CN1142582C - 半导体晶片的处理方法及其处理装置 - Google Patents

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Abstract

半导体晶片的处理方法及其处理装置，水洗处理后，向已密闭的容器内供给温纯水。从被干燥介质没入状地浸泡在内的温纯水的水面，向容器上部空间供给有机溶剂的蒸汽或雾。充满之后，停止有机溶剂的供给，边从容器的底部一侧对温纯水进行吸引排液，边向该容器内供给惰性气体。吸引排液结束之前，进行控制管理，使得把容器内的减压度P1保持为设定减压度P。对容器内进行吸引减压的办法，进行被干燥介质的干燥处理。

Description

半导体晶片的处理方法及其处理装置
技术领域
本发明涉及半导体晶片等的处理方法及其控制装置。
背景技术
以往，作为从被干燥介质的表面上用若干种清洗用药液除掉灰尘、有机残留物或无机残留物的药液处理，到用清洗用纯水从被干燥介质的表面上洗掉该药液的最终的水处理为止的一连串的清洗处理和、在该清洗处理结束之后，把附着残留在被干燥介质的表面上的附着水(水滴)，用例如由IPA(异丙醇)溶剂等组成的有机溶剂的蒸汽之间的混合置换进行除去的干燥处理，在密闭着的容器内进行的蒸汽处理方法，人们开发提出了种种的方法。
例如，人们知道在日本国出愿特开昭62-136825号(以后，称之为前者)和日本国出愿特开平7-130699号(以后，称之为后者)等的公开公报中的提案。
但是，在前者的蒸汽处理方法中，在一连串的清洗处理之后，要向容器内边从其上部供给有机溶剂的蒸汽边把清洗用纯水压向下方使之从容器的底部一侧排出那样地进行排液。即，在把清洗用纯水向容器外全部压出排液之前，必须连续地而且边加上把清洗用纯水压向下方使之从容器的底部一侧进行排液所必要的合适的压力边供给有机溶剂的蒸汽。因此，在前者中，由于每进行一次干燥处理(每一循环处理)都必须向容器内供给大量的有机溶剂，大量使用高价的有机溶剂在成本上是不利的，是不经济的。所以，为了把容器内的清洗用纯水压出到容器以外，必须边加必要的压力边向容器内供给有机溶剂的蒸汽，因此必须有泵之类的气体加压装置。
另一方面，在后者中，在用已供给了清洗用纯水的清洗槽进行完一连串的清洗处理中的最终的水洗处理之后，在把被干燥介质从该清洗槽的纯水中向上提拉到密闭包围清洗槽的其上方的密闭室去的同时开始向该密闭室内供给有机溶剂的蒸汽，使之凝缩到被提拉到密闭室内的被干燥介质的表面上，用这种办法进行与该表面附着水的置换。即，有机溶剂的蒸汽向密闭室内的供给至少在被干燥介质从纯水中的提拉已完全结束之前要连续地，而在用蒸汽把从纯水中把被干燥介质完全提拉上来的宽大的密闭室内充满之前要继续地进行。因此，即使是在后者中，也和前者一样，由于每一次干燥处理(每一次循环处理)都必须连续地供给大量的有机溶剂，故存在着在价格上不利，不经济的问题。
于是，本发明人在反复进行了种种研究的结果，使已供给到容器内的有机溶剂的一部分在液体水面上进行凝缩，并在该水面上，形成一从被干燥介质的表面向着该水面的适当的厚度的混合层。而且使该混合层在比靠近被干燥介质的表面的一侧还靠近水面的一侧这一方与有机溶剂之间的混合浓度低。即，着眼于产生使借助于与有机溶剂之间的混合浓度分布的梯度，使液体从被干燥介质的表面一侧向水面一侧流动的液流发生表面张力，实现了本发明。
发明内容
本发明的目的是，提供一种在使用了有机溶剂的被干燥介质的蒸汽干燥处理中，使得可以大幅度地削减每一次干燥处理(每一次循环处理)的有机溶剂的使用量的半导体晶片等的处理方法及其处理装置。
本发明的另一目的是，提供一种除与有机溶剂之间的混合置换作用之外使得还可以用张力有效且确实地从被干燥介质的表面上除去附着水的半导体晶片等的处理方法及其处理装置。
本发明的其它目的将从详细的说明和附图中了解清楚。
这些目的可以用本发明所提供的半导体晶片等的处理方法及其处理装置达到。
本发明的处理方法，是一种在密闭的容器室内，进行从被干燥介质的清洗处理到干燥处理为止的一连串的处理的半导体晶片等的处理方法，包含有下述工序：把多片被干燥介质垂直并排地运进放置在上述容器室内，在进行完清洗处理中的最终的水洗处理之后，向上述容器室内供给温纯水的工序；从上述容器室内的至少上述温纯水的水面向在其上部一侧确保的上部空间中供给有机溶剂的蒸汽或雾的工序；在停止了上述有机溶剂的供给之后，边从容器的底部一侧吸引排液上述温纯水边从其上部一侧连续地供给惰性气体的工序；在上述温纯水的吸引排液完毕之后，用继续进行的上述吸引使容器内吸引减压，使被干燥介质干燥的工序，并且，至少在从容器的底部一侧吸引排液温纯水的工序中，在温纯水的吸引排液结束之前，要边进行管理控制，使得容器内的减压度保持到预定的设定减压度，边进行被干燥介质的干燥处理。
此外，在上述的处理方法中，在向容器室内供给温纯水之际把水温设定为30～60℃的范围内，而在把温纯水吸引液到容器外的吸引排液结束之前，把容器内的设定减压度设定在-46662.7～-6666.1Pa的范围内，理想的是把温纯水的温度设定为40～50℃的范围内，把容器内的减压度设定为-39996.6～-19998.3Pa的范围内，特别是把温纯水的水温设定为45℃，把容器内的设定减压度设定为-31997.28Pa。
此外，在上述的处理方法中，在向容器内供给有机溶剂的时候，要使得边对该容器内进行吸引排气边供给。而该有机溶剂的供给至少要进行到用有机溶剂把容器内的上部空间充满为止。即，进行到有机溶剂到达由于温纯水的吸引排液而伴生的该温纯水的水面的下降而露出的全部被干燥介质为止。
另外，本发明的处理方法，是一种半导体晶片的处理方法，包括在密闭容器内进行从半导体晶片的清洗处理到干燥处理的一连串的处理，其特征是包括：把多片半导体晶片垂直并排状地运进放置在上述容器内，在从清洗处理到干燥处理的各处理步骤中，至少在到干燥处理结束为止已开始连续的惰性气体的供给的状态下，在进行完清洗处理中的水洗处理之后，向上述容器内供给温纯水的工序；从上述容器内的至少是把半导体晶片没入状地浸泡起来的上述温纯水的水面向在其上部一侧所确保的上部空间内，供给有机溶剂的蒸汽或雾的工序；在上述有机溶剂的供给停止后，从容器的底部一侧吸引排液上述温纯水的工序；在上述温纯水的吸引排液结束之后，用继续进行的上述吸引对容器内进行吸引减压，使半导体晶片干燥的工序，以及，至少在从容器的底部一侧吸引排液温纯水的工序中，在温纯水的吸引排液结束之前，进行控制使得容器内的减压度保持为设定减压度。
因此，倘采用上述的本发明的处理方法，则在从药液清洗到最终的水洗处理为止的一连串的清洗处理结束之后，采用向容器内供给水温为30～65℃范围的温纯水，直到把被干燥介质没入状地浸泡起来的水位为止的办法，使得用温纯水的热能把被干燥介质加热到30～65℃附近的所需的温度为止，以促进干燥处理时的干燥。接着，在从温纯水的水面向已在其上部一侧确保的上部空间内供给蒸汽化或雾化了的有机溶剂，在该有机溶剂的供给停止后开始的、从容器的底部一侧对温纯水进行吸引排液的工序中，在温纯水的吸引排液结束之前，把容器内的减压度保持在-46662.7～-6666.1Pa的设定减压度。这样一来，已供给到容器内的有机溶剂的蒸汽或雾的一部分就将在温纯水的水面上凝缩，在该水面上形成混合液层，而其蒸汽化或雾化则用已保持为容器内的设定减压度的减压气氛和温纯水的热能进行保持，并在随着温纯水的水面下降而露出的被干燥介质的表面上凝缩并进行与该表面的附着水之间的混合置换，该附着水与有机溶剂之间的混合液一起顺着被干燥介质的表面，向着温纯水的水面滴下，并且随着从在上述混合液层上所产生的被干燥介质的表面向温纯水的水面的液流而从该表面上除去。即，被干燥介质通过与有机溶剂之间的混合置换所产生的置换作用和从被干燥介质的表面向着温纯水的水面导入附着水的混合液层所产生的液流作用这两个作用进行干燥处理。借助于已保持于设定减压度的容器内的减压气氛和温纯水的热能，反复连续地进行有机溶剂在从上述混合液层露出来的被干燥介质的周围再次被蒸汽化和在其表面上的前边说过的凝缩。
其次，在向容器内的上部空间中供给有机溶剂的蒸汽或雾的工序中，采用边对容器内进行吸引排气边供给的办法平稳地向该容器的上部空间中导入有机溶剂的蒸汽或雾，在短时间内，使已用有机溶剂把该上部空间充满的溶剂氛围汽化。用这种办法，就可以平稳地进行向以后的处理工序的转移。采用用吸引排气使容器内适当减压的办法，使有机溶剂在比在大气压(常压)中的沸点还低的温度下汽化。用这种办法，就可在低的温度状态下，在上部空间里制作出溶剂(蒸汽)气氛。
