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TECHNISCHES GEBIET
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Reinigungsverfahren und ein Ultraschallreinigungsgerät, wobei das Verfahren und das Gerät einen zu reinigenden Gegenstand, wie Halbleiterteile, einschließlich eines Halbleiterwafers, durch Eintauchen des zu reinigenden Gegenstands in eine chemische Lösung oder destilliertes Wasser und Bestrahlen des zu reinigenden Gegenstands mit Ultraschallwellen reinigen.
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STAND DER TECHNIK
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Beim Reinigen eines Halbleiterwafers wird das Reinigen gewöhnlich in Kombination mit einer Ultraschallreinigung durchgeführt, um Partikel auf einer vorderen Waferoberfläche effizient zu entfernen. Bei dieser Ultraschallreinigung werden in Abhängigkeit von dem Typ der anhaftenden Partikel, dem Zustand eines Wafers, der Qualität nach der Reinigung usw. eine Frequenz, eine Ausgabeleistung, die Ultraschallwellensteuerung, ein Ultraschallreinigungstank, eine Reinigungszeit usw. bestimmt. Heutzutage wird eine Ultraschallreinigung durch Hochfrequenzwellen von 1 MHz (so genannte Megaschallwellen) oftmals durchgeführt, um feinere Partikel zu entfernen und eine Beschädigung der vorderen Waferoberfläche zu verhindern. Die Megaschallwellen sind jedoch Hochfrequenzwellen und weisen folglich eine hohe Richtwirkung auf, was verursacht, dass ein Teil in einem Reinigungstank, wobei der Teil hinter einer Spannvorrichtung oder dergleichen verborgen ist, belassen wird, ohne gereinigt zu werden, und was zu einer Reinigungsungleichmäßigkeit führt. Um sich diesem Problem zu widmen, werden mehrere Ultraschallbehandlungstanks platziert und die Position einer Spannvorrichtung oder dergleichen wird geändert, um die Reinigungsungleichmäßigkeit auszumerzen.
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Darüber hinaus wird bei der oben beschriebenen Ultraschallreinigung eine rostfreie Platte vorwiegend als eine Ultraschallvibrationsplatte verwendet. Wenn die rostfreie Platte jedoch in direkten Kontakt mit einer Reinigungsflüssigkeit gebracht wird, die beim Reinigen verwendet wird, beginnen Metallionen sich von der rostfreien Platte darin aufzulösen, und die Metallionen kontaminieren den Wafer oder den Reinigungstank. Aus diesem Grund wird ein Verfahren, in dem eine Doppelstruktur angewendet wird, die von einem Reinigungstank, in den eine Reinigungsflüssigkeit gegeben wird, und einem Außentank, in dessen Inneren eine Bodenfläche des Reinigungstanks platziert wird, gebildet wird, ein Ultraschallvibrator an der Bodenfläche des Außentanks angebracht wird, Ausbreitungswasser zum Ausbreiten von Ultraschallwellen eingesetzt wird und ein zu reinigender Gegenstand in dem Reinigungstank, der aus Quarzglas oder dergleichen hergestellt ist, mittels des Ausbreitungswassers indirekt mit Ultraschallwellen bestrahlt wird, verwendet.
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LITERATURSTELLENLISTE
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PATENTLITERATUR
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- Patentschrift 1: Japanische Offenlegungsschrift (Kokai) Nr. H03-222419
- Patentschrift 2: Japanische Offenlegungsschrift (Kokai) Nr. 2007-44662
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KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
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TECHNISCHES PROBLEM
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In dem Ausbreitungswasser in dem Außentank werden durch die Ultraschallvibration, die sich durch das Ausbreitungswasser ausbreitet, Luftblasen darin erzeugt. Dann haften die Luftblasen an der Bodenfläche des Reinigungstanks an und beeinträchtigen die Ausbreitung der Ultraschallwellen zu dem Inneren des Reinigungstanks. Um sich diesem Problem zu widmen, wird ein Verfahren zur Verhinderung, dass die Luftblasen, die an der Bodenfläche des Reinigungstanks anhaften, auf der Bodenfläche bleiben, indem die Bodenfläche des Reinigungstanks geneigt wird und die Luftblasen dazu gebracht werden, sich entlang der geneigten Fläche nach oben zu bewegen, offenbart (siehe Patentschriften 1 und 2).
