastgezet, welke zich in lateraal buitenwaartse richting buiten dit onderkamerblok uitstrekt, dit montageblok zich tenminste gedeeltelijk onder dit onderkamerblok bevindt en tenminste een verplaatsingsinrichting bevat ten behoeve van het in verticale richting verplaatsen van dit onderkamer-35 blok naar en vanaf het bovenkamerblok.

In verband met het toepassen van aggressief reinigingsmedium in de beide reinigingsspleten moeten de trilwanden uit een daartoe geschikt materiaal, zoals tantalium, titanium, quartz of ander geschikt hoogwaardig materiaal bestaan.

1007357 - 3 -

Uit het oogpunt van fabricage heeft daarbij de gebruikmaking van quartz met een relatief grote dikte van deze trilwand de voorkeur.

In een alternatieve module-uitvoering bij toepassing van titanium of soortgelijk materiaal zijn dan de uiterst dunne trilwanden, met een 5 dikte van slechts circa 0,005 mm, als cilindrische folie aangebracht tegen de laterale buiten-secties van de beide kamerblokken.

Het is gewenst, dat de gehele boven- en ondertopography van de wafer onder megasonische trillingsconditie van het reinigingsmedium moet worden gereinigd.

10 Verder is het trilvermogen van het uiteinde van zulk een transducer aanmerkelijk minder dan in het centrum ervan en terplaatse van de zijkant zelfs nagenoeg nihil.

In een gunstige module-uitvoering strekt dan ook de boventrilwand zich over enige afstand lateraal buitenwaarts deze wafer uit. , 15 Daarbij ter plaatse een 'micro cilindrische spleet pussen deze kamerblokken cm zulk een trillen mogelijk te doen zijn en zulks tenminste als lateraal uiteinde van de reinigingskamer.

Verder is het gewenst, dat de beide reinigingsspleten ten behoeve van nee vullen ervan met medium een relatief grote hoogte hebben, ter-20 wijl ten behoeve van een optimaal reinigingsproces deze hoogte mi nimaal moet zijn.

In een volgende gunstige uitvoering bevat deze module dan ook middelen voor het in verticale richting in opvolgende fasen verplaatsen van deze kamerblokken naar elkaar toe en van elkaar af.

25 In een gunstige werkwijze vindt daarbij een serie van kortstondige reinigings-cvclussen plaats, met de benedenwaartse verplaatsing van het onderkamerblok vanuit zijn bovenste positie naar een tussenpositie ervan met minder nauwe reinigingsspleten en terug opwaarts.

Daarbij mogen de beide trilwandsecties zich echter niet tijdens het 30 reinigingsproces in verticaal buitenwaartse richting verplaatsen ten opzichte van het lateraal buitenste gedeelte van deze kamerblokken.

In een volgende gunstige uitvoering is dan ook in elk van de beide transducerkamers een aanslag-opstelling, elk bevattende een aantal aanslagnokken, voor de daarmede corresponderende combinatie van trans-35 ducer-opstelling en trilwand opgenomen ten behoeve van her begrenzen van de verticaal buitenwaartse verplaatsing van deze trilwanden.

Daarbij wordt tijdens de wafer transfer met geopende module in deze transducerkamers een zodanige onderdruk van de daarin aanwezige koelvloeistof en tijdens het reinigingsproces een zodanig lagere druk ervan 1007357 - 4 - ten opzichte van de druk van het medium in de reinigingskamer onderhouden, dat de beide trilwanden met tussenliggende transducer-opstellince.n en micro vloeistoflagen tegen de daarmede corresponderende aanslag-opstellingen in deze kamers worden gedrukt.

5 Verder, dat in een volgende gunstige werkwijze het onderkamerblok vanuit zijn onderste wafer transferpositie, waarbij met behulp van een robot een te reinigen wafer tot boven dit blok wordt gebracht, opwaarts naar tenminste de volgende opvolgende posities ervan wordt bewogen: a) zijn vulpositie ten behoeve van het vullen met medium van de dan ruime 10 reinigingsspleten; en b) zijn bovenste wafer reinigingspositie.

Daarbij de daarop volgende terug-verplaatsing van dit blok vanuit deze reinigingspositie ervan naar zijn vulpositie ten behoeve van het uitdrijven van het reinigingsmedium of spoelmedium met vers toegeveerd medium.

15 Verder mogeiijk een aantal herhalingen van zulk een,cyclus.

Verder is het noodzakelijk, dat ten behoeve van dit vulproces in hoog-terienting opzij van de wafer een ruime beven- en al dart niet een minder ruime cnderreinigingsspleet is bewerkstelligd.

In een volgende gunstige uitvoering vindt dan ook daartoe de tcepas-20 sing plaats van een aantal wafer draag/centreerstiften, welke in hoogte-richting verplaatsbaar zijn en waarbij in deze vulpositie van het onder-kamerblok de wafer draagsecties van deze stiften de gewenst wordende afstand boven de onderwand van de reinigingskamer zijn gelegen onder de bewerkstelliging in deze positie van deze gewenst wordende spleethocg-25 tes.

In een alternatieve module-uitvoering daartoe de opname van een groot aantal micro-nokken op de bovenzijde van de ondertrilwand, waarbij in deze vulpositie de wafer op deze nokken komt te rusten.

Deze wafer draag/centreerstiften maken tevens deel uit Van de midce-30 len ten behoeve van de wafer transfer naar en vanaf de reinigingskamer.

Daarbij is bij het na het reinigingsproces naar beneden verplaatsen van het onderkamerblok naar zijn onderste wafer transferpositie de wafer op deze stiften komen te rusten.

Zoals vervolgens een robot-arm tot onder deze wafer wordt gebracht, . . 35 vindt bij het vervolgens naar beneden bewegen van deze stiften overdracht van deze wafer aan deze robot-arm met aanzuiging erop plaats, waarna afvoer van deze combinatie plaats vindt.

Verder, dat zoals vervolgens een te reinigen wafer boven deze stiften wordt gebracht, na opheffing van het vacuum in de transfer-arm als * 1007357 - 5 - gunstige werkwijze een aantal van deze stiften naar hun bovenste positie worden verplaatst, welke dan tevens de onderste vulpositie voor de rei-nigingskamer is, en deze wafer door deze stiften wordt overgenomen.

Verder, dat daarbij de laterale positie van deze draagstiften ten op-5 zichte van de reinigingskamer zodanig is, dat deze zich in gesloten positie van de kamerblokken met hun wafer öraaggedeelte in het laterale uiteinde van deze kamer binnen het daartoe ter plaatse verwijde medium toe/afvoerkanaal in de bovenwand van het onderkamerblok bevinden.

Verder, dat ten behoeve van het bewerkstelligen van een midden-10 positie van de wafer in laterale richting binnen de reinigingskamer op elk van deze draag/centreerstiften aan de bovenzijde ervan een wafer centreersectie is opgenomen, met een excentrische positie ervan ten opzichte van het wafer draaggedeelte 'van deze stiften.

Verder, dat daarbij deze centreersecties een zodanige lengte hebben, 15 dat in aangesloten positie van de kamerblokken deze zich opzij van de wafer opwaarts uitstrekken tot nabij de boventrilwand.

In een volgende gunstige werkwijze daarbij, dat zoals de module geopend is ten behoeve van hen mede ontvangen van een te reinigen wafer, door verdraaiing van de stiften deze centreersecties daartoe reeds naar hun 20 lateraal buitenste posirie ten opzichte van de reinigingskamer zijn gezwenkt, vervolgens een met de transfer-arm naar zijn overneem-posicie toegeveerde wafer door het opheffen van het vacuum in deze arm en het vervolgens opwaarts verplaatsen van deze stiften erdoor wordt overgenomen en daarbij tussen deze centreersecties is gebracht, daarna door 25 terug-verdraaiing van deze stiften en daarmede terugzwenken van deze centreersecties naar hun lateraal binnenste positie ten opzichte van de reinigingskamer een excentrisch ten opzichte van deze kamer aangevoerde wafer door deze centreersecties naar een laterale positie ervan binnen deze kamer wordt gedrukt en tenslotte met behulp van het op-30 waarts verplaatsen van het onderkamerblok deze wafer naar zijn in verticale richting midden-positie binnen deze kamer wordt gebracht.

Verder, dat ten behoeve van de afvoer van de gereinigde wafer uit de reinigingskamer deze centreersecties zich nog in hun lateraal binnenste positie ten opzichte van de reinigingskamer rondom de wafer bevinden, 35 het onderkamerblok naar beneden wordt bewogen, waardoor de wafer door de stiften wordt overgenemen, vervolgens de transfer-arm naar zijn over-neempositie onder deze wafer wordt gebracht, daarna deze stiften verder naar beneden worden bewogen met overname van deze wafer door de transfer-arm, vervolgens deze stiften worden verdraaid, waarbij de centreer- 1007357 - 6 - secties naar hun lateraal buitenste positie ten opzichte van de rei-nigingskamer worden gezwenkt voor het ontvangen door deze stiften van een volgende te reinigen wafer en tenslotte de robot-arm met wafer uit de module wordt afgevoerd.

5 Verder, dat zoals deze stiften gemeenschappelijk in hoogterichtinc worden verplaatst, de module nog tenminste één draag/centreerstift bevat, welke met behulp van een aanvullende verplaatsings-inrichting afzonderlijk verder benedenwaarts en terug opwaarts verplaatsbaar is en waarbij van zulk een stift, zich bevindende in de wafer transferzöne, de 10 bovenzijde van de centreersectie ervan verder benedenwaarts tot tenminste onder het niveau van de onderzijde van de wafer of zelfs van de transfer-arm ten behoeve van een verdere transfer van deze wafer verplaatsbaar is.

Verder, dat ten behoeve van de toevoer van een te reinigen wafer uitsluitend de stift ter plaatse van de transferzöne voor deze toe te voeren 15 wafer vanuit de wafer-overdraagpositie ervan naar beneden wordt verplaatst mee zijn centreersectie onder het niveau van de onderzijde van de transfer-arm en na verwijdering van deze arm deze stift opwaarts wordt bewogen naar zijn wafer-overneempositie, waarna de resterende fasen van de transfer van deze wafer naar de reinigingskamer plaats vinden.

20 Het is verder noodzakelijk, dat tijdens het reinigingsproces de iuent welke tijdens de voorafgaande wafer transferfase terecht is gekomen m de reinigingskamer en daardoor na de opwaartse verplaatsing van het onder-kamerblok naar zijn vuloositie zich nog in de beide reinigingsspleten bevindt, daaruit tijdens het vullen van de reinigingskamer tenminste 25 nagenoeg geheel wordt verwijderd.

In een volgende gunstge werkwijze worden dan ook stromen medium vanuit een tweetal tegenover elkaar gelegen toevoer-uitmondingen in dit cilindrische toe/afvoerkanaal schuin opwaarts naar het centrum van deze spleten gestuwd, met afvoer ervan naar een tweetal afvoer-uitmondingen aan 30 de tegenover gestelde zijde.

Daarbij zijn deze toevoer-uitmondingen eveneens zodanig in geringe mate in radiale richting schuin geplaatst, dat de stromen medium in deze spleten tenminste grotendeels naast elkaar worden geleid.

Doordat daarbij tevens medium langs de opstaande zijwand van de wafer 35 wordt gestuwd, vindt aldus door de geccmbeneerde krachtwerking van het medium in radiale richting op de wafer verdraaiing ervan plaats.

Zulks is gewenst ten behoeve van een zo gelijkmatig mogelijke reiniging van het gehele wafer-oppervlak.

Daarbij is het noodzakelijk, dat tijdens dit vulproces, waarbij het onder- 1007357 - 7 - kamerblok over een relatief grote afstand verwijderd is van het boven-kamerblok, toch geen medium, en zulks in het bijzonder aggressief reini-gingsmedium, uit de reinigingskamer tussen deze kamerblokken door lateraal buitenwaarts kan ontsnappen.

5 In een volgende gunstige werkwijze bevindt zich dan ook lateraal buitenwaarts deze reinigingskamer een zodanig mediumslot, dat daardoor belet wordt, dat zulk een ontsnappen van medium plaats vindt.

In een gunstige uitvoering van dit slot bevat daarbij het bovenkamer-blok lateraal buitenwaarts de reinigingskamer tenminste een zich in be-10 nedenwaartse richting uitstrekkende cilindrische slotsectie en is in de bovenwand van het onderkamerblok een zodanig daarmede corresponderende cilindrische uitsparing opgenomen, dat deze slotsectie daarin nauw passend in verticale richting verplaatsbaar is.

Zoals daarbij op deze uitsparing een medium toevoerkanaal is aangeslor: 15 ten voor toevoer van slotmedium onder.een druk, welke hoger is dan de druk van het medium in de reinigingskamer, wordt daarbij ook tijdens het vullen van de reinigingskamer in het bijzonder in de nauwe verticale cilindrische soleer tussen de laterale binnenzijde van deze slotsectie en de lareraie binnenzijde van deze slot-uitsparingeen mediumslot-sectie onderhouden, 20 welke belet, dat medium uit de reinigingskamer kan ontsnappen.

Verder, dat daarbij aan de laterale binnenzijde van deze slotsectie een groot aantal naast elkaar gelegen micro medium doorlaatgroeven zijn opgenomen, welke zich in opwaartse richting uitstrekken vanaf de onderzijde van deze sectie tot tenminste nabij de onderwand van het bovenkamerblok.

25 In de onderste wafer transferpositie van het onderkamerblok is deze slotsectie daarbij uit deze uitsparing bewogen.

In een alternatieve module-uitvoering is in deze cilindrische slot-uitsparing van het onderkamerblok een op zich zelf staand, in hoogterich-ting verplaatsbaar cilindrisch slot-element opgenomen, waarbij tijdens het 30 vullen en het reinigingsproces met behulp van een overdruk van het slot-medium tegen de onderwand van het bovenkamerblok wordt gedrukt en tijdens de wafer .transfer met geopende module met behulp van een tijdelijke onderdruk van dit slotmedium in de slotkamer dit element tot tenminste nagenoeg geheel binnen deze uitsparing wordt bewogen.

35 Verder is het gewenst, dat in de bovenste wafer reinigings-positie van het onderkamerblok tijdelijk de verwijdering van medium met verontreinigingen uit de grenslaag en groeven van de wafer boventopography geschiedt zonder toevoer van medium naar de bovenreinigingsspleet.

Verder moeten eveneens volume-veranderingen in de beide reinigings- 100735? - 8 - spleten mogelijk zijn zonder tenminste toevoer van medium.

In een volgende gunstige werkwijze vindt daartoe voor het reinigingsproces tenminste de toepassing plaats van tenminste mede zodanig laag kokend vloeibaar medium, dat daarbij tenminste tijdens deel van de expan-5 siefase tenminste een gedeeltelijke verdamping ervan plaats vindt.

Verder, dat daartoe de toepassing van tenminste laag- en hoogkokend vloeibaar reinigingsmedium plaats vindt.

Verder, dat daarbij tenminste de boven-transduceropstelling als regelbare warmtebron voor tenminste het medium in de bovenreinigingsspleet 10 fungeert en door verhoging van de trillings-intensiteit van zulk een transducer-opstelling, met daarbij gepaard gaande versterkte warmteontwikkeling en zulks in combinatie met een verminderde koeling ervan, een sterk verhoogde warmte-toevoer via de bovenrilwand naar het reinigingsmedium in de bovenreinigingsspleet plaats vindt.

15 Daarbij is aan het einde van de opwaartse compressieslag van her on-cerkamerblok, mer een bewerkstelligde ultra-geringe hoogte van renmmsre de bovenreinigingsspleet, door de verhoogde warmte-toevoer vanuit tenminste de bove-transduceropstelling de temperatuur van het laagkokende gedeelte van het reinigingsmedium in zulk een spleet tot tenminste nabij 20 de kookgrens ervan onder de bewerkstelligde verrioogde compressieöruk gebracht, in de daarop volgende neerwaartse expansieslag van dit blok, met een daarbij gepaard gaande zeer aanzienlijke drukverlaging van de mediums in de beide reimgingsspleten, in deze primaire bovenspleet door dampont-wikkeling in de grenslaag en groeven van de wafer boventopography 'net uit-25 stuwen daaruit van residue-medium tezamen met eventuele verontreinigingen in opwaartse richting naar het centrum van deze spleet plaats vindt, met verdere afvoer ervan door tenminste mede toevoer van vers medium onder een lagere temperatuur aan het einde van de expansieslag, en in de daarop volgende compressieslag van dit blok het instuwen van dit verse 30 medium onder lage temperatuur in deze grenslaag en groeven als vervanging van het daaruit voorafgaand gestuwde residue-reinigingsmedium plaats vindt.

Als gunstige werkwijze daarbij, dat de eindfase van de compressieslag zo langdurig is, dat de nog plaats vindende uitstuwing van het me-35 dium uit de bovenreinigingsspleet wordt gecompenseerd door de steeds verdere omzetting van het laagkokende vloeibare medium in dampvormig medium en fijn vernevelde hoogkokende vloeistof, welke daarbij is opgenomen in deze dampkolom onder overdruk, naar en vanaf deze grenslaag en groeven van de wafer-boventopography wordt gestuwd ten behoeve van de verdere 1007357 - 9 - afbraak van deze grenslaag en verwijdering van verontreinigingen daaruit en uit deze groeven.

Daarbij als gunstige werkwijze een aantal herhalingen van zulk een compressie/expansiecyclus.

5 Door de micro-hoogte van deze grenslaag is de in de wafer opgeslacen warmte in combinatie met de zeer sterke volume-vergroting, cica 200-voudig, toereikend voor een totale verdamping van zulk een"laagkokende vloeistof in deze groeven van de wafer boventopography, met een opwaarts stuwen van deze damp tezamen met eventuele verontreinigingen.

10 Verder moet vermeden worden, dat tijdens het reinigingsproces in de bovenreinigingsspleet bewerkstelligde neerwaartse trillingen van het vloeibare medium niet grotendeels teniet worden gedaan door reflecterende owaartse trillingen var )f het wafer-oppervlak.

[n een volgende gunstige module-uitvoering zijn dan ook een groot aan-15 tal, in radiale richting naast elkaar gelegen en zich in laterale rich-ring uitstrekkende micro-groeven in tenminste de onderzijde van de boven-trilwand aangebracht, met zodaige hellingen ervan, dat de neerwaartse trillingen naar de wafer boventcpographv zodanig gedivergeerd worden, dat de vanaf deze wafer reflecterende trillingen deze primaire trillin-20 gen niet ontoelaatbaar tegenwerken.

In een volgende gunstige werkwijze oefenen deze trillingen daarbij tevens een resulterende krachtwerking uit op de wafer in de richring van de gewenst wordende verdraaiing ervan.

Het is gewenst, dat lucht of ander gasvormig medium, welke al dan 25 niet mede vanuit het mediumslot onder toepassing van gasvormig slotmedium in het cilindrische toe/afvoerkanaal terecht komt, daaruit wordt verwijderd .

In een volgende gunstige module-uitvoering bevindt zich dan ook in de onderzijde van het bovenkamerblok op enige afstand lateraal buitenwaarts 30 de reinigingskamer een cilindrische bufferkamer, welke via een tenminste tijdelijk bewerkstelligde cilindrische spleet tussen de beide kamerblokken verbonden is met het cilindrische medium toe/afvoerkanaal en het lateraal binnenste gedeelte van het mediumslot ten behoeve van tenminste de afveer erdoorheen van lucht en/of ander gasvormig medium uit de reini-35 gingskamer tijdens het vullen/hervullen van deze kamer met medium en tijdens het reinigingsproces, met aansluiting op deze buffer van een zich in schuin opwaartse richting uitstrekkend toe/afvoerkanaal.

Daarbij vindt in de eindfase van het reinigingsproces de toevoer van gasvormig spoelmedium via dit toe/afvoerkanaal plaats.

* 1007357 - 10 -

In een gunstige uitvoering van de wafer reinigings-inrichting bevat ceze meerdere modules ten behoeve van het daarin in opvolgende fasen reinigen van de wafer met meerdere vloeibare reinigingsmediums en welke daartoe gegroepeerd zijn rondom een centrale wafer transferrobot.

5 Verder, dat deze modules daarbij in radiale richting op enige afstand van elkaar zijn gelegen en waarbij in de rustpositie van deze robot zich tussen deze modules een transfer-arm ervan bevindt en waarbij in een gunstige werkwijze na her gelijktijdig openen van deze modules en brengen van de gedeeltelijk gereinigde wafers naar hun overneempositie boven de stif-10 ten gelijktijdig met behulp van in radiale richting terug bewogen transfer-arm-secties overname van deze wafers en verwijderen ervan uit deze modules geschieden en met behulp van in radiale richting vooruit gaande verplaatsing van deze transferarm-secties het brengen ervan naar een wafer over-draag-positie in de volgende modules wordt bewerkstelligd ten behoeve van 15 het vervolgens gelijktijdig verplaatsen ervan naar de respectievelijke reinigingskamers.

Verder, dat zoals daarbij zulk een inrichting tevens een wafer toevoer-station voor te reinigen wafers en een wafer afvcerstation voor gereinigde wafers bevat, in zulk een toevoerstation rondom de wafer toevcerrobot 20 meerdere cassettes, bevattende de te reinigen wafers, zijn gegroepeerd, met de positie van deze robot verder zodanig ten opzichte van de eerste reinigincsmodule, dat met behulp daarvan een wafer uit één van deze cassettes naar de overneempositie binnen deze module wordt.gebracht en zulk een wafer afvoerstation rondom een wafer afvcerrobot meerdere cassettes 25 ten behoeve van opslag van gereinigde wafers zijn gegroepeerd en de positie van deze robot verder zodanig ten opzichte van de laatste reinigings-mcdule is, dat met behulp daarmede een gereinigde eafer uit zijn overneem-positie binnen deze module naar één van deze cassettes wordt gebracht.

In een andere gunstige opstelling van deze inrichting is deze met be-30 hulp van een aanvoerrobot aangesloten op een wafer processingstation en de afvoerrobot aangesloten op een volgende wafer processingstation.

In nog een andere gunstige uitvoering van deze inrichting bevat deze een tweetal naast elkaar gelegen wafer reinigingsstations, elk bevattende een aantal wafer reinigingsmodules, welke wederom rondom een wafer trans-ferrobot zijn gegroepeerd en waarbij deze stations verder een gemeenschappelijke aanvoermodule eva ttten voor toevoer van te reinigen wafers naar de eerste modules en een gemeenschappelijke module voor afvoer van gereinigde wafers vanaf de laatste modules.

Daarbij vindt om beurten toe- en afvoer van wafers naar en vanaf zulke 1007357 - 11 - stations plaats en waarbij in zulke gemeenschappelijke toe- en afvoermodu-les tenminste mede het voorafgaand omschreven wafer overneem- en cen-treersysteem met behulp van de wafer draag/centreerstiften, welke is op-gencmen in de wafer reinigingsmodules van zulke stations, wordt toege- 5 past.