本发明的处理装置，是一种在密闭的容器内，进行从被干燥介质的清洗处理到干燥处理为止的一连串的处理的半导体晶片等的处理装置，在容器的上部一侧具备有：尺寸为可以至少把多片被干燥介质并排垂直地运进收容起来，形状为在上部开了口的有底箱形，在上部开口处具有自由开闭密闭盖的容器；连接到该容器底部一侧上，依据从被干燥介质的清洗处理开始到干燥处理为止的各个处理步骤打开药液阀门和纯水阀门，通过给液通路，向上述容器内供给药液和纯水，直到至少把被干燥介质浸泡为没入状态为止，同时，在清洗处理中的水洗处理结束之后，打开温纯水阀门通过给液通路直到上述水位为止供给温纯水的给液装置；至少被连接到该给液装置和上述容器的上部一侧或同一容器的底部一侧，打开排液阀门通过排液通路从上述容器内使药液和纯水，及温纯水相应于上述各个处理步骤进行吸引排液的排液装置；连接到上述容器的上部一侧，打开溶剂阀门通过溶剂供给通路向容器内供给有机溶剂的蒸汽或雾的溶剂供给装置；连接到同一容器的上部一侧，打开气体阀门通过气体供给通路向容器内供给惰性气体的气体供给装置；且至少在从容器的底部一侧通过上述排液通路对温纯水进行吸引排液的处理步骤中包含有：在温纯水的吸引排液结束期间，检测容器内的减压度的检测装置；连接配备于该检测装置和上述排液装置或气体供给装置之间，在上述温纯水的吸引排液结束之前，比较处理从上述检测装置输出出来的现在的减压度和设定减压度，使得把容器内的减压度保持为设定减压度，并根据该处理信息调节上述排液装置的排液速度或气体供给装置的供给速度的控制装置。
此外，在上边说过的处理装置中，在把温纯水供往容器内的时候的该水温设定于30～60℃的范围内，将温纯水吸引排液到容器外的该吸引排液结束之前的容器内的设定减压度设定在-46662.7～-6666.1Pa的范围内，理想的是把温纯水的水温设定在40～50℃的范围内，把容器内的设定减压度设定在-39996.6～-19998.3Pa范围内，特别理想的是把温纯水的水温设定为45℃，把容器内的设定减压度设定为-31997.28Pa。
因此，倘采用上述的本发明的处理装置，则在从开了口的上部开口把多片被干燥介质并排垂直状地运进收容到容器中后，用密闭盖把容器的上部开口盖紧的同时，根据各个处理步骤分步骤地(按次序)打开药液阀门和纯水阀门，以及水温为30～65℃范围的温纯水阀门。这样一来，就从容器的底部一侧通过给液装置的给液通路，根据从被干燥介质的清洗处理到干燥处理的各个处理步骤，向该容器内供给药液和纯水以及温纯水，直到把被干燥介质浸没进去的水位为止。用这种办法，使得在容器内形成边与被干燥介质的表面接触边流动的药液和纯水以及温纯水的上升水流，根据上述各个步骤进行处理。这时，已连接到容器的上部一侧的排液装置的排液阀门已打开，多余的药液、纯水和温纯水就通过排液通路吸引排液到容器外边。
接着，在上述各个处理步骤中的处理已结束了的时刻，打开溶剂供给装置的溶剂阀门，从容器内的至少是温纯水的水面向在其上部一侧所确保的上部空间通过溶剂供给通路供给有机溶剂的蒸汽或雾。这种供给用有机溶剂的蒸汽或雾进行直到使之充满容器内的上部空间为止。这时，采用用已连接到容器的上部一侧的排液装置继续地进行容器内的吸引排气的办法，使容器内适当减压，并在上部空间中用短时间迅速地形成有机溶剂的溶剂气氛。另外，伴随着容器内的减压而连通的溶剂供给装置内，比如在产生有机溶剂的蒸汽的蒸汽产生部件内也将适当地减压，所以在比在大气压(常压)中的沸点还低的温度下，有机溶剂边被蒸汽化边通过溶剂供给通路供往容器内，在该容器内形成低温状态的溶剂气氛。
其次，在容器内的上部空间被有机溶剂充满了的时刻，关闭溶剂阀门，打开已连接到容器下部一侧的排液装置的排液阀门。这样一来，容器内的纯水就通过排液通路从容器的底部一侧被吸引排往容器之外。这时，用检测装置检测伴随着温纯水的吸引排液所产生的容器内的减压并逐次输出到控制装置，用该控制装置，比较处理用检测装置检测出来的现在的减压度和容器内的-46662.7～-6666.1Pa范围的设定减压度，根据该处理信息，用控制装置进行调节改变排液装置的温纯水的排液速度或气体供给装置的惰性气体的供给速度的管理。因此，在温纯水的吸引排液结束之前，容器内保持设定减压度。即，使已供往容器内的有机溶剂的蒸汽或雾的一部分在温纯水的水面上凝缩，在该水面上形成混合液层的同时，其蒸汽化或雾化要用已保持为容器内的设定减压度的减压气氛和温纯水的热能进行保持，在随着温纯水的水面下降而露出的被干燥介质的表面上凝缩，进行与该表面的附着水之间的混合置换，该附着水与有机溶剂之间的混合液一起在顺着被干燥介质的表面向温纯水的水面滴下，而且随着在上述混合液层上产生的从被干燥介质的表面向着温纯水的表面的流液而从该表面上除掉。即，被干燥介质通过与有机溶剂之间的混合置换所产生的置换作用和在被干燥介质的表面向温纯水的水面导入附着水的混合液层上产生的液流作用的双重作用下进行干燥处理。这时，用已保持为设定减压度的容器内的减压气氛和温纯水的热能，反复连续地进行有机溶剂在从上述混合液层向露出来的被干燥介质的周围再次被蒸汽化，在其表面上进行前边说过的凝缩。
在容器内的温纯水全部被吸引排液完毕之后，用继续进行的该吸引使容器内减压，进行把残留在该容器内的有机溶剂、溶剂之间的混合液、湿气等全部被排到容器之外的被干燥介质的干燥处理。然后，把惰性气体从其上部一侧供往容器内部使该容器返回大气压(常压)打开密闭盖把被干燥介质从容器内运出来，从清洗处理到干燥处理的一连串的处理就结束了。
这样一来，由于本发明构成为具有上述构成，故具有下述作用。
〖1〗在从药液清洗到水洗处理为止的一连串的清洗处理结束了之后，向容器内供给水温为30～60℃范围的温纯水，直到把被干燥介质没入状地浸泡起来的水位为止，在用温纯水的热能把被干燥介质加热到30～60℃附近的规定的温度的加热处理结束之后，从温纯水的水面向在去上部一侧所确保的上部空间供给有机溶剂的蒸汽或雾，在该有机溶剂的供给停止之后开始的把温纯水从容器的底部一侧吸引排液的工序中，在温纯水的吸引排液结束之前，保持已供往容器内的上部空间的有机溶剂的蒸汽化或雾化，而且采用使该容器内的减压度保持为-46662.7～-6666.1Pa范围的设定减压度P的办法，使得从已形成于温纯水的水面上的混合液层，使有机溶剂在要露出的被干燥介质的周围再蒸汽化的该再蒸汽化现象得以反复连续地进行的条件在容器内成立的办法，使得可以在从水面的混合液层因反复连续的温纯水的水面下降而露出的干燥介质的周围边使有机溶剂再蒸汽化边使之与其表面接触，并借助于与该表面之间的温度差在该表面上凝缩后进行与附着水之间的混合置换。因此，由于有机溶剂的再蒸汽化利用是可能的，故与现有的方式比可以大幅度地削减每一处理周期的有机溶剂的使用量。
〖2〗已供到容器内的上部空间中的有机溶剂的蒸汽，用保持容器内的-46662.7～-6666.1Pa范围的设定减压度P的减压气氛和30～65℃范围的温纯水的热能保持其蒸汽化，使之与因温纯水的水面的下降而从该水面露出的被干燥介质的表面接触，借助于与该表面之间的温度差在该表面上凝缩后进行与附着水之间的混合置换，同时，继续向温纯水的水面的混合液层滴下补充混合液，用因有机溶剂的混合浓度分布而在该混合液层上产生的从被干燥介质的表面向着温纯水的水面的液流，就可从被干燥介质的表面上确实且迅速地除掉附着水。即，用与有机溶剂之间的混合置换而产生的置换作用和在从被干燥介质的表面向温纯水的水面导入附着水的混合液层上产生的液流作用这两个作用，就可有效地进行干燥处理。
〖3〗在向容器内的上部空间供给有机溶剂的蒸汽或雾的工序中，采用边对容器内进行吸引排气边进行的办法，向该容器内的上部空间平稳地导入有机溶剂的蒸汽或雾，使得该上部空间在短时间内进行被有机溶剂充满后的溶剂气氛化。这样，就可以平稳地转移到以后的处理工序中去。另外，因为容器内可用吸引排气进行适当减压，所以有机溶剂可以用比在大气压(常压)中的\沸点还低的温度蒸汽化。因此，由于在上部空间中可以以比常压低的温度形成溶剂(蒸汽)气氛，故在安全性方面也是有利的。
因此，倘采用本发明，则在应用了有机溶剂的被干燥介质的蒸汽干燥处理中，由于可以促进干燥的同时，可以大幅度地削减每一干燥处理(每一循环处理)的有机溶剂的使用量，所以将变成为可获得低成本化，在成本上有利的处理方法和处理装置。而且，借助于与有机溶剂之间的混合置换所形成的混合置换作用和从被干燥介质的表面向温纯水的水面导入附着水的混合液层中产生的液流作用这两个作用，使得变成为划时代的处理方法和处理装置：使高效率且高精度的干燥处理变成为可能，可以预期缩短处理时间的同时，还可以期待更好的干燥效果等。
附图说明