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Wenn jedoch, wie in einem in 2 dargestellten Gerät, beispielsweise eine Bodenfläche eines Reinigungstanks 1' derart geneigt wird, dass der Reinigungstank 1' auf der rechten Seite tiefer wird, werden Ultraschallwellen (Pfeile), die von einer Vibrationsplatte 3' erzeugt werden, die an einem Außentank 2' angebracht ist, in Ultraschallwellen, die durch die Bodenfläche des Reinigungstanks 1' hindurchgehen, und Ultraschallwellen, die von der Bodenfläche des Reinigungstanks 1' reflektiert werden, getrennt. Die Ultraschallwellen, die von der Bodenfläche des Reinigungstanks 1' reflektiert werden, breiten sich durch Ausbreitungswasser 4' aus, werden von einer Bodenfläche des Außentanks 2' reflektiert und werden erneut in Ultraschallwellen, die durch die Bodenfläche des Reinigungstanks 1' hindurchgehen, und Ultraschallwellen, die von der Bodenfläche des Reinigungstanks 1' reflektiert werden, getrennt. Infolge des wiederholten Durchführens des oben Beschriebenen werden die Ultraschallwellen auf der linken Seite in dem Tank intensiver als die Ultraschallwellen auf der rechten Seite, was zu Schwankungen der Intensität der Ultraschallwellen in dem Tank führt und schließlich eine Reinigungsungleichmäßigkeit eines Wafers W verursacht. Wenn der Wafer W insbesondere durch ein Ultraschallreinigungsgerät mit zwei Reinigungstanks (101a und 101b), das in 3 dargestellt ist, gereinigt wird und wenn der Wafer, der von einer Haltevorrichtung gehalten wird, in dieselbe Richtung weist, werden Schwankungen der Intensität der rechten und der linken Ultraschallwellen in allen Tanks identisch und eine signifikante Reinigungsungleichmäßigkeit wird in dem gereinigten Wafer W beobachtet.
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Die vorliegende Erfindung wurde in Anbetracht des oben beschriebenen Problems ersonnen und eine Aufgabe dieser besteht darin, eine Reinigungsungleichmäßigkeit eines Wafers beim Reinigen eines Wafers durch Ultraschallreinigung auszumerzen.
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PROBLEMLÖSUNG
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Um das oben beschriebene Problem zu lösen, stellt die vorliegende Erfindung ein Reinigungsverfahren bereit, das eine Ultraschallreinigung eines zu reinigenden Gegenstands durch Verwenden eines Reinigungstanks mit einer Bodenfläche mit einer Neigung durchführt, wobei in dem Reinigungsverfahren der zu reinigende Gegenstand durch Verwenden mehrerer der Reinigungstanks und Bewirken, dass die Reinigungstanks, die nebeneinander liegen, Bodenflächen mit Neigungen in unterschiedlichen Richtungen aufweisen, gereinigt wird.
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Mit einem derartigen Reinigungsverfahren, in dem bewirkt wird, dass die Reinigungstanks, die nebeneinander liegen, Bodenflächen mit unterschiedlichen Neigungen aufweisen, ist es möglich, eine Stelle in einem Reinigungstank, an der Ultraschallwellen intensiv sind, und eine Stelle, an der Ultraschallwellen schwach sind, zu erschaffen, die sich von einer Stelle in dem anderen Reinigungstank, an der Ultraschallwellen intensiv sind, und einer Stelle, an der Ultraschallwellen schwach sind, unterscheiden, wodurch eine Region mit einer hohen Reinigungswirkung komplementiert wird, was es möglich macht, eine Reinigungsungleichmäßigkeit eines zu reinigenden Gegenstands, insbesondere eines Wafers als ein Reinigungsfluss, auszumerzen.