Door toepassing van deze parallel stations, elk bevattende meerdere wafer reinigingsmodules, kan veelal aan de hoge eisen van een gecombineerde in-lijn wafer processing/reinigings-installatie worden voldaan zonder een vereiste tussentijdse opslag van wafers in cassettes.

10 Voor het totale wafer reinigingsproces de mogelijke gebruikmaking van elk type van al dan niet reeds toegepast wordend wafer reinigingsproces, met voor de opvolgende fasen ervan de mogelijke toepassing van elk soort van vloeibaar reinigingsmedium met al dan niet één of meerdere toevoegingen ervoor ten behoeve van een optimaal en snel wafer reinigingsproces 15 en zulks al dan niet in opvolging.

Verder, dat in de eindfase van het reinigingsproces elk soort van uitdrijfmedium in damp- en/of gasvorm en al dan niet in combinatie kan worden tcegepast.

Bij toepassing van het voor wafer reiniging algemeen gebruikt wordende 20 RCA systeem vindt dan ook het navolgende plaats: 1. In de eersre wafer reinigingsfase de SC I reiniging, omvattende: a) spoelen met Dl water; b! reinigen met behulo van NH^CH/t^O 2/^0,- en c) spoelen met Dl water, 25 ten behoeve van het verwijderen van organische verontreinigingen vanaf de wafer door middel van oxidatieve oplossing ervan; en s) bij toepassing van meerdere reinigingsmodules met deze reinigingsfase in de eerste module het uitdrijven van het Dl water mede met behulp van ^.

30 2. In de tweede wafer reinigingsfase de SC II reiniging, omvattende: a) reinigen met HCL/l^C^/t^O; en b) spoelen met Dl water ten behoeve van het verwijderen van NHOH en onoplosbare hydroxide en residue metaaldeeltjes.

35 c) bij toepassing van meerdere modules, met deze reinigingsfase in da tweede module, aanvullend: d) spoelen met Dl water alvorens het reinigen plaats vindt; en uitdrijven van het Dl water met behulp van mede warm 3. Indien gewenst’, nog verdere nadroging van de wafer met behulp van IPA (iso propyl alcohol).

1007357 - 12 -

Bij toepassing van meerdere modules kan zulk een verdere nadroging plaats vinden in een derde module.

Verdere gunstige kenmerken van de wafer reinigings-innchting en werkwijzen ervan volgen uit de beschrijving van de hieronder aangegeven 5 Figuren.

Figuur 1 toont een langsdoorsnede van een module van de inrichting volgens de uitvinding ten behoeve van een contactloze twee-zijdige wafer reiniging met behulp van tenminste vloeibaar reinigingsmedium.

Figuur 2 toont voor de module volgens de Figuur 1 de verplaatsings-10 inrichting voor de verticale veplaatsingen van het onderkamerblok en van de serie wafer draag/centreerstiften.

Figuur 3 toont vergroot een gewijzigde uitvoering van de module volgens de Figuren 1 en 2, waarbij de toepassing van een metalen onder- en bovenkamerblok.

15 Figuur 4 toont een vergrote, gedeeltelijke langsdoorsnede van de module volgens de Figuur 1, waarbij de toepassing van vloeibaar slotmedium.

Figuur 5 toont sterk vergroot een drietal gedetailleerde langscoorsne- den van de module-uitvonng volgens de Figuur 3.

A R

Figuren 6 t/m 6 tonen voor de module volgens de Figuren 1 en 2 op-20 volgende fasen van wafer transfer naar de reinigingskamer, het wafer reinigingsproces en de wafer transfer vanuit deze kamer.

A B

Figuren 7 en 7 tonen sterk vergroot voor de module-uitvoering volgens de Figuren 1 en δ het einde van de opwaartse compressieslag van het onderkamerblok en de daarop volgende neerwaartse expansieslag van dit blek.

A E

25 Figuren 8 t/m 8 tonen voor de module volgens de Figuur 1, met het

A R

reinigingsproces volgens de Figuren 6 t/m 61 de daarbij plaats vindende druk-opbouwen van de mediums in de reinigingskamer, de beide transducer- kamers en het mediumslot in de vulpositie en de opvolgende wafer reini- gingsposities van het onderkamerblok.

\ (j A G

30 Figuren 9‘ t/m 9 en 10 t/m 10 tonen respectievelijk vergoot en sterk vergroot voor de module-uitvoering volgens de Figuur 1 met daarin een alternatief reinigingsproces de temperatuur- en druk-opbouw van de mediums in de beide wafer reinigingsspleten en transducerkamers.

AF AD

Figuren 11 t/m 11 tonen sterk vergroot en de Figuren 12‘ t/m 12

35 zeer sterk vergroot opvolgende spoelfasen van de module volgens de Figu-A R

ren 1 en 6 t/m 61 , waarbij de opwaartse ccmpressieslag van het onderkamerblok wordt gevolgd door de neerwaartse expansieslag van dit blok terug naar zijn medium vul/hervul-positie.

Fuguren 13A t/m 13° tonen voor de module volgens de Figuren 1 en 6 1007357 - 13 - sterk vergroot tijdens het wafer reinigingsproces de inwerking van onder megasonische conditie trillende reinigingsmedium op de wafer bovenen ondertopographv en zeer sterk vergroot op de grenslaag , inclusief de crevices van de boventopography.

A D

5 Figuren 14 t/m 14 tonen voor het reinigingsproces volgens de Fi-A D

guren 13 t/m 13 daarbij deze inwerking op de wafer topography met behulp van gedivergeerde stromen reinigingsmedium.

A AA

Figuur 15 toont in de dwarsdoorsnede 15-15 van de module volgens de

Figuur 1 ter plaatse van de reinigingskamer met een daarin gebrachte, te 10 reinigen wafer de toe/afvoer van medium naar en vanaf de beide reini- gingsspleten van deze kamer.

g

Figuur 15 toont daarbij de voorafgaande centrering van de wafer ten opzichte van de reinigingskamer-uitsparing in het onderkamerblok met behulp van het verdraaiien van de draag/centreerstiften.

15 Figuur 16 toont sterk vergroot een gedeeltelijke doorsnede van een alternatieve module-uitvoering ter plaatse van de onderreinigingsspleet.

AA

Figuur 16‘ toont sterk vergroot in doorsnede over de lijn 16‘ -16‘ van de module-sectie volgens de Figuur 16 het vuiproces van de reinigings-kamer.

B A

20 Figuur 16 toont sterk vergroot de doorsnede volgens de Figuur 16 , waarbij de boventrilwand geen micro-nokken bevat.

C

Figuur 16 toont sterk vergroot voor de module-uitvoering volgens de Figuur 16 het einde van de opwaartse ccmpressieslag van het onderkamerblok.

A E

25 Figuren 1T t/m 17 tonen voor de module volgens de Figuur 1 zeer sterk vergroot opvolgende fasen van nog een alternatief wafer reinigingsproces .

A F

Figuren 18 t/m 18 tonen voor de module volgens de Figuur 1 nog een alternatieve werkwijze van het reinigingsproces, waarbij reeds aan het 30 einde van de ccmpressieslag van het onderkamerblok een sterke drukdalinc van het medium in de reinigingskamer wordt bewerkstelligd.

A B

Figuren 19‘ en 19 tonen voor de module volgens de Figuur 3 vergroot de opvolgende fasen van de robotische transfer van een te reinigen wafer tot binnen de reinigingskamer.

35 Figuur 20‘ toont sterk vergroot het einde van de opwaartse compressie-slag van het onderkamerblok, met de daarbij bewerkstelligde temperatuurs-verhoging van het reinigingsmedium, zoals is aangegeven in de Figuur 6°.

β

Figuur 20 toont sterkvergroot het einde van de daarop volgende en £ in Figuur 6 aangegeven mini expansieslag van dit blok, waarbij door het 1 0 0 7 3 57 - 14 - koken van het laagkokende gedeelte van het reinigingsmedium verdamping van een gedeelte ervan plaats vindt.

A C

Figuren 21 t/m 21 tonen voor de module volgens de Figuur 3 zeer sterk vergroot het spoelproces voor de wafer met Dl water.

A E

5 Figuren 22 t/m 22 tonen in een gedeeltelijke langsdoorsnede van een alterntieve module-uitvoering de toepassing daarin van een gewijzigde mediumslot-opstelling.

Figuur 23 toont een wafer reinigingsstation, bevattende een drietal wafer reinigingsmodules, waarin opvolgende fasen van het totale wafer 10 reinigingsproces plaats vinden, met via wafer transferrobots de toe- en afvoer van opvolgende wafers vanaf en naar wafer opslagcassettes.

Figuur 24 toont een wafer reinigingsstation, bevattende een tweetal naast elkaar gelegen module-opstellingen ten behoeve van een parallel plaats vindende reiniging van wafers, welke daarin opvolgend worden toe-15 gevoerd vanaf een wafer processingstation en met afvoer van de gereinigde wafers naar een volgend wafer processingstation.

In de Figuur 1 is de wafer reinicingsmodule 10 aangegeven, welke is opgenomen in de wafer reinigings-installatie 26ó, Figuur 23, en de wafer reimgings-installatie 302, Figuur 24.

20 Deze module, zie tevens de Figuren 2 en 4, bestaat daarbij in hoofczaak uit het bovenkamerblok 12, onderkamerblok 14, reinigingskamer 16 als centrale uitsparing in de bovenzijde van dit blok 14 ten behoeve van het daarin reinigen van de wafer 18, boven-transducerkamer 20, met daarin opgenomen de transducer-opstelling 22, onder-transducerkamer 24, met de erin op-25 genomen transducer-opstelling 26, en module-draagplaat 28, met daarin opgenomen drukcilinder 30 ten behoeve van het in verticale richting verplaatsen van het onderkamerblok 14 naar en vanaf het bovenkamerblok 12.

De beide kamerblokken 12 en 14 zijn uit quartz of soortgelijk materiaal vervaardigd en bevatten de daarin centraal opgenomen respectievelijke trii-30 wanden 32 en 34 als boven- en onderwand van deze reinigingskamer, met lateraal buitenwaarts ervan de respectievelijke bioksecties 36 en 38.

Het lateraal buitenste gedeelte van deze reinigingskamer fungeert tevens als gemeenschappelijk cilindrisch medium toe/afvoerkanaal 40, indien het onderkamerblok 14 zich in zijn vulpositie bevindt, zoals vergroot is aan- r 35 gegeven in de Figuur 6 .

Daarbij monden de in het onderkamerblok opgencmen en zich schuin opwaarts en in geringe mate schuin in radiale richting ten opzichte van dit ge-meenschappelije toe/afvoerkanaal 40 uitstrekkende en tegenover elkaar gelegen toevoerkanalen 42 en 44 voor medium uit in dit kanaal 40, met de 1007357 - 15 - daarmede, tenminste nagenoeg tegenover liggende uitmondingen van de afvoerkanalen 46 en 48, zie tevens Figuur 15 .

Met behulp van de draag/centreerstiften 50, 52, 54, 56, 58 en 60 wordt tijdens het inbrengen van de te reinigen wafer 18 in de reinigings-5 kamer 16 de centrale positie ervan ten opzichte van deze kamer en tevens mede daardoor ten opzichte van dit gemeenschappelijke toe/afvoerka- B ^ naai 40, Figuur 15 , bewerkstelligd.

De bovenzijde van de boven-transducerkamer 20 bestaat uit het kunst-stofblok 62, waarin aan de laterale buitenzijde ervan de toevoerkanalen 10 64 en 66 voor koelvloeistof 68 zijn opgenomen en in het centrum ervan het afvoerkanaal 70 voor deze vloeistof.

De onderzijde van de onder-transducerkamer 24 bestaat uit het kunststof blok 72, waarin de toevoerkanalen 74 en 76 en de centrale afvoerkanalen 78 en 30 voor de koelvloeistof 68 zijn opgencmen.

15 Het bovenkamerblok 12 is met behulp van de bout-verbindingen 82 bevestigd tegen de boven-montageplaat 84 en het onderkamerblok 14 met behulp van de boucverbindingen 86 bevestigd op de onder-montageplaat 38.

Deze boven-montageplaat 84 is door middel van de bout-verbindingen 90 bevestigd op het tussenblok 92, welke met behulp van de bout-verbindin-20 gen 94 is gemonteerd op de draagplaat 28.

In de cnderwand 96 van het bovenkamerblok 12 is lateraal op enige afstand buitenwaarts vanaf de reinigingskamer 16 de cilindrische bufferka-mer 98 opgencmen, terwijl lateraal op enige afstand buitenwaarts deze buffer deze onderwand het cilindrische slot-element 100 bevat.

25 In de bovenwand 102 van het onderkamerblok 14 is de cilindrische slot-uitsparing 104 opgenomen en waarbij tenminste in tegen elkaar aan gelegen kamerblokken 12 en 14 dit slot-element 100 zich bevindt in deze uitsparing 104, met eronder de slotkamer 106, waarop het toevcerkanaal 108 voor gasvormig slotmedium 110 is aangesloten, zie tevens Figuur 4.

30 Met behulp van de O-ringen 116 t/m 126 is tijdens het reinigingsproces een voldoende afsluiting van het inwendige van de module 10 gewaarborgd.

Figuur 2 toont in een verkleinde langsdoorsnede de module 10 met de drukcilinder-opstelling 30 ten behoeve van het in verticale richting verplaatsen van het onderkamerblok 14 naar en vanaf het bovenkamerblok 12. 35 Verder bevat deze module de inrichting 128 ten behoeve van het in verticale richting verplaatsen van de serie wafer draag/centreerstiften 50 t/m 60 vanaf hun onderste wafer transferpositie naar hun bovenste medium vulpositie voor de reinigingskamer 16, Figuren 1 en 6, en terug en inrichting 130 ten behoeve van verdraaiing van deze stiften vanaf hun late- 1007357 - 16 - raai buitenwaartse wafer transferpositie naar hun lateraal binnenwaartse positie ten behoeve van het bewerkstelligen van be centrale positie van de te reinigen wafer 18 ten opzichte van de reinigingskamer 16, Figu- . ,A ,_B ren la en b .

5 Deze drukcilinder-opstelling 30 bestaat daarbij uit het cilindrische huis 132met de daarin opgenomen zuiger 134, welke met zijn zuigerstang 136 verbonden is met het onderkamerblok 14, en de onder-montageplaat 138 onder de voorming van de drukamer 140 onder deze zuiger.

De opwaartse verplaatsing van deze zuiger 134 en daarmede van het on-10 derkamerblok 14 geschiedt met behulp van toevoer via kanaal 142 van de hydraulische vloeistof 144 naar deze kamer en zulks tegen de werking van de drukveer-opstelling 146 in.

Het bovengedeelte 148 van dit cilindrische huis dient daarbij tevens als rechtgeleiding voor de zuigerstang 136.

15 Hydraulische vloeistof 144, welke tijdens de werking van deze' inrich-zing in de veerkamer 150 terecht komt, wordt via het afvoerkanaal 152 daaruiz onder een daartoe bewerkstelligde onderdruk afgevoerd.

Afdichtring 154 in dit huisgedeelte 148 belet daarbij net ongewenst opwaarzs ontsnappen van deze vloeistof 144 naar de wafer reinigingsseczie 20 156 van de module.

De lengte van deze drukcilinder-opstelling 30 is zodanig groot, dac mede deer toepassing van tenminste één geleidestifz 158, welke in de daarmede corresponderende uitsparing 168 van het onderkamerblok 14 verplaatsbaar is, in de laatste fase van de opwaartse verplaatsing van diz 25 onderkamerblok het slot-element 100 van het bovenkamerblok 12 geleid q wordt binnen de slot -uitsparing 104 in het onderkamerblok 14, F iguur 6 .

Tevens zijn, zoals het ondergedeelte 160 van deze draag/centreerstifzen m verticale richting geleid worden in de daarmede corresponderende ge-leidingsblokken 162, welke zijn opgenomen in de moöule-draagplaat 18, de 30 bovengedeeltes 164 van deze stiften 50 t/m 60 verplaatsbaar in de gelei-dingsbussen 166, met de O-ring afdichting 182 welke zijn opgenomen in het onderkamerblok 14, zie tevens Figuur 3.

Op de buitenzijde 170 van de drukcilinder-opstelling 30 is de lagerbus 172 gemonteerd, waarlangs met behulp van de inrichting 128 het gemeen-35 schappelijke verplaatsingsblok 174 voor deze stiften op en neer verplaazs-baar is.

Met behulp van deze inrichting 128 en dit blok 174 zijn die groep stiften, welke zich niet in de wafer transferzóne bevinden, zie tevens de Fi-guren 15 , 23 en 24, gemeenschappelijk in verticale richting verplaats- 1007357 - 17 - baar.

Met behulp van be aanvullende verplaatsings-inrichting 176 zijn daarbij die stiften, welke zich in deze wafer transferzöne bevinden, op en neer verplaatsbaar, terwijl nog weer aanvullend met behulp van een niet aange-5 geven verplaatsings-inrichting de stiften, welke zich in de transferzöne van de rcbot-arm 258 bevinden, op en neer verplaatsbaar zijn.

De gemeenschappelijke verdraaiing van deze stiften over circa 180 geschiedt met behulp van de inrichting 130.

In de Figuur 3 is de alternatieve module-uitvoering 10' met de wafer 10 draag/centreerstiften 50' t/m 60' en bijbehorende aandrijvingen 30' en 128' ervan vergroot aangegeven.

Het bovengedeelte 164' van deze stiften is tevens geleid door de daarmede corresponderende boring 178' van het oncerkamerblok 141.

Het gasvcrmige slotmedium 110, welke onder een overdruk ten opzichte 15 van de druk van het medium in de reinigingskamer 16 via de toevoerkanalen 186' naar de cilindrische vernauwingen 184' van deze stiften wordt toegeveerd, beier daarbij dat vooral aggressief reinigingsmedium 204 uit de reinigingskamer 16 benedenwaarts via de stift-doorveeringen 178' kan ontsnappen.

20 0-ring 112' belet daarbij het ontsnappen van dit slotmedium 110 via de stift-dcorvcerincen 178' in benedenwaartse richting.

In deze Figuur bestaan de kamerblokken 12’ en 141 uit metaal, zoals titanium, en waarbij de uiterst dunwandige triiwanden 32' en 34' met hun laterale uiteinde zijn bevestigd tegen de daarmede corresponderende bui-25 tenste secties 36' en 38' van deze blokken.

Zulks bij voorkeur onder voorspanning van deze triiwanden, zoals bij voorbeeld is aangegeven in de Figuur 4 met behulp van een verwarmingselement 196, welke daartoe tenminste is opgenomen in de bovenkamerbiok-sectie 36'.

30 Figuur 4 toont voor de module volgens de Figuur 1 de toepassing van het mediumslot 188, waarin de toepassing van het vloeibare slotmedium 202.

Daarbij bevindt het onderkamerblok zich nabij het einde van de opwaartse compressieslag ervan.

35 In de vuipesitie voor de reinigingskamer 16 van het onderkamerblok 14,

C

zoais onder andere is aangegeven in de Figuur 6 , vindt reeds toevoer van dit slotmedium onder overdruk plaats naar de slotkamer 106, zodat via de slotgroeven 200 dit slotmedium naar de dan aanwezige spleet sect ie 206 tussen de beide kamerblokken 12 en 14, zie Figuur 6°, wordt gestuwd.

1007357 - 18 -

Deze overdruk is groter dan de overdruk van de toegevoerde reinigings-mediums voor de reinigingskamer 16, zoals vloeibaar reinigingsmedium 204, zodat dan geen medium vanuit deze reinigingskamer via de spleetsectie 206 tussen deze kamerblokken in lateraal buitenwaartse richting kan ontsnap-5 pen.

Daarbij is de afvoer van de cilindrische bufferkamer 98 via afvoerkanaal 224 afgesloten, waarbij het zich daarin bevindende gasvormige medium 110 als gasbuffer fungeert.

Aldus vindt tijdens de opwaartse compressieslag van dit onderkamerblok 10 stuwing van reinigingsvloeistof 204 naar deze bufferkamer plaats met vergaring erin, zoals is aangegeven.

Tijdens de na deze compressieslag volgende neerwaartse expansieslag van dit kamerbiok wordt dan onder stuwdruk van het gecomprimeerde gasvormige medium 110 in deze bufferkamer tenminste een gedeelte van het reinigings-15 medium vanuit deze bufferkamer terug naar de reinigingskamer 16 gestuwd.

Zulk een cyclus herhaalt zich, ook tijdens het spoelen van de reinigingskamer .

Binnen het kader van de uitvinding is het echter ook mogelijk, dat daarbij tijdens dit vulproces afvoer van dit gasvormige medium uit deze buffer-20 kamer plaats vindt en zulks eventueel tezamen met uit de reinigingskamer afkomstig medium.

In de bovenwand van het onderkamerblok is tevens nog op enige afstand lateraal buitenwaarts de slotkamer 106 de cilindrische uitsparing 190 opgenomen, met aansluiting erop van afvoerkanaal 192, waarin tijdens het 25 reinigingsproces een onderdruk van het daarin aanwezige medium wordt onderhouden .

Vloeibaar slotmedium 202, welke lateraal buitenwaarts uit deze slotkamer 106 tussen de beide kamerblokken 12 en 14 door ontsnapt, komt daarbij terecht in deze uitsparing en wordt daaruit via dit afvoerkanaal 192 30 afgezogen.

Aldus kan tijdens het reinigingsproces geen vloeibaar slotmedium uit de module 10 ontsnappen.

Indien als slotmedium Dl water wordt toegepast, is het ook mogelijk, dat daarbij gebruik wordt gemaakt van verwarmings-element 196, welke daar-35 bij dan tevens dient cm de buitenste bloksecties 36 en 38 zodanig te verwarmen, dat de temperatuur ervan tenminste in zodanig geringe mate lager is dan de temperatuur van de beide centrale trilwandsecties 32 en 34 van deze blokken, dat tijdens het reinigingsproces geen ontoelaatbare vervorming van deze trilwandsecties plaats vindt.

1007357 -19-

Via toevoerkanaal 186 wordt ook vloeibaar slotmedium 110 onder een zodanige overdruk ervan naar de cilindrische uitsparingen 184 in de wafer draag/centreerstiften 50 t/m 60 gestuwd, dat geen reinigingsmedium benedenwaarts via de stift-doorvoeringen langs deze stiften kan ontsnap-5 pen. Daarbij wederom de O-ringen 182 voor afdichting van deze stift-doorvoeringen .

In de Figuur 5 is sterk vergroot de vulpositie en het vulsysteem met medium voor de module 10' volgens de Figuur 3 aangegeven, waarbij eveneens de toepassing van vloeibaar slotmedium 202.

10 Daarbij is het onderkamerblok 14' opwaarts naar deze vulpositie gebracht en waarbij het ondergedeelte 198' van het slot-element 100 1 in de slot-uitsparing 104' is terecht gekomen.