图1的示意图示出了实施本发明的半导体晶片等的处理方法的处理装置的一个例子；图2是容器的纵剖示意图；图3是示出了在吸引排液温纯水的工序中，在温纯水的吸引排液结束了的期间，在反复连续地进行使已溶进温纯水中的有机溶剂在从该温纯水的水面露出的被干燥介质的周围再次蒸汽化的该再蒸汽化现象条件成立的容器内，进行的附着水与有机溶剂之间的置换作用和在从被干燥介质的表面向着温纯水的水面的混合液层上产生的液流作用这两个作用进行的被干燥介质的干燥原理的关键部分的放大示意图；图4的控制框图示出了在吸引排液温纯水的工序中，使容器内的减压度P1保持为设定减压度P的控制装置的一个例子；图5是图4的控制示意图；图6的控制框图是在吸引排液温纯水的工序中，使容器内的减压度P1保持为设定减压度P的控制装置的另一个例子；图7是图6的控制示意图；图8的流程图示出了从清洗处理到干燥处理的一连串的处理中的处理动作；图9的流程图示出了在吸引排液温纯水的工序中，把容器内的减压度P1控制管理为设定减压度P的其动作；图10是图9的时间图；图11的流程图示出了从清洗处理到干燥处理的一连串的处理中的处理动作的另一实施例；图12是图11的时间图；图13的示意图示出了实施把容器构成为内外二层构造的本发明的半导体晶片等的处理方法的处理装置的一例。
具体实施方式
依据附图对本发明的实施的具体例进行说明。
详细地说，本发明涉及对下述蒸汽处理方法及其处理装置的改良。这种蒸汽处理方法及其改良装置是：在已进行过从半导体硅晶片、液晶基板及其掩模用基板等的被干燥介质的表面上，用数种清洗用药液除掉灰尘、有机残留物或无机残留物等的药液处理(化学处理)之后，把进行用清洗用纯水从被干燥介质的表面上洗掉上述清洗用药液的最终的水洗处理(冲洗处理)的这一连串的清洗处理，接着在该清洗处理中的最终的水洗处理结束之后，除去附着残留在被干燥介质的表面上的上述清洗用纯水，即附着水(水滴)的干燥处理为止，在密闭着的容器中分步骤地进行。特别是对附着残留在被干燥介质的表面上的上述附着水的除去，用由易于与该附着水混合且表面张力极小的例如IPA(异丙醇)溶剂等组成的有机溶剂的混合置换来进行干燥。
图1的示意图示出了实施本发明的半导体晶片等的处理方法的处理装置的构成例。1是已密闭为可开可闭的容器，2是给液装置，该装置连接到容器1的底部一侧，用后边要讲的药液阀门3、纯水阀门4和温纯水阀门5这些各个阀门3、4、5的阀片通过给液通路6根据从清洗处理到干燥处理的一连串的各个处理步骤向容器1内供给数种药液和纯水及温纯水直到把被干燥介质W没入状地浸泡起来的水位为止；7是排液装置，该装置用该给液装置2的给液通路6和分别连接到上述容器1的上部一侧、后边要讲的排液阀门8、9的阀片，根据上述各个处理步骤通过各自的排液通路10、11从容器1内对药液和纯水以及温纯水进行吸引排液；12是溶剂供给装置，该装置被连接到容器1的上部一侧，并用后边要讲的溶剂阀门13的阀片根据上述各个处理步骤通过溶剂供给通路14向容器1内供给有机溶剂的蒸汽或雾；15是气体供给装置，该装置被连接到容器1的上部一侧，并用后边要讲的气体阀门16的阀片根据上述各个处理步骤通过气体供给通路17向容器1内供给惰性气体；18是检测装置，该装置具备于上述容器1的上部一侧，检测容器1内的压力；19是控制装置，该装置根据上述检测装置18所检测出来的检测信号，调节由上述气体供给装置15进行的惰性气体向容器1内的供给速度，构成为使得借助于与这些各个装置2、7、12、15、18、19的从清洗处理到干燥处理的一连串的各个处理步骤对应的动作，可以在密闭容器1内进行从被干燥介质W的清洗处理到干燥处理的一连串的处理。
容器1被构成为呈现有底箱型，其尺寸能够使多片被干燥介质在垂直状态下以一定的间隔并排地支持和收容在容器1中，而其深度约为把被干燥介质M没入状地浸泡起来的同时，在其上部一侧可以确保供给惰性气体的适当容积的上部空间20，且在其上部开有开口，在其上部开口处，开闭自如地具备在把被干燥介质M运进收容之后，就进行密闭的密闭盖21。构成为把给液装置2的给液通路6连接到底部一侧的同时，把排液装置7的排液流路11、溶剂供给装置12的供给流路14、气体供给装置15的供给流路17分别连接到其上部一侧。
此外，虽然没有画出来，但在容器1内备有支持多片被干燥介质W的下半部一侧的支持装置，构成为用该支持装置使得可以把多片被干燥介质W以适当的间隔垂直并排地收容到容器1内。
给液装置2所起的作用是，根据被干燥介质W的清洗处理的各个步骤从容器底部的给液口2-1，向容器1内供给数种的药液和纯水等，在被干燥介质W的干燥处理时，在其处理准备步骤会向容器1内供给温纯水，把给液流路6连接到在向中央倾斜的容器1的底部中央开了口的给液口2-1上的同时，通过混合阀门22，把药液阀门3、纯水阀门4和温纯水阀门5连接于该给液流路6上，又在混合阀门22与给液口2-1之间连接备有这些各个阀门3、4、5的总阀门23，构成为使得借助于该总阀门23的阀片和各个阀门3、4、5的阀片，根据被干燥介质W的从清洗处理到干燥处理的各个处理步骤，可以从上述给液口2-1向容器1内连续地供给药液、纯水和温纯水。
排液装置7从其上部一侧把在被干燥介质W的清洗处理时多余的药液和纯水等排液到容器1的外部。即，起着下述三个作用：借助于与被干燥介质W之间的接触而混入了从其表面上去掉的灰尘、有机残留物和无机残留物的溢出水，从其上部一侧吸引排液到容器1的外部的作用；在被干燥介质W的干燥处理时为了促进该被干燥介质W的干燥而供往容器1内的温纯水从其底部一侧吸引排液到容器1的外部的作用；使之在温纯水的排液结束之后仍继续工作以把容器1内的残留的有机溶剂或湿气等吸引排液到容器1的外部的作用，构成为使得可以在上述的给液流路6的半道上分支连接排液流路10，并把排液流路11连接到已在相当于把被干燥介质W没入状地浸泡起来的水面L的高度的容器1的上部一侧部位开了口的排液口7-1上的同时，把排液阀门8、9分别连接备于各排液流路10、11上，借助于排液阀门8、9的阀片通过排液流路11，从其上部一侧的排液口7-1把多余的药液和纯水，从其底部的给液口21通过排液流路10把温纯水，分别强制性地吸引排液到容器之外。即，底部的给液口2-1，除去起着把药液和纯水及温纯水供液到容器1内的本来的作用之外，在把温纯水排液到容器1外的情况下，还起着作为排液口的作用。
顺便说一下，吸引部件24已变成为由带流量调节功能的吸引泵24-1等构成，该泵24-1以一定的排液速度或边使其排液速度适当可变边把药液、纯水等和温纯水排液到容器1之外，即，边使药液和纯水等以及温纯水的排液量保持一定或者边使其排液量适当可变边进行排液，并连接到控制装置19的后边要讲的控制部分19-1上，借助于从该控制部分19-1输出来的处理信号，特别是变成为使得适当可变调节为了使温纯水的排液量比现在的排液量还少而使吸引泵24-1的吸引功率减小(下降)，或者，为了比现在的排液量加大而加大吸引泵24-1的吸引功率(上升)等的吸引泵24-1的吸引输出功率。
溶剂供给装置12是一种起着下述作用的装置：在被干燥介质W的清洗处理中的最终的水洗处理结束了之后，把将附着残留于被干燥介质W的表面上的附着水用与该附着水之间的混合置换除掉(降低附着水的表面张力而除掉)的有机溶剂的蒸汽供往容器1内。它被构成为把溶剂供给流路14连结到在相当于上述的排液流路的连接部位的容器1上，已在上部一侧部位上开了口的溶剂导入口12-1上的同时，把溶剂阀门13连接备于该溶剂供给流路14上，且连接备有蒸汽产生部件25，在该蒸汽产生部件25中被蒸汽化了的有机溶剂的蒸汽借助于阀门13的开闭从其上部一侧供往容器1内，或者使其供给停止。
顺便提一下，蒸汽产生部件25由蒸汽产生槽等构成，该槽具备加热之类的加热装置，用于贮存易于和附着于被干燥介质W的表面上的附着水混合且表面张力极小的例如IPA(异丙醇)溶剂等组成的有机溶剂的同时，并使该有机溶剂加热沸腾而蒸汽化，并构成为通过从该蒸汽产生槽进行连接配管的溶剂供给通路14而向连通的容器1内供给已蒸汽化了的有机溶剂的蒸汽。此外，虽然没有画出来，但也可不连接到蒸汽产生部件25上而把可以用规定的压力将有机溶剂压送往溶剂供给流路14内的压送泵连接备于溶剂供给通路14上，使得边雾化边从已连接到该压送泵上的贮存有机溶剂的贮存槽供往容器1内，可任选。在这种情况下，在容器1的壁面上具有喷雾口，可以用该喷雾口边雾化边把有机溶剂的雾供往容器1内。此外，也可使上述贮存槽上备有加热器等的加热装置，边把有机溶剂加热到30～60℃的范围边供往容器1内。这样一来，与边使常温的有机溶剂雾化边供往容器1内相比，就可以得到不让使温度降低等的容器1内的内部气氛产生变化的抑制效果。
气体供给装置15起着如下的作用：把被干燥介质W运进收容于容器1内，从用密闭盖21把容器1的上部开口密闭起来之后开始连续地向该容器1内供给惰性气体(N2)，把在被干燥介质W运进收容时进入容器1内的空气(氧)排除于容器1之外，在从被干燥介质W的清洗处理到干燥处理为止的各处理步骤中，使容器1内继续保持气体气氛状态的作用；在被干燥介质W的干燥处理步骤中，向容器1内供给贮存温纯水使得一直到把该被干燥介质W没入状地浸泡起来的水位为止，用从该纯水的水面L向在其上部一侧所确保的上部空间20内，由上述溶剂供给装置12供给的有机溶剂的蒸汽充满该上部空间，在该有机溶剂的供给停止以后进行的、用排液装置7进行的把纯水吸引排液到容器1之外的时候，为了根据来自以从检测装置18输出来的检测信号(容器1内的压力信息)，依据从控制装置19来的处理信号(阀门的阀片张开度的大小等)把容器1内的减压度P1保持为设定减压度P，根据来自控制装置19的处理信号，向该容器1内连续地供给惰性气体的作用，并构成为把气体供给流路17连接到在与上述溶剂供给流路上14的连接部位相当的容器1的上部一侧部位中的其壁部上已开了口的气体导入口15-1的同时，把气体阀门16连接备于该气体供给流路17上，借助于该气体阀门16的开闭，在从被干燥介质W的清洗处理到干燥处理结束为止的一连串的处理步骤中，从上述气体导入时口15-1向容器1内连续地供给惰性气体，或根据从清洗处理到干燥处理的各个步骤，间歇地供给，或者停止其供给。