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Zu diesem Zeitpunkt ist es bevorzugt, dass die Richtungen der Neigungen der Bodenflächen von vorne nach hinten symmetrisch oder von links nach rechts symmetrisch zwischen den Reinigungstanks, die nebeneinander liegen, gemacht werden.
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Mit dem Reinigungsverfahren unter Verwendung derartiger Reinigungstanks ist es möglich, eine Reinigungsungleichmäßigkeit effektiver auszumerzen.
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Darüber hinaus stellt die vorliegende Erfindung ein Ultraschallreinigungsgerät bereit, das Folgendes beinhaltet: einen Reinigungstank mit einer Bodenfläche mit einer Neigung; einen Außentank, in dessen Inneren die Bodenfläche des Reinigungstanks platziert wird; und eine Vibrationsplatte, die an dem Außentank angebracht wird, wobei in dem Ultraschallreinigungsgerät mehrere der Reinigungstanks bereitgestellt werden und die Reinigungstanks, die nebeneinander liegen, Bodenflächen mit Neigungen in unterschiedlichen Richtungen aufweisen.
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Mit einem derartigen Ultraschallreinigungsgerät, das die Reinigungstanks beinhaltet, die nebeneinander liegen und Bodenflächen mit unterschiedlichen Neigungen aufweisen, unterscheiden sich eine Stelle in einem Reinigungstank, an der Ultraschallwellen intensiv sind, und eine Stelle, an der Ultraschallwellen schwach sind, von einer Stelle in dem anderen Reinigungstank, an der Ultraschallwellen intensiv sind, und einer Stelle, an der Ultraschallwellen schwach sind, wodurch eine Region mit einer hohen Reinigungswirkung komplementiert wird, was es möglich macht, eine Reinigungsungleichmäßigkeit eines zu reinigenden Gegenstands, insbesondere eines Wafers, auszumerzen.
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Es ist insbesondere bevorzugt, dass als die mehreren der Reinigungstanks Reinigungstanks, bei denen die Richtungen der Neigungen der Bodenflächen von vorne nach hinten symmetrisch oder von links nach rechts symmetrisch zwischen den Reinigungstanks, die nebeneinander liegen, sind, bereitgestellt werden.
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Mit dem Reinigungsgerät, das mit derartigen Reinigungstanks versehen ist, ist es möglich, eine Reinigungsungleichmäßigkeit effektiver auszumerzen.
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VORTEILHAFTE EFFEKTE DER ERFINDUNG
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Durch Reinigen eines zu reinigenden Gegenstands, insbesondere eines Wafers, durch Verwenden des Reinigungsgeräts und des Ultraschallreinigungsgeräts der vorliegenden Erfindung wird, selbst wenn Ultraschallwellen mit Richtwirkung verwendet werden, eine Region mit einer hohen Reinigungswirkung infolgedessen komplementiert, dass sich eine Stelle in einem Reinigungstank, an der Ultraschallwellen intensiv sind, und eine Stelle, an der Ultraschallwellen schwach sind, von einer Stelle in dem anderen Reinigungstank, an der Ultraschallwellen intensiv sind, und einer Stelle, an der Ultraschallwellen schwach sind, unterscheiden, was es möglich macht, eine Reinigungsungleichmäßigkeit des Wafers als ein Reinigungsfluss auszumerzen. Infolgedessen ist es möglich, die ganze Oberfläche des Wafers gleichmäßig zu reinigen.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist ein schematisches Diagramm, das ein Beispiel (BEISPIEL) eines Ultraschallreinigungsgeräts der vorliegenden Erfindung darstellt;
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2 ist ein schematisches Diagramm, das ein Beispiel einer Einheit eines gemeinsamen Ultraschallreinigungsgeräts darstellt;
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3 ist ein schematisches Diagramm, das ein Ultraschallreinigungsgerät darstellt, das im Vergleichsbeispiel 1 verwendet wird;
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4 ist ein schematisches Diagramm, das ein Ultraschallreinigungsgerät darstellt, das im Vergleichsbeispiel 2 verwendet wird;
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5 ist eine Partikelkarte eines im BEISPIEL gereinigten Wafers;
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6 ist eine Partikelkarte eines im Vergleichsbeispiel 1 gereinigten Wafers und
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7 ist eine Partikelkarte eines im Vergleichsbeispiel 2 gereinigten Wafers.