In de cilindrische binnenwand van dit element zijn een groot aantal, in radiale richting naast elkaar gelegen micro groeven 200' opgenomen, 15 evenals voor de module volgens de Figuren 1 en 6,.welke zich opwaarts uitstrekken vanaf de onderzijde van dit element tot aan de bovenwand 102’ van het onderkamerblok 14'.

Het slot-element schuift daarbij onder zodanige nauwe passing in deze uitsparing, dat daardoor ook bij via toevoerkanaal 108' onder overdruk 20 toegevoerd slotmedium 202 in vloeibare vorm naar slotkamer 106' slechts een toelaatbare minimale hoeveelheid ervan kan ontsnappen naar de spleet-sectie 194' tussen de beide kamerblokken lateraal buitenwaarts dit slot.

Zulk een toevoer van slotmedium 202 vindt daarbij reeds plaats vóór het vullen van de reinigingskamer 16' met vloeibaar reinigingsmedium 204, zcr 25 dat tenminste reeds het gedeelte van de spleetsectie 206' tussen de beide kamerblokken, welke lateraal binnenwaarts grenst aan het slot-element 100', reeds gevuld is met dit slotmedium.

Tijdens dit vullen van de reinigingskamer met reinigingsmedium is de overdruk van het slotmedium 202 in de slotkamer 106' groter dan de druk 30 van dit reinigingsmedium in de reinigingskamer, zodat tenminste nagenoeg geen reinigingsmedium in de spleetsectie 194’ kan terechtkomen.

Met behulp van de serie wafer draag/centreerstiften, waarvan stift 50' is aangegeven, is daarbij een middenpositie van de wafer 18 binnen deze reinigingskamer 16 verkregen, onder de bewerkstelliging van de boven-35 reinigingsspleet 208' en de onderreinigingsspleet 210'.

Zoals de beide kamerblokken uit metaal bestaan, maken de dunwandige trilwandsecties 321 en 34' ervan tevens als electrode deel uit van de respectievelijke transducer-opstellingen 22' en 26 ' .

Tijdens het reinigingsproces drukken door de overdruk van het reini- 1007357 - 20 - gingsmedium in de reinigingskamer 16' ten opzichte van de druk van de koelvloeistof 68 in de beide transducerkamers 20' en 24' de beide combinaties van trilwandsecties en transducer-opstellingen 32'/22' en 34'/26’ tegen de serie aanslagnokken 212' en 214', welke deel uitmaken 5 van de respectievelijke kunststof blokken 62' en 72' als boven- en onderwand van deze transducerkamers.

A R

Figuren 6 t/m 6 tonen voor de module volgens de Figuren 1 en 2 opvolgende fasen van het totale wafer reinigingsproces, met transfer van een te reinigen wafer 18 naar de reinigingskamer 16, het daarop volgen-10 de reinigingsproces voor de wafer daarin en tenslotte de transfer van de gereinigde wafer uit deze reinigingskamer.

In Figuur 6 vindt daarbij bij maximaal naar beneden bewogen cnderkamer-blok 14 met behulp van robotarm 258 de toevoer van een te reinigen wafer 18 in een tenminste nagenoeg centrische positie ervan ten opzichte van de 15 reinigingskamer-uitsparing 16 tot boven de wafer draag/centreerstiften-serie 50 t/m 60, zie tevens Figuur 15 , plaats.

Daarbij geschiedt nog steeds het stromen van koelvloeistof 68 door de beide transducerkamers 20 en 24 en zijn de beide transducer-opstellingen 22 en 26 niet in trilling mede ten behoeve van het gewenst wordende ver-20 lagen van de temperatuur van vooral het centrum van deze module.

Daarbij is in deze transducerkamers 20 en 24 tijdelijk een onderdruk van deze koelvloeistof bewerkstelligd, waardoor deze beide transducer-opstel-lingen en daarmede de eraan gehechte trilwanden 32 en 34 tegen de respectievelijke aanslagnokken 212 en 214 zijn gedrukt.

g 25 In de Figuur 6 is deze wafer 18 boven deze craag/centreerstiften, met de wafer centreersecties 220 ervan in hun lateraal buitenste positie ten opzichte van de reinigingskamer 16 gebracht.

Vervolgens wordt het vacuum in de robot-arm 258 opgeheven (I ) en worden vervolgens de stiften 52, 54, 56 en 58 gemeenschappelijk opwaarts g 30 naar hun bovenste medium-vulpositie gebracht (I ), waarbij deze wafer opwaarts van deze robot-arm wordt bewogen.

Vervolgens wordt deze robot-arm wederom tot buiten de module gebracht (II), waarna de resterende, dan vrij gekomen stiften 50 en 60 (Figuur 15 ), eveneens naar boven bewogen (III).

35 Tenslotte vmct gelijktijdig verdraaiing over 180° van alle stiften plaats (IV), waarbij de centreersecties ervan naar hun lateraal binnenste positie ten opzichte van de reinigingskamer-uitsparing 16 worden gebracht, met de wafer 18 in voldoende mate centrisch ten opzicte van deze kamer-uitsparing (IV).

1007357 - 21 - r

In Figuur 6 is vervolgens het onderkamerblok 14 opwaarts naar zijn mediura-vulpositie voor de reinigingskamer 16 gebracht, waarbij het cilindrische slot-element 100 tot binnen de ermede corresponderende slot-uitsparing 104 is bewogen (I).

5 Vervolgens vindt toevoer van gasvormig slotmedium 110 naar de dan gevormde slotkamer 106 plaats (II), waarbij in de spleetsectie 206 tussen de beide kamerblokken tenminste grenzend aan het slot-element 100 het gas-slot 222 is ontstaan en wordt daarna via de toevoerkanalen 42 en 44 (zie tevens Figuur 15 ) vloeibaar reinigingsmedium 204 naar de reinigings-10 kamer 16 gestuwd (III), met afvoer van het teveel ervan via de afvoerkanalen 46 en 48.

Gasvormig medium, welke zich in deze reinigingskamer bevindt en-mcge-lijk aangevuld door gasvormig slotmedium 110 vanuit gasslot 222, wordt daarbij via het cilindrische bufferkanaal 98 en afvoerkanaal 224- opwaarts 15 afgevoerd.

Al dan niet gelijktijdig zijn daarbij de beide transducer-opstellingen 22 en 25 en daarmede de trilwanden 32 en 34 in trilling gebracht.

Door een bewerkstelligde lagere druk van de koelvloeistof 58 in de beide transducerkamers 20 en 24 ten opzichte van de druk van het medium in 20 de reinigingskamer blijven deze transducer-cpstelligen tegen de respectievelijke aanslagnokken 212 en 214 gedrukt.

In de Figuur 6 is vervolgens het onderkamerblok 14 verder opwaarts naar zijn bovenste aanslag-positie tegen het bovenkamerblck 12 bewogen, waarbij vloeibaar reinigingsmedium 204 uit de reinigingskamer 16 naar de 25 cilindrische buffer 98 wordt gestuwd.

Alle medium toe- en afvoerkanalen voor deze reinigingskamer 16 zijn dan afgesloten, met slechts afvoer via één of meerdere overstrocmventielen boven een bepaalde druk. Wel blijft daarbij toevoer van slotmedium naar slotkamer 106 onder hogere druk dan die van het medium in de reinigings-30 kamer plaats vinden.

Door het daardoor in de micro-spleet 206 met mogelijk plaatselijk een micro-hoogte ervan onderhouden van het gasslot 222 kan geen aggressief reinigingsmedium 204 vanuit deze reinigingskamer lateraal buitenwaarts via deze spleet uit de module ontsnappen.

35 Met behulp van het megasonisch trillen van de beide trilwanden 32 en 34 vindt daarbij in de reinigingssplten 208 en 210 van deze reinigingskamer een optimale reiniging van zowel de boven-topographv 226 als van de onder-topography 228 van de wafer plaats, zie tevens sterk vergroot 1007357 - 22 -

Figuur 13A.

Daarbij geschiedt de inwerking van het megasonisch trillende aggres-sieve vloeibare reinigingsmedium op de grenslaag 230 en vooral ter plaatse van de crevices 232, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de 5 Figuur 12B.

Verder wordt daarbij een zodanige koeling van de beide transducer-opsteilingen 22 en 26 bewerkstelligd door het doorstromen van de beice transducerkamers 20 en 24 door koelvloeistof 68, dat de temperatuur van het reinigingsmedium in de reinigingskamer geleidelijk toeneemt (t+—t~~) 10 tot tenminste nabij het kookpunt van het laagkokende gedeelte van het vloeibare reinigingsmedium, met door het koken ervan uitstuwing van het teveel aan vloeibaar reinigingsmedium uit de reinigingskamer via de afvoerkanalen 44 en 46.

Met 'cenulp van de verpiaatsings-inrichting 30 voor het onderkamerblok 15 14, Figuur 2, wordt deze vervolgens over een geringe afstand, vanaf bij—

E C

vooroeelc 20 urn naar 30 um, naar beneden bewogen, Figuur 6 .en 13 .

Door de daarbij bewerkstelligde plotselinge zeer sterke drukverlacing van het medium in de beide reimgincsspleten 208 en 210 van de reinigincs-ksmer gaat een groot gedeelte van dit laagkokende vloeibare medium over in 20 öampvormig medium 234.

Daarbij geschiedt eveneens in deze grenslaag 230 en vooral in deze groeven 232 zulk een keken, doordat voorafgaand eveneens de wrafer op de gewenst wordende hogere temperatuur t is gebracht.

Daardoor vindt door de optredende verdamping in deze groeven en grens-25 laag het uitdrijven van residue vloeibaar reinigingsmedium inclusief eventuele verontreinigingen met behulp van het gevormde dampvormige medium Π) 234 daaruit plaats, zoals is aangegeven in de Figuur 13 .

Verder vindt daarop volgend de aanvullende reinigende werking van deze combinatie van vloeibaar en dampvormig medium op de wafer boven- en cncer-30 topography 226 en 228 plaats.

p

Zoals is aangegeven in de Figuur 6 , vindt in een gunstige werkwijze na

E

deze expansieslag, Figuur 6 , toevoer van de combinatie 204 van hoogkokenc aggressief reinigingsmedium en laagkokend vloeibaar medium plaats, met een tenminste gedeeltelijke uitdrijving van residue reinigingsmedium uit de bei-35 de reinigingsspleten 208 en 210.

Na het vervolgens weer opwaarts verplaatsen van het onderkamerblok 14 naar zijn bovenste positie, zoals is aangegeven in de Figuur 6D.en de Fi-

->A B

guren 13 en 13 , en waarbij verder residue reinigingsmedium 204 uit de beide reinigingsspleten wordt gestuwd, herhaalt in een gunstige werkwijze 1007357 - 23 - deze expansie/compressie-cyclus zich enige malen, zoals in de Figuren 6 en 13 is aangegeven.

In een gunstige module-uitvoering zijn daarbij tegen de onderzijde van de boventrilwand 32 en op de ondertrilwand 34 een groot aantal micro 5 nokken 216 en 218 aangebracht, met een hoogte ervan, welke minimaal de gewenste hoogte van de beide reinigingsspleten 208 en 210 aan het einde van de compressieslag van het onderkamerblok 14 is, zoals is aangegeven

j en C ,.A en C

in de Figuren 13 en 14

Hierdoor is het niet mogelijk, dat onder ongunstige omstandigheden 10 zulk een spleethoogte zodanig gering wordt, dat de wafer onder maximale kleefkrachtwerking van het reinigingsmedium tegen zulk een wand wordt aangezogen.

Binnen net kader van de uitvinding is daarbij elke andere hoogte van deze nokken mogelijk.

15 Voor de nokken 218 daarbij zelfs mogelijk een zodanige hoogte, dat m de vulpositie van het onderkamerblok 14 de wafer 18 door deze nokken wordt gedragen en niet door de serie wafer draag/'centreerstiften 50 t/m 60.

Daardoor wordt vermeden, dat bij het lichten van deze wafer vanaf die onderkamerblok met behulp van het toch beperkte aantal draag/centreer- 20 stiften ten behoeve van het bewerkstelligen van de vulpositie van de wafer, A m zoals is aangegeven in onder andere Figuur 5 en Figuur 6W, een ontoelaatbare beschadiging van deze wafer optreedt.

Na deze compressie/exoansie-cyclussen vindt het benedenwaarts ver-

G

plaatsen van het onderkamerblok naar zijn vulpositie, Figuur 6 , plaats.

25 Binnen het kader van de uitvinding is het echter ook mogelijk, dat dit

D A

onderkamerblok vanaf zijn bovenste compressie-positie, Figuren 6 , 13 en

S G

13 , onmiddellijk terug benedenwaarts naar zijn vulpositie, Figuur 6 , wordt gebracht, zoals mede is aangegeven.

Daarbij komt de wafer op de draag/centreerstiften 50 t/m 60 en eventu- 30 eel de öraagnokken 218 op de ondertrilwand 34 te rusten, met de daardoor bewerkstelligde circa middenpositie van de wafer in de reinigingskamer 16, met een ongeveer gelijke hoogte van de reinigingsspleten 208 en 210.

Via de micro slot-groeven 200 vindt daarbij toevoer van slotmedium 110 naar de spieetsectie 206 tussen de beide kamerblokken 12 en 14 plaats ten 35 behoeve van het daarin onderhouden van het mediumslot 222.

Daarbij vindt een nog aanzienlijker druk-verlaging van het medium in de beide reinigingsspleten 208 en 210 plaats door de zelfs mogelijke circa 100-voudige volume-vergroting van deze beide spleten,

Daarbij treedt een extra sterke omzetting van het laagkokende gedeelte 1007357 - 24 - van het reinigingsmedium 204 in dampvormig medium 234 op, met aldus daarmede een nog aanzienlijker uitdrijving van residue reinigingsmedium medium 204 uit de groeven 232 en grenslaag 230 van de wafer boventopo- graphy 225 met behulp van het in dampvormige medium 234 omgezette ge-

C D

5 gedeelte ervan, Figuren 13 en 13 , fase I.

In een gunstige werkwijze vindt daarbij één of meerdere herhalingen van zulk een ccmpressie/expansie-cyclus plaats, zoals in Figuur 6 is aangegeven.

Vervolgens vindt dan het spoelen/hervullen van de beide reinigingssple-10 ten 208 en 210 met vers reinigingsmedium 204 plaats, fase II, Figuur 6 , met de uitstuwinc mede van het dampvormige medium 234 tezamen met gasvormig slotmedium 110 uit de reinigingskamer 16 via de afvoeren 46 en 43 in het onderkamerblck 14 en afvoer 224 in het bovenkamerblok 12'.

Binnen het kader van de uitvinding kan ook deze compressie/expansie/ 15 hervul-cvclus zich herhalen, zoals is aangegeven, en zulks al dan niet in combinatie met de voorgaand cmschreven mini compressie/expansie/hetvul-cyclussen.

K

In oe Figuur 6 , tase I , vindt na zulke cyclussen in de daarop volgende vulpositie van het cnderkamerblok 14 het spoelen van de beide reim-20 gingsspleten 208 en 210 met spoelvloeistof 236, en zulks bij voorkeur Dl

A

water, plaats, zie tevens de Figuur 11 .

A

Daarbij stuwt ce via de toevcerkanaien 42 en 44, Figuur 15 , toegeveerde spoelvloeistof 236 onder nog voortgezette trillingsconcitie van de beide trilwanden 32 en 34 de combinatie van afgewerkt aggressief reinigings-25 medium 204 en het gedeeltelijk in dampvorm 234 omgezette laagkokende gedeelte ervan en mogelijk in dampvorm 238 omgezette spoelvloeistof 236 naar de beide afvoerkanalen 46 en 48 in dit onderkamerblok en via de cilindrische buffer 98 naar het afvoerkanaal 224 in het bovenkamerblok 12.

Daarbij mede met behulp van de megasonisch trillende spoelvloeistof het 30 effectief verwijderen van residue reinigingsmedium 204 uit de crevices 232 van de wafer boventopography 226, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven q in de Figuur 18 .

Met behulp van een versterkte doorstroming van de beide transducerka-mers met koelvloeistof 68 wordt daarbij de temperatuur van mede de reini-35 gingskamer 16 verlaagd. Zulks al dan niet mede met behulp van een verminderde trillings-intensiteit van de beide transducer-opstellingen 22 en 26.

Daarna vindt wederom de daarop volgende opwaartse compressieslag van het onderkamerblok 14 plaats, met het aldus bewerkstelligen van de micro-hoogte van de beide reinigingsspleten 208 en 210, Figuur 6 en sterk ver- 1007357 - 25 - g groot Figuur 11 .

Daarbij in een gunstige werkwijze door een verminderde koeling van deze transducer-opstellingen 22 en 24 in combinatie met een verhoogde 2 "2 trillings-intensiteit ervan, bijvoorbeeld van 8 W/cm naar 12 W/cm , het 5 verhogen van de temperatuur van de reinigingskamer 16 met inhoud tot het kookpunt, van de spoelvloeistof 236 onder de compressiedruk ervan, I |- j met in de eindfase mogelijk zelfs een reeds koken ervan (t 0).

Zoals vervolgens wederom het onderkamerblok 14 terug benedenwaarts r naar zijn vulpositie wordt gebracht, Figuur 6^. en sterk vergroot Figuur

C

19 11 , vindt vooral aan het einde van de expansieslag het koken van deze spoelvloeistof plaats, met een gedeeltelijke omzetting ervan in dampvorm 238.

Daarbij geschiedt zulk een damp-ontwikkeling tevens in de micro crevices 232, met uitstuwing van residue vloeibaar spoelmedium daaruit en 15 dit mogelijk tezamen met daarin nog achtergebleven residue reinigingsme-dium 202, Figuur 123.

Binnen het kader van de uitvinding kan zulk een spoei-cyclus zich herhalen, zoals is aangegeven in Figuur 11.

In de daarop volgende compressie/expansie-cyclus van het totale wafer 20 reinigingsproces wordt in de vulpositie van net onderkamerblok met behuio

M

van IPA als lichtverdampbaar spoelmedium, fase I van Figuur 6' , deze spoelvloeistof 236 en zijn damp 238 uit deze reinigingsspleten 208 en 210 en daarmede eveneens van de wafer boven- en ondertopography 226/228 af

0 PCD

gedreven, zie tevens de Figuren 11 t/m 11 en 12 en 12 .

25 Daarna vindt in de daarop volgende vulpositie van het onderkamerblok,

M O

Figuur 6 , fase II,en sterk vergroot Figuur 6 , aan het einde van de benedenwaartse expansieslag van het blok met behulp van het instuwen onder overdruk van gefilterd N2 als gasvormig spoelmedium 244 via kanaal 224, daarbij fungerend als toevoerkanaal, en de cilindrische buffer 98 het in 30 benedenwaartse richting uitstuwen van residue IPA damp 242 plaats.

Zulks via de kanalen 42 en 44, daarbij tijdelijk fungerend als afvoerka-

A

nalen, in combinatie met de afvoerkanalen 46 en 48, Figuur 15 .

In een gunstige werkwijze vindt daarbij vervolgens wederom de opwaartse maximale compressieslag van het onderkamerblok plaats, Figuur 6N, met 35 tenminste tijdelijk een nog voortgezette toevoer van gasvormig medium 244 via kanaal 224 en afvoer ervan tezamen met restanten IPA damp 242 via de kanalen 42, 44, 46 en 48.

Daarop volgend vindt in de eindfase van dit totale wafer reinigings-P R

systeem, Figuur 6 , en sterk vergroot Figuur 6 , het benedenwaarts 40 bewegen van dit onderkamerblok naar zijn onderste wafer transferpositie 1007357 - 26 - plaats.

Daarbij wordt de gereinigde wafer 18 nog door een aantal wafer draag/ centreerstiften 50 etc., welke zich niet in de wafer transferzóne bevinden, gedragen, terwijl de andere stiften verder benedenwaarts zijn ver-5 plaatst ten behoeve van het brengen van de robot-arm 258 binnen de module naar de denkbeeldig aangegeven overneempositie 246 ervan onder de wafer 18.

A

In de Figuur 14 zijn de trilwanden 32 en 34 voorzien van de respectievelijke micro-groeven 260 en 262.

10 Deze strekken zich in een aantal series ervan in laterale richting van deze wanden uit, met tussengelegen vlakke wandsecties.

Daarbij zijn de profielen ervan zodanig, dat het door deze groeven gedivergeerd wordende medium in de beide spleten een resulterende krachtwerking uitoefent op ce wafer 18 in de richting van verdraaiing ervan.

15 Tevens vindt daarbij de inwerking van dit gedivergeerde, megascniscn trillende remigingsmedium 204 op de wafer boven- en cndertcpographv 226/228 plaats, zoals tevens in de Figuur 14 sterk vergroot is aangegeven veer de micro crevice 232 en grenslaag 230 van deze bcventopccrapny. In de Figuur 14^, met de daarin aangegeven benedenwaartse expansie-20 slag van de oncertrilwanc 34, vindt de inwerking van de combinatie van vloeibaar remigingsmedium 204 en dampvermig medium 234 onder trillende conditie ervan cp de wafer boven- en cncertcpograDhy 226/228 . ,D . t . .. / ' p.aats, met m riguur x4 zeer sterx vergroot ce verwijcermg van rijn vernevelde residue vlceistofdeeitjes 204 tezamen met eventuele verent- 25 reinigingen door het verdampen van iaagkokend vloeibaar medium in zulk een crevice 232, waarbij de opwaartse verplaatsing van het ontwikkelde campvormige medium 234 tezamen met deze vloeistofdeeltjes en eventuele verontreinigingen uit deze crevice in de richting van het centrum van de bovenreinigincsspleet 208.

7^ B

30 Figuren 7' en 7 tonen sterk vergroot een gedeeltelijke langscoorsnede van de module 10 volgens de Figuur 1, met daarin de toepassing van het

A R

totale wafer reinigingssvsteem volgens de Figuren 6 t/m 6‘ .

Figuur 7 toont daarbij het einde van de opwaartse compressiesiag van het onderkamerblok 14 en daarmede van de ondertrilwand 34.

35 Daarbij drukken de beide trilwanden 32 en 34 tezamen met de respectievelijke transducer-opstellingen 22 en 26 onder de overdruk p++ van her remigingsmedium 204 in de beide reinigingsspleten 208 en 210 met de tussenliggende micro-film koelvloeistof 68 tegen de respectievelijke aan-slagnokken 212 en 214, welke zijn opgenomen in de respectievelijke trans- 1007357 - 27 - ducerkamers 20 en 24.

B

De Figuur 7 toont het einde van de benedenwaartse expansieslag van dit onderkamerblok, waarbij de wafer 18 op de draag/centreerstiften 50 t/m 60 is komen te rusten, met door de circa 100-voudige volume-vergroting 5 van de beide reinigingsspleten 208 en 210 de bewerkstelliging van zelfs de aangegeven onderdruk p van het reinigingsmedium 204 en een daardoor gepaard gaande zeer sterke en plotelinge omzetting van het laagkokende gedeelte ervan in damp 234.

