DE4137693C2 - Verbund-Halbleitervorrichtung - Google Patents

Verbund-Halbleitervorrichtung

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Verbund- Halbleitervorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Eine Vorrichtung dieser Art ist bekannt aus EP 0 410 067 A1.
In Übereinstimmung mit dem raschen Fortschreiten der Datenübertragungstechnik in Richtung auf eine Datenübertragungsgesellschaft ist die Nachfrage nach Ultrahochgeschwindigkeitsrechnern, Ultrahochfrequenz- und optischer Kommunikation ständig angewachsen. Dem Bestreben nach Erfüllung dieser Nachfrage steht jedoch bei Verwendung der herkömmlichen Vorrichtung auf Siliciumbasis eine Grenze entgegen, so daß sich in bezug auf Verbund-Halbleitervorrichtungen aus Materialien mit überlegenen Eigenschaften eine lebhafte Forschungsaktivität entwickelt hat. Von den für solche Verbund-Halbleitervorrichtungen infragekommenden Materialien besitzt die GaAs eine beachtliche Elektronenmobilität von etwa 8000 cm²/V·s und ist auch hinsichtlich seiner eigenen Rauschcharakteristik überlegen, so daß dieses Material in Hochgeschwindigkeitsvorrichtungen, wie beispielsweise MESFETs (Metallhalbleiter-FET) und HEMTs (Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) verwendet werden kann. Weiter besitzt GaAs eine Energiebandlücke von 1.43 eV bei Normaltemperatur, so daß die Wellenlänge des Lichtes 8.800 Å beträgt, wobei es sich um eine Wellenlänge in der Nähe der Infrarotstrahlung handelt. Weiter zeigen die Vorrichtungen Direktübergangscharakteristiken. Deshalb können sie bei Laserdioden (im folgenden mit LD abgekürzt) und bei Fotodioden (im folgenden mit PD abgekürzt) verwendet werden.
Die LD sendet induziert Licht aus, das durch die Vereinigung von Löchern und Elektronen erzeugt wird, die vom PN-Übergang der Halbleitervorrichtungen injiziert werden. Das ausgesandte Licht weist Interferenzen und Ausrichtungseigenschaften auf. Daneben besitzt die Fotodiode die gleiche Struktur wie die Laserdiode, wobei sie von einem elektrischen Strom durchflossen wird, wenn eine Sperrvorspannung angelegt und Lichtstrahlen auf sie projiziert werden. Dementsprechend werden die Laserdiode und die Fotodiode jeweils zum Übertragen und Empfangen von Informationen benutzt. Weiter wird im Falle, daß die Laserdiode als Übertragungsvorrichtung benutzt wird, die Intensität bzw. Stärke der ausgesandten Lichtstrahlen durch Verwendung einer Überwachungsfotodiode (im folgenden mit MPD abgekürzt) auf einen konstanten Wert gebracht. Das heißt, daß die MPD die Stärke der von der LD ausgesandten Lichtstrahlen erfaßt und die Spannung steuert, die über eine äußere Schaltung der LD zugeführt wird.
Die Laserdiode und die Überwachungsfotodiode werden mit Drähten und durch Bondieren in einer hybriden Struktur vereinigt, wobei jedoch die Herstellungskosten hoch sind und ein Unterschied zwischen den Kenndaten der Herstellungsverfahren für die LD und die MPD besteht. Es ist daher schwierig, eine Überwachungsfotodiode herzustellen, welche die gleiche Energiebandlücke aufweist wie die Wellenlänge der von der Laserdiode ausgesandten Lichtstrahlen, so daß das optische Erfassungsvermögen der Fotodiode wegen der nichtlinearen optischen Empfangseigenschaften sehr gering ist. Daher hat sich die Forschung auf das Problem konzentriert, wie die Laserdiode und die Überwachungsfotodiode auf dem gleichen Chip erzeugt werden können.