附带说一下，气体阀门16边用打开阀门、关闭阀门以及使用恒定的供给速度或者使其供给速度适当可变边向容器1内供给惰性气体。即，由边使惰性气体的供给量保持恒定或边使其供给速度适当可变边供给的带流量调节功能的阀门等构成，构成为连接到控制装置19的控制部分19-1上，并为了使惰性气体的供给量比现在的供给量还少，用从该控制部分19-1输出来的处理信息，使阀门开度减小(收拢)，或为了比现在的供给量增大而使阀门开度加大等的阀门开度得以适当调节可变。图中26是已连接备于气体供给流路17上的安全(辅助)阀门。检测装置18的作用是，在从被干燥介质W的清洗处理到干燥处理的各个处理步骤中，特别是在被干燥介质W的干燥处理开始之后到结束的过程中，在向容器1内供给贮存温纯水，从把被干燥介质W没入状地浸泡起来的该水面L在其上部一侧所确保的上部空间20被有机溶剂的蒸汽充满之后开始的温纯水的吸引排液时，在该吸引排液结束之前，逐次检测容器1内的减压度P1，并把该检测信号(压力信息)逐次输出到控制装置19，由进行把容器1内的压力位移变换成电压并把其压力值，即检测到的信号逐次输出到控制部分19的后边要讲的处理部分19-10的动作的压电传感器或压力传感器等构成，变成为连接配置到确保上部空间20的容器1的壁面上的同时，还连接到控制部分19-1的处理部分19-10上，并把所检测到的容器1内的检测信号，即容器1内的现在减压度P1输出到该处理部分19-10中去。
顺便提一下，在本实施例中，在把惰性气体供往容器1内的气体供给装置15的气体供给流路17的途中部位上连接备有检测装置18(参看图1)，使得通过该气体供给流路17可以检测容器1内的减压度P1。
控制装置19的作用是，在被干燥介质W的一连串的清洗处理中的最终的水洗处理结束，向容器1内供给温纯水且已向其上部空间20中供给了有机溶剂的蒸汽之后开始的容器1中的温纯水的吸引排液结束之前，为了使容器1内的减压度P1保持为预定的设定减压度P，使气体供给装置15的气体阀门16的阀门开度比现在的阀门开度减小或者增大等的阀门开度进行适当调节可变以使得向容器1内的供给的惰性气体的供给速度(供给量)调节可变，或者为了使排液装置7的吸引部件24(吸引泵)的吸引输出功率比现在的吸引输出功率减小或增大等的吸引泵的吸引输出功率适当调节可变以调节可变温纯水的排液速度(排液量)等，它具有控制部分19-1，用于存储容器1内的设定减压度P的同时，进行其减压度P和从检测装置中18逐次输出出来的容器1内的现在的减压度P1之间的判断处理，当处理判断为从检测装置18中逐次输出出来的容器1内的现在的减压度P1比设定减压度P低的时候就向该气体阀门16输出内容为减小气体阀门16阀门开度处理信息，以使得供往容器1内的惰性气体的供给量比现在的供给量小(参看图4)，或者向吸引部件24输出内容为加大吸引部件24的吸引输出的处理信息，以使温纯水的排液量比现在的排液量多(参看图6)，在容器1内的温纯水的吸引排液结束之前，在容器1内，把减压度P1管理控制为设定减压度P。
在本发明中，把向容器1内供给的温纯水的水温设定为30～60℃的范围，把被干燥介质W的一连串的清洗处理中的最终的水洗处理结束，且已向容器1内的上空间20中供给了有机溶剂的蒸汽之后开始的容器1内的温纯水的吸引排液结束之前的容器1内的设定减压度P设定于-46662.7～-6666.1Pa的范围这件事，在使本发明成立方面是很重要的。
顺便说一下，温纯水的水温，在与有机溶剂的蒸汽之间的置换和最后进行的因容器1内的减压所产生的被干燥介质W的干燥处理中，在促进该被干燥介质W的干燥方面是重要的。即，在进行附着于被干燥介质上的附着水和有机溶剂的蒸汽之间的混合置换之前，若不认真地进行把被干燥介质W的表面加热到适宜的加热温度的加热处理，则附着水和有机溶剂的蒸汽之间的混合置换不能有效的进行，或者在由容器1内的减压进行的被干燥介质W的表面干燥时，变得不能从该表面上迅速地除掉残留在其表面上的很少的一点附着水和有机溶剂的蒸汽的混合水，且与上述变化的量相对应，将招致干燥时间加长等的结果的缘故。因此，在本发明中，考虑到促进被干燥介质W的干燥的被干燥介质W的加热处理温度把温纯水的低的一侧的水温设定为30℃。另一方面，为了促进被干燥介质W的干燥而过分地提高温纯水的水温，则将变成为不能产生借助于温差进行的被干燥介质W的表面的附着水与有机溶剂的蒸汽之间的混合置换作用。即，有机溶剂的蒸汽借助于比其沸点还低的被干燥介质W表面温度之间的温差在该表面上凝缩并进行与附着水之间的混合置换，但是，当被干燥介质W的表面温度上升到蒸汽的沸点附近时，在该表面上的上述凝缩就变得难于产生，使应用了有机溶剂的蒸汽的本来的蒸汽干燥效果降低，与这一降低的量相对应，将会招致干燥时间拉长等的结果的缘故。因此，在本发明中把温纯水的高的一侧的水温设定为比大气压下的有机溶剂的沸点还低的65℃。
于是，本发明考虑到因象这样地温纯水的水温过低、过高所引起的前边说过的缺点，而且，在对温纯水从容器1的底部一侧进行吸引排液的工序中，为了使得在从借助于在随着该吸引排液而下降的温纯水的水面L上形成的混合液层N中，比如说由张力极小的的IPA(异丙醇)溶剂等组成的有机溶剂的蒸汽凝缩而在温纯水的水面L上形成的混合液层N中露出来的被干燥介质W的周围使有机溶剂再次蒸汽化的该再次蒸汽化现象能够反复连续地进行的条件在容器1内成立，在把温纯水供给时的水温已设定到30℃的情况下，就把容器1内的减压度P设定为-46662.7Pa。即，在已把水温设定为30℃的情况下，若设定减压度P超过了-46662.7Pa，则温纯水的水温将达到沸点附近从而在温纯水中有发生气泡等的缺欠之虞。即，所产生的气泡将会上浮到水面L上来，破坏在该水面L上形成的混合液层N，使得借助于在该混合液层N上产生的液流把附着水从被干燥介质W的表面上除掉的液流作用变差，存在着不能得到用在混合液层N上产生的液流作用进行的被干燥效果的可能。另一方面，在已把温纯水的水温设定为65℃的情况下，就把容器1内的设定减压度P设定为-6666.1Pa。即，在温纯水的水温已设定为65℃的情况下，若设定减压度P变得比-6666.1Pa还低，则在从容器1的底部一侧吸引排液温纯水的工序中，就无望使来自混合液层N的有机溶剂进行有效的再蒸汽化。
另外，在上述的温纯水的水温条件以及容器1内的设定减压条件中，忽略促进被干燥介质W的干燥的被干燥介质W的加热，在假定已把温纯水的水温设定于30℃以下，比如说25℃，把容器1内的减压度设定为超过了-46662.7Pa，比如说设定为-53328.8Pa的情况下，虽然仍可考虑为使得上边说过的有机溶剂的再蒸汽化现象得以连续地进行的条件在容器1内成立，但若这样地使减压度上升到-53328.8Pa，则对于进行减压的容器1的耐压强度的提高就要求更高，为要制造能满足该耐压强度的容器1，将招致成本的高涨，或者若变为使容器1内减压到-53328.8Pa，则与这一减压相对应，结果将变成需要大型的吸引泵等的麻烦。此外，当把温纯水的水温设定为65℃以上时，则除了因上边说过的有机溶剂的蒸汽所产生的蒸汽干燥效果降低的麻烦之外，由于对被干燥介质过度加热，故还有因热而使被干燥介质W的品质下降的等的产生热影响等的缺欠的可能。
因此，在本发明中，虑及因温纯水的水温过低、过高所引起的上述的缺欠，以及因在容器1内增高设定减压度所引起的上述的缺欠之类的事情，且从在从容器1的底部一侧对温纯水吸引排液的工序中，必须在容器1内使有机溶剂在从水面L的混合液层N露出来的被干燥介质的周围再次被蒸汽化的该再蒸汽化现象得以连续地进行的条件成立等可知，在把温纯水的水温已设定到30～50℃的情况下，把容器1内的设定减压度P设定为-46662.7～-6666.1Pa的范围内是必不可少的条件。理想的是在把温纯水的水温已设定到40～50℃的范围内的情况下，把容器1内的设定减压度P设定为-39996.6～-19998.3Pa的范围内，实验的结果是，特别理想的是在已把温纯水的水温定为45℃的情况下，使容器1内的设定减压度为-31997.28Pa。