Met behulp van de op de beide trilwanden 32 en 34 aangebrachte micro-10 nokken 216 en 218 wordt daarbij belet, dat tijdens het vanaf de bovenste compressie-positie van dit onderkamerblok benedenwaarts verplaatsen ervan de wafer 18 onder capillaire kleefkrachtwerking van het vloeibare gedeelte van het. reinigingsmedium 204 tegen één van deze wanden 32 of 34 blijft kleven, waardoor tenminste het reinigingssvsteem niet kan worden ver-15 stoort. Daarbij is de hoogte van deze nokken afhankelijk van de sterkte van deze kleefkracntwerking van het reinigingsmedium.

Zoals daarbij denkbeeldig is aangegeven, kunnen in een alternatieve module-uitvoermg de nokken 216 op de ondertrilwand 34 een zodanige hoogte hebben, dat de wafer 18 aan het einde van de expansieslag daarop komt te 20 rusten en vindt pas overname van deze wafer door de serie draag/centreerstiften 50 t/m 60 plaats aan het einde van het totale wafer reinigingsproces, waarbij ten behoeve van de af voer van de gereinigde wafer het on-derkamerblok 14 en daarmede de trilwand 34 verder benedenwaarts wordt bewogen.

A E

25 Figuren 8 t/m 8 tonen voor de module volgens de Figuur 1 en met het

A R

totale wafer reinigingsproces volgens de Figuren 6 t/m 6 de daarbij plaats vindende öruk-opbouw van de mediums 204, 68 en 110 in respectievelijk de reinigingskamer 16, de beide transducerkamers 20 en 24 en de slot-kamer 106 tijdens: 30 a) de opwaartse verplaatsing van het onderkamerblok 14 vanaf zijn onderste wafer transferpositie naar zijn medium-vulpositie voor de reinigingskamer 16, Figuur SA; b) het in deze vulpositie vullen van deze reinigingskamer met reinigingsmedium 204; 35 c) de verdere opwaartse verplaatsing van het onderkamerblok als compres- c

sieslag ervan naar zijn bovenste wafer reinigingspositie, Figuren 8 en qD

8 ; en d) tenslotte het einde van deze ccntpressieslag van dit onderkamerblok,

E

Figuur 8 .

1007357 - 28 -

Binnen het kader van de uitvinding zijn daarbij echter variaties in zulk een druk-opbouw van de verschillende samenwerkende mediums mogelijk.

Verder zijn de afsluitsystemen voor deze kamers eenvoudig in open en dichte positie ervan aangegeven, met daarbij echter elk type van af-5 siuitsysteem mogelijk.

AG AG

De Figuren 9‘ t/m 9 tonen vergroot en Figuren 10 t/m 10 sterk vergroot voor de module volgens de Figuur 1 een alternatief wafer reinigingsproces , met de daarbij aangegeven temperatuur- en drukopbouw van de mediums in de beide reinigingsspleten 208 en 210 en de transducerkamers 20 en 24.

^ B A B

IC In de Figuren 9‘ en 9 en 10 en 10 aan het einde van de compressie-slag de toename van de temperatuur van zowel de koelvloeistof 68 als van het reinigingsmedium 204 in combinatie met de toename van de druk van dit reinigmgsmedium.

C C

In de Figuren 9 en 10 aan het einde van de mini-expansieslac van het 15 onderkamerblok door de sterke volume-vergroting van de beide reinigmcs-spleren 203 en 210 de afname van de druk van het daardoor gedeeltelijk in dampvorm omgezette reinigingsmedium, 204/234, met daarbij maximaal dezelfde druk van de koelvloeistof 68 in ce beice transducerkamers 20 en 24.

In de Figuren 9° en 10° zonder een plaats vindende toevoer van reini-20 gingsmedium tijdens de daarop volgende compressieslag van het onderkamerblok door de voortgezette warmte-toevoer vanuit de beide transducerkamers 2C en 24 naar de remigingskamer 16 en daarmede naar het reinigingsmedium een daardoor bewerkstelligde verhoogde druk van dit medium en tevens een verdere omzetting in dampvormig medium 234 van een deel ervan, waardoor 25 fijn vernevelde deeltjes vloeibaar reinigingsmedium 204 in de megasonisch trillende micro-kolcm dampvormig medium 234 inwerken op de wafer bovenen onöertopographv 226/228.

In de Figuren 9^ en 10"" aan het einde van de maximale expansieslag vindt door de zeer aanzienlijke volume-vergroting van de beide reinigings-30 spleten 208 en 210 een zeer sterke drukval van het reinigingsmedium 204/ 234 naar zelfs een onderdruk ervan plaats, waarbij tevens de temperatuur ervan is verlaagd.

De druk van de koelvloeistof 68 in de beide transducerkamers 20 en 24 wordt daarbij aangepast, terwijl de temperatuurs-verlaging van deze koel-35 vloeistof mede deze temperatuurs-verlaging van het reinigingsmedium mogelijk maakt.

In de Figuren 9 en 10 bij het spoelen respectievelijk hervullen van de beide reinigingsspleten 208 en 210 met toevoer van vers spoel/hervulme-dium 204 onder overdruk wordt daardoor de combinatie van residue-vloei- 1007357 - 29 - stofdeeltjes 204 en dampvormig medium 234 tezamen met eventuele verontreinigingen vanuit de beide reinigingsspleten gedreven.

Binnen het kader van de uitvinding dienen in een alternatieve module-

G G

uitvoering en werkwijze, Figuren 9 en 10 , deze wafer draag/centreerstif-5 niet ter mede bewerkstelliging van de in hoogterichting al dan nier centrale vulpositie van de wafer binnen de reinigingskamer, zoals reeds

B

denkbeeldig is aangegeven in de Figuur 7 , en wordt deze vulpositie uitsluitend verkregen door middel van deze nokken 218 op de ondertrilwand 34. Zulks is mogelijk toepasbaar voor tenminste een groot aantal wafer rei-10 nigingsprocessen, zoals daarbij de reiniging van de wafer boventopography 226 primair is en van de wafer ondertopographv 228 secundair en vindt m de onderreinigingsspleet 210 dan toch nog een toereikende reiniging van deze wafer-onderzijce plaats.

Daarbij geschiedt na het wafer reinigingsproces pas na het over enige 15 afstand verder naar beneden verplaatsen van het onderkamerblok 14 m de richting van de onderste wafer transferpositie ervan de overname van deze wafer door deze wafer draag/centreerstifcen.

Daarbij vmct tevens een nog aanzienlijker volume-·vergroting van de primaire bcvenreinigingsspleet 208 en nagenoeg geen volurne-vergroting van 20 de onderreinigingsspleet 210 plaats tijdens de benedenwaartse expansie-slag van het onderkamerblok 14 vanaf zijn bovenste ccmpressie-positie.

Binnen het kader van de uitvinding kan verder tijdens het reinigingsproces zulk een maximale volume-vergroting van de bcvenreinigingsspleet veelvuldig plaats vinden, waarbij de vulpositie voor de wafer bepaald 25 wordt door de hoogte van deze nokken 218.

AF AD

Figuren 11 t/m 11 tonen sterk vergroot en Figuren 12' t/m 12 zeer sterk vergroot de spoelfase in het reinigingsproces volgens de Figuren 6'^ t/m 6^.

Figuur 11'^ toont daarbij het spoelen en hervullen van de beide reini-30 gingsspleten met Dl water 236 aan het einde van de expassieslag van het onderkamerblok 14 en daarmede van de ondertrilwand 34.

Figuur 12 toont daarbij zeer sterk vergroot het spoelen en vervolgens hervullen met Dl water 236 van de crevices 232 van de wafer boventopography 226.

g 35 Figuur 11 toont nabij het einde van de daarop volgende ccmpressieslag van het onderkamerblok het uitdrijven van Dl water 236 uit de beide reinigingsspleten 208 en 210.

10u;5 5 V

- 30 -

C

Figuur 11 toont aan het einde van de daarop volgende expansieslag door het koken van het Dl water het gedeeltelijk omzetten ervan in damp- vormig medium 238.

9

Figuur 12 toont daarbij zeer sterk vergroot door het koken van het 5 Dl water 236 in de crevice 232 van de wafer 18, met omzetting ervan in dampvormig medium 238, het uitdrijven daaruit van het grootste gedeelte van dit Dl water.

D E

Figuren 11 en 11 tonen daarbij sterk vergroot de daarop volgende spoelfase voor de beide reinigingsspleten 208 en 210 met behulp van IPA 10 ais spoelmedium 240, met uitdrijving van residue Dl water 236 en waterdamp 238.

C

Figuur 12 toont daarbij zeer sterk vergroot zulk een spoelfase ter plaat.se van de crevice 222 van de wafer boventopograp'ny 226.

F D

Figuren _± en i2 tonen tenslotte het met behulp van gasvormig spoel-15 medium, 244 uitdrijven van residue IPA damp 242 uit de beide reinigings-spiete.n 208 en 210 en daarmede tevens uit de crevices 232 van de wafer bcventopography.

a AA

In ae Figuur It is m de dwarsdoorsnede 15 - 15 * van de module volgens de Figuur I de te reinigen wafer 18 met behulp van de denkbeeldig aange-20 geven robot-arm 258 tot boven de wafer draag/centreerstiften 50 t./m 60 gebracht en vervolgens door middel van de wafer centreersecties 220 van deze stiften naar zijn correcte wafer reinigingspositie ten opzichte van de reinigmgskamer-uitsparing 16, zoals tevens is aangegeven in Figuur 15β, gebracht.

25 Via de toevoer-uitmonding 42 worden vervolgens in de vulpositie van

C

het onderkamernlok (Figuur 6 ) stromen reinigingsvloeistof 204 door de aangegeven boven-reinigingsspleet 208 en door de zich onder de wafer bevindende onder-reinigingsspleet 210 naar de tegenover liggende afvoer-uirmonüing 46 gestuwd.

30 Tegelijkertijd wordt via de toevoer-uitmonding 44 soortgelijk reinigings-meöium 204 via deze spleten 208 en 210 naar de afvoer-uitmonding 48 gestuwd .

Daarbij kant een gedeelte van het uit de uitmonding 42 gestuwde medium ook terecht in de afvoer-uitmonding 48 en uit de uitmonding 44 in de uit-35 monding 46 en zulks mede via het gemeenschappelijke medium toe/afvoerka-naal 40, waardoor tenminste mede een verdraaiing van deze wafer 18 wordt bewerkstelligd, zoals gewenst is ten behoeve van een zo gelijkmatig mogelijk wafer reinigingsproces, daar de transducer-opstellingen 22 en 26, Figuur 1, zoals bekend, uit een aantal naast elkaar gelegen transducer- 1007357 - 31 - elementen bestaat, met daarbij een ongelijkmatige trillings-intensiteit en sterk afnemend aan de uiteinden ervan.

In de Figuur 15 is nog in een vergroot detail van een sectie van deze dwarsdoorsnede na het terecht koten van de te reinigen wafer 18 boven 5 de reinigingskamer-uitsparing 16 door het vervolgens opwaarts verplaatsen van de wafer draag/centreerstiften 50 t/m 60 de centreersecties 220 ervan terecht gekomen over een beperkte afstand lateraal buitenwaarts deze wafer, zoals denkbeeldig is aangegeven.

Door het vervolgens over circa 180° verdraaien van alle, deze wafer 10 dragende stiften 50 t/m 60, zoals voorgaand is omschreven voor de in de Figuren 1 en 2 getoonde module 10, worden deze wafer centreersecties 220 ten opzichte van deze kamer-uitsparing 16 lateraal binnenwaarts gezwenkt, zoals is aangegeven, waardoor deze wafer naar een zodanig contrische positie ervan ten opzichte van deze kamer wordt gedrukt, dat vervolgens door 15 het opwaarts verplaatsen van het onderkamerblok 14 deze wafer binnen deze reinigingskamer terecht komt.

In de Figuur 16 is in een gedeeltelijke langscoorsnede van de moduie-uitvoering 10' ’ ' de bovenzijde van de ondermi wand 34''' aangegeven.

Daarbij zijn op deze trilwand naast de groepen micro-nokken 218' ' ' zevens

A

20 een aantal nokken 264 aangebracht, zie tevens Figuur 16 .

Zulks ten behoeve van het tijdens het vul- en reinigingsproces onderhouden van een zodanig grote hoogte van de onderspleet 210 1 ' ' , dat bij toepassing van reinigingsmedium 204 met een hoge capillaire adhesie-wer-king toch geen zodanig aankleven van de wafer 18 tegen deze onderwand 34' ' ' 25 plaats vindt, dat bij tenminste mede het openen van de module deze wafer zodanig er tegen gekleefd blijft, dat tijdens het verwijderen ervan vanaf deze wand met behulp van de serie draag/centreerstiften, Figuur 15' , beschadiging van deze wafer geschiedt.

Deze series micro-nokken 218 1 ' ' zijn daarbij, zoals voorgaand reeds is 30 omschreven, zodanig geprofileerd, dat het erdoor gedivergeerde stromen megasonisch trillende reinigingsmedium 204 een krachtwerking op de wafer 18 uitoefenen in de richting van de gewenst wordende verdraaiing ervan, zoals is aangegeven.

Deze nokken 264 betalen tevens de hoogte van de onderreinigingsspleet 35 210111 in de vulpositie van het onderkamerblok 14 1 1' en daarmede van de ondertrilwand 34' 1 1 , zoals in de Figuur 16 is aangegeven, met daarbij eveneens de ruime bovenreinigingsspleet 208'1 ' ,

De boventrilwand 32''' bevat eveneens de series micro-nokken 216 1 ' ' ten behoeve van het tenminste mede divergeren van de stromen megasonisch 1007357 - 32 - trillende reinigingsmedium 204.

g

In de Figuur 16 is deze boventrilwand 34'’'' geheel vlak en is daarbij wederom de vulpositie van het onderkamerblok en daarmede van de onder-trilwand 34' 1 ' ' aangegeven.

5 In de Figuur 16 aan het einde van de opwaartse compressieslag van dit onderkamerblok dan het mogelijk bewerkstelligen van de aangegeven micro- hoogte van de bovenreinigingsspleet 208'’'' ten behoeve van een optimaal reinigingsproces van de wafer 18.

A E

Figuren 17 t/m 17 tonen binnen het kader van de uitvinding opvolgende 10 fasen van een alternatief wafer reinigingssysteem voor de module volgens de Figuur 1, waarbij in de vulpositie van het onderkamerblok geen centrale positie in opwaartse richting van de wafer 18 binnen de reinigingskamer 16 wordt bewerkstelligd met behulp van.de serie wafer draag/centreerstiften, Figuur 15A.

15 daarbij dragen de micrc-nokken 218 op de ondertrilwand 34 reeds de wafer 13 in de vulpositie van net onderkamerblok 14, met aldus de maximale hoogte van de primaire bovenreinigingsspleet 208 en de minimum hoogte van de secundaire oncerreinigingsspleet 210 tijdens het vullen, spoelen en her-vu__er. met medium ervan, zoals is aangegeven in de Figuur 1,· , rase I.

20 Zulk een wafer-positie is reeds rroceiijk als met behulp van het niet aangegeven mediumslct 100/104, Figuur 1, reeds afsluiting van deze reini-gincskamer 16 is bewerkstelligd.

Verder vindt aan het einde van de opwaartse ccmpressiesiac van dit on- g derkamerblok 11, Figuur i7 , fase het optimaal verkleinen van de hoogte 25 van deze bovenreinigingsspleet 208 naar circa 30 pm (typ) plaats, waarbij dit onderkamerblok tegen het bovenkamerblok 12 (Figuur 1) is komen te drukken.

De nokken 218 maken daarbij nog geen mechanisch contact met de wafer 18.

Vervolgens vindt in deze positie door een sterke warmte-toevoer vanaf 30 de beide rransducer-opstellingen 22 en 26, Figuur 1, via de beide tril-

wande.n 32 en 34, zoals reeds omschreven voor de werkwijze volgens de Fi-A R

guren 6 t/m 6 , het omzetten van tenminste een gedeelte van het vloeibare reinigingsmedium 204 in dampvormig medium 234 in tenminste de bovenreinigingsspleet 208 plaats, met reeds het uitdrijven vanresidue-vloei-

C

35 baar medium daaruit. Figuur 17 , fase I.

Tijdens de daarop volgende benedenwaartse expansieslag van dit onderkamerblok en daarmede van de ondertrilwand 34, Figuur 17°, fase I.vindt dan het voortgezet, doch versterkt omzetten van reinigingsmedium 204 in dampvormig medium 234 in de beide reinigingsspleten 208 en 210, met een 1007357 - 33 - nog voortgezette uitdrijving van reidue vloeibaar medium 204 daaruit, plaats.

Daarbij met behulp van de damp-ontwikkeling in de onderreinigingsspleet 210 het bewerkstelligd lichten van de wafer 18 vanaf deze nokken 218.

5 Vervolgens komt door toevoer van vers reinigingsmedium 204 naar de £ reimgingskamer 16, Figuur 17 , fase I, met vooral het daarbij gepaard gaande opwaarts stuwen van vers reinigingsmedium naar de bovenreinigings-spleet 208,de wafer 18 wederom met een tussenliggende film vloeibaar medium op deze nokken te rusten.

& 10 Zoals in deze vulpositie volgens de Figuur 17 na de reinigingsfase I spcelvlceistof 236 wordt toegeveerd, fase II, vindt tijdens de compressie-slag van het oncerkamerblok 14, Figuur 17 , fase II, het uitdrijven daarmede van residue vloeibaar reinigingsmedium 204 en dampvormig medium 234 uit de beide reinigingsspleten 208 en 210 plaats.

15 Vervolgens vindt door de aanzienlijke warmte-toevoer aan het einde van

C

ae compressiesiac, Figuur 17 , fase II, aaarbij door omzetting van tenminste een gedeelte van het spoeimedium 236 in dampvormig medium 238 een verdere uitstuwing daarmede van deze combinatie 204 en 234 uit deze spleten plaats.

20 Daarna geschiedt aan het einde van de daarop volgende expansieslac van cit blok, Figuur 1, , fase II, het uitstuwen van ae combinatie van vloeibaar medium in fijn vernevelde vorm ervan 236 en in dampvorm 234 omgezet spoeimedium uit deze beide reinigingsspleten met behulp van toegeveerd IPA.

U

25 In de Figuur 17", fase II(is de eindfase van het totale wafer reinigingsproces aangegeven, met het spoelen van de beide reinigingsspleten 208 en 210 met gasvormig spoeimedium 244, met uitdrijving daarmede uic deze reinigingsspleten vanresidue-deeltjes vloeibaar IPA 240 en IPA damp 242.

30 Zoals tenslotte het onderkamerblok 14, Figuur 1, verder benedenwaarts naar zijn onderste wafer transferpositie wordt bewogen, wordt deze gereinigde wafer door de niet aangegeven serie wafer draag/centreerstiften overgenomen ten behoeve van de verdere robotische transfer ervan.

A F

Figuren 18 t/m 18 tonen voor de module 10 volgens de Figuren 1 en 35 4 nog een alternatieve werkwijze van het totale wafer reinigingsproces.

Figuur 18 toont in een gedeeltelijke langsdoorsnede van deze module het laterale uiteinde van de reinigingskamer 16.

Daarbij strekt in het bovenkamerblok 12 het daarin opgenemen cilindrische qasbuffer-compartiment 98 zich in laterale richting voor een groot 1007357 - 34 - gedeelte ervan uit boven het cilindrische medium toe/afvoerkanaal 40.

A C

Figuur 18 en zeer sterk vergroot Figuur 18 tonen het einde van de opwaartse compressieslag van het onderkamerblok 14, met een daarbij bewerkstelligde verhoging van de temperatuur van de beide trilwanden 32 5 en 34, het reimgingsmedium 204 in de beide reinigingsspleten 208 en 210 en de wafer 18.

Daarbij wederom, zoals denkbeeldig is aangegeven in de Figuur 7 , het met behulp van de serie wafer draagnokken 218 op de ondertrilwand 34 het bewerkstelligen van een centrale positie van de wafer 18 in de hoogte-10 richting van de reinigingskamer 16, met aan weerszijde ervan deze reinigingsspleten 208 en 210.

B D

Figuur 18 en zeer sterk vergroot Figuur 18 tonen daarbij een daaropvolgende plotselinge drukverlaging van het medium in deze spleten, met een bewerkstelligd koken van het laagkokende gedeelte ervan en aldus reeds 15 afveer van deeltjes vloeibaar reinigingsmedium 204 tezamen met het gevormde dampvormige medium 234 daaruit.

t?

Figuur 13“ toont zeer sterk vergroot: tijdens de daarop volgende aanzienlijke benedenwaartse expansieslag van her onderkamerblok 14 naar zijn spoel/ hervui-positie door de daarbij gepaard gaande verdere aanzienlijke drukver-20 lacing en aldus verdamping van het noc aanwezige laagkokende vloeibare medium een daarmede remuinste nagenoeg geheel uitdrijven van de in de beide reinigingsspleten onder megasonische trillmgsconditie vernevelde vloeistof deeltjes tezamen met dampvormig medium 234.

Hij toepassing van IPA 240, fase II, als tweede spoelmedium na Dl warer 25 als eerste spoelmedium, fase I, het daarbij reeds geheel verdampen ervan aan het einde van deze expansieslag.

p

Figuur 18 toont daarbij de opvolgende spoelprocessen onder toepassing van het Dl water 236, IPA 240 en N 244.

A B ^

Figuren 19 en 19 tonen voor de module 10' volgens de Figuur 3 ver-20 groot de opvolgende fasen van de transfer van een te reinigen wafer 18 naar zijn positie boven de serie wafer draag/centreerstiften 50't/m 60!

Daarbij in de Figuur 19 de aanvoer van deze wafer 18 tot boven deze stiften.

Vervolgens na opheffen van het vacuum in de aanzuigleiding 248 van de β 35 robot-arm, fase I in Figuur 19 , het opwaarts verplaatsen van de stiften met het verwijderen van deze wafer vanaf deze robot-arm, fase II.

A

Verder dan in fase III het verdraaien van deze stiften, waardoor de wafer centreersecties 220' ervan deze wafer naar zijn centrale positie ten opzichte van de niet aangegeven reinigingskamer-uitsparing in het 1007357 - 35 -

A B

onderkamerblok brengen, zoals is aangegeven in de Figuren 15 en 15 . Tevens wordt dan al dan niet gelijktijdig de robot-arm 258 terug uit jg deze module bewogen, fase III .

