JP5892109B2 - 超音波洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
超音波洗浄装置及び洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5892109B2 JP5892109B2 JP2013102431A JP2013102431A JP5892109B2 JP 5892109 B2 JP5892109 B2 JP 5892109B2 JP 2013102431 A JP2013102431 A JP 2013102431A JP 2013102431 A JP2013102431 A JP 2013102431A JP 5892109 B2 JP5892109 B2 JP 5892109B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- tank
- ultrasonic
- wafer
- cleaned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 129
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
底面に傾きを有する洗浄槽を用いて被洗浄物の超音波洗浄を行う洗浄方法であって、前記洗浄槽を複数用い、該複数の洗浄槽の底面の傾きの方向を隣り合う洗浄槽ごとに変えて前記被洗浄物を洗浄するときに、
前記被洗浄物の主面が前記洗浄槽の底面の傾きの方向と平行になるように、前記洗浄槽内に前記被洗浄物を配置して洗浄する洗浄方法を提供する。
底面に傾きを有する洗浄槽と、該洗浄槽の底面を内部に配置する外槽と、該外槽に装着された振動板とを備える超音波洗浄装置であって、前記洗浄槽が複数備えられ、該複数の洗浄槽の底面の傾きの方向が隣り合う洗浄槽ごとに異なるものであり、
前記洗浄槽で洗浄する被洗浄物の主面が前記洗浄槽の底面の傾きの方向と平行である超音波洗浄装置を提供する。
上記の方法を実施する装置としては、図1に示される超音波洗浄装置を例示できる。
図1に示される超音波洗浄装置は、図2に示されるような装置を1ユニットとして、2つのユニットを洗浄槽の底面の傾きが異なるように配置したものであり、底面に傾きを有する洗浄槽(1a、1b)と、洗浄槽(1a、1b)の底面を内部に配置する外槽(2a、2b)と、外槽(2a、2b)に装着された振動板(3a、3b)とを備えるものであり、2つの洗浄槽(1a、1b)の底面の傾きの方向が逆になるように配置したものである。
さらに、隣り合う洗浄槽の底面の傾きを前後対称又は左右対称とすることで、超音波の強度ムラが隣り合う槽ごとに対称の位置となり、より効果的に洗浄ムラを解消することができ、結果として、ウェーハの全面を均一に洗浄することができる。
2槽のSC1洗浄槽(1a、1b)を用いて鏡面研磨後の直径300mmのシリコンウェーハWを各槽3分ずつ合計6分SC1による超音波洗浄を行い、その後に純水でリンス及び乾燥を行った。このとき使用したSC1洗浄液はアンモニア水(28wt%)、過酸化水素水(30wt%)、水の混合比を1:1:10とした。また、洗浄液の温度を50℃とした。2槽ある洗浄槽の1槽目として右側が深くなるように底面が傾斜した形状の石英ガラス製のもの(1a)、2槽目として左側が深くなるように底面が傾斜した形状の石英ガラス製のもの(1b)を使用した(図1)。洗浄後のウェーハのパーティクル(LPD(Light Point Defect))数(≧37nm)をウェーハ表面検査装置(KLA−Tencor製SP2)で測定した。測定したパーティクルマップを図5に示す。LPD数は24個で図5に示す通りウェーハの全面が均一に洗浄されていることがわかる。1槽目は洗浄槽の底面の傾きの右側が深くなる形状であるため、ウェーハの左側のパーティクル除去効果が高く、2槽目では洗浄槽の底面の傾きが1槽目とは反対に左側が深くなる形状であるため、ウェーハの右側のパーティクル除去効果が高くすることができる。このため、1槽目と2槽目で超音波による洗浄効果の高い領域を補完することができ、ウェーハ全面を均一に洗浄することが可能となった。
洗浄槽として2槽とも右側が深くなるように底面が傾斜した形状のもの(101a、101b)を使用した(図3)ことを除いて実施例1と同じ条件で洗浄を行った。測定したパーティクルマップを図6に示す。LPD数は77個で図6に示す通りウェーハの右側にパーティクルが偏って残っていることがわかる。洗浄槽の底面の傾きが2槽とも右側が深くなる形状のため、伝播槽(外槽)内で超音波の一部が洗浄槽の底面および伝播槽の底面で反射することにより、洗浄槽の左側の超音波が強くなっている。このため、洗浄槽内のウェーハも右側に比べて左側の方が超音波の効果が強くなるため、ウェーハ左側のパーティクルは除去されているのに対して、右側はパーティクルを除去しきれず残ってしまっている。
洗浄槽として2槽とも左側が深くなるように底面が傾斜した形状のもの(201a、201b)を使用した(図4)ことを除いて実施例1と同じ条件で洗浄を行った。測定したパーティクルマップを図7に示す。LPD数は169個で図7に示す通りウェーハ左側にパーティクルが偏って残っていることがわかる。比較例1とは反対に、洗浄槽の底面の傾きが2槽とも左側が深くなる形状のため、伝播槽(外槽)内で超音波の一部が洗浄槽の底面および伝播槽の底面で反射することにより、洗浄槽の右側の超音波が強くなっている。このため、洗浄槽内のウェーハも左側に比べて右側の方が超音波の効果が強くなるため、ウェーハ右側のパーティクルは除去されているのに対して、左側はパーティクルを除去しきれず残ってしまっている。
W…ウェーハ。
Claims (4)
- 底面に傾きを有する洗浄槽と、該洗浄槽の底面を内部に配置する外槽と、該外槽の底面に装着された振動板とを備える超音波洗浄装置を用いて被洗浄物の超音波洗浄を行う洗浄方法であって、前記洗浄槽を複数用い、該複数の洗浄槽の底面の傾きの方向を隣り合う洗浄槽ごとに変えて前記被洗浄物を洗浄するときに、
前記被洗浄物の主面が前記洗浄槽の底面の傾きの方向と平行になるように、前記洗浄槽内に前記被洗浄物を配置して洗浄することを特徴とする洗浄方法。 - 前記底面の傾きの方向を隣り合う洗浄槽の間で前後対称又は左右対称とすることを特徴とする請求項1に記載の洗浄方法。