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BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Durch eine intensive Studie eines Reinigungsverfahrens zum Reinigen eines zu reinigenden Gegenstands durch Ultraschallreinigung unter Verwendung eines Reinigungstanks mit einer geneigten Bodenfläche haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung herausgefunden, dass ein Reinigungsverfahren unter Verwendung mehrerer der oben beschriebenen Reinigungstanks und Bewirken, dass die Tanks, die nebeneinander liegen, die Bodenflächen mit unterschiedlichen Neigungen aufweisen, eine Region mit einer hohen Reinigungswirkung in dem Reinigungstank komplementieren und eine Reinigungsungleichmäßigkeit eines Wafers als ein Reinigungsfluss ausmerzen kann und die vorliegende Erfindung abschloss.
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Die vorliegende Erfindung wird hierin im Folgenden in Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
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Beispiele eines Geräts, das das oben beschriebene Verfahren durchführt, können ein Ultraschallgerät beinhalten, das in 1 dargestellt ist.
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Das in 1 dargestellte Ultraschallreinigungsgerät wird erhalten, indem zwei Einheiten unter Verwendung eines in 2 als eine Einheit dargestellten Geräts derart platziert werden, dass die Bodenflächen von Reinigungstanks unterschiedliche Neigungen haben, beinhaltet Reinigungstanks (1a und 1b), die jeweils eine geneigte Bodenfläche aufweisen, Außentanks (2a und 2b), in dessen Inneren die Bodenflächen der Reinigungstanks (1a und 1b) platziert werden, und Vibrationsplatten (3a und 3b), die an den Außentanks (2a und 2b) angebracht sind, und wird erzielt, indem zwei Reinigungstanks (1a und 1b) derart platziert werden, dass die Bodenflächen der zwei Reinigungstanks (1a und 1b) in entgegengesetzte Richtungen geneigt sind.
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Die Reinigungstanks (1a und 1b) werden mit einer Reinigungsflüssigkeit gefüllt, die später beschrieben wird, und führen eine Ultraschallreinigung durch Eintauchen eines Wafers W in die Reinigungsflüssigkeit durch. Die Form derartiger Reinigungstanks (1a und 1b) ist nicht auf eine bestimmte Form beschränkt, so lange die Reinigungstanks (1a und 1b) geneigte Bodenflächen aufweisen und bewirken, dass Luftblasen, die in Ausbreitungswasser 4 in den Außentanks (2a und 2b) erzeugt werden, sich nach oben entlang der geneigten Bodenflächen bewegen, und die Seitenflächen dieser eine rechteckige oder zylindrische Form aufweisen. Darüber hinaus ist das Material davon nicht auf ein bestimmtes Material beschränkt; ein Reinigungstank, der aus Quarzglas hergestellt ist, kann beispielsweise verwendet werden.
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Die Reinigungsflüssigkeit, die in der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, ist nicht auf eine bestimmte Reinigungsflüssigkeit beschränkt; eine beliebige von destilliertem Wasser, einer wässrigen Mischlösung von Ammoniakwasser, Wasserstoffperoxidwasser und destilliertem Wasser, einer wässrigen Mischlösung von einer wässrigen Tetramethylammoniumlösung und Wasserstoffperoxidwasser und einer wässrigen Mischlösung von Natronlaugenwasser und Wasserstoffperoxidwasser kann beispielsweise verwendet werden. Eine derartige Reinigungsflüssigkeit kann auf geeignete Weise insbesondere beim Reinigen eines polierten Siliziumwafers oder dergleichen verwendet werden.