Tijdens deze wafer transferperiode wordt in de beide transducerkamers 5 20' en 24' een onderdruk van de koelvloeistof 68 onderhouden, zodat tijdens deze wafer transfer de trilwanden 32' en 34' tezamen met de respectievelijke transducer-opstellingen 22' en 26' met een tussenliggende film koelvloeistof tegen de respectievelijke aanslagnokken 212' en 214' gedrukt zijn.

10 Figuur 20 toont sterk vergroot een gedeeltelijke langsdoorsnede van de module 10' volgens de Figuren 3 en 5 tijdens het daarin plaats vindende wafer reinigingsproces aan het einde van de opwaartse ccmpressiesiag van het niet aangegeven onderkamerblok en aldus van de combinatie van oncer- trilwand 34' en ondertransduceropstelling 26, waarvan deze trilwand dan 15 als toe- of afvcer-element voor electrische energie naar of vanaf de transducersecties van deze transducer-opstelling fungeert.

ZCai.ö del3ΙΓ toe in de beide transducerkamers 201 en 24' de druk van de koelvloeistof 63 aanzienlijk lager is dan de bewerkstelligde druk van het reinigingsmedium 204 in de beide reinigir.gsspieten 208' en 210' , werden 20 daarbij de combinaties van transducer-opstellingen en trilwanden 22'/32' en 25 1/34 ' met een tussenliggende film kcelvleistof 68 tegen de series nekken 212' en 214' als onderdeel van de respectievelijke kunststofblokke.n

A

62' en ,2' gedrukt. Figuur 20 .

Daarbij wordt het reinigingssysteem voor de boven- en ondertcpocraphy

D -A

25 226/228, zoals is aangegeven in de Figuren 6 en . . toegepast.

Tevens is aangegeven, dat daarbij de temperatuur van deze reinigings- vlceistof geleidelijk wordt verhoogd van t naar t ten behoeve van het

tenminste in de daarop volgende expansieslag, zoals is aangegeven in de E B

Figuren 5 en 7 , in de reinigingsspleten 208' en 210' omzetting van ten-30 minste een gedeelte van het laagkokende deel ervan in dampvormig medium 234, Figuur 20B.

Door de plaats vindende drukval van de mediums in deze spleten in combinatie met het daarbij gepaard gaande dalen van de temperatuur ervan, waartoe tevens, zoals is aangegeven, tijdelijk de beide transducer-opstel- 35 lincen 22' en 26' buiten werking zijn gesteld, heeft daarbij een algehele camperatuursdaling van het inwendige van de module 10' plaats gevonden ten behoeve van een optimale toevoer van vers vloeibaar medium naar deze spleten in de volgende reinigingsfase.

ABC

Figuren 21 , 21 en 21 tonen sterk vergroot de module volgens de Fi- 1007357 - 36 -

A B

guren 20 en 20 in secties ervan, waarbij het spoelen met Dl water 236 van de beide reinigingsspleten 2081 en 2101 en daarmede het verwijderen van residue vloeibaar reinigingsmedium in vernevelde toestand ervan tezamen met dampvormig medium 234 via het cilindrische toe/afvoerkanaal 5 40 geschiedt in de vulpositie van het onderkamerblok en daarmede van de ondertrilwand 341.

A E

Figuren 22 t/m 22 tonen voor de alternatieve module-uitvoering 10" de toepassing van een zelfstandig, in geringe mate flexibel slot-element 100", welke is opgenomen in de cilindrische slot-uitsparing 104" van het 10 onderkamerblok 14", met eronder de slotkamer 106".

Daarbij zijn in de laterale binnenzijde van dit element wederom de serie micro groeven 200" opgenomen ten behoeve van het stuwen van slotmedium 202 in vloeibare vorm ervan vanuit deze slotkamer 106" naar de spieet-sectie 206" tussen de beide kamerbiokken 12" en 14", zoals reeds is aan-15 gegeven in de Figuren 4 en 5.

Δ

In de Figuur 22"', waarin de transfer van een te reinigen wafer 18 naar de reinigmcskamer-uitsparing 16" geschiedt, is door middel van een bewerkstelligde onderdruk van het vloeibare slotmedium 202 in de slotkamer 106" dit slot-element 100" naar zijn onderste positie gezogen, met daarbij 20 een tenminste nagenoeg geheel afgesloten kamer 106" met behulp van de onderwand 250" van dit element, welke daarbij afdichtend drukt op de on- derwandsecrie 252" van de uitsparing 104".

B

In Figuur 22 vindt na de opwaartse verplaatsing van het onderkamerblok 14" naar zijn medium vulpositie voor de dan bewerkstelligde reinigings-25 kamer 16" allereerst in fase I toevoer onder overdruk van slotmedium. 202 naar de slotkamer 106" plaats, waardoor het slot-element 100" met zijn bovenwand 254” afdichtend komt te drukken tegen de onderwand 98" van het bovenkamerblok 12".

Tevens wordt daarbij via de groeven 200" slotmedium 202 in de spleet-30 sectie 206" en mogelijk zelfs in het cilindrische toe/afvoerkanaal 40" gestuwd.

Vervolgens vindt in fase II toevoer van reinigingsmedium 204 via de toevoerkanalen 42" en 44" onder een geringe overdruk ervan naar de beide wafer reinigingsspleten 208" en 210" plaats, met afvoer van het teveel 35 ervan via de kanalen 46" en 48".

C

In Figuur 17 vindt vervolgens het verder opwaarts verplaatsen van het onderkamerblok 14" vanuit deze vulpositie ervan plaats als compres-sieslag van dit blok, waarbij het slot-element 100" door dit onderkamerblok verder binnen de uitsparing 104" wordt gedrukt.

1007357 - 37 -

Daarbij het voortgezet uitstuwen van de combinatie van reinigingsme-dium 204 en slotmedium 202 via het cilindrische toe/afvoerkanaal 40" uit de reinigingskamer naar de afvoerkanalen 46" en 48".

In de Figuur Γ 2° is het einde van deze opwaartse compressieslag aan-5 gegeven, waarbij het onderkamerblok 14" tegen het bovenkamerblok 12" wordt gedrukt. Daarbij vindt in de reinigingsspleten 208” en 210" het hoofcge-deelte van het reinigingsproces van wafer boven- en ondertopographv 226/ 228 met behulp van dit onder megasonische conditie trillende reinigings-medium 204 plaats, zoals soortgelijk reeds is omschreven in de Figuur 6^, 10 met de daarbij bewerkstelligde temperatuursverhoging van dit reinigings-medium.

I?

In de Figuur 22“ heeft de benedenwaartse verplaatsing van het onderkamerblok 14" als expansieslag ervan plaats gevonden naar zijn spoel/ hervui-oositie.

15 Daarbij blijft het slot-element 100" onder overdruk van het slotmedium, 202 in slotkamer 206" afdichtend tegen de onderwand 98" van het bovenkamerblok 12" gedrukt.

In fase I daarbij door het plaats vindende koken van het laagkokende gedeelte van deze rernigingsvlceistof 204, met het bewerkstelligen van het 20 dampvormige medium 234 in de beide reinigingsspleten 208" en 210" en het daarmede mede uitstuwen van reinigingsmedium uit de grenslaag van de wafer boven- en ondertcpography 226/228, zoals omschreven in de Figuur llP, terwijl in fase II het spoelen en hervullen van deze beide reinigingsspleten met vers reinigingsmedium 204 of spoelmedium 236 geschiedt.

25 In de Figuur 23 is de wafer reinigings-installatie 265 aangegeven, met op de draagplaat 268 ervan het navolgende gemonteerd: cassettes 270, 272 en 274, welke de te reinigen wafers 18 bevatten, cassettes 276, 278 en 280 voor opslag van de in de reinigingsmodules 284, 286

C

en 288 gereinigde wafers 18 , wafer aanvoerrobot 282 voor afname van een 30 te reinigen wafer 18 uit één van de cassettes 270, 272 of 274 en aanveer ervan naar de eerste reinigingsmodule 284, wafer afvoerrobot 290 ten be-

Q

hoeve van afvoer van de in module 288 gereinigde wafer 18 naar één van de cassettes 276, 278 of 280, en robot 292 met wafer transfer-armen 294 en 296 ten behoeve van de wafer transfer vanaf respectievelijk de module 284 35 naar module 286 en vanaf deze module 286 naar module 288.

In de module 284 vindt de eerste fase van het totale wafer reiniging-proces plaats met behulp van een eerste groep reinigingsmediums, zoals de fase SC I van het voorgaand omschreven RCA wafer reinigingssysteem, in de module 286 de tweede reinigingsfase voor de in de module 284 voorge- 1 1¾ y. 7 3 5 7

- 38 -A

reinigde wafer 18 , zoals fase SC II van dit RCA systeem, en in module

O

288 het nadrogen van de wafer 18 al dan niet mede met behulp van HF, met tenslotte met behulp van robot 290 de afvoer van de gedroogde wafer

Q

18 naar cassette 276.

5 Her wafer transfersysteem van deze installatie 266 ten behoeve van een optimaal snelle wafer reiniging is als volgt: tenminste nagenoeg gelijktijdig wordt met behulp van: transfer-arm 298 van robot 282 aanvoer vanuit cassette 270 van een te reinigen wafer 18 naar de module 284; 10 transfer-arm 294 van robot 292 transfer van de in module 284 voorgerei-nigde wafer 18 naar module 286; transfer-arm 296 van deze robot 292 transfer van de in de module 286 β verder gereinigde wafer 18 naar module 288; en

transfer-arm 300 van robot 290 de afvoer van de in module 288 nagedrcog-C

15 ae wafer 18 naar de cassette bewerkstelligd.

Aldus is de totaal benodigde tijdsduur voor de reiniging en nadroging van een wafer slechts circa een derde van de bencdigce tijd, indien zulk een wafer in één module zou worden gereinigd en gedroogd.

In de Figuur 24 is de i.n-lijn wafer reinigings-installatie 302 aange-20 geven, met op de draagplaat 304 ervan het navolgende gemonteerd: secties 306 en 308, waarin parallel een gelijktijdige en gelijksoortige reiniging van wafers 18 plaats vindt; aanvoerrobot 310 met wafer transfer-arm 312 voor toevoer van te reinigen wafers 13 vanaf een niet aangegeven module voor wafer processing naar 25 een gemeenschappelijke wafer ontvangst/aanvoer-module 314; en afvoerrobot 316 met wafer transfer-arm 318 ten behoeve van afvoer van gereinigde wafers 18 vanuit de gemeenschappelijke wafer ontvangst/afvoer-module 320 naar de volgende, niet aangegeven wafer processing-module.

Sectie 306 bevat de module 322 ten behoeve van een eerste-fase reini-30 ging van de wafer 18, de module 324 ten behoeve van de tweede-fase reini-ging van de in de module 322 voorgereinigde wafer 18 , de module 326 ten β behoeve van de derde-fase reiniging van de wafer 18 , welke afkomstig is uit de module 324, en wafer transferrobot 328 met de wafer transfer-armen 330, 332, 334 en 336.

35 Sectie 308 bevat de module 322' , eveneens ten behoeve van een eerste-fase reiniging van de wafer 18, de module 324', eveneens ten behoeve van

A

de tweede-fase reiniging van de wafer 18 , welke afkomstig is uit de module 322' en de module 326', eveneens ten behoeve van de derde-fase β reiniging van de wafer 18 , afkomstig uit de module 324', en robot 328' 1007357 - 39 - met de wafer transfer-armen 330', 332', 334' en 336'.

De werking van deze installatie is als volgt:

Met behulp van de robot-arm 312 van robot 310 vindt afvoer van een wafer 18 vanuit de processing-module naar aanvoerstation 314 plaats en 5 met arm 330 van robot 328 de afvoer van deze te reinigen wafer 18 uit deze module 314 naar module 322 van de sectie 306, terwijl vervolgens met robot-arm 330' afvoer van een volgende wafer 18, welke daarna in deze ontvangst/afvoermodule 314 is aangevoerd, daaruit plaats vindt naar de module 322' van de sectie 308.

10 Met behulp van robot-arm 318 van robot 316 vindt afvoer van een in de ontvangst/afvoermodule 320 vanaf module 326 van sectie 306 aangeveerde

C

wafer 18 plaats en vervolgens afvoer van een in deze module 320 vanaf

Q

module 326' van sectie 308 aangevoerde gereinigde wafer 18 naar het volgende processingstation, 15 Daarbij vindt in sectie 306 tenminste nagenoeg gelijktijdig na het voorreinigen van de wafer 18 in module 322 met behulp van arm 332 af voer van de gereinigde wafer 18 plaats naar module 324 voor de volgende, daarin plaats te vinden fase van het totale wafer reinigingsproces, met behulp van robot-arm 334 afveer van de tweede-fase gereinigde wafer 18“

20 uit deze module 324 naar module 326 ten behoeve van de derde-fase reiniging ervan en met behulp van robot-arm 336 afveer van deze derde-fase ge-C

reinigde wafer 18 uit deze module 326 naar de ontvangst/afvcer-mocule 320.

In sectie 308 vindt met behulp van robot 328' een gelijksoortige trans-25 fer van wafer 18 vanaf module 314 naar module 322', van wafer 18“ 3 vanaf deze module 322' naar module 3241, van wafer 18 vanuit deze module

C

324' naar module 326' en van wafer 18 vanuit deze module 326' naar de module 320 plaats.

Aldus is voor een in zulk een processingstation behandelde wafer per 30 reinigingsmodule slechts een zesde gedeelte van de processingtijd in dit processingstation benodigd, waardoor in deze in-lijn wafer reinigings-installatie een optimale wafer reiniging kan plaats vinden.

Door de hoog-precisie assemblage van de beide transducer-opstellingen 24 en 26 met de trilwanden 32 en 34 in combinatie met de precisie-hoogte 35 van de aanslagnokken 212 en 214 in geassembleerde toestand van de module 10 is in aangesloten positie van de beide kamerblokken 12 en 14 een hoogte van slechts 5-10 urn voor de beide reinigingsspleten 208 en 210 te bewerkstelligen ten behoeve van een optimale expansie-ccmpressie ratio, 20-30 voudig.

1007357

Claims (161)

1. In richting ten behoeve van wafer reiniging, bevattende in een reinigingsmodule ervan tenminste het navolgende: a) een boven- en onderkamerblok; 5 b) in het bovenste gedeelte van het onderkamerblok een centrale uitsparing onder de vorming van een reinigingskamer in aangesloten positie van deze beide blokken, bevattende tijdens het reinigingsproces met daarin opgenomen een te reinigen wafer tenminste een boven-reinigingsspleet boven deze wafer; 10 c) tenminste een transducerkamer, welke is opgenomen in het boven-kamerblok boven deze reinigingskamer, met een tussenliggende scheidingswand als centrale sectie van dit bovenkamerblok, met in deze transducerkamer een transducer-opstelling ten behoeve van het tenminste tijdelijk tijdens het reinigingsproces in deze reinigingskamer hoog- 15 frequent doen trillen van deze wand als boventrilwand en een toe- en afvoersysteem vcor tenminste koelvloeistof voor deze transducer-opstelling naar en vanaf deze transducerkamer; en d) middelen voor het tenminste tijdelijk functionneren van het lateraal buitenste gedeelte van deze reinigingskamer als een cilindrisch medium- 20 toe/afvoerkanaal voor tenminste deze bovenreinigingsspleet.

2. Inrichting volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat voor het tenminste tijdens het reinigingsproces in deze reinigingskamer met een daarin opgenomen te reinigen wafer eveneens aanwezig zijn van een onderreinigingsspleet aan de onderzijde ervan, 25 met daarbij tenminste tijdelijk een gemeenschappelijke toevoer naar deze combinatie van spleten van medium vanuit dit cilindrische toe/afvoerkanaal en afvoer van medium uit deze spleten naar dit kanaal.

3. Inrichting volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat daartoe in het onderkamerblok eveneens een transducerkamer is opgenomen, met 30 tussen deze reinigingskamer en deze ondertransducerkamer een scheidingswand als centrale sectie van dit onderkamerblok, en waarbij deze kamer eveneens een transducer-opstelling ten behoeve van het hoogfrequent doen trillen van deze wand als ondertrilwand en een toe/ afvoersysteem van koelvloeistof voor deze opstelling bevat.

4. Inrichting volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat daarbij zulk een opstelling gehecht is op zulk een scheidingswand als trilwand.

5. Inrichting volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in tenminste de boven-transducer- 1007357 - 41 - opstelling de opwekking van megasonische trillingen plaats vindt.

6. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het bovengedeelte van de module, inclusief het bo-ven'kamerblok en boven-transducerkamer, met een sectie ervan zich ten-5 minste gedeeltelijk lateraal buitenwaarts het ondergedeelte van deze ·. module, inclusief het onderkamerblok en onder-transducerkamer, uitstrekt, tegen de onderwand van dit lateraal uitstekende bovengedeelte een draagblok is vastgezet, welke zich opzij van het onderkamerblok over enige afstand benedenwaarts uitstrekt voorbij dit blok en gemon-10 teerd is op een module-draagplaat en deze module verder tenminste het navolgende bevat: a) een verplaatsmgs-inrichting ten behoeve van het in verticale richting in opvolgende fasen verplaatsen van deze kamerblokken naar elkaar toe en van elkaar af; en 15 b) ai dan niet in dit drragblok, in radiale richting opzij van de montagesectie voor het bovenkamerbiok zich een wafer transferzcne bevindt met tenminste een zodanige hoogte ervan, dat een transfer-arm van een wafer toe- en/of afvoerrobot met erop aangezogen wafer erdoorheen verplaatsbaar is naar een positie ervan boven deze centrale rei-20 nigingskamer-uitsparing of er vanaf. T. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat zoals tijdens het reinigen van de wafer en het daarop volgende uitdrijven ervan met behulp van spoelvloeistof, in de reinigingskamer een overdruk van de 25 daarin aanwezige mediums wordt onderhouden, in de beide transducer-kamers ten hoogste een daartoe toereikende contra-overdruk van de daarin aanwezige koelvloeistof wordt onderhouden.

8. Inrichting volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zoals daarbij de druk van de reini- 30 gingsmediums varieert, de druk van de koelvloeistof caarop wordt aangepast .

9. Inrichting volgens 7, met het kenmerk, dat daarbij in elk van de beide transducerkamers een aanslag-opstelling, eik bevattende een aantal aanslagnokken, voor de daarmede corresponderende combina-35 tie van transducer-opstelling en trilwand is opgencmen ten behoeve van het begrenzen van de verticaal buitenwaartse verplaatsing van deze trilwanden tijdens de wafer transfer met geopende module in deze tranducerkamers, met daarbij een zodanige onderdruk van de daarin aanwezige koelvloeistof, dac de beide trilwanden met tussenliggende 1007357 - 42 - transducer-opstellingen en micro vloeistoflagen tegen de daarmede correponderende aanslag-opstellingen in deze kamers worden gedrukt.

10. Inrichting volgens de Conclusie 5, met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat voor het ten behoeve van het reinigingsproces oo- 5 volgend vergroten en verkleinen van de hoogte var. de beide jeinigings-spleten.

11. Inrichting volgens de Conclusie 10,met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat bij een bewerkstelligde, tenminste nagenoeg lekdicht van de buitenlucht afgesloten reinigingskamer tenminste 10 het navolgende plaats vindt: a) het bewerkstelligen en tijdelijk onderhouden van een relatief wijde boven- en onderreinigingsspleet ten behoeve van tenminste het vullen met medium van deze spleten; b) het daarop volgend bewerkstelligen en tijdelijk onderhouden van een 15 relatief nauwe boven- en onderreinigingsspleet ten behoeve van sen daarin plaats te vinden gedeelte van het totale wafer reinigingsproces; en c) het daarop volgend wederom bewerkstelligen en lijdelijk onderhouden van een relatief wijde zeven- en onderreinigingsspleet ten behoeve van tenminste het uitstuwen van residue reinigingsmedium en verontreinig m- 20 gen met behulp van vers tcegevcerd medium en tenminste gedeeltelijk hervullen ervan met dit medium.

12. Inrichting volgens de Conclusie 11, met her kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat tijdens zulk een ccmpressiefase her navolgende plaats vindt: 25 a) in het eerste gedeelte ervan hoofdzakelijk het uitstuwen van de combinatie van residue medium, verontreinigingen en vers toegevoerd medium uit deze spleten; en b) in het laatste gedeelte ervan de wafer-reiniging in deze zich vernauwende spleten en waarbij megasonisch trillende vloeistofdeelt^es 30 inwerken op de wafer boven- en ondertopography.

13. Inrichting volgens de Conclusie il,met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zulk een compressie/expansie-cvclus zich meerdere malen herhaalt tijdens het reinigen van de wafer met vloeibaar reinigingsmedium.

14. Inrichting volgens de Conclusie 13, met het kenmerk, dat daartoe in elk van de beide transducerkamers een aanslag-opstelling voor de daarmede corresponderende combinatie van transducer-opstelling en trilwand dan tevens dienst doet voor het begrenzen van de in verticaal buitenwaartse richting verplaatsing van deze trilwanden. 1 0 0 7 3 5 7 - 43 -

15. Inrichting volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat zoals zulk een aanslag-opstelling dit grote aantal nokken bevat, deze in' . geringe mate flexibel zijn en daartoe deel uitxnaken van een in tenminste geringe mate flexibele bovenwand van de transducerkamer, en deze 5 wand tevens electrisch isolerend is.

16. Inrichting volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat daarbij in radiale richting opzij van deze nokken zich ruime doorlaatkanalen voor de koelvloeistof bevinden.

17. Inrichting volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat daarbij 10 zulk een transducer-opstelling een aantal naast elkaar gegroepeerde transducerplaten bevat, met aan de boven- en onderzijde ervan een gemeenschappelijke, met behulp van een kitmassa daarop gehechte vlakke eiectrodeplaat en bij toepassing van quartz of ander soortgelijk materiaal voor de trilwanden, zulk een combinatie met behulp van een kitmassa 15 daarop gehecht is.

18. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met 'net kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tijdens her reinigingsproces de hoogte van tenminste de bovenreinigingsspieet aanvullend in een cyclus varieert van ultra nauw naar nauw en omgekeerd en zulks in 20 een veelvuldige herhaling.

19. Inrichting volgens de Conclusie 18, met nee kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de hoogte van tenminste de bovenreinigingsspieet in deze ultra-nauwe toestand minder dan 10 um en in nauwe toestand hoogstens 50 pm bedraagt.

20. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in dit onderkamerblok voor dit cilindrische medium toe/afvoer-kanaal tenminste een tweetal medium toevoerkanalen zijn opgenomen, met uitmondingen ervan in dit kanaal op ongeveer gelijke tussenafstand en waarbij elke kanaal-uitmonding correspondeert met een nabij de andere roe- 30 voer-uitmonding gelegen afvoerkanaal-uitmonding.