Zur Erläuterung der erfindungsgemäßen Problematik stellt Fig. 1 einen Schnitt durch eine Verbund-Halbleitervorrichtung dar, bei der eine Laserdiode und eine Überwachungsfotodiode auf dem gleichen Chip hergestellt sind. Die Verbund- Halbleitervorrichtung besteht aus den eine LD bildenden Bereich L und dem eine MPD bildenden Bereich M, wobei die Laserdiode (LD) und die Überwachungsfotodiode (MPD) den gleichen Aufbau besitzen. Die Laserdiode ist so aufgebaut, daß eine p-leitende Deckschicht 3 aus AlxGa1-yAs, eine p-leitende aktive Schicht 5 aus AlyGa1-yAs, eine n-leitende Deckschicht 7 aus AlxGa1-xAs und eine n-leitende obere Abdeckschicht 9 aus GaAs im L-Bereich auf einem p-leitenden Halbleitersubstrat 1 aus GaAs aufgeschichtet sind. Die aktivierte Schicht 5 ist als p-leitende Schicht ausgebildet, kann aber auch eine n-leitende Schicht sein, wobei jedoch das Zusammensetzungsverhältnis 1 x y 0 erfüllt werden muß, um sicherzustellen, daß die aktive Schicht 5 einen größeren Brechungsindex aufweist als die Deckschichten 3 und 7. Weiter ist auf der oberen Abdeckschicht 9 eine n­ leitende Elektrode 11 aufgebracht, während eine p-leitende Elektrode 13 unter dem Halbleitersubstrat 1 angebracht ist.
Weiter ist im Bereich N des Halbleitersubstrates 1 eine Überwachungsfotodiode (MPD) mit dem gleichen Aufbau wie dem der Laserdiode (LD) gebildet, so daß die p-leitende Elektrode 13 als gemeinsame Elektrode dient. Die MPD empfängt die von der anderen lichtaussendenden Fläche der LD herkommenden Lichtstrahlen, und wenn eine Sperrvorspannung angelegt wird, trennen die ausgesandten Lichtstrahlen in der aktiven Schicht 5 der MPD die Ladungsträger in Elektronen und Löcher, so daß zwischen der n-leitenden Elektrode 11 und der p-leitenden Elektrode 13 ein Strom fließt.
Die Stärke des Stromes ist proportional zur Intensität der von der lichtaussendenden Fläche der einen Seite der LD kommenden Lichtstrahlen, so daß die Stärke der Lichtstrahlen durch eine äußere Schaltung gemäß der Stärke des Stromes gesteuert wird. Im vorliegenden Falle besitzen die aktiven Schichten 5 der LD und der MPD die gleichen Energiebandlücken und sind wegen des sehr hohen Kopplungswirkungsgrades auch phasengleich. Weiter wird im Falle, daß die von der Laserdiode ausgesandten Lichtstrahlen nach Reflexion an der lichtempfangenden Fläche der Überwachungsfotodiode auf die Laserdiode zurückkehren, das Signal-Rausch-Verhältnis (SN) der LD verschlechtert, weshalb die lichtempfangende Fläche der MPD relativ zum Substrat 1 geneigt ist. Das Halbleitersubstrat 1 wird also zunächst in der Senkrechten abgeätzt, um die lichtaussendende Seite der LD zu bilden, und dann wird der NPD-Teil erneut derart abgeätzt, daß die lichtempfangende Fläche der MPD einen bestimmten Neigungswinkel einnimmt.
Die beschriebene Verbund-Halbleitervorrichtung dient als Sendevorrichtung in Kommunikationssystemen, kann aber auch als Sende-/Empfangsvorrichtung benutzt werden, indem sie mit der Empfangs-PD (im folgenden mit RPD abgekürzt) in einer Hybridstruktur zusammengefaßt wird. Die beschriebene Verbund- Halbleitervorrichtung erfordert zur Bildung der lichtempfangenden Fläche der Überwachungsfotodiode ein zweimaliges Abätzen. Wenn die Verbund-Halbleitervorrichtung weiter in einem Datenübertragungssystem verwendet wird, erhöht die hybride Kombination mit der Aufnahmefotodiode den Leistungsverbrauch und erschwert die Erzielung hoher Dichten, als auch die Herstellungskosten.
Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Verbund- Halbleitervorrichtung zu schaffen, bei der eine Laserdiode und eine Empfangsfotodiode auf demselben Chip hergestellt sind, wobei ein hohes Signal/Rauschverhältnis gewährleistet und minimale gegenseitige Interferenz sichergestellt wird und das Herstellungsverfahren durch Bilden der lichtempfangenden Fläche der Überwachungsfotodiode senkrecht zum Halbleitersubstrat vereinfacht wird.
Diese Aufgabe wird gelöst wie im Kennzeichen des Anspruches 1 angegeben.