- 底面に傾きを有する洗浄槽と、該洗浄槽の底面を内部に配置する外槽と、該外槽の底面に装着された振動板とを備える超音波洗浄装置であって、前記洗浄槽が複数備えられ、該複数の洗浄槽の底面の傾きの方向が隣り合う洗浄槽ごとに異なるものであり、
前記洗浄槽で洗浄する被洗浄物の主面が前記洗浄槽の底面の傾きの方向と平行であることを特徴とする超音波洗浄装置。 - 前記複数の洗浄槽として、前記底面の傾きの方向が隣り合う洗浄槽の間で前後対称又は左右対称であるものを備えることを特徴とする請求項3に記載の超音波洗浄装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013102431A JP5892109B2 (ja) | 2013-05-14 | 2013-05-14 | 超音波洗浄装置及び洗浄方法 |
DE112014002047.8T DE112014002047T5 (de) | 2013-05-14 | 2014-04-09 | Ultraschallreinigungsgerät und Reinigungsverfahren |
SG11201508731RA SG11201508731RA (en) | 2013-05-14 | 2014-04-09 | Ultrasonic cleaning apparatus and method for cleaning |
CN201480023016.2A CN105164792B (zh) | 2013-05-14 | 2014-04-09 | 超声波清洗装置及清洗方法 |
KR1020157031754A KR102081378B1 (ko) | 2013-05-14 | 2014-04-09 | 초음파 세정장치 및 세정방법 |
PCT/JP2014/002032 WO2014184999A1 (ja) | 2013-05-14 | 2014-04-09 | 超音波洗浄装置及び洗浄方法 |
US14/783,356 US20160067749A1 (en) | 2013-05-14 | 2014-04-09 | Ultrasonic cleaning apparatus and method for cleaning |
TW103113720A TWI555586B (zh) | 2013-05-14 | 2014-04-15 | Ultrasonic cleaning device and cleaning method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013102431A JP5892109B2 (ja) | 2013-05-14 | 2013-05-14 | 超音波洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014222738A JP2014222738A (ja) | 2014-11-27 |
JP2014222738A5 JP2014222738A5 (ja) | 2015-12-10 |
JP5892109B2 true JP5892109B2 (ja) | 2016-03-23 |
Family
ID=51897993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013102431A Active JP5892109B2 (ja) | 2013-05-14 | 2013-05-14 | 超音波洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160067749A1 (ja) |
JP (1) | JP5892109B2 (ja) |
KR (1) | KR102081378B1 (ja) |
CN (1) | CN105164792B (ja) |
DE (1) | DE112014002047T5 (ja) |
SG (1) | SG11201508731RA (ja) |
TW (1) | TWI555586B (ja) |
WO (1) | WO2014184999A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9687885B2 (en) * | 2015-07-17 | 2017-06-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multi-cycle wafer cleaning method |
CN109631365B (zh) * | 2018-12-17 | 2020-04-17 | 沧州天瑞星光热技术有限公司 | 一种太阳能真空集热管玻璃外管的清洗方法 |
CN110756513A (zh) * | 2019-09-19 | 2020-02-07 | 上海提牛机电设备有限公司 | 一种以声波作为动能的晶圆清洗装置 |
CN112974396B (zh) * | 2021-01-22 | 2022-07-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体清洗设备及晶片清洗方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6418229A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | Super-ultrasonic cleaning device |
JPH079900B2 (ja) * | 1990-01-29 | 1995-02-01 | 株式会社国際電気エルテック | 超音波洗浄装置 |
JP2002093765A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Kaijo Corp | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP4752117B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2011-08-17 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体ウェハ上の粒子を除去する方法 |
JP2007044662A (ja) | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Kaijo Corp | 超音波洗浄装置 |