21. Inrichting volgens de Conclusie 20, met het kenmerk, dat daarbij zulk een toevoerkanaal ter plaatse van zijn uitmonding in dit tenminste tijdelijk bewerkstelligde cilindrische mediumtoe/afvoerkanaal zodanig tenminste schuin opwaarts in dit onderkamerblok is opgenomen, dat daaruit 35 stromend medium tenminste mede zodanig door de beide reinigingsspleten wordt gestuwd, dat daarmede residue medium uit deze spleten wordt uitgedreven en afgevoerd via het ermede corresponderende afvoerkanaal.

22. Inrichting volgens de Conclusie 21, met het kenmerk, dat zulk een toevoerkanaal-uitmonding aanvullend zodanig schuin in radiale richting 1007357 - 44 - is geplaatst, dat daaruit door deze beide reinigingsspleten en lancs de opstaande zijwand van de wafer gestuwd medium tenminste mede een krachtwerking op deze wafer uitoefenen in de richting van verdraaiing ervan.

23. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze module een aantal, in hoogterichting verplaatsbare wafer draag/centreerstiften zijn opgenomen, welke door dit onderkamer-blok zijn gevoerd en deze verder zodanige middelen bevat, dat met behulp van deze stiften zodanig een centrale positie van een te reinigen wafer 10 in laterale richting binnen de reinigingskamer wordt verkregen, dat daardoor tenminste mede zulk een tenminste tijdelijk cilindrisch medium toe/af'voerkanaal wordt bewerkstelligd.

24. Inrichting volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat zoals daarbij tussen het bovenkamerblok 15 en het onderkamerblck lateraal buitenwaarts de reinigingskamer zich tenminste tijdens het vullen van deze kamer met medium een spleet met een relatief grote hcogte bevindt tussen de laterale uiteinden ervan, daarin dan tenminste plaatselijk een zodanig mediumslct met toevoer er naar van slotmedium en een druk ervan, welke hoger is dan van het me-20 dium in het laterale uiteinde van deze reinigingskamer, wordt onderhouden, dat daarmede belet wordt, dat reinigingsmecium uit deze kamer via deze spleet in lateraal buitenwaartse richting tot buiten de module ontsnapt.

25. Inrichting volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat daartoe 25 tussen deze blok-uiteinden een cilindrisch mechanisch slot-element is opgenomen, welke tenminste tijdelijk is opgencmen in een uitsparing in één biok-uitemde, en waarbij in een spleetsectie tussen deze biok-uitein-den lateraal binnenwaarts dit slot-element met behulp van daarin toege^ voerd slotmedium tenminste een gedeelte van zulk een mediumslot wordt 30 bewerkstelligd.

26. Inrichting volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat daartoe in de bovenzijde van het onderkamerblok een cilindrische uitsparing is aangebracht en het slot-element een zodanige hoogte heeft, dat bij deze vulpositie van het onderkamerblok dit slot-element zich over enige af- 35 stand in benedenwaartse richting uitstrekt in deze uitsparing en op het ondergedeelte van deze uitsparing tenminste één toevoerkanaal voor tenminste één slotmedium is aangesloten ten behoeve van voeding van het m deze uitsparing onder dit slot-element gelegen slot-ccmpartiment.

27. Inrichting volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat deze tl 0 0 7 3 5 7 - 45 - verder zodanig is uitgevoerd, dat dit slotmedium tenminste één vloeibaar medium is in afhankelijkheid van de soort van medium in de reini-gingskamer.

28. Inrichting volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat deze 5 verder zodanig is uitgevoerd, dat dit slotmedium gasvormig medium is.

29. Inrichting volgens de Conclusie 27, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij op deze slot-uitsparing tenminste één kanaal voor toevoer van hoogkokende vloeistof, met een kookpunt boven 60°C-; en een licht verdampbare vloeistof is aangesloten.

30. Inrichting volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de hoog kokende vloeistof Dl ; water is en deze licht verdampbare vloeistof IPA is.

31. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat tijdens het reinigings- 15 proces tenminste mede twee slotsecties in tenminste de zich in verticale richting uitstrekkende spleetsecties tussen de verticale wanden van dit slot-element en deze uitsparing zijn opgencmen.

32. Inrichting volgens de Conclusie 31, tot net kenmerk, dat daarbij op dit slot-compartiment, en zulks al dan niet via het tcevoerkanaai 20 voer het slotmedium, een medium-afvoerkanaal is aangesloten, waarin de opname van een drukventiel met een instelling voor medium doorlaat daarin, welke hoger is dan de maximum druk van het medium in de reini-gingskamer tijdens 'net reinigingsproces.

33. Inrichting volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat deze ver- 25 der zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tijdens de opwaartse compressie- slag van het onderkamerblok de druk van het medium in dit zich verkleinende slot-compartiment in geringe mate hoger is dan deze instel-druk voor dit drukventiel.

34. Inrichting volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat deze 30 verder zodanig is uitgevoerd, dat bij toepassing van vloeibaar slotmedium de tcevoercapaciteit voor dit medium zodanig groot is, dat tijdens het reinigingsproces aan het einde van de benedenwaartse expansieslag van het onderkamerblok naar zijn vulpositie, dit slot-element nog tenminste grotendeels gevuld is met dit slotmedium.

35. Inrichting volgens de Conclusie 27, met het kenmerk, dat daarbij in de bovenzijde van het laterale uiteinde van het onderkamerblok lateraal op enige afstand buitenwaarts deze slot-uitsparing een zich in radiale richting uitstrekkende uitsparing is opgencmen, met aansluiting erop van een afvoerleiding ten behoeve van afvoer van uit het medium- 1007357 - 46 - slot in lateraal buitenwaartse richting via de spleetsectie tussen deze kamerblokken ontsnapt medium.

36. Inrichting volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij, voordat vulling van de rei- 5 nigingskamer met medium plaats vindt, reeds slotmedium vanuit dit slot-ccmpartiment via de nauwe, zich in opwaartse richting uitstrekkende slotspleet aan de laterale binnenzijde van het slot-element in de cilindrische spleetsectie tussen de beide kamerblokken lateraal binnenwaarts deze cilindrische slot-uitsparing is terecht gekomen.

37. Inrichting volgens de Conclusie 36, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tenminste het gedeelte van deze spleetsectie tussen de beide kamerblokken, welke grenst aan dit slot-element, gevuld is met dit slotmedium.

38. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 15 dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de docrstroomweerstand veer het alotmedium van de verticale spleetsectie tussen het slot-eie-ment en de slot-uitsparing aan de laterale binnenzijde van dit slot-element kleiner is dan van de verticale spleetsectie lateraal buitenwaarts dit slot-element.

39. Inrichting volgens de Conclusie 38, met het kenmerk, dat daartoe tenminste het cilindrische bovengedeelte van de opstaand zijwand van dit slot-element aan de lateraal buitenwaartse zijde sr;an een geleidings-wand is ten behoeve van het mede geleiden van dit element tijdens de verplaatsingen van het onderkamerblok.

40. Inrichting volgens de Conclusie 39, met het kenmerk, dat deze verder een zodanige centreer-inrichting voor de beide kamerblokken ten opzichte van elkaar bevat, dat bij de opwaartse verplaatsing van het onderkamerblok vanuit zijn onderste wafer transferpositie dit cilindrische slot-element van het bovenkamerblok in zijn juiste centrische positie 30 binnen deze cilindrische slot-uitsparing in het onderkamerblok komt te verplaatsen.

41. Inrichting volgens de Conclusie 40, met het kenmerk, dat daartoe verder de opstaande zijwand van dit slot-element aan de lateraal binnenwaartse zijde ervan voorzien is van een groot aantal, in radiale nch- 35 ting naast elkaar gelegen medium doorlaatgroeven met tussengeiegen scheidingswand/geleidingswand-secties.

42. Inrichting volgens één de voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daartoe dit slot-element δ«η op zich zelf staande unit is- welke op en neer verplaatsbaar is in de daarmede corresponderende cilindrische 1007357 - 47 - uitsparing in de bovenzijde van het onderkamerblok.

43. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in aangesloten positie van de beide kamerblokken ter plaatse van de wafer transfer-zóne tussen de bloksecties ervan late- 5 raai buitenwaarts dit slot-element zich een nauwe spleet bevindt, met in radiale richting ernaast gelegen aansluitwand-secties ervan.

44. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat in de beide reinigings-spleten tenminste reinigingsmedium met een lagere kooktemperatuur dan 10 van het vloeibare koelmedium in de transducerkamers wordt toegepast.

45. Inrichting volgens de Conclusie 44, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij tijdelijk verwijdering van verontreinigingen uit de grenslaag en groeven van de wafer-boventopography geschiedt zonder toevoer van medium naar de bovenreinigingsspieet.

46. Inrichting volgens de Conclusie 45, met het kenmerk, dat deze ver der zodanig is uitgeveerd, dat voor het reinigingsproces tenminste ce toepassing plaats vindt van tenminste mede zodanig laagkokend vloeibaar medium, dat daarbij tenminste tijdens deel van de expansie-fase tenminste een gedeeltelijke verdamping ervan plaats vindt.

47. Inrichting volgens de Conclusie 46, met het kenmerk, dat deze ver der zodanig is uitgevoerc, dat daarbij de toepassing van tenminste laac-en hcockokend vloeibaar reinigingsmedium plaats vindt.

48. Inrichting volgens de Conclusie 47, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tenminste de boven-transducerop- 25 stelling tevens als regelbare warmtebron voor tenminste 'net medium in de bovenreinigingsspieet functionneert.

49. Inrichting volgens de Conclusie 48, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij door verhoging van de trillings-intensiteit van zulk een transducer-opstelling met daarbij gepaard gaan- 30 de warmte-ontwikkeling en zulks in combinatie met een verminderde koeling ervan een sterk verhoogde warmte-toevoer via de daarmede corresponderende trilwand naar het reinigingsmedium in de aangrenzende reini-gingsspleet plaats vindt.

50. Inrichting volgens de Conclusie 48, met het kenmerk, dat deze ver- 35 der zodanig is uitgevoerd, dat aan het einde van de opwaartse compres- sieslag van het onderkamerblok, met een bewerkstelligde ultra-geringe hoogte van tenminste de boven-spleet, door een verhoogde warmte toevoer vanuit tenminste de boven-transduceropstelling de temperatuur -van het laagkokende gedeelte van het reinigingsmedium in zulk een spleet 1007357 - 48 - tot tenminste nabij be kookgrens ervan onder de bewerkstelligde com-pressiedruk is gebracht, in de daarop volgende neerwaartse expansie-slag van dir blok, met een daarbij gepaard gaande zeer aanzienlijke drukverlaging van de mediums in de beide reinigincsspleten, in deze 5 primaire bovenspleet door dampontwikkeiing in de grenslaag en groeven van de wafer-boventopcgraphy het uitstuwen daaruit van residue-medium tezamen met eventuele veronteinigincen in opwaartse richting naar het centrum van deze spleet plaats vindt, met verdere afvoer ervan door tenminste mede toevoer van vers medium onder een lagere temperatuur aan 10 het einde van deze expansieslag, en in een daarop volgende compressie-siag van dit blok het instuwen van dit verse medium onder lage temperatuur in deze grenslaag en groeven als vervanging van het daaruit voorafgaand gesruwde residue-reinigingsmedium plaats vindt.

51. Inrichting volgens de Conclusie 49, met het kenmerk, dat deze veria der zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de eindfase van de compressie- slag zo langdurig is, dat de neg plaats vindende uitstuwing van het medium uit de covenrsinicingsspleet wordt gecompenseerd door de steeds verdere omzetting van het laag kokende vloeibare medium in dampvormig medium en fijn vernevelde hccg kokende vloeistof, welke daarbij is cpge-20 nomen in deze dampkoiom onder overdruk, naar en vanaf deze grenslaag en groeven van de wafer-boventopcgraphy wordt gestuwd ten benoeve van de verdere afbraak van deze grenslaag en verwijdering van verontreinigingen daaruit en uit deze groeven.

52. Inrichting volgens de Conclusie 50, met het kenmerk, dat deze 25 verder zodanig zs uitgeveerd, dat daarbij ten behoeve van een optimaal reinigingsproces een aantal herhalingen van deze compressie/expansie-cyclus plaats vindt.

53. Inrichting volgens de Conclusie 49, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgeveerd, dat door de bewerkstelliging van een zo- 30 danige warmte-ontwikkeling in de bovenreinigingsspleet in de eindfase van de compressieslag en tijdens tenminste het begin van de expansieslag in combinatie met een ten hoogste geringe warmte-toevoer naar het medium in de onderspleet, daarbij door verdamping het grootste gedeelte van de volume-vergroting in deze bovenspleet plaats vindt en met 35 een zodanig beperkte vergroting van de hoogte van de onderspleet, dat aan het einde van de expansieslag de wafer op de draagsecties van de wafer-draag/centreerstiften wordt gedrukt.

54. Inrichting volgens de Conclusie 49, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daartoe in deze expansiefase door 1007357 - 49 - stopzetting van de toevoer van de koelvloeistof naar een transducer-kamer daarin enerzijds de druk terugvalt naar de gewenst wordende lage druk in het afvoersysteem ervoor en anderzijds een maximale en snelle warmte-overdracht van de daarin opgencmen transducer-opstelling via de 5 daarmede corresponderende trilwand naar het medium in de daarmede corresponderende reinigingsspleet plaats vindt.

55. Inrichting volgens de Conclusie 54, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat gelijktijdig ongeveer dezelfde temperatuur-toename in de beide reinigingsspleten plaats vindt ten behoeve 10 van het verdampen van tenminste een gedeelte van de laagkokende bestanddelen in deze spleten incombinatie met zulk een drukdalinc in de beide cransducerkamers.

56. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij zodanig hellende microgroeven in tenminste de onderzijde van 15 de boventrilwand zijn cpgenomen en welke zich onderbroken vanuit nabij het centrum uitstrekken in lateraal buitenwaartse richting tot tenminste nabij net laterale einde van deze trilwand, dat de deer de boven-transducer-opsteliing opgewekte en via deze trilwand naar het vloeibare medium in de bovenreinigingsspleet overgebrachte megascmsche trillin- 20 gen daarin zodanig worden gedivergeerd, dat de reflecterende trillingen vanaf net bcve.n-oppervlak van de wafer niet in ontoelaatbare mate het reinigingsproces verstoren.

57. Inrichting volgens de Conclusie 56, met het kenmerk, dat daarbij deze micro hellingen zodanig zijn uitgevoerd, dat deze gedivergeerde 25 stromen medium aanvullend een resulterende krachtwerking uitoefenen op de wafer in de richting van verdraaiing ervan.

58. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zoals daarbij voor bepaalde reinigingsprocessen uitsluitend één soort vloeibaar reinigingsmeöium 30 wordt toecepast, dit medium dan gecombineerd is met een gasvormig medium en waarbij door de megasonsche trillingen zulk een vloeibaar medium fijn verneveld is in deze gaskolom.

59. Inrichting volgens de Conclusie 58, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat dit gasvormig medium o^ of Ch is ais 35 rcevoeging ten behoeve van een optimaal reinigingsproces.

60. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dan daarbij in de onderzijde van het bovenkamerblok op enige afstand lateraal buitenwaarts de reinigingskamer een bufferkamer is opgenomen welke via een tenminste tijdelijk bewerkstelligde cilindrische spleet 1007357 - 50 - tussen de beide kamerblokken verbonden is met het cilindrische medium toe/afvoerkanaal en het lateraal binnenste gedeelte van het mediumslot ten behoeve van tenminste de afvoer van lucht en/of ander gasvormig medium uit de reinigingskamer tijdens het vullen/hervullen van deze kamer 5 mee medium en het reinigingsproces.

61. Inrichting volgens de Conclusie 60, met het kenmerk, dat zoals daartoe op de bovenzijde van deze bufferkamer tenminste een afvoerkanaal voor dit medium is aangesloten, daarop tevens tenminste één afvoerkanaal voor vloeibaar medium is aangesloten, waarbij de bovenzijde van de uitmen- 10 ding ervan over een geringe afstand lager is dan de onderzijde van de uitmonding van dit kanaal voor gasvormig medium.

62. Inrichting volgens de Conclusie 23, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat in de aangesloten positie van de beide kamerblokken de wafer-draagsectie ervan over een geringe afstand 15 uitsteekt coven het niveau van de bovenzijde van de ondertriiwand van dic biok. S3. Inrichting volgens de Conclusie 62, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij na het verwijderen van de gereinigde wafer uit de module met de daarbij behorende onderste positie van deze 20 stiften met behulp van een robot-arm een te reinigen wafer naar zijn lateral e overneem-positie boven deze wafer-draagsecties wordt gebracht, vervolgens het vacuum in deze arm wordt opgeheven, ta.minste een aantal van deze stiften opwaarts naar hun bovenste positie worden verplaatst, met het daarbij komen te rusten van deze wafer op deze draagsecties en het 25 eveneens verplaatsen ervan opwaarts naar zijn vulpositie,en tenslotte door het opwaarts verplaatsen van het onöerkamerblck naar zijn bovenste positie deze wafer binnen de ^an gevormde reinigingskamer komt te liggen.

64. Inricnting volgens de Conclusie 63, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij na het reinigingsproces en het ver- 20 volgens naar beneden naar zijn onderste wafer transfer-positie bewegen van het onderkamerblok, waarbij de wafer op de draagsecties van deze stiften komt te rusten en het vervolgens in de laterale overneem-positie onder deze wafer brengen van de transfer-arm van deze robot of andere robot, deze stiften vervolgens naar hun onderste positie worden bewogen, zodat 35 de wafer op deze arm kant te rusten en tenslotte na het aanzuigen van deze wafer op deze arm de combinatie van arm en wafer uit deze module wordt verwijderd.

65. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij op elk van deze draagstiften boven deze wafer-draagsectie 1007357 - 51 - een wafer-centreersectie is opgenomen, met een excentrische positie ervan ten opzichte van deze wafer-draagsecties, en deze centreersecties een zodanige lengte hebben, dat in aangesloten positie van de beide ka-merblokken deze zich lateraal opzij van de wafer opwaarts uitstrekken 5 tot nabij de boventrilwand van het bovenkamerblok.

66. Inrichting volgens de Conclusie 65, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze stiften verdraaibaar zijn, met een ten opzichte van de reinigingskamer gezwenkte lateraal binnenste wafer-centreerpositie van deze centreersecties en een ten opzichte van deze 10 kamer lateraal buitenste wafer-overneempositie van deze secties.

67. Inrichting volgens , één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in het module-draagblok naast de inrichting voor het verticaal verplaatsen van het onderkamerblok een inrichting is opge-ncmen ten behoeve van het gemeenschappelijk verplaatsen in verticale rich- 15 van enige van deze stiften.

63. Inrichting volgens de Conclusie 66, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat bij geopende module ten behoeve van het ontvangen van een te reinigen wafer deze centreersecties daartoe naar hun lateraal buitenste positie ten opzichte van de reinigingskamer zijn ge-20 zwenkt, en na overname door deze stiften van deze wafer door het terugzwenken van deze centreersecties naar hun lateraal binnenste positie ten opzichte van de reinigingskamer een excentrisch ten opzichte van deze kamer aangevoerde wafer naar een zodanig laterale positie ervan ten opzichte van deze kamer wordt gedrukt, dat deze door het opwaarts ver-25 plaatsen van het onderkamerblok tot binnen deze kamer wordt gebracht.

69. Inrichting volgens de Conclusie 68, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat ten behoeve van de afvoer van de gereinigde wafer uit de reinigingskamer de centreersecties van de stiften zich nog in hun lateraal binnenste positie ten opzichte van de reini- 30 gingskamer rondom de wafer bevinden, bij het naar beneden bewegen van het onderkamerblok de wafer door deze stiften wordt overgenomen, na overname door de binnen de module gebrachte robot-arm van deze wafer deze centreersecties naar hun lateraal buitenste positie ten opzichte van deze reinigingskamer worden gezwenkt ten behoeve van het ontvangen door deze 35 stiften van een volgende wafer en vervolgens deze arm met wafer uit de ... module wordt afgevoerd.

70. Inrichting volgens de Conclusie 69, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zoals enige stiften gemeenschappelijk in verticale richting worden verplaatst, de module daarbij naast deze stif- 1007357 - 52 - ten nog tenminste één wafer draag/centreerstift bevat, welke met behulp van een aanvullende verplaatsings-inrichting afzonderlijk verder benedenwaarts en terug verplaatsbaar is en waarbij de gemeenschappelijke verdraai-inrichting tevens voor verdraaiing van zulk een stift dienst doet.

71. Inrichting volgens de Conclusie 70, met het kenmerk, dat deze ver der zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in de onderste positie van zulk een wafer draag/centreerstift, welke zich in de wafer transferzóne bevindt, de bovenzijde van de centreersectie ervan tot tenminste onder het niveau van de onderzijde van de wafer is gebracht ten behoeve van de ver- 10 dere transfer van deze wafer.

72. Inrichting volgens de Conclusie 71, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zoals daarbij tenminste één stift zich in de transfer-zóne van de robot-arm bevindt, deze al dan niet onafhankelijk van zulk een stift in de wafer transfer-zóne zcdanig verder benedenwaarts 15 verplaatsbaar is, dat de bovenzijde van de centreersectie ervan zich onder het niveau van deze robot-arm bevindt ten behoeve van de moge lijke verplaatsing van deze arm.

73. Inrichting volgens de Conclusie 58, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij met behulp van een robot-arm een 20 te reinigen wafer naar zijn overneem-positie boven de wafer draagsecties van deze stiften en lateraal binnenwaarts de naar buiten gezwenkte centreer sec ties ervan wordt gebracht, vervolgens na het ophefren van het vacuum in deze arm de gemeenschappelijk opwaarts verplaatsbare stiften omhocg worden bewogen onder overname van deze wafer, vervolgens deze arm 25 uit de module wordt verwijderd en de resterende stiften in de transfer-zóne van de wafer en de robot-arm opwaarts worden verplaatst naar het niveau van de andere stiften, vervolgens de centreersecties van alle stiften lateraal binnenwaarts ten opzichte van de reinigingskamer worden gezwenkt onder de bewerkstelliging van een toereikende centrering van de 30 wafer ten opzichte van deze reinigingskamer en tenslotte het onderkamer-blok opwaarts naar zijn bovenste positie wordt bewegen, waarbij deze wafer binnen deze reinigingskamer kcrnt te liggen.

74. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zoals daarbij de wafer toe- en 25 afvoer geschiedt met behulp van een tweetal afzonderlijke wafer transfer-armen, bij af voer van de gereinigde wafer uit de module de stift ter plaatse van de transfer-zóne voor deze af te voeren wafer naar beneden wordt verplaatst, met de centreersectie ervan tot onder het niveau van de onderzijde van de ermede corresponderende robot-arm, en na afvoer van 1007357 - 53 - de combinatie van deze wafer en arm deze stift wederom opwaarts wordt bewogen naar het wafer overneem-niveau van de andere stiften ten behoeve van het in een volgend stadium mede overnemen van een te reinigen wafer.