Bei der Verbund-Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung, bei der eine Laserdiode und eine Detektorfotodiode zur Steuerung der Intensität der Lichtstrahlen über eine äußere Schaltung durch Erfassen der Intensität der von der Laserdiode ausgesandten Lichtstrahlen auf demselben Halbleitersubstrat hergestellt sind, ist eine lichtempfangende Seite der Detektorfotodiode zum Empfangen der von der Laserdiode ausgesandten Lichtstrahlen senkrecht zum Halbleitersubstrat angeordnet und einer lichtaussendenden Seite der Laserdiode mit einem vorbestimmten Neigungswinkel zugekehrt ist.
Die Verbund-Halbleitervorrichtung weist folgende Komponenten auf:
eine rechteckige, polförmige Laserdiode, eine dreieckige, polförmige Detektorfotodiode, bei der eine Seite senkrecht zum Halbleitersubstrat steht und der lichtaussendenden Seite der Laserdiode unter einem vorbestimmten Winkel zugekehrt ist, so daß das auf der Seite reflektierte Licht nicht zur lichtaussendenden Seite der Laserdiode zurückkehren kann, und bei der die andere Seite einen vom vorbestimmten Winkel verschiedenen Winkel einnimmt; und eine dreieckige, polförmige Empfangsfotodiode, die symmetrisch zur Detektorfotodiode angeordnet ist, derart, daß alle Dioden auf demselben Halbleitersubstrat ausgebildet sind.
Ein Verfahren zur Herstellung der Verbund- Halbleitervorrichtung weist folgende Schritte auf:
Epitaxie-Aufwachsen einer ersten Deckschicht eines ersten Leitungstyps, einer aktiven Schicht eines ersten oder eines zweiten Leitungstyps, einer zweiten Deckschicht einer zweiten Leitungstyps und einer oberen Abdeckschicht eines zweiten Leitungstyps, wobei diese Schichten nacheinander auf einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitungstyps aufgebracht werden; Herstellen einer Elektrode eines ersten Leitungstyps und einer Elektrode eines zweiten Leitungstyps jeweils unter dem Substrat und auf der oberen Abdeckschicht; und Herstellen einer rechteckigen, polförmigen Laserdiode sowie einer dreieckigen, polförmigen Detektorfotodiode und einer Empfangsfotodiode, die symmetrisch zueinander ausgebildet sind, durch Ausführen eines einzelnen Rundlaufs anisotropischen Ätzens auf eine vorbestimmte Tiefe des Halbleitersubstrates.
Weitere Vorteile der Erfindung gehen aus der detaillierten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen hervor.
Fig. 1 stellt eine Schnittansicht einer herkömmlichen Verbund-Halbleitervorrichtung dar;
Fig. 2 stellt eine Draufsicht auf eine Verbund-Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung dar; und
Fig. 3 stellt eine Seitenansicht der in Fig. 2 veranschaulichten Vorrichtung dar.
Fig. 2 stellt eine Draufsicht auf eine Ausführungsform der Verbund-Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung dar, während Fig. 3 eine Seitenansicht der Verbund-Halbleitervorrichtung, gesehen in Richtung des Pfeiles A, wiedergibt. Die Verbund-Halbleitervorrichtung weist eine Laserdiode (LD), eine Überwachungsfotodiode (MPD) und eine Empfangsfotodiode (RPD) auf demselben Chip auf, derart, daß die LD im Bereich L, die MPD im Bereich M und die RPD im Bereich R gebildet ist. Die LPD, die MPD und die RPD sind so aufgebaut, daß auf einem p-leitenden Halbleitersubstrat 21 auf GaAs nacheinander eine p-leitende erste Deckschicht 23 aus AlxGa1-xAs, eine p-Ieitende aktive Schicht 25 aus AlyGa1-yAs, eine n-leitende zweite Deckschicht 27 aus AlxGa1-xAs, eine n-leitende obere Abdeckschicht 29 aus GaAs sowie eine n-leitende Elektrode 31 aus AuGe/Ni/Au aufgeschichtet sind, wobei die Laserdiode (LD), die Überwachungsfotodiode (MPD) und die Empfangsfotodiode (RPD) voneinander durch isolierende Zwischenräume 35 getrennt sind. Weiter ist unter dem Halbleitersubstrat 21 eine p-leitende Elektrode 33 aus AuZn/Au angebracht.