其次，若边参照已示于图8和图10的从清洗处理到干燥处理的一连串的处理中的处理动作的流程图和时间图，以及已示于图9的干燥处理时的容器1内的减压度P1的控制管理的流程图，边对以上那样构成的处理装置的处理方法(以下，叫做本方法)进行说明，则首先把多片被干燥介质W从敞开口的上部开口以适当的间隔垂直并排状地运进收容于容器1内(步骤30)。当把干燥介质W运进收容于容器1内，用密闭盖21把容器1的上部开口密闭起来后，就打开气体供给装置15的气体阀门16，通过气体流路17从气体导入口15-1开始向容器1内供给惰性气体(步骤31)。这时，排液阀门8、9中的任意一方或双方打开，平行地进行容器1内的吸引排气。
当在容器1内形成了惰性气体的气体气氛时，就打开药液阀门3，通过给液流路6从底部的给液口2-1，隔开规定的时间分步骤地且连续地向容器1内供给与在药液清洗中的各个处理步骤相对应的数种药液，在容器1内，形成边与以适当的间隔垂直地并排的各被干燥处理介质W的表面接触边流动的药液的上升水流，进行该被干燥介质W的药液清洗(化学处理)。当药液清洗结束，药液阀门3闭上之后，接下来就打开纯水阀门4，通过给液流路6从底部的给液口2-1向容器1内连续地供给纯水，在容器1内形成边与各被干燥介质W的表面接触边流动的纯水的上升水流，进行该被干燥介质W的最终水洗处理(冲洗处理)，结束由纯水进行的一连串的清洗处理(步骤32)。这时，排液阀门9已经打开，通过排液流路11使多余的药液、纯水变成溢出水从排液口7-1吸引排液到容器1之外。
当从药液清洗到最终的水洗处理的一连串的清洗处理结束，纯水阀门4关闭向容器1内的纯水供给停止后，接下来打开温纯水阀门5通过给液流路6从底部的液口2-1向容器1内连续地供给水温为45℃的温纯水，在容器1内形成边与被干燥介质W的表面接触边流动的上升水流，进行把被干燥介质W的表面加热到45℃附近的温度为止的被干燥介质W的加热处理(步骤33)。这时，排液阀门9在上述清洗处理结束之后也继续打开，借助于温纯水的供给，容器1内的纯水采用通过排液流路11从排液口12-1吸引排液到容器1之外的办法，把容器1内置换成温纯水的同时，多余的温纯水则变成为溢出水被吸引排液到容器1之外。
当用45℃的温纯水的热能进行的被干燥介质W的加热处理结束，温纯水阀门5关闭向容器1内的温纯水的供给停止后，接着打开溶剂供给装置12的溶剂阀门13，从温纯水的水面L，通过溶剂供给流路14，从蒸汽导入口12-1，向在其上部一侧确保的容器1内的上部1空间20中，供给用蒸汽产生装置25蒸汽化了的有机溶剂的蒸汽(步骤34)。该有机溶剂的供给一直进行到上部空间蒸汽充满为止，在该上部空间中已形成了蒸汽气氛的那一时刻关闭溶剂阀门13停止其供给。这时，在排液阀门9从清洗处理时开始继续打开，有机溶剂的蒸汽正向上部空间20供给的同时，平行地进行该上部空间20的吸引排气，对该上部空间20进行适当减压。
当在容器1内的上部空间20中形成了有机溶剂的蒸汽气氛，溶剂阀门13关闭向上部空间20进行的有机溶剂的供给停止后，其次，打开排液阀门8开始温纯水的吸引排液(步骤35)，通过排液通路10，从底部的给液口2-1把容器1内的温纯水以规定的速度吸引排液到容器1之外，同时，用检测装置18检测温纯水的吸引排液所伴生的容器1内的现在的减压度P1，该压力信息被逐次输出往控制装置19的控制部分19-1(步骤36)。压力信息输出到控制部分19-1之后，控制部分19-1的处理部分19-10就进行容器1内的现在的减压度P1与设定于容器1内的-31997.28Pa的设定减压度P之间的比较处理(步骤37)。若处理判断为现在的减压度P1比设定减压度P低(P＞P1)，则通过放大器19-11，把为了使从被干燥介质W的清洗处理开始就继续进行着的向容器1内的惰性气体的供给量比现在的供给量小把气体阀门16的阀门开度缩小的内容的处理信号输出往该气体阀门16(步骤38)。另一方面，在处理判断为现在的减压度P1比设定减压度P低情况下，就通过放大器19-11把使向容器1内的惰性气体的供给量加大到比现在的供给量大把气体阀门16的阀门开度加大的内容的处理信号输出往该气体阀门16(步骤39)。该减压度P1的控制管理一直进行到温纯水的吸引排液结束为止。
容器1内的温纯水完全被吸引排液，借助于通过排液通路10而继续进行的容器1内的吸引排气使该容器1内减压，形成为把残留于该容器1内的有机溶剂、与溶剂之间的混合液和湿气等完全被排气往容器1外的被干燥介质W的干燥处理(步骤40)。最后，采用加大向容器1内继续进行的惰性气体的供给量，使该容器1内回到大气压(常压)(步骤41)，采用打开密闭盖21从容器1内运出被干燥介质W(步骤42)的办法，从清洗处理到干燥处理的一连串的处理就结束了。最后，关闭\阀门16和排液阀门8。
这样一来，倘采用该实施例中的本方式，则在用药液进行的药液清洗、用纯水进行的最终的水洗处理这一连串的清洗处理结束之后的容器1内的被干燥介质W的表面被用温纯水的热能进行的加热到45℃附近的加热处理结束，接着，从把被干燥介质W没入状地浸泡起来的温纯水的水面L在其上部一侧确保的上部空间20中供给了有机溶剂的蒸汽之后开始的干燥处理时的温纯水的吸引排液结束之前，容器1内的减压度被保持为恒定的设定减压度P。即，使得从水面L的混合液层N，使有机溶剂在从该混合液层N中露出来的被干燥介质W的周围再蒸汽化的该再蒸汽化现象得以反复连续地进行的条件可以在容器1内成立。
因此，在吸引排液温纯水的工序中，由于随着水面L下降，源于在边与被干燥介质W接触边下降后退的该水面L上形成的的混合液层N的有机溶剂的再蒸汽化利用将变成可能，故与现有方式比就可以大幅度地削减每一处理周期的有机溶剂的使用量。而且，已供往容器1内的上部空间20内的有机溶剂的蒸汽，用保持容器1内的-31997.28Pa的设定减压度P的减压气氛和45℃的温纯水的热能保持其蒸汽化，与因温纯水的水面L的下降而从该水1面露出来的被干燥介质的表面接触，用与该表面之间的温度差在该表面上凝缩并进行与附着水之间的混合置换，附着水与有机溶剂之间的混合液N-1一起，顺着被干燥介质W的表面向温纯水的水面L下滴。这样一来，已形成于温纯水的水面L上的混合液层N的有机溶剂的混合浓度，由于继续地进行下滴补充混合液N-1，在温纯水的吸引排液结束之前，得以保持恒定，所以借助于因有机溶剂的混合浓度分布而在混合液层N中产生的从被干燥介质W的表面向着温纯水的水面的稳定且有效的液流作用，从被干燥介质W的表面上确实且迅速的除去附着水(参看图3)。
即，倘采用本方式，则在温纯水的吸引排液结束之前，被干燥介质W就可以用附着水与有机溶剂之间的置换作用和在从被干燥介质W的表面向着温纯水的水面L的混合液层N上产生的液流作用的这两个作用下，确实且迅速地对被干燥介质W进行干燥处理。用保持容器1内的设定减压度P的减压气氛和温纯水的热能，使得从随着温纯水的吸引排液而形成的水面L的下降，边与露出的被干燥介质W的表面接触边下降后退的混合液层N的有机溶剂在露出来的被干燥介质W的周围再蒸汽化，在其表面上的凝缩反复连续地进行，形成与附着水之间的混合置换，附着水和与有机溶剂之间的混合液N-1一起顺着被干燥介质W的表面向温纯水的水面L滴下。即，通过使与有机溶剂之间的混合液N-1向因温纯水的吸引排液而下降的水面L的混合液层N继续的进行滴下补充的办法，就可以边确实地产生由在该混合液层N上产生的有机溶剂的混合浓度分布形成的从被干燥介质W的表面向着温纯水的水面的液流作用边从被干燥介质的表面上把附着水用前边说过的混合置换作用和在混合液层N上产生的液流作用这两个作用有效地除去。
图11～图12是示出了从清洗处理到干燥处理的一连串的处理中的本发明的处理方法的另一实施例的流程图和时间图，在该实施例中，已改变了惰性气体向容器1内的供给时间，除已改变了惰性气体向容器1内的供给时间之外，与上述的实施例详述基本上是一样的。
简单地说来，把多片被干燥介质W从敞开口的上部开口运进收容于容器1内(步骤43)，在该上部开口用密闭盖21密闭或没有密闭的状态下，打开药液阀门3连续地向容器1内供给药液进行被干燥介质W的药液清洗(化学处理)。其次，打开纯水阀门4连续地向容器1内供给纯水进行被干燥介质W的直到最终的水洗处理(冲洗处理)为止的一连串的清洗处理(步骤44)。其次，打开温纯水阀门5向容器1内连续地供给45℃的温纯水直到使被干燥介质W的表面被加热到45℃附近进行被干燥介质W的加热处理(步骤45)。其次，打开溶剂阀门13，从温纯水的水面L向已确保于其上部一侧的容器1内的上部空间20供给有机溶剂的蒸汽(步骤46)。接着，打开排液阀门8开始从底部的给液口2-1向容器1外以规定的排液速度，对容器1内的温纯水进行吸引排液的温纯水吸引排液的同时，打开气体阀门16开始向容器1内供给惰性气体(步骤47)。以后，如在前边说过的实施例的图9的流程图中所详述过的步骤36到步骤39那样，执行在从步骤48到步骤51的步骤，以及如在图8的流程图中所详述过的从步骤40到42那样，执行从步骤52到步骤54的步骤，使之进行从清洗处理到干燥处理的一连串的处理。