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Darüber hinaus ist die Temperatur der Reinigungsflüssigkeit nicht auf eine bestimmte Temperatur beschränkt und kann entsprechend eingestellt werden. Im Fall einer wässrigen Mischlösung von Ammoniakwasser, Wasserstoffperoxidwasser und destilliertem Wasser kann die Temperatur beispielsweise auf 30°C oder höher als eine Temperatur eingestellt werden, die eine Zunahme der Oberflächenrauheit eines gereinigten Wafers verhindert, während die Reinigungswirkung gesteigert wird.
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Die Bodenflächen der Reinigungstanks (1a und 1b) werden im Inneren der Außentanks (2a und 2b) platziert und die Vibrationsplatten (3a und 3b) werden an den Außentanks (2a und 2b) angebracht, und Beispiele der Außentanks (2a und 2b) können einen Außentank beinhalten, der mit dem Ausbreitungswasser 4 gefüllt ist, um Ultraschallwellen auszubreiten. Das oben beschriebene Ultraschallreinigungsgerät reinigt den Wafer W mittels der Reinigungstanks (1a und 1b), und da es keine Furcht vor einer Kontamination des Wafers durch Metallionen oder dergleichen gibt, die von den Außentanks (2a und 2b) verursacht wird, kann Edelstahl als das Material der Außentanks (2a und 2b) eingesetzt werden.
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Die Vibrationsplatten (3a und 3b) können als eine Vibrationsplatte ausgebildet sein, die durch Anwendung einer Hochfrequenzspannung durch beispielsweise einen Ultraschalloszillator angetrieben wird. Der Typ, das Material, die Form usw. derartiger Vibrationsplatten (3a und 3b) sind nicht auf einen bestimmten Typ, ein bestimmtes Material und eine bestimmte Form beschränkt; eine Vibrationsplatte, die einer existierenden Vibrationsplatte, wie einem piezoelektrischen Vibrator, ähnlich ist, kann beispielsweise eingesetzt werden.
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Wenn der Ultraschalloszillator verwendet wird, kann bewirkt werden, dass die Vibrationsplatten (3a und 3b) oszillieren, indem der Ultraschalloszillator mit jeder der Vibrationsplatten (3a und 3b) verbunden wird und Hochfrequenzwellen darauf angewendet werden.
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In der vorliegenden Erfindung können Hochfrequenzwellen von 1 MHz oder höher (so genannte Megaschallwellen) als die zur Reinigung verwendeten Ultraschallwellen verwendet werden.
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Die obige Beschreibung wurde unter Verwendung des Ultraschallreinigungsgeräts, das in 1 dargestellt ist, angegeben; in dem Reinigungsverfahren und dem Ultraschallreinigungsgerät der vorliegenden Erfindung kann das Ultraschallreinigungsgerät jedoch drei oder mehr Reinigungstanks aufweisen, in Abhängigkeit von einem gewünschten Reinigungsniveau oder dem Wafertyp, oder ein Ultraschallreinigungsgerät, in dem zwei oder mehr Einheiten derart platziert werden, dass die Bodenflächen von Reinigungstanks, die nebeneinander liegen, unterschiedliche Neigungen aufweisen, kann verwendet werden.
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In der vorliegenden Erfindung werden die Reinigungstanks, die nebeneinander liegen, derart platziert, dass die Bodenflächen dieser unterschiedliche Neigungen aufweisen. Infolgedessen ist es möglich zu bewirken, dass ein Reinigungstank und der andere Reinigungstank eine Stelle, an der die Ultraschallwellen intensiv sind, und eine Stelle, an der die Ultraschallwellen schwach sind, aufweisen, das heißt, Schwankungen der Intensität in unterschiedlichen Bereichen; selbst wenn ein Wafer, der gereinigt wird, indem er von einer Halterung gehalten wird, in dieselbe Richtung weist, wird folglich durch Durchführen eines anschließenden Eintauchens des Wafers eine Region mit einer hohen Reinigungswirkung komplementiert, was möglich macht, eine Reinigungsungleichmäßigkeit eines Wafers auszumerzen.