Bei der dargestellten Ausführungsform ist die aktive Schicht 25 eine p-leitende Schicht, kann aber auch als n-leitende Schicht ausgebildet sein, wobei das Zusammensetzungsverhältnis auf Basis der Beziehung 1 x y 0 bestimmt ist, damit der Brechungsindex der aktiven Schicht 25 größer als derjenige der ersten und der zweiten Deckschicht 23 und 27 ausfällt. Weiter ist die LD in Form eines rechteckigen Pols ausgebildet, während die MPD und die RPD als symmetrische, dreieckige Pole bzw. Stollen ausgebildet sind. Diese Elemente sind voneinander durch die Isolierzwischenräume 35 getrennt, die senkrecht zum Halbleitersubstrat verlaufen. Es sei angenommen, daß die Innenwinkel der Fläche der Überwachungsfotodiode, gesehen in Richtung des Pfeiles A, die Größe Θ₁ und Θ₂ besitzen. Dann ergeben sich die Innenwinkel der Seite der Empfangsfotodiode, gesehen aus der zum Pfeil A umgekehrten Richtung, zu Θ₁ und Θ₂. Wird die Breite der Laserdiode mit W₁ und ihre Länge mit l bezeichnet, kann die Gesamtlänge der Halbleitervorrichtung lT wie folgt definiert werden:
In der Gleichung bezeichnet W₂ die Breite des Isolierzwischenraumes 35 zwischen den jeweiligen Halbleiterelementen. Die in der Formel erscheinenden Minimalwinkel Θ₁ und Θ₂, die keine gegenseitige Beeinflussung der Elemente verursachen, werden wie folgt berechnet:
In der zweiten Formel (für Θ₂) stellt nd den Brechungsindex der aktiven Schicht 25 und ns den Brechungsindex der die Elemente isolierenden Zwischenräume dar. Daher hängt Θ₁ von der Breite W₁ der Laserdiode und der Breite W₂ der die Elemente isolierenden Zwischenräume 35 ab, während Θ₂ durch die Brechungsindices der aktiven Schichten 25 und der die Elemente isolierenden Zwischenräume 35 sowie vom Winkel Θ₁ abhängt, wobei und Θ₂ Winkel von weniger als π/2 Radian sind. Während des Betriebes der Halbleitervorrichtung kann ihr fehlerhaftes Funktionieren durch Justieren der Winkel Θ₁ und Θ₂ verhindert werden, d. h., daß während des Betriebes der Laserdiode die Sendelichtstrahlen (a) von einer der lichtaussendenden Fläche emittiert werden, während die Lichtstrahlen (b) von der anderen lichtaussendenden Fläche emittiert werden, um die Intensitäten bzw. Stärken des Lichtstrahles (a) zu erfassen und abzustimmen. Es sollte sichergestellt werden, daß die von einer Fläche der Überwachungsfotodiode reflektierten oder von ihr ausgehenden Lichtstrahlen nicht durch Rückkehr auf die Laserdiode ein verringertes S/N-Verhältnis erfahren. Falls die Größe des Winkels Θ₁ mit 60° angenommen wird, treffen die von der anderen Fläche ausgesandten Lichtstrahlen (b) auf die eine Fläche der Überwachungsfotodiode unter dem Winkel von 60° auf. Somit fallen Lichtstrahlen (d), die von der einen Fläche reflektiert werden, nicht mehr in die Vorrichtung zurück.
Nunmehr wird die Betriebsweise der wie oben beschrieben aufgebauten Verbund-Halbleitervorrichtung erläutert.
Wenn eine Aussendung durch Ansteuern der Laserdiode veranlaßt wird und eine Spannung an die n-leitende und die p-leitende Elektrode 31 und 33 der LD angelegt ist, vereinigen sich die von der aktiven Schicht 25 injizierten Löcher und Elektronen unter Aussendung von Lichtstrahlen. Diese Lichtstrahlen werden in Schwingung versetzt, um durch die lichtaussendenden Flächen der LD in Form von Lichtstrahlen (a), (b) auszutreten. Die durch eine lichtaussendende Fläche freigegebenen Lichtstrahlen (a) sind zum Aussenden bzw. Übertragen bestimmt, während die durch die andere lichtaussendende Fläche freigegebenen Lichtstrahlen (b) zur Erfassung der Intensität der Lichtstrahlen (a) durch Eintritt in die Überwachungsfotodiode (MPD) bestimmt sind. Falls die Lichtstrahlen (b) in die MPD eintreten, werden Lichtstrahlen (c) entsprechend dem Brechungsindex ND der aktiven Schicht 25 gebrochen. Wenn weiter eine Sperrvorspannung an die n-leitende und die p-leitende Elektrode 31 bzw. 33 angelegt wird, erfolgt eine Trennung der Ladungen in Elektronen und positive Löcher innerhalb der aktiven Schicht 25 der MPD, wodurch ein Stromfluß erzeugt wird. Die Größe des Stromes ist der Intensität der in die MPD einfallenden Lichtstrahlen (b) proportional, so daß die Intensität der von der Laserdiode (LD) ausgesandten Lichtstrahlen (a) durch eine äußere Schaltung gesteuert werden kann. Wenn die Lichtstrahlen (b) weiter in eine Fläche der MPD eintreten, wird eine vorbestimmte Menge an Lichtstrahlen (c) reflektiert. Diese eine Fläche der MPD steht senkrecht zum Halbleitersubstrat 21, ist aber um 90°-Θ₁ relativ zur anderen lichtaussendenden Fläche der Laserdiode geneigt, so daß die Lichtstrahlen (d) nicht erneut in die andere lichtaussendende Fläche der LD eintreten.