图13示出了已变成了容器1-1的构成形态的另一实施例，在该实施例中，已构成为内外二层构造，在除去已做成内外二层的构成以外的部分中由于与前边说过的实施例详述基本上一样，所以采取使相同构成的部分用相同的标号的办法而略去详细的说明。
然而，该实施例中的容器1-1构成为内外二层构造，内层的处理槽1-10呈现上部开口的有底箱型，大小(开口形状)约为可在垂直状态下，以规定间隔，并排地支持收容多片被干燥介质M呈现一种有底箱型，且具有可没入状地把被干燥介质M浸泡起来的深度；外层的密闭槽1-11，该密闭槽呈现上部开口的有底箱型，其大小约为可把上述的处理槽1-10隔开开口的上部一侧和其槽壁外周所需的空间，把上述处理槽1-10密闭状地游插在内，且在上部开口上具有开闭自如的密闭盖21-1，并构成为把前边已详述的实施例的给液装置2的给液管道6连接到处理1-10的底部一侧，而把排液装置7的排液流路10、11分别连接到该给液流路6的半道的部位和密闭槽1-11的底部一侧，同时，在该密闭槽1-11的上部一侧分别连接溶剂供给装置12的溶剂供给流路14和气体供给装置15的气体供给流路17。
倘采用这种内外二层构造的容器1-1，则伴随着被干燥介质W的清洗处理时的药液、纯水向处理槽1-10内的连续地供给所产生的多余的药液、纯水以及被干燥介质W的加热处理时的温纯水向处理槽1-10内的连续地供给所伴生的多余的温纯水将变成溢出水从处理槽1-10的上部开口流向密闭槽1-11一侧，从该密闭槽1-11的排液流路11所连接的底部的排液口7-1吸引排液到容器1-1外。接着，向在处理槽1-10上部确保的上部空间20-1和该处理槽1-10与密闭槽1-11之间的周围空间20-2中供给有机溶剂的蒸汽，在该上部空间20-1和周围空间20-2中形成有机溶剂的蒸汽气氛，在溶剂阀门13关闭之后开始的温纯水的吸引排液时，通过已连接到给液通路6上的排液通路10从处理槽1-10的底部的给液口2-1以规定的排液速度吸引排液到容器1-1之外。
此外，应用了这样的内外二层构造的容器1-1的从清洗处理到干燥处理的一连串的处理中的动作，根据前边说过的实施例详述的图8所示的流程图和图10所示的时间图，以及图9所示的干燥处理时的密闭槽1-11的减压度P1的控制管理的流程图，与前边说过的实施例详述同样地执行，或根据图11所示的流程图和图12所示的时间图，以及图9所示的控制管理干燥处理时的密闭槽1-11内的减压度P1的流程图，与前边说过的实施例详述同样地执行，进行从被干燥介质W的清洗处理到干燥处理的一连串的处理。
还有，在前边说过的实施例中，作为有机溶剂用的是IPA(异丙醇)，但作为醇类，除去该异丙醇之外，还有甲醇、乙醇等。而除醇类之外与醇类具有同样的水溶性且使对被干燥介质的附着水的表面张力降低的作用的丙酮、二乙基酮等的酮类，还可举出甲基醚、一甲基醚等的醚类以及乙二醇等的多价醇等。

Claims (14)

1、一种半导体晶片的处理方法，包括在密闭容器内进行从半导体晶片的清洗处理到干燥处理的一连串的处理，其特征是包括：
把多片半导体晶片垂直并排状地运进放置在上述容器内，在进行完清洗处理中的水洗处理之后，向上述容器内供给温纯水的工序；
从上述容器内的至少上述温纯水的水面向在其上部一侧确保的上部空间中供给有机溶剂的蒸汽或雾的工序；
在停止了上述有机溶剂的供给之后，边从容器的底部吸引排液上述温纯水边从其上部一侧连续地供给惰性气体的工序；
在上述温纯水的吸引排液结束之后，用继续进行的上述吸引使容器内吸引减压，使半导体晶片干燥的工序，以及，
至少在从容器的底部一侧吸引排液温纯水的工序中，在温纯水的吸引排液结束之前，要进行管理控制，使得容器内的减压度保持在设定减压度。
2、根据权利要求1所述的半导体晶片的处理方法，其特征是：在向容器内供给有机溶剂的工序中，边对容器内进行吸引排气边进行供给的同时，在上部空间被有机溶剂充满了的时刻停止该有机溶剂的供给。
3、根据权利要求1所述的半导体晶片的处理方法，其特征是：在向容器内供给温纯水时，其水温为30～65℃，在把温纯水吸引排液到容器外的其吸引排液结束之前的容器内的设定减压度为-46662.7～-6666.1Pa。
4、根据权利要求1所述的半导体晶片的处理方法，其特征是：容器内的减压度，可借助于使惰性气体的供给速度或温纯水的排液速度可变而形成的流量控制来保持。
5、根据权利要求1所述的半导体晶片的处理方法，其特征是：容器内的减压度，可借助于使惰性气体的供给速度或温纯水的排液速度保持恒定的流量控制来保持。
6、根据权利要求1所述的半导体晶片的处理方法，其特征是：至少已被供给到容器的上部空间中的有机溶剂的蒸汽或雾在温纯水的水面上凝缩并在该水面上形成混合液层，在随着温纯水的吸引排液而伴有的水面降下所露出的半导体晶片的表面上凝缩进行与该表面的附着水之间的混合置换的同时，用容器内的保持为恒定的设定减压度和温纯水的热能，使有机溶剂从上述混合液层再次蒸汽化，该有机溶剂的蒸汽边上浮到露出来的半导体晶片的周围边反复连续地进行在半导体晶片表面上的上述凝缩。
7、一种半导体晶片的处理方法，包括在密闭容器内进行从半导体晶片的清洗处理到干燥处理的一连串的处理，其特征是包括：把多片半导体晶片垂直并排状地运进放置在上述容器内，在从清洗处理到干燥处理的各处理步骤中，至少在到干燥处理结束为止已开始连续的惰性气体的供给的状态下，在进行完清洗处理中的水洗处理之后，向上述容器内供给温纯水的工序；
从上述容器内的至少是把半导体晶片没入状地浸泡起来的上述温纯水的水面向在其上部一侧所确保的上部空间内，供给有机溶剂的蒸汽或雾的工序；在上述有机溶剂的供给停止后，从容器的底部一侧吸引排液上述温纯水的工序；
在上述温纯水的吸引排液结束之后，用继续进行的上述吸引对容器内进行吸引减压，使半导体晶片干燥的工序，以及，
至少在从容器的底部一侧吸引排液温纯水的工序中，在温纯水的吸引排液结束之前，进行控制使得容器内的减压度保持为设定减压度。
8、根据权利要求7所述的半导体晶片的处理方法，其特征是：在向容器内供给有机溶剂的工序中，边对容器内进行吸引排气边进行供给的同时，在上部空间被有机溶剂充满了的时刻停止该有机溶剂的供给。
9、根据权利要求7所述的半导体晶片的处理方法，其特征是：在向容器内供给温纯水时，其水温为30～65℃，在把温纯水吸引排液到容器外的吸引排液结束之前的容器内的设定减压度为-46662.7～-6666.1Pa。
10、根据权利要求7所述的半导体晶片的处理方法，其特征是：容器内的减压度，可借助于使惰性气体的供给速度或温纯水的排液速度可变而形成的流量控制来保持。
11、根据权利要求7所述的半导体晶片的处理方法，其特征是：容器内的减压度，可借助于使惰性气体的供给速度或温纯水的排液速度保持恒定的流量控制来保持。
12、根据权利要求7所述的半导体晶片的处理方法，其特征是：至少已被供给到容器的上部空间中的有机溶剂的蒸汽或雾在温纯水的水面上凝缩并在该水面上形成混合液层，在随着温纯水的吸引排液而伴有的水面降下所露出的半导体晶片的表面上凝缩进行与该表面的附着水之间的混合置换的同时，用容器内的保持为恒定的设定减压度和温纯水的热能使有机溶剂从上述混合液层再次蒸汽化，该有机溶剂的蒸汽边上浮到露出来的半导体晶片的周围边反复连续地进行在半导体晶片表面上的上述凝缩。
13、一种半导体晶片的处理装置，用于在密闭的容器内进行从半导体晶片的清洗处理到干燥处理为止的一连串的处理，包含有：
尺寸为可以把多片半导体晶片并排垂直状地运进收容起来，形状为在上部开了口的有底箱形，在上部开口处具有自由开闭的密闭盖的容器；
连接到该容器的底部一侧，在清洗处理中的水洗处理结束之后，向该容器内供给温纯水直到把半导体晶片没入状地浸泡起来的水位为止的给液装置；
至少被连接到该给液装置和上述容器的上部一侧或同一容器的底部一侧，从上述容器内吸引排液温纯水的排液装置；
连接到上述容器的上部一侧，向容器内供给有机溶剂的蒸汽或雾的溶剂供给装置；
连接到上述容器的上部一侧，向容器内供给惰性气体的气体供给装置；
具备于上述容器的上部一侧，检测容器内的减压度的检测装置；
连接配备于该检测装置和上述排液装置或气体供给装置之间，至少在从容器的底部一侧吸引排液温纯水的处理步骤中，在上述温纯水的吸引排液结束之前，为了把容器内的减压度保持在设定减压度，根据从上述检测装置输出来的现在的减压度，调节上述排液装置的排液速度或气体供给装置的供给速度的控制装置。
14、根据权利要求13所述的半导体晶片的处理装置，其特征是：在向容器内供给温纯水时，其水温为30～65℃，在把温纯水吸引排液到容器外的其吸引排液结束之前的容器内的设定减压度为-46662.7～-6666.1Pa。