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Durch Bewirken, dass die Bodenflächen der Reinigungstanks, die nebeneinander liegen, von vorne nach hinten symmetrische oder von links nach rechts symmetrische Neigungen aufweisen, werden darüber hinaus Schwankungen der Intensität der Ultraschallwellen in den Tanks, die nebeneinander liegen, symmetrisch, was möglich macht, eine Reinigungsungleichmäßigkeit effektiver auszumerzen und infolgedessen die ganze Oberfläche des Wafers gleichmäßig zu reinigen.
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BEISPIEL
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Die vorliegende Erfindung wird hierin im Folgenden durch Verwenden eines Beispiels und von Vergleichsbeispielen spezifischer beschrieben, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
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(Beispiel)
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Eine Ultraschallreinigung durch SC1 wurde an einem Siliziumwafer W mit einem Durchmesser von 300 mm, wobei der Siliziumwafer W einem Spiegelpolieren unterzogen wurde, durch Verwenden von zwei SC1-Reinigungstanks (1a und 1b) für insgesamt 6 Minuten, 3 Minuten in jedem Tank, durchgeführt, und Spülen in destilliertem Wasser und Trocknen wurden dann durchgeführt. Eine SC1-Reinigungsflüssigkeit, die zu diesem Zeitpunkt verwendet wurde, wurde durch Einstellen des Mischungsverhältnisses von Ammoniakwasser (28 Gew.-%), Wasserstoffperoxidwasser (30 Gew.-%) und Wasser auf 1:1:10 hergestellt. Darüber hinaus wurde die Temperatur der Reinigungsflüssigkeit auf 50°C eingestellt. Als ein erster Tank der zwei Reinigungstanks wurde ein Tank (1a), der aus Quarzglas hergestellt ist und eine Form aufweist, in der eine Bodenfläche derart geneigt ist, dass der Tank auf der rechten Seite tiefer wird, verwendet und als ein zweiter Tank wurde ein Tank (1b), der aus Quarzglas hergestellt ist und eine Form aufweist, in der eine Bodenfläche derart geneigt ist, dass der Tank auf der linken Seite tiefer wird, verwendet (1). Die Anzahl von Partikeln (LPD (Light Point Defects, Lichtpunktdefekte)) (≥ 37 nm) des gereinigten Wafers wurde durch ein Gerät zur Prüfung der vorderen Waferoberfläche (SP2, von der KLA-Tencor Corporation hergestellt) gemessen. Eine Partikelkarte, die durch die Messung erhalten wurde, ist in 5 dargestellt. Die Anzahl von LPD ist 24 und das Ergebnis offenbart, wie in 5 dargestellt, dass die gesamte Oberfläche des Wafers gleichmäßig gereinigt wurde. Da der erste Tank eine Form aufweist, in der die Neigung der Bodenfläche des Reinigungstanks auf der rechten Seite tiefer wird, ist die Wirkung des Entfernens von Partikeln auf der linken Seite des Wafers hoch; da der zweite Tank eine Form aufweist, in der die Neigung der Bodenfläche des Reinigungstanks auf der linken Seite tiefer wird, kann andererseits die Wirkung des Entfernens von Partikeln auf der rechten Seite des Wafers gesteigert werden. Infolgedessen kann eine Region mit einer hohen Reinigungswirkung durch die Ultraschallwellen in dem ersten Tank und dem zweiten Tank komplementiert werden, was möglich macht, die gesamte Oberfläche des Wafers gleichmäßig zu reinigen.