75. Inrichting volgens de Conclusie 74, met het kenmerk, dat deze ver der zodanig is uitgeveerd, dat ten behoeve van deze te reinigen wafer uitsluitend de wafer draag/centreerstift ter plaatse van de transfer-zöne voor deze wafer vanuit de wafer overdraag-positie ervan naar beneden wordt verplaatst, met zijn centreersectie tot onder het niveau van de 10 onderzijde van de ermede corresponderende robot-arm en na verwijdering van deze arm uit de module deze stift opwaarts wordt bewogen naar zijn wafer overneem-oositie, waarna de resterende fasen van de transfer van deze wafer naar de reinigingskamer plaats vinden.

76. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 15 dat daarbij een aantal modules in radiale richting op enige afstand van elkaar gegroepeerd zijn opzij van een centrale, wafer transferrebot, met in de rustpositie van deze robot transferarm-seccies ervan zich bevindend tussen naast elkaar gelegen modules.

77. Inrichting volgens de Conclusie 76, met het kenmerk, dat deze ver-20 der zedanig is uitgevoerd, dat daarbij na het gelijktijdig openen van deze modules en het brengen van de wafers naar hun lagere overneem-pesitie co de stiften, gelijktijdig met behulp van het in radiale richting terug verplaatsen van deze armsecties overname van deze wafers door deze arm-secties en vervolgens het verwijderen ervan uit deze modules geschiedt, 25 met een in radiale richting vooruitgaande verplaatsing van deze armsecties naar een 'wafer overdraag-positie in de volgende modules ten behoeve van het vervolgens gelijktijdig brengen van deze wafers naar de respectievelijke reinigingskamers ten behoeve van het daarin plaats vinden van de opvolgende fasen van het totale reinigingsproces voor een wafer.

78. Inrichting volgens de Conclusie 76, met het kenmerk, dat daarin tevens een wafer toevoerstation voor te reinigen wafers en een wafer afvoerstation voor gereinigde wafers is opgenemen.

79. Inrichting volgens de Conclusie 78, met het kenmerk, dat daarbij in dit wafer toevoerstation opzij van een centrale wafer toevoerrobot meer-35 dere cassettes, bevattende de te reinigen wafers, zijn gegroepeerd, en de positie van deze toevoerrobot verder zodanig ten opzichte van de eerste module is, dat met behulp daarvan een wafer uit één van deze cassettes naar de overneem-positie binnen deze module wordt gebracht, en in dit wafer afvoerstation opzij van een centrale wafer afvoerrobot meerdere cas- 1007357 - 54 - settes ten behoeve van opslag van gereinigde wafers zijn gegroepeerd en de positie van deze afvoerrobot en cassettes zodanig ten opzichte van de iaatse module is, dat met behulp daarmede een gereinigde wafer vanuit zijn overneem-positie binnen deze module naar één van deze cassettes 5 wordt gebracht.

80. Inrichting volgens de Conclusie 79, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tenminste nagenoeg gelijktijdig toevoer van een te reinigen wafer vanuit het toevoerstation naar de eerste module, wafer toevoer vanuit de eerste module naar de tweede module, wa-10 fer toevoer vanuit deze tweede module naar de derde module en toevoer van een wafer vanuit deze derde module naar het afvcerstation geschiedt.

31. Inrichting vclcens de Conclusie 78, met het kenmerk, dat daarbij de aanvcerrobot is aangesloten op een wafer processingstation en de afvcer-rcbot is aangesloten op een volgend wafer processingstation.

32. Inrichting volgens de Conclusie 81, met het kenmerk, dat deze daarbij een tweetal naast elkaar gelegen wafer reinigingsstations bevat, elk cestaar.de uit een aantal wafer reinigingsmodules, welke in radiale rrenting cpzij van zulk een wafer transferrobot zijn gegroepeerd.

32. Inrichting vclcens de Conclusie 82, met het kenmerk, dat deze stale tiens naast deze modules een gemeenschappelijke aanvoermodule voor tce- veer van een te reinigen wafer naar de eerste module van elk van deze stations en een gemeenschappelijke module voor afveer van een gereinigde wafer vanuit de laatste reinigingsmodule van elk van deze stations bevatten en deze zodanig is uitgeveerd, dat daarbij na afveer van een te 25 reinigen wafer naar deze toeveermoduie en afvoer van een gereinigde wafer uit de afvcermodule toevoer van deze te reinigen wafer vanuit deze gemeenschappelijke aanvoermodule naar de eerste module van het eerste station geschiedt, met tenminste nagenoeg gelijktijdig afvoer van een gereinigde wafer uit de laatste reinigingsmodule van dit station naar deze 20 gemeenschappelijke afvcermodule en vervolgens na aanvoer van een volgende te reinigen wafer naar deze aanvoermodule en afvoer van een gereinigde wafer uit deze afvoermodule toevoer van deze volgende te reinigen wafer naar de eerste module van het tweede station plaats vindt, met tenminste nagenoeg gelijktijdig afvoer van een gereinigde wafer uit de laat-35 ste reinigingsmodule van dit station naar deze gemeenschappelijke afvoer-moduie , met een daaroo volgend plaats vindendende herhaling van deze evelus.

84. Inrichting volgens de Conclusie 83, met het kenmerk, dat daartoe in zulk een gemeenschappelijke wafer toe- en afvoermodule tenminste mede 1007357 - 55 - het wafer overneem- en centreersysteem met behulp van de draag/centreer-stiften, welke is opgenomen in de reinigingsmodules van zulk een station, wordt toegepast.

85. Inrichting volgens de Conclusie 83, met het kenmerk, dat deze ver- 5 der zodanig is uitgevoerd, dat in zulk een gemeenschappelijke wafer af- voermodule nog nadrogen van in voorgaande reinigingsmodules gereinigde wafers in een daartoe al dan niet tijdelijk afgesloten droogkamer als laatste fase van het totale wafer reinigingsproces plaats vindt.

86. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 10 dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in een tweetal opvolgende modules dezelfde fasen van het reinigingsproces en met dezelfde reinigings-vloeistoffen plaats vindt.

87. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat voor het wafer reinigingspro- 15 ces elk type en al dan niet reeds toegepast wordend reinigingsproces bruikbaar is, met in de wafer reinigingsfase de toepassing mogelijk van _ elk soort van vloeibaar reinigingsmedium en ai dan niet met toevoegingen ervoer en al dan niet in opvolging.

38. Inrichting volgens de Conclusie 87, met het kenmerk, dat deze ver- 20 der zodanig is uitgeveerd, dat daarbij in de spoelfase van het reinigingsproces elk soort van spcelmedium en zulks al dan niet in combinatie met Dl water of uitsluitend Dl water toepasbaar is.

39. Inrichting volgens de Conclusie 87, met het kenmerk, dat deze daarbij verder zodanig is uitgevoerd, dat in de eindfase van dit reini- 25 gingsproces elk soort van uitdrijfmedium in gas en/of dampvorm en zulks al dan niet in combinatie toepasbaar is.

90. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij het RCA wafer remi-gingssysteem met de phasen SCI en SCII in daartoe aangepaste vorm wordt 30 toegepast.

91. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze daarbij middelen bevat voor het tijdens het spoelproces met het uitdrijven van reinigingsmedium uit de reinigingskamer accumuleren van door de beide transducer-opstellingen opgewekte warmte in de wanden van 35 deze kamer, de daarin opgenomen wafer en het Dl water als spoelmedium ten behoeve van het in de volgende fase uit deze kamer verwijderen van dit Dl water tenminste mede met behulp van een gedeeltelijke verdamping ervan.

92. Inrichting volgens de Conclusie 91, met het kenmerk, dat deze ver- 1007357 - 56 - der een verwarmings-element bevat tenminste nabij het lateraal buitenste gedeelte van het bovenkamerblok ten behoeve van een regelbare ver warming van de beide uiteinden in laterale richting van de beide kamer-blckken in afhankelijkheid van de fase van het totale reinigingsproces 5 en mee een temperatuur ervan, welke tenminste nabij de temperatuur van de beide rnlwanden van de reinigingskamer is.

93. Inrichting volgens de Conclusie 91, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tijdens deze uitdrijf fase voor het vloeibare spcelmedium de beide transducer-opstellingen nog in werking 10 zijn ten behoeve van het toevoeren van warmte naar de beide reinigings-spleten en het onderhouden van een double-floating conditie van de wa-f 02Γ .

94. Inrichting volgens de Conclusie 93, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgeveerd, dat zoals in de spcelfase het spoelen onder 13 een overdruk van net Dl water plaats vindt, daarbij in deze uitdrijf fase tenminste tijdelijk een onderdruk in het afvoersysteem van zowel de reinigingskamer ais de beide transcucerkamers wordt bewerkstelligd en onderhouden ten behoeve van het door verlaging van het kookpunt van het Dl water versneld verdampen ervan in deze reinigingskamer en afvoeren ervan.

95. Inrichting volgens de Conclusie 88, met het kenmerk, dat deze ver der zodanig is uitgeveerd, dat daarbij tenminste in de eindfase van het spceiprcces de toevoer van Dl water naar het vloeistofslot wordt veranderd in een toevoer van gasvormig medium onder overdruk, zoals in dit slot tijdens het voorafgaande reinigingsproces 25 geen gasvormig slotmedium werd toegepast.

96. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij op de bovenzijde van de ondertrilwand een groot aantal micro nokken met tussengelegen medium doorlaatkanalen zijn aangebracht ten behoeve van het onafhankelijk van de wafer draag/centreerstiften bewerk- 30 stelligen en tijdelijk onderhouden van een minimale hoogte van de onder-remigingsspleet tijdens het reinigingsproces, inclusief het vullen en spcelen/hervullen van de reinigingskamer met vers medium.

97. Inrichting volgens de Conclusie 96, met het kenmerk, dat daarbij tevens tegen de onderzijde van de boventrilwand een groot aantal micro 35 nekken met tussengelegen medium doorvoerkanalen zijn cpgenomen ten behoeve van het begrenzen van de micro hoogte van de bovenreinigingsspleet tijdens tenminste het wafer reinigingsproces.

98. Werkwijze van een inrichting ten behoeve van wafer reiniging, bevattende in een reiniginqsmodule ervan tenminste het navolgende: 1007357 - 57 - a) een boven- en onderkamerblok; b) in het bovenste gedeelte van het onderkamerblok een centrale uitsparing onder de vorming van een reinigingskamer in aangesloten positie van deze beide blokken, bevattende tijdens het reinigingsproces met daar- 5 in opgencmen een te reinigen wafer tenminste een bcvenreinigingsspleet boven deze wafer en een onderreinigingsspleet onder deze wafer; c) tenminste een boventransducerkamer, welke is opgenomen in het boven-kamerblok boven de reinigingskamer, met een tussenliggende scheidingswand als centrale sectie van dit bovenkamerblok, met in deze tranducer- 10 kamer een transducer-opstelling ten behoeve van het tenminste tijdelijk tijdens het reinigingsproces in deze reinigingskamer hoog-frequent ccen trillen van deze wand als boventrilwand en een toe- en afvoersysteem voor tenminste koelvloeistof voor deze transducer-opstelling naar en vanaf deze transducerkamer, 15 met het kenmerk, dat daarbij tenminste tijdelijk het lateraal buitenste gedeelte van deze reinigingskamer fungeert als een cilindrisch medium tce/afvoerkanaal voor deze reinigingsspleten, met daarbij tenminsre tijdelijk een gemeenschappelijke toevoer naar deze combinacie van spieren vanui- cit cil indrische toe/afvoerkanaal en arvoer van medium uit deze spie-20 ten naar dit kanaal.

99. Werkwijze volcens de Conclusie 98, met her kenmerk, dar zoals het onderkamerblok eveneens een transducerkamer bevat· met tussen deze reinigingskamer en deze ondertransducerkamer een scheidingswand als centrale sectie van dit onderkamerblok, en waarbij deze kamer eveneens een 25 transducer-opstelling bevat ten behoeve van het tijdens het reinigingsproces hoog-frequent doen trillen van deze wand als onderzrilwand en mee koeling van deze transducer-opstelling, daarbij in tenminste de boven-transducsr-opsrelling de opwekking van megasonische trillingen plaats vindt.

100. Werkwijze volgens de Conclusie 98, met het kenmerk, dat daarbij mee behulp van een verplaatsings-inrichting het navolgende geschiedt: a) het in verticale richting in opvolgende fasen verplaatsen van deze kamerblokken naar elkaar toe en van elkaar af; en b) in de onderste positie van het onderkamerblok een transfer-arm van 35 een wafer toe- en/of afvoerrobot met een erop aangezogen wafer tijdens de wafer transfer naar of vanaf een positie ervan boven deze centrale reinigingskamer-uitsparing verplaatsbaar is.

101. Werkwijze volgens de Conclusie 99, met het kenmerk, dat zoals tijdens het reinigen van de wafer en het daarop volgende uitdrijven ervan 1007357 - 58 - met behulp van spoelvloeistof in de reinigingskamer een bepaalde druk van de daarin aanwezige mediums wordt onderhouden, in de beide transducer-kamers ten hoogste een gelijke contra-druk van de daarin aanwezige koelvloeistof wordt onderhouden.

102. Werkwijze volgens de Conclusie 101, met het kenmerk, dat zoals daarbij de druk van de mediums in de reinigingkamer varieert, de druk van de koelvloeistof daarop wordt aangepast.

103. Werkwijze volgens de Conclusie 101, met het kenmerk, dat zoals daarbij in elk van de beide transducerkamers een aanslag-opstelling, elk 10 bevattende een groot aantal aanslagnokken, voor de daarmede corresponderende combinatie van transducer-opstelling en trilwand is opcencmen ten behoeve van het begrenzen van de verticcal buitenwaartse verplaatsing van deze trilwanden, zijdens de wafer transfer met geopende module in deze transducerkamers een zodanige onderdruk van de daarin aanwezige 15 koelvloeistof wordt onderhouden, en tijdens het reinigingsproces daarin een zodanig lagere druk van deze vloeistof ten opzicnte van de druk van het medium in de reinigingskamer aanwezig is, dat daardoor de beide trilwanden met tussenliggende transducer-opstellingen en micro vloeistof-lacen tegen de daarmede corresponderende aansiag-opscellingen in deze 20 kamers worden gedrukt.

104. Werkwijze volgens de Conclusie 100, met het kenmerk, dat ten behoeve van het totale wafer reinigingsproces daarbij opvolgend het vergroten en verkleinen van de hoogte van de beide reinigingsspleten plaats vindt.

105. Werkwijze volgens ce Conclusie 104, met het kenmerk, dat daarbij bij een bewerkstelligde, tenminste nagenoeg lekdicht van de buitenlucht afgesloten reinigingskamer tenminste het navolgende plaats vindt: ai net bewerkstelligen en tijdelijk onderhouden van een relatief wijde 'Doven- en onderreinigingsspleet ten behoeve van tenminste het vullen met 30 medium van deze spleten en spoelen ervan; b) het daarop volgend bewerkstelligen en tijdelijk onderhouden van een relatief nauwe boven- en onderreinigingsspleet ten behoeve van een daarin plaats te vinden gedeelte van het totale reinigingsproces; c) het daarop volgend wederom bewerkstelligen en tijdelijk onderhouden 35 van een relatief wijde boven- en onderreinigingsspleet ten behoeve van tenminste het uitstuwen van residue medium en al dan niet tezamen met verontreinigingen met behulp van vers toegevoerd medium en met een tenminste gedeeltelijk hervullen ervan met dit medium; en d) herhaling van tenminste de onder a) en b) vermelde cycluscombinatie. 1007357 - 59 -

106. Werkwijze volgens de Conclusie 105, met het kenmerk, dat daarbij tijdens zulk een compressiefase het navolgende plaats vindt: a) in het eerste gedeelte ervan hoofdzakelijk het uitstuwen van de combinatie van residue medium, eventuele verontreinigingen en vers tcege- 5 vcerd medium uit deze spleten; en b) in het laatste gedeelte ervan de wafer-reiniging in deze zich vernauwende en tenslotte maximaal vernauwde spleten en waarbij megasonisch trillende vlceistofdeeltjes inwerken op de wafer boven- en ondertopo-graphv.

107. Werkwijze volgens de Conclusie 105, met het kenmerk, dat daarbij zulk een compressie/expansie-cyclus zich meerdere malen herhaalt tijdens het reinigen van de wafer met vloeibaar reinigingsmedium.

108. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, mer het kenmerk, dar daarbij tijdens het wafer reinigingsproces de hoogte van tenminste de 15 'ocvenreinigmgsspleet aanvullend in een cyclus varieert van ultra-nauw naar nauw en omgekeerd en zulks al dan niet in een veelvuldige herhaling ervan.

109. Werkwijze volgens de Conclusie 108, met her kenmerk, dat daarbij de hcogte van renminste de bovenreinicingsspleet in deze ultra-nauwe 20 rcestanc minder dan ^-0 jim en in nauwe toestand hoogsrens 50 urn bedraacr.

110. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in dit cncerkamerblok voor dit cilindrische medium rce/afvoerkanaal tenminste een tweetal medium toevcerkanalen zijn opgenc-men, met uitmondingen ervan in dit kanaal op ongeveer gelijke russenaf- 25 stand en waarbij elke kanaal-uitmonding correspondeert met een nabij de andere toevoer-uitmonding gelegen afvoerkanaal-uitmcnding, tijdens het medium vul/uitdrijf-proces stromen medium zodanig in tenminste nagenoeg tegengestelde richting door de beide reinigingsspleten worden gestuwd, dat daarmede tenminste mede residue medium uit deze spleten wordt uitge- 30 dreven via het ermede corresponderende afvoerkanaal.

111. Werkwijze volgens de Conclusie 110, met het kenmerk, dat daarbij uit daartoe in radiale richting schuin geplaatste medium toevoerkanalen door deze beide reinigingsspleten en langs de opstaande zijwand van de wafer gestuwd wordend medium tenminste mede een krachtwerking op deze 35 wafer uitoefent in de richting van verdraaiing ervan.

112. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze module een aantal, in hoogtericnting verplaatsbare wafer draag/centreerstiften zijn opgenomen, welke door dit onderka-merblok zijn gevoerd, met behulp van deze stiften zodanig een centrale 1007357 - 60 - positie van een te reinigen wafer in laterale richting binnen de reinigingskamer wordt verkregen, dat daardoor tenminste mede zulk een tenminste tijdelijk cilindrisch medium toe/af voer ka naai wordt bewerkstelligd.

113. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 5 dat zoals daarbij tussen het bovenkamerblok en het onderkamerblok lateraal buitenwaarts de reinigingskamer zich tenminste tijdens het vullen van deze kamer met medium een spleet met een relatief grote hoogte bevindt tussen de laterale uiteinden ervan, daarin dan tenminste plaatselijk een zodanig meciumslot met toevoer ernaar van slotmedium en een druk ervan, 10 welke hoger is dan die van het medium in het laterale uiteinde van deze reinigingskamer, wordt onderhouden, dat daarmede belet wordt, dat reini-gingsmedium uit deze kamer via deze spleet in lateraal buitenwaartse richting tot buiten de module ontsnapt.

114. Werkwijze volgens de Conclusie 113. met het kenmerk, dat zoals 13 daartoe tussen deze blok-uitemcen een cilindrisch mechanisch slot-element is ccgencmen, welke tenminste tijdelijk afdichtend is opgenomen in een slot-uitsparing in éér. van deze kamerbickken, daarbij tijdens her reinigingsproces m een spleetsecrie russen deze blck-uireinden lateraai binnenwaarts dir slct-element met behulp van daarin toegevoerd slotme- 30 dium tenminste een gedeeire van zulk een meciumslot wordt bewerkstelligd.

115. Werkwijze volgens de Conclusie 114. met her kenmerk, dat zoals daartoe in de bovenzijde van het onderkamerblok een cilindrische uitsparing is aangebracht en net slot-element een zodanige hoogte heeft, dat bij deze vui-pcsitie van het onderkamerblok dit slot-element zich over 25 enige afstand in benedenwaartse richting uitstrekt in deze uitsparing en op het ondergedeelte van deze uitsparing tenminste één toevoerkanaal voer tenminste één slotmedium is aangesloten, daarbij toevoer van slotmedium plaats vindt naar deze uitsparing onder dit slot-element gelegen slot-comparziment ten behoeve van het tijdelijk onderhouden van dit mecium-30 slot.

116. Werkwijze volgens de Conclusie 115, met het kenmerk, dat dit slotmedium tenminste één vloeibaar medium is in afhankelijkheid van de soort van mediums in de reinigingskamer.

117. Werkwijze volgens de Conclusie 115, met het kenmerk, dat dit slot-35 medium gasvormig medium is enzulks tenminste tijdelijk.

118. Werkwijze volgens de Conclusie 115, met het kenmerk, dat daarbij tijdens het reinigingsproces Dl water als hoogkokende vloeistof, IPA ais licht verdampbare vloeistof en tenslotte als gasvormig medium voor het slotmedium worden toegepast. 1007357 - 61 -

119. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tijdens het reinigingsproces in tenminste een tweetal medium slot-secties in de zich in verticale richting uitstrekkende spleetsec-ties tussen de verticale wanden van dit slot-element en deze uitsparing 5 een mediumslot wordt onderhouden.

120. Werkwijze volgens de Conclusie 119, met het kenmerk, dat zoals daarbij op dit slotccmpartiment en zulks al dan niet via het toevoerka-naal voor het slotmedium, een medium afvoerkanaal is aangesloten met daarin de opname van een drukventiel, de instelling voor medium doorlaat daar- 10 van zodanig is, dat de druk van het medium in het mediumslot hoger is dan de maximum druk van het medium in de reinigingskamer tijdens her reinigingsproces .

121. Werkwijze volgens de Conclusie 116, met het kenmerk, dat zoals daarbij in de bovenzijde van het laterale uiteinde van het onderkamerbiok 15 lateraal op enige afstand buitenwaarts deze sioc-uitsparing een zich in radiale richting uitstrekkende uitsparing is opgencmen, met aansluiting erop van een afveerleiding, daarin afvoer van uit het mediumslot in lateraal buitenwaartse richting via de spleetsectie tussen deze blokken ontsnapt medium plaats vindt.

122. Werkwijze volgens de Conclusie 115, met het kenmerk, dat daarbij, veerdat vulimc van de reinigingskamer met medium plaats vindt, reeds slotmedium vanuit dit slot-compartiment via de nauwe, zich in opwaartse richting uitstrekkende slotspleet aan de laterale binnenzijde van het slot-element in de cilindrische spleetsectie tussen de beide kamerblokken 25 lateraal binnenwaarts deze cilindrische slot-uitsparing is terecht gekomen.

122. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals de module verder een centreer-inrichting voor de beide kamer-blokken ten opzichte van elkaar bevat, bij de opwaartse verplaatsing van 20 het onderkamerbiok vanuit zijn onderste wafer transferpositie dit cilindrische slot-element als deel van het bovenkamerblok in zijn juiste centrische positie binnen deze cilindrische slot-uitsparing in het onderkamerbiok komt te verplaatsen.