Weiter wird die winzige Menge an Lichtstrahlen (c), die nicht von den Lichtstrahlen (d) in der MPD abgetrennt wurde, in Form von Lichtstrahlen (e) freigegeben und tritt in die Empfangsfotodiode (RPD) ein. Sie werden jedoch aufgrund des Brechungsindexes ns des die Elemente isolierenden Zwischenraumes 35 und des Brechungsindexes der aktiven Schicht 25 der RPD reflektiert, so daß sie nicht in die Empfangsfotodiode eindringen können, sondern als Lichtstrahlen (f) in die Luft gestreut werden.
Wenn andererseits durch Ansteuern der Empfangsfotodiode (RPD) ein Empfangsbetrieb eingeleitet wird, erfolgt beim Eintreten von Lichtstrahlen (g) und beim Anliegen einer Sperrvorspannung eine Trennung der Ladungen in Elektronen und Löchern als Folge des Stromflusses zwischen der n-leitenden und der p-leitenden Elektrode 31 bzw. 33. Unter diesen Umständen werden die Lichtstrahlen (g) nicht vollständig absorbiert, sondern ein Teil von ihnen wird als Lichtstrahlen (h) reflektiert, während Lichtstrahlen (i), die in der aktiven Schicht 25 absorbiert werden, nicht vollständig zur Trennung der Ladungsträger in Elektronen und Löcher umgesetzt werden, so daß Lichtstrahlen (j) zur Überwachungsfotodiode (MPD) gelangen. Die Lichtstrahlen (j) weisen einen kleinen Einfallswinkel zu der einen Fläche der MPD auf und treten daher nicht in diese ein, sondern werden vollständig als Lichtstrahlen (k) reflektiert, und zwar aufgrund des Brechungsindexes ns der die Elemente trennenden Zwischenräume 35 und des Brechungsindexes nd der aktiven Schicht 25 der MPD.
Bei der beschriebenen Verbund-Halbleitervorrichtung befinden sich die LD, die MPD und die RPD auf dem gleichen Halbleitersubstrat, doch können darauf auch nur die LD und die MPD angebracht sein. Nachfolgend wird das Herstellungsverfahren der beschriebenen Verbund-Halbleitervorrichtung erläutert.
Auf einem p-leitenden Halbleitersubstrat 21 aus GaAs werden durch Flüssigphasen-Epitaxie (LPE) Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) oder metallorganische, chemische Dampfniederschlagungen (MOCVD) nacheinander folgende Schichten aufgebracht: eine p- leitende erste Deckschicht 23 aus AlxGa1-xAs, eine p-leitende oder n-leitende aktive Schicht 25 aus AlyGa1-yAs, eine n-leitende zweite Deckschicht 27 aus AlxGa1-xAs und eine n-leitende obere Abdeckschicht 29 aus GaAs. Dann wird eine n-leitende Elektrode 31 aus AuGe/Ni/Au auf der oberen Abdeckschicht 29 gebildet, während eine p-leitende Elektrode 33 aus AuZn/Au unter dem Substrat 21 angebracht wird.