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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3171807B2 (ja) 1997-01-24 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
AU6327398A (en) * 1997-02-18 1998-09-08 Scp Global Technologies Multiple stage wet processing chamber
US6350322B1 (en) * 1997-03-21 2002-02-26 Micron Technology, Inc. Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure
US6695926B1 (en) * 1997-07-09 2004-02-24 Ses Co., Ltd. Treatment method of semiconductor wafers and the like and treatment system for the same
US7980753B2 (en) 1998-04-16 2011-07-19 Air Liquide Electronics U.S. Lp Systems and methods for managing fluids in a processing environment using a liquid ring pump and reclamation system
US6799883B1 (en) * 1999-12-20 2004-10-05 Air Liquide America L.P. Method for continuously blending chemical solutions
US7871249B2 (en) * 1998-04-16 2011-01-18 Air Liquide Electronics U.S. Lp Systems and methods for managing fluids using a liquid ring pump
US20070119816A1 (en) * 1998-04-16 2007-05-31 Urquhart Karl J Systems and methods for reclaiming process fluids in a processing environment
US6090217A (en) 1998-12-09 2000-07-18 Kittle; Paul A. Surface treatment of semiconductor substrates
JP3448613B2 (ja) * 1999-06-29 2003-09-22 オメガセミコン電子株式会社 乾燥装置
DE19960241A1 (de) * 1999-12-14 2001-07-05 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten
US6286231B1 (en) 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
KR100592997B1 (ko) * 2000-01-17 2006-06-23 도호 카세이 가부시키가이샤 기판 건조방법 및 그 장치
US7364625B2 (en) * 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
KR100417040B1 (ko) * 2000-08-03 2004-02-05 삼성전자주식회사 웨이퍼를 건조시키기 위한 방법 및 이를 수행하기 위한웨이퍼 건조장치
WO2002019390A2 (en) * 2000-08-31 2002-03-07 Chemtrace, Inc. Cleaning of semiconductor process equipment chamber parts using organic solvents
JP3837016B2 (ja) * 2000-09-28 2006-10-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR100386113B1 (ko) * 2001-02-13 2003-06-02 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 애싱방법
CN1310291C (zh) * 2001-04-10 2007-04-11 华邦电子股份有限公司 具有防止管壁堵塞功能的芯片洗净设备
KR100391225B1 (ko) * 2001-04-27 2003-07-12 주식회사 한택 반도체 기판의 표면처리 장치 및 방법
US7156927B2 (en) * 2002-04-03 2007-01-02 Fsi International, Inc. Transition flow treatment process and apparatus
JP4076365B2 (ja) * 2002-04-09 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体洗浄装置
JP3802446B2 (ja) * 2002-05-15 2006-07-26 東邦化成株式会社 基板乾燥方法およびその装置
US20040031167A1 (en) 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
JP2004241754A (ja) * 2002-07-16 2004-08-26 Chem Art Technol:Kk 基板処理方法及び基板処理装置
US7913703B1 (en) 2003-06-27 2011-03-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate
US8522801B2 (en) * 2003-06-27 2013-09-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US8316866B2 (en) * 2003-06-27 2012-11-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7737097B2 (en) * 2003-06-27 2010-06-15 Lam Research Corporation Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution
US7648584B2 (en) * 2003-06-27 2010-01-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contamination from substrate
US7799141B2 (en) * 2003-06-27 2010-09-21 Lam Research Corporation Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound
DE10334562B4 (de) * 2003-07-29 2005-06-09 Erbe Elektromedizin Gmbh Chirurgisches Instrument
CN100442448C (zh) * 2003-08-07 2008-12-10 株式会社荏原制作所 基片处理装置
US8522799B2 (en) * 2005-12-30 2013-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and system for cleaning a substrate
US7416370B2 (en) * 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
US8043441B2 (en) 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
US7568490B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
US8323420B2 (en) 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US7862662B2 (en) * 2005-12-30 2011-01-04 Lam Research Corporation Method and material for cleaning a substrate