124. Werkwijze volgens de Conclusie 122, met het kenmerk, dat daarbij 25 tenminste het gedeelte van deze spleetsectie tussen de beide kamerblok- ken, welke grenst aan dit slot-element, gevuld is met dit slotmedium.

125. Werkwijze volgens de Conclusie 123, met het kenmerk, dat zoals daarbij de opstaande zijwand van dit slot-element aan de lateraal binnenwaartse zijde ervan voorzien is van een groot aantal, in radiale richting 1007357 - 62 - naast elkaar gelegen medium doorlaatgroeven met tussengelegen schei-dingswand/geleidingswand-secties, tijdens het reinigingsproces slotme-dium door deze groeven opwaarts naar de spleetsectie tussen de beide kamerblokken lateraal binnenwaarts dit slot-element wordt gestuwd.

126. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in de beide reinigingsspleten tenminste mede reinigingsme-dium met een lagere kooktemperatuur dan van het vloeibare koelmedium in de transducerkamers wordt toegepast.

127. Werkwijze volgens de Conclusie 126, met het kenmerk, dat daarbij 10 tijdens het reinigingsproces tijdelijk verwijdering van verontreinigingen uit de grenslaag en groeven van de wafer boventopography geschiedt zonder toevoer van medium naar tenminste de bovenreinigingsspleet.

128. Werkwijze volgens de Conclusie 127, met het kenmerk, dat daarbij voor het reinigingsproces tenminste toepassing plaats vindt van tenminste 15 mede zodanig laagkckend vloeibaar medium, dat daarbij tenminste tijdens een gedeelte van de expansie-fase tenminste een gedeeltelijke verdamping ervan plaats vindt.

129. Werkwijze volgens de Conclusie 128, met het kenmerk, dat daarbij de toepassing van tenminste de combinatie van laag- en hoogkokend vlcei- 20 baar reinigingsmedium plaats vindt.

130. Werkwijze volgens de Conclusie 129, met het kenmerk, dat daarbij tenminste de boven-transducerocstelling tevens als regelbare warmtebron voor tenminste het medium in de bovenreinigingsspieet fungeert en door verhoging van de triliings-intensiteit van zulk een transducer-opstei- 25 ling, met een daarbij gepaard gaande versterkte warmte-ontwikkeling en zulks in combinatie met een verminderde koeling ervan, een sterk verhoogde warmte-toevoer via ce daarmede corresponderende trilwand naar het reinigingsmedium in de aangrenzende reinigingsspleet plaats vindt.

131. Werkwijze volgens de Conclusie 130, met het kenmerk, dat daarbij 30 aan het einde van de opwaartse compressieslag van het onderkamerblok, met een bewerkstelligde ultra-geringe hoogte van tenminste de bovenreinigingsspieet, door een verhoogde warmte-toevoer vanuit tenminste de boven-transcuceropstelling de temperatuur van het laagkokende gedeelte van het reinigingsmedium in zulk een spleet tot tenminste nabij de kook- 35 grens ervan onder de bewerkstelligde verhoogde compressiedruk is gebracht, in de daarop volgende neerwaartse expansieslag van dit blok, met een daarbij gepaard gaande zeer aanzienlijke drukverlaging van de mediums in de beide reinigingsspleten, in deze primaire bovenspleet door dampont-wikkeling in de grenslaag en crevices van de wafer boventopography het 1007357 - 63 - uitstuwen daaruit van residue-medium tezamen met eventuele verontreinigingen in opwaartse richting naar het centrum van deze spleet plaats vindt, mee verdere afvoer ervan door tenminste mede toevoer van vers medium onder een lagere temperatuur aan het einde van deze expansieslag, 5 en in een daarop volgende ccmpressieslag van dit onderkamerblok het instuwen van dit verse medium onder lage temperatuur in deze .grenslaag en crevices als vervanging van het daaruit voorafgaand gestuwde residue-reimgingsmedium plaats vindt. 132. 'Werkwijze volgens de Conclusie 130, met het kenmerk, dat daarbij 10 de eindfase van de ccmpressieslag zo langdurig is, dat de nog plaats vindende uitstuwing van het medium uit de bovenreinigingsspleet wordt ge-ccmcenseerd door de steeds verdere omzetting van het laagkokende vloeibare medium in dampvormig medium en hoog-frequent trillende, fijn vernevelde hcogkokende vloeistof, welke daarbij is cpgenomen in deze dampkolcm onder 15 overdruk, naar en vanaf deze grenslaag en crevices van de wafer bevento-eegrapny wordt gestuwd ten behoeve van de verdere afbraak van deze grenslaag en verwijdering van verontreinigingen daaruit en uit deze crevices.

133. Werkwijze volgens de Conclusie 131, met net kenmerk, dat daarbij ten behoeve van een optimaal reinigingsproces een aantal herhalingen van 20 deze ccmpressie/expansie-cyclus plaats vinct.

134. Werkwijze volgens de Conclusie 130, met het kenmerk, dat daartoe in deze expansiefase door een tenminste nagencege stopzetting van de toevoer van de koelvloeistof naar een transducerkamer daarin enerzijds de druk van deze vloeistof terugvalt naar de gewenst wordende lage druk 25 in het afvoersysteem ervoor en anderzijds een maximale en snelle warmteoverdracht van de daarin opgenemen transducer-opstelling via de daarmede corresponderende trilwand naar het medium in de daarmede corresponderende reinicmgsspieet plaats vindt.

135. Werkwijze volgens de Conclusie 134, met het kenmerk, dat daarbij 30 gelijktijdig ongeveer dezelfde temperatuur-toename in de beide reinigings- spleten plaats vindt ten behoeve van het verdampen van tenminste een gedeelte van de laagkokende bestanddelen in deze spleten in combinatie met zulk een drukdaling in de beide transducerkamers.

136. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 35 dat zoals daarbij hellende micro-groeven in tenminste de onderzijde van de boventnlwand zijn opgenemen en welke zich onderbroken vanuit nabij het centrum van deze wand uitstrekken in lateraal buitenwaartse richting tot tenminste nabij het laterale einde ervan, de door de boven-transducer-opstelling opgewekte en via deze trilwand naar het vloeibare medium in 10073*7 - 64 - de bovenreinigingsspleet overgebrachte megasonische trillingen daarin zodanig worden gedivergeerd, dat de reflecterende trillingen vanaf het bcven-oppervlak van de wafer niet in ontoelaatbare mate het reinigingsproces verstoren.

137. Werkwijze volgens de Conclusie 136, met het kenmerk, dat deze ge divergeerde stromen medium daarbij aanvullend een resulterende krachtwerking uitoefenen op de wafer in de richting van de gewenst wordende verdraaiing ervan.

138. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 10 dat zoals daarbij voor bepaalde reinigingsprocessen uitsluitend één sccrt vloeibaar reinigingsmedium wordt tcegepast, dit medium dan tenminste mede gecombineerd is met een gasvormig medium en waarbij door de megasonische trillingen zulk een vloeibaar medium fijn verneveld is in deze gaskolom.

139. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 15 dat zoals daarbij in de onderzijde van het bovenkamerblok op enige afstand lateraal buitenwaarts de reinigingskamer een bufferkamer is opgenomen, welke via een tenminste lijdelijk bewerkstelligde cilindrische spleet tussen de beide kamerblokken verbonden is met het cilindrische medium toe/ afvoerkanaal en 'net lateraal binnenste gedeelte van het mediumslot, ten-20 minste de afveer erdoorheen van lucht en/of ander gasvormig medium uit de reinigingskamer plaats vindt tijdens het vuilen/hervullen van deze kamer met medium en het reinigingsproces.

140. Werkwijze volgens de Conclusie 112, met het kenmerk, dat in de aangesloten positie van de beide kamerblokken de wafer-draaqsectie ervan 25 over een geringe afstand uitsteekt boven het niveau van de bovenzijde van de ondertrilwand van dit blok, waarbij na het verwijderen van de gereinigde wafer uit de module met de daarbij behorende onderste positie van deze stiften, met behulp van een robot-arm een te reinigen wafer naar zijn laterale overneem-positie boven deze wafer-draagsecties wordt gebracht, ver-30 volgens het vacuum in deze arm wordt opgeheven, vervolgens tenminste een aantal van deze stiften opwaarts naar hun bovenste positie worden verplaatst, met het daarbij kernen te rusten van deze wafer op deze draag-secties en het eveneens verplaatsen.· ervan opwaarts naar zijn vulpositie, . en tenslotte door het opwaarts verplaatsen van het onderkamerblok naar 35 zijn bovenste positie deze wafer binnen de dan gevormde reinigingskamer komt te liggen.

141. Werkwijze volgens de Conclusie 140, met het kenmerk, dat daarbij na het reinigingsproces en het vervolgens naar zijn onderste wafer trans-fer-positie bewegen van het onderkamerblok, waarbij de wafer op de draag- 1007357 - 65 - secties van deze stiften, en het vervolgens in de laterale overneem-positie onder deze wafer brengen van de transfer-arm van deze of een andere robot, deze stiften vervolgens naar hun onderste positie worden bewogen, zodat de wafer op deze arm komt te rusten en tenslotte na het 5 aanzuigen van deze wafer op deze arm de combinatie van arm en wafer uit deze mcdule wordt verwijderd.

142. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij op elk van deze draagstiften boven deze wafer-draagsectie ervan een wafer centreersectie is opgenomen, met een excentrische positie 10 ervan ten opzichte van deze wafer draagsecties, in aangesloten positie van de beide kamerblokken deze secties zich lateraal opzij van de wafer opwaarts uitstrekken tot nabij de boventrilwand van her bovenkamerblok en deze stiften zodanig verdraaibaar zijn, dat een ten opzichte van de reini-gingskamer gezwenkte lateraal binnenste wafer-centreerpositie van deze 15 centreersecties en een ten opzichte van deze kamer lateraal buitenste wafer-overneempositie van deze secties kan worden bewerkstelligd.

143. Werkwijze volgens de Conclusie 142, met het kenmerk, dat daarbij bij geopende mcdule ten behoeve van het ontvangen van een te reinigen water deze centreerseczies daartoe naar hun lateraal buitenste positie ten 20 opzichte van de reinigingskamer zijn gezwenkt, en na overname door deze stiften van deze wafer door het terugzwenken van deze centreersecties naar hun lateraal binnenste positie ten opzichte van deze reinigingskamer een excentrisch ten opzichte van deze kamer aangeveerde wafer naar een zodanig laterale positie ervan ten opzichte van deze kamer wordt ge-25 drukt, dat deze door het vervolgens opwaarts verplaatsen van het onder-kamerblok tot binnen deze kamer wordt gebracht.

144. Werkwijze volgens de Conclusie 143, met het kenmerk, dat daarbij ten behoeve van de afvoer van de gereinigde wafer uit de reinigingskamer de centreersecties van de stiften zich neg in hun lateraal binnenste po- 30 sitie zen opzichte van de reinigingskamer rondom de wafer bevinden, bij her naar beneden bewegen van het onderkamerblok de wafer door deze sniften wordt overgenomen, na overname door de binnen de module gebrachte robot-arm van deze wafer deze centreersecties naar hun lateraal buitenpositie ten opzichte van deze reinigingskamer worden gezwenkt ten behoeve 35 van het ontvangen door deze stiften van een volgende wafer en vervolgens deze arm met wafer uit de module wordt afgevoerd.

145. Werkwijze volgens de Conclusie 144, met het kenmerk, dat zoals daarbij enige stiften gemeenschappelijk in verticale richting worden verplaatst en de module daarbij naast deze stiften nog tenminste één wafer 1 007 3«57 - 66 - draag/centreerstift bevat, deze met behulp van een aanvullende ver-plaatsings-inrichting afzonderlijk verder benedenwaarts en terug verplaatsbaar is en waarbij de gemeenschappelijke verdraai-inrichting tevens vcor verdraaiing van zulk een stift dienst doet.

146. Werkwijze volgens de Conclusie 145, met het kenmerk, dat daarbij in de onderste positie van zulk een wafer draag/centreerstift, welke zich in de wafer transderzóne bevindt, de bovenzijde van de centreersec-tie ervan tot tenminste onder het niveau van de onderzijde van de wafer is gebracht ten behoeve van de verdere transfer van deze wafer.

147. Werkwijze volgens de Conclusie 146, met het kenmerk, dat zoals daarbij tenminste één stift zich in de transferzöne van de robot-arm bevindt, deze al dan niet onafhankelijk van zulk een stift in de wafer transfer-zöne zodanig verder benedenwaarts verplaatsbaar is, dat de bovenzijde van de centreersectie ervan zich onder het niveau van de- onderis zijde van deze rcbct-arm bevindt ten behoeve van de mogelijke verplaatsing van deze arm.

148. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van een robot-arm een te reinigen wafer naar zijn cverneem-positie boven de wafer draagsecties van deze stiften en late- 20 raai binnenwaarts de naar buiten gezwenkte centreersecties ervan wordt gebracht, vervolgens na het opheffen van het vacuum in deze arm. de gemeenschappelijk opwaarts verplaatsbare stiften cmhcog worden bewogen onder de overname van deze wafer, vervolgens deze arm uit de module wordt verwijderd en de resterende stiften in de transfer-zone van de wafer en de 25 robot-arm opwaarts worden verplaatst naar het niveau van de andere stiften, vervolgens de centreersecties van alle stiften lateraal binnenwaarts ten opzichte van de reinigingskamer worden gezwenkt onder de bewerkstelliging van een toereikende centrering van de wafer ten opzichte van deze reinigingskamer en tenslotte het onderkamerblok opwaarts naar zijn boven-30 ste positie wordt bewogen, waarbij deze wafer binnen deze kamer komt te liggen.

149. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de wafer toe- en afvoer geschiedt met behulp van een tweetal afzonderlijke wafer transfer-armen, bij afvoer van de gereinigde 35 wafer uit de module de stift ter plaatse van de transferzönevoor deze af te voeren wafer naar beneden wordt verplaatst, met de centreersectie ervan tot onder het niveau van de onderzijde van de ermede corresponderende robot-arm, en na afvoer van de combinatie van deze arm en wafer deze stift wederom opwaarts wordt bewogen naar het wafer overneem-niveau van 1007357 -Side. andere stiften ten behoeve van het in een volgend stadium mede overnemen van een te reinigen wafer en ten behoeve van deze te reinigen wafer uitsluitend de wafer draag/centreerstift ter plaatse van de trans-ferzóne voor deze wafer vanuit de wafer overdraag-positie ervan naar be- 5 neden wordt verplaatst, met zijn centreersectie tot onder het niveau van de onderzijde van de ermede corresponderende robot-arm en na verwijdering van deze arm uit de module deze stift opwaarts wordt bewogen naar zijn wafer overneem-positie, waarna de resterende fasen van de transfer van deze wafer naar de reinigingskamer plaats vinden. IQ 150. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij op de bovenzijde van de ondertrilwand een groot aantal micro-nokken met tussengelegen medium doorlaatkanalen zijn aangebracht, onafhankelijk van de wafer draag/centrëerstiften een minimale hoogte van de onderreinigingsspleet tijdens het reinigingsproces, inclusief het vullen 15 en spoelen/hervullen van de reinigingskamer met vers medium wordt bewerkstelligd en tijdelijk onderhouden.

151. Werkwijze volgens de Conclusie 150, met het kenmerk t Gat ZOclJ-S daarbij tevens tegen de onderzijde van de boventrilwanc een groot: aantal micro-nokken mer tussengelegen medium doorvoerkanalen zijn aangebracht:, 20 daarmede de micro-hoogte van de bovenreinigingsspleet tijdens tenminste her reinigingsproces wordt begrenst.

152. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij een aantal modules in radiale richting op enige afstand van elkaar zijn gegroepeerd opzij van een centrale wafer trans f er robot, in 25 de rustpositie van deze robot transferarm-secties ervan zich bevinden tussen naast elkaar gelegen modules.

153. Werkwijze volgens de Conclusie 152, met het kenmerk, dat daarbij na het gelijktijdig openen van deze modules en het brengen van de wafers naar hun lagere overneem-positie op de stiften, gelijktijdig met behulp van 30 het in radiale richting terug verplaatsen van deze armsecties overname van deze wafers door deze armsecties en vervolgens het verwijderen ervan uit deze modules plaats vindt, met een daarna in radiale richting vooruitgaande verplaatsing van deze armsecties naar een wafer overdraag-positie in de volgende modules ten behoeve van het vervolgens gelijktijdig 35 brengen van deze wafers naar de respectievelijke reinigingskamers ten behoeve van het daarin plaats vinden van de opvolgende fasen van het tonale reinigingsproces voor een wafer.

154. Werkwijze volgens de Conclusie 152, met het kenmerk, dat zoals daarbij tevens een wafer toevoerstation voor te reinigen wafers en een wa- 1007357 - 68 - fer afvoerstation voor gereinigde wafers wordt toegepast en daarbij in dit wafer toevoerstation opzij van een centrale toevoerrobot meerdere cassettes, bevattende de te reinigen wafers, zijn gegroepeerd, met behulp van deze robot een wafer uit één van deze cassettes naar de overneem-posi-5 tie binnen deze module wordt gebracht, en zoals in dit wafer afvoersta-ticn opzij van een centrale wafer afvoerrobot meerdere cassettes ten behoeve van opslag van gereinigde wafers zijn gegroepeerd, met behulp van deze afvoerrobot een gereinigde wafer vanuit zijn ovemeem-positie binnen ceze module naar één van deze cassettes wordt gebracht.

155. Werkwijze volgens de Conclusie 154, met het kenmerk, dat daarbij tenminste nagenoeg gelijktijdig toevoer van een te reinigen wafer vanait het toevoerstation naar de eerste module, wafer toevoer vanuit de eerste module naar de tweede module, wafer toevoer vanuit deze tweede module naar de derde mcdule en toevoer vanuit deze derde module naar het afvoersta-15 tion plaats vindt.

156. Werkwijze volgens de Conclusie 154, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van de aanvcerrobct aanvoer vanuit een wafer processingstaticn plaats vindt en met behulp van de afvoerrobot afvoer naar een volgend wafer procassincstation geschiedt.

157. Werkwijze volgens de Conclusie 156, met het kenmerk, dat daarbij de wafer reiniging plaats vindt in een tweetal naast elkaar gelegen wafer reinigincsstations, eik bestaande uit een aantal wafer reinigingsmocules, welke m radiale richting opzij van zulk een wafer transferrobot zijn gegroepeerd.

158. Werkwijze volgens de Conclusie 157, met het kenmerk, dat zoals deze stations naast deze modules een gemeenschappelijke aanvoermodule voor toevoer van een te reinigen wafer naar de eerste module van elk van deze stations en een gemeenschappelijke module voor afvoer van een gereinigde wafer vanuit de laatste reinigingsmodule van elk van deze stations be-30 vatten, daarbij na afvoer van een te reinigen wafer naar deze toevoermc-dule en afvoer van een gereinigde wafer uit de afvoermodule toevoer van deze te reinigen wafer vanuit deze gemeenschappelijke aanvoermodule naar de eerste module van het eerste station geschiedt, met tenminste nagenoeg gelijktijdig afvoer van een gereinigde wafer uit de laatste reinigmgs-35 module van dit station naar deze gemeenschappelijke afvoermodule en vervolgens na aanveer van een volgende te reinigen wafer naar deze aanvoermodule en afvoer van een gereinigde wafer uit deze afvoermodule toevoer van deze volgende te reinigen wafer naar de eerste module van het tweede station plaats vindt, met tenminste nagenoeg gelijktijdig afvoer van een 1007357 - 69 - gereinigde wafer uit de laatste reinigingsmodule van dit station naar deze gemeenschappelijke afvoermodule geschiedt, met daarop volgende herhalingen van deze cyclus.

159. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 5 dat daarbij voor het wafer reinigingsproces elk type en al dan niet reeds rcegepast worden reinigingsproces bruikbaar is, met de navolgende mcge-liike toepassingen: a) in de wafer reinigingsfase elk soort van vloeibaar reinigingsmedium en al dan niet met toevoegingen ervoor en al dan niet in opvolging; 10 b) in de spoelfase van het reinigingsproces elk soort van spoelmedium en zulks al dan niet in combinatie met Dl water of uitsluitend Dl water; en c) in de eindfase van dit reinigingsproces elk soort van uitarijfmedium in gas en/cf dampvorm en zulks al dan niet in combinatie.

160. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 15 dat daarbij her RCA wafer reinigingssysteem mer de fasen SC I en SC II in daarrce aangepaste vorm wordt tcegepast.

161. Werkwijze vclgens één der voorgaande Conclusies, met her kenmerk, dat daarbij tijdens het spoelproces met her uitdrijven van reinigingsmedium uit de reinigingskamer accumulatie van door de beide transducer-opstel- 20 lingen opgewekte warmte in de wanden van deze kamer, de daarin cpcencmen wafer en het Dl water als spoelmedium plaats vindt ten behoeve van her in de volgende fase uit deze kamer verwijderen van dit Dl water tenminste mede mer behulp van een gedeeltelijke verdamping ervan.

152. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 25 dar zoals in de module een verwarmings-element tenminste nabij het laterale uiteinde van het bovenkamerblok is geplaatst . daarmede een reaelbare verwarming van de beide uiteinden in laterale richting van de beide kamer-blokken wordt bewerkstelligd en onderhouden in afhankelijkheid van de fase van het totale wafer reinigingsproces en met een temperatuur ervan, welke 20 tenminste nabij de temperatuur van de beide trilwanden van de reinigingskamer is.

163. Werkwijze volgens de Conclusie 159, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de uitdrijf fase voor het vloeibare spoelmedium de beide transducer-opstellingen nog in werking zijn ten behoeve van het toevoeren van warmte 35 naar de beide reinigingsspleten en het onderhouden van een double-floating conditie van de wafer.

164. Werkwijze volgens de Conclusie 161, met het kenmerk, dar zoals daarbij in de spoelfase het spoelen onder een overdruk van het Dl water plaats vindt, daarbij in deze uitdrijf fase tenminste tijdelijk een onderdruk 1007357 - 70 - in het afvoersysteem van zowel de reinigingskamer als de beide trans-ducerkamers wordt bewerkstelligd en onderhouden ten behoeve van het door verlaging van het kookpunt van het Dl water versneld verdampen ervan in deze reinigingskamer en afvoeren ervan.

165. Werkwijze volgens de Conclusie 159, met het kenmerk, dat daarbij tenminste in de eindfase van het spoelproces in de reinigingskamer de toevoer van Dl water als slotmedium naar het vlceistofslot wordt veranderd in een toevoer van gasvormig medium onder overdruk, zoals in dit slot tijdens het voorafgaande reinigingsproces geen gasvormig slotmedium 10 werd toegepast. .1 0 0 7 3 5 7