Anschließend wird auf der Oberfläche der n-leitenden Elektrode 31 ein Fotomaskenmuster erzeugt und das Substrat 21 durch ein anisotropes Ätzverfahren, wie beispielsweise Ionenstrahlätzen, auf eine vorbestimmte Tiefe abgeätzt, so daß isolierende Zwischenräume 35 zwischen den Elementen zwecks Abgrenzung bzw. Definition der LD, der MPD und der RPD erzeugt werden, wobei das Fotomaskenmuster beseitigt wird. Im vorliegenden Falle wird die Laserdiode (LD) in rechteckiger Form und die Überwachungsfotodiode sowie die Empfangsfotodiode in dreieckiger Polform durch einen einzelnen Ätzvorgang hergestellt, derart, daß die MPD und die RPD symmetrisch ausfallen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung werden die jeweiligen Schichten, wie beschrieben, auf dem gleichen Halbleitersubstrat hergestellt, und es wird ein einziger Arbeitsgang anisotropen Ätzens ausgeführt, um die rechteckige, polförmige Laserdiode und die jeweils dreieckige, polförmige, symmetrische Überwachungsfotodiode sowie die Empfangsfotodiode durch Justieren der Winkel Θ₁ und Θ₂ herzustellen. Daher können gemäß der vorliegenden Erfindung leicht eine hohe Dichte und Einsparungen beim Leistungsverbrauch und den Herstellungskosten erzielt werden. Weiter werden die senkrecht zum Halbleitersubstrat und relativ zur lichtaussendenden Fläche der Laserdiode geneigten Fotodioden in einem einzigen Ätzprozeß hergestellt, so daß das Herstellungsverfahren einfach wird. Bei der beschriebenen Ausführungsform der Erfindung basiert die Verbund-Halbleitervorrichtung auf dem Material GaAs; doch kann auch InP verwendet werden.

Claims (6)

1. Verbund-Halbleitervorrichtung, bei der eine Laserdiode (LD) und eine erste Photodiode (MPD) zum Empfang eines Teils der von der Laserdiode (LD) emittierten Strahlung benachbart zueinander auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat (21) angeordnet sind, wobei
  • a) die Emissionsflächen der Laserdiode (LD) und die Seitenflächen der ersten Photodiode (MPD) senkrecht zu der Oberfläche des Halbleitersubstrates (21) ausgerichtet sind, auf der die Laserdiode (LD) und die erste Photodiode (MPD) angeordnet sind;
  • b) eine erste Seitenfläche der ersten Photodiode (MPD) unter einem vorgegebenen ersten Winkel (Θ₁) bezüglich der senkrechten auf der Emissionsfläche der Laserdiode (LD) ausgerichtet ist, die den genannten Teil der Strahlung emittiert; und
  • c) eine zweite Seitenfläche der ersten Photodiode (MPD) unter einem vorgegebenen Winkel (180°-Θ₂) bezüglich der senkrechten auf dieser Emissionsfläche ausgerichtet ist;
dadurch gekennzeichnet, daß
  • d) eine zweite Photodiode (RPD) zum Empfang von Strahlung einer externen Strahlungsquelle vorgesehen ist, die benachbart zur zweiten Seitenfläche der ersten Photodiode (MPD) auf dem gemeinsamen Halbleitersubstrat (21) angeordnet ist und deren Seitenflächen ebenfalls senkrecht zur Oberfläche des Halbleitersubstrats (21) ausgerichtet sind;
  • e) eine erste Seitenfläche der zweiten Photodiode (RPD) und die zweite Seitenfläche der ersten Photodiode (MPD) parallel zueinander und mit einem Zwischenraum (35) dazwischen ausgerichtet sind; und
  • f) eine zweite Seitenfläche der zweiten Photodiode (RPD) und die erste Seitenfläche der ersten Photodiode (MPD) parallel zueinander ausgerichtet sind, so daß die in die zweite Seitenfläche der zweiten Photodiode (RPD) eintretende und sich in der zweiten Photodiode (RPD) ausbreitende Strahlung der externen Strahlungsquelle nicht in die erste Photodiode (MPD) eintreten kann, nachdem sie an der ersten Seitenfläche der zweiten Photodiode (RPD) gebrochen worden ist.
2. Verbund-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Photodiode (MPD) und die zweite Photodiode (RPD) eine dreieckförmige Gestalt aufweisen.
3. Verbund-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste zweite Photodiode (MPD, RPD) eine kongruente Gestalt besitzen.
4. Verbund-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Laserdiode (LD) eine rechteckige Form besitzt.
5. Verbund-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Winkel (Θ₁) kleiner als derjenige Maximalwinkel ist, bei dem der von der Laserdiode (LD) ausgesandte Teilstrahl nach der Reflexion an der ersten Seitenfläche der ersten Photodiode (MPD) noch zur Laserdiode zurückkehrt.
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