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(Vergleichsbeispiel 1)
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Eine Reinigung wurde unter denselben Bedingungen wie denen von Beispiel 1 durchgeführt, mit Ausnahme davon, dass als Reinigungstanks zwei Tanks (101a und 101b) verwendet wurden, die jeweils eine Form aufweisen, in der eine Bodenfläche derart geneigt ist, dass der Tank auf der rechten Seite tiefer wird (3). Eine Partikelkarte, die durch die Messung erhalten wurde, ist in 6 dargestellt. Die Anzahl von LPD ist 77 und das Ergebnis offenbart, wie in 6 dargestellt, dass die Partikel auf der rechten Seite des Wafers uneinheitlich bleiben. Da die zwei Tanks eine Form aufweisen, in der die Neigung der Bodenfläche des Reinigungstanks auf der rechten Seite tiefer wird, was zur Folge hat, dass ein Teil der Ultraschallwellen von der Bodenfläche des Reinigungstanks und der Bodenfläche des Ausbreitungstanks (des Außentanks) in dem Ausbreitungstank reflektiert wird, werden die Ultraschallwellen auf der linken Seite des Reinigungstanks intensiver. Da die Wirkung der Ultraschallwellen auch auf der linken Seite des Wafers in dem Reinigungstank im Vergleich zu der rechten Seite verstärkt ist, verbleiben die Partikel auf der rechten Seite, ohne entfernt zu werden, obwohl die Partikel auf der linken Seite des Wafers entfernt werden.
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(Vergleichsbeispiel 2)
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Eine Reinigung wurde unter denselben Bedingungen wie denen von Beispiel 1 durchgeführt, mit Ausnahme davon, dass als Reinigungstanks zwei Tanks (201a und 201b) verwendet wurden, die jeweils eine Form aufweisen, in der eine Bodenfläche derart geneigt ist, dass der Tank auf der linken Seite tiefer wird (4). Eine Partikelkarte, die durch die Messung erhalten wurde, ist in 7 dargestellt. Die Anzahl von LPD ist 169 und das Ergebnis offenbart, wie in 7 dargestellt, dass die Partikel auf der linken Seite des Wafers uneinheitlich bleiben. Da die zwei Tanks im Gegensatz zum Vergleichsbeispiel 1 eine Form aufweisen, in der die Neigung der Bodenfläche des Reinigungstanks auf der linken Seite tiefer wird, was zur Folge hat, dass ein Teil der Ultraschallwellen von der Bodenfläche des Reinigungstanks und der Bodenfläche des Ausbreitungstanks (des Außentanks) in dem Ausbreitungstank reflektiert wird, werden die Ultraschallwellen auf der rechten Seite des Reinigungstanks intensiver. Da die Wirkung der Ultraschallwellen auch auf der rechten Seite des Wafers in dem Reinigungstank im Vergleich zu der linken Seite verstärkt ist, verbleiben die Partikel auf der linken Seite, ohne entfernt zu werden, obwohl die Partikel auf der rechten Seite des Wafers entfernt werden.
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Die obigen Ergebnisse offenbarten, dass es mit dem Reinigungsverfahren und dem Ultraschallreinigungsgerät der vorliegenden Erfindung möglich war, eine Reinigungsungleichmäßigkeit eines Wafers infolgedessen auszumerzen, dass eine Region mit einer hohen Reinigungswirkung komplementiert wird, und einen Wafer mit der gleichmäßig gereinigten gesamten Oberfläche zu erhalten.
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Es versteht sich, dass die vorliegende Erfindung in keiner Weise durch die oben beschriebene Ausführungsform davon eingeschränkt wird. Die obige Ausführungsform ist lediglich ein Beispiel und alles, was im Wesentlichen die gleiche Struktur wie die in den Ansprüchen der vorliegenden Erfindung vorgetragene technische Idee hat und ähnliche Tätigkeiten und Nutzen bietet, fällt in den technischen Schutzumfang der vorliegenden Erfindung.