US8083671B2 (en) * 2004-09-30 2011-12-27 Boston Scientific Scimed, Inc. Fluid delivery system for use with an endoscope
US20070109912A1 (en) * 2005-04-15 2007-05-17 Urquhart Karl J Liquid ring pumping and reclamation systems in a processing environment
EP2428557A1 (en) * 2005-12-30 2012-03-14 LAM Research Corporation Cleaning solution
CN101033056B (zh) * 2006-03-08 2012-04-18 中美矽晶制品股份有限公司 气态往复式封存装置及方法
JP4542059B2 (ja) 2006-03-31 2010-09-08 日東電工株式会社 印刷装置および印刷方法
US8235580B2 (en) 2006-10-12 2012-08-07 Air Liquide Electronics U.S. Lp Reclaim function for semiconductor processing systems
US20080148595A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying substrates using a surface tensions reducing gas
US20080155852A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Olgado Donald J K Multiple substrate vapor drying systems and methods
US7897213B2 (en) * 2007-02-08 2011-03-01 Lam Research Corporation Methods for contained chemical surface treatment
JP4965358B2 (ja) * 2007-06-25 2012-07-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2007324610A (ja) * 2007-07-09 2007-12-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US8211846B2 (en) 2007-12-14 2012-07-03 Lam Research Group Materials for particle removal by single-phase and two-phase media
JP5835918B2 (ja) * 2011-03-24 2015-12-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6371716B2 (ja) * 2014-04-01 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US20160296902A1 (en) 2016-06-17 2016-10-13 Air Liquide Electronics U.S. Lp Deterministic feedback blender
JP6640041B2 (ja) * 2016-06-27 2020-02-05 株式会社荏原製作所 洗浄装置及び基板処理装置
KR101753166B1 (ko) * 2016-12-28 2017-07-03 (주) 디바이스이엔지 감압 건조장치 및 감압 건조방법
JP7040849B2 (ja) * 2017-09-15 2022-03-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置の制御方法
CN114914176A (zh) * 2022-05-07 2022-08-16 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆干燥方法以及半导体干燥设备

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4984597B1 (en) * 1984-05-21 1999-10-26 Cfmt Inc Apparatus for rinsing and drying surfaces
US4795497A (en) * 1985-08-13 1989-01-03 Mcconnell Christopher F Method and system for fluid treatment of semiconductor wafers
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
US4977688A (en) * 1989-10-27 1990-12-18 Semifab Incorporated Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol
EP0428784B1 (en) * 1989-11-23 1995-03-15 Cfm Technologies, Inc. Process for drying surfaces
US5275184A (en) * 1990-10-19 1994-01-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus and system for treating surface of a wafer by dipping the same in a treatment solution and a gate device for chemical agent used in the apparatus and the system
JPH071796Y2 (ja) * 1990-12-28 1995-01-18 大日本スクリーン製造株式会社 浸漬型基板処理装置
JP3003016B2 (ja) * 1992-12-25 2000-01-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3347814B2 (ja) * 1993-05-17 2002-11-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
JP3126858B2 (ja) * 1993-10-29 2001-01-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板の表面処理装置
US5575079A (en) * 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
JP2900788B2 (ja) * 1994-03-22 1999-06-02 信越半導体株式会社 枚葉式ウェーハ処理装置
DE4413077C2 (de) * 1994-04-15 1997-02-06 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
US5772784A (en) * 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
US5752532A (en) * 1995-08-17 1998-05-19 Schwenkler; Robert S. Method for the precision cleaning and drying surfaces
US5714203A (en) * 1995-08-23 1998-02-03 Ictop Entwicklungs Gmbh Procedure for the drying of silicon
US5807439A (en) * 1997-09-29 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers

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