JP4493675B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2010-06-30 | 株式会社カイジョー | 超音波洗浄装置 |
-
2013
- 2013-05-14 JP JP2013102431A patent/JP5892109B2/ja active Active
-
2014
- 2014-04-09 KR KR1020157031754A patent/KR102081378B1/ko active IP Right Grant
- 2014-04-09 DE DE112014002047.8T patent/DE112014002047T5/de not_active Withdrawn
- 2014-04-09 WO PCT/JP2014/002032 patent/WO2014184999A1/ja active Application Filing
- 2014-04-09 US US14/783,356 patent/US20160067749A1/en not_active Abandoned
- 2014-04-09 SG SG11201508731RA patent/SG11201508731RA/en unknown
- 2014-04-09 CN CN201480023016.2A patent/CN105164792B/zh active Active
- 2014-04-15 TW TW103113720A patent/TWI555586B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG11201508731RA (en) | 2015-11-27 |
WO2014184999A1 (ja) | 2014-11-20 |
JP2014222738A (ja) | 2014-11-27 |
TW201501824A (zh) | 2015-01-16 |
TWI555586B (zh) | 2016-11-01 |
CN105164792A (zh) | 2015-12-16 |
US20160067749A1 (en) | 2016-03-10 |
DE112014002047T5 (de) | 2016-01-14 |
KR102081378B1 (ko) | 2020-02-25 |
KR20160008535A (ko) | 2016-01-22 |
CN105164792B (zh) | 2017-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4934079B2 (ja) | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 | |
JP5892109B2 (ja) | 超音波洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP3948960B2 (ja) | 超音波洗浄装置 | |
JP2009055024A (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
JP2000330262A (ja) | フォトマスクの洗浄方法、洗浄装置およびフォトマスクの洗浄液 | |
KR20090116708A (ko) | 초음파 세정방법 | |
JP2000070885A (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
JP2009125645A (ja) | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 | |
JP4248257B2 (ja) | 超音波洗浄装置 | |
KR20200113366A (ko) | 웨이퍼 세정 장치 | |
WO2011089673A1 (ja) | 超音波洗浄方法 | |
JP6592351B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4767769B2 (ja) | 超音波洗浄装置 | |
JP2009231668A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR20200131507A (ko) | 반도체 기판의 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 기판의 세정 방법 | |
JP5353730B2 (ja) | 超音波洗浄方法と超音波洗浄装置、および超音波洗浄に用いる伝播水の製造方法 | |
KR20130142662A (ko) | 초음파 세정 장치 | |
KR102598146B1 (ko) | 웨이퍼 세정 장치 | |
JP2009208005A (ja) | 超音波洗浄装置 | |
KR100951922B1 (ko) | 다중 주파수를 이용한 매엽식 초음파 세정 장치 | |
KR20070073311A (ko) | 웨이퍼 초음파 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정방법 | |
KR20070077100A (ko) | 초음파 세정장치 및 초음파 세정방법 | |
JP2009136726A (ja) | 超音波洗浄装置 | |
JP3729476B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
KR20090041805A (ko) | 초음파 세정장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151021 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20151021 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20151125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5892109 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |