DE4119244A1 - Kapazitive sensoreinrichtung - Google Patents
Kapazitive sensoreinrichtungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine kapazitive Sensoreinrichtung gemäß dem Oberbe
griff des Patentanspruchs 1. Eine derartige kapazitive Sensoreinrichtung gehört
bereits zum Stand der Technik und enthält einen Sensorkopf, der eine
Elektrode trägt, an die ein Sensorpotential anlegbar ist.
Mit Hilfe der genannten Sensoreinrichtung läßt sich auf kapazitivem Wege z. B.
der Abstand zwischen der Oberfläche eines leitfähigen Werkstücks und der
Elektrode des Sensorkopfs und damit der Abstand zwischen dem Werkstück
und einem mit dem Sensorkopf verbundenen Werkzeug messen bzw. konstant
halten.
Die am Sensorkopf vorhandene Elektrode bildet zusammen mit dem Werkstück
als Gegenelektrode einen Meßkondensator, der mit Hilfe einer Stromquelle ge
speist wird. Die Stromquelle empfängt eine Versorgungsspannung und liefert
ausgangsseitig einen Wechselstrom iC(t) mit konstanter Amplitude I. Wird mit
XC der Blindwiderstand 1/ωC des Meßkondensators bezeichnet, so ergibt sich
für die Spannung am Meßkondensator der folgende Ausdruck:
UC(t) = XC · iC(t) (1)
Mit XC=1/ωC, ω=2πf und C=ε·A/d (gilt für den idealen Plattenkondensator) sowie
mit iC(t)=I × sin (ωt) folgt:
Hierin sind d der Abstand zwischen den Kondensatorplatten des Meßkondensators,
ε die Dielektrizitätskonstante, f die Frequenz, A die Fläche der Kondensatorplatten
und I die konstante Amplitude des Wechselstroms iC(t).
Betrachtet man den Ausdruck
als Konstante, sofern die Frequenz f
konstant ist, so ergibt sich:
UC(t) ∼ d · sin 2 πft (3)
Man erhält also am Meßkondensator eine sinusförmige Meßspannung UC(t),
deren Amplitude direkt proportional zum Abstand d ist. Durch Vergleich der
Meßspannung UC(t) mit einer vorgegebenen Spannung kann daher der Abstand
d ermittelt oder mit Hilfe einer Regelschaltung so geregelt werden, daß er kon
stant bleibt, wenn die Elektrode zusammen mit dem Sensorkopf bzw. dem
Werkzeug parallel zur Werkstückoberfläche bewegt wird.
Andererseits ist es auch möglich, bei konstantem Abstand zwischen den Kon
densatorplatten anhand der Variation der Dielektrizitätskonstanten ε die Dicke
eines Werkstücks zu messen, das zwischen den Kondensatorplatten hindurch
geschoben wird.
Von Nachteil ist allerdings, daß die Abtastung des Werkstücks mit Hilfe des
Sensorkopfs praktisch nur punktweise erfolgen kann, so daß sich die her
kömmliche Sensoreinrichtung nicht dafür eignet, Oberflächenverläufe oder
Dickenprofile von Werkstücken in kürzerer Zeit abtasten zu können. Um hier zu
einem besseren Ergebnis zu gelangen, könnte man daran denken, mehrere Sen
sorköpfe gleichzeitig zu verwenden, jedoch müßten dann für diejeweiligen Sen
sorköpfe getrennte Elektronikschaltungen vorhanden sein, um die jeweils er
haltenen Meßspannungen auszuwerten.
Die beschriebene Sensoreinrichtung läßt sich darüber hinaus aber auch bei
punktweiser Abtastung eines Werkstücks nur in beschränktem Umfang einset
zen, nämlich nur dann, wenn bei der Abtastung keine zusätzliche leitfähige Ma
terie zwischen den Kondensatorplatten erzeugt wird. Dies kann z. B. der Fall bei
Sensorköpfen sein, die zum Laserschweißen verwendet werden. Wird ein derar
tiger Sensorkopf zum CO2-Schweißen eingesetzt, so bildet sich ein Plasma zwi
schen der Sensorspitze und dem Werkstück, was zur Folge hat, daß eine Ab
standsmessung und damit Abstandsregelung praktisch nicht mehr möglich ist.
Beim CO2-Laserschweißen müssen somit spezielle Sensorköpfe verwendet
werden, bei denen die Elektrode zur Abstandsmessung nicht mehr direkt unter
halb der Düsenspitze im jeweiligen Schweißbereich liegen darf.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine kapazitive Sensoreinrichtung
der eingangs genannten Art zu schaffen, mit der sich ein größerer Bereich eines
auszumessenden Körpers in kurzer Zeit kapazitiv abtasten läßt und die dar
über hinaus im Sensorbereich in einfacher Weise an unterschiedliche Aufga
benstellungen angepaßt werden kann. Dabei soll in beiden Fällen nur eine Aus
werteschaltung zum Auswerten der erhaltenen Meßspannungen vorhanden
sein.
Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Patentan
spruchs 1 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den
Unteransprüchen zu entnehmen.
Eine kapazitive Sensoreinrichtung nach der Erfindung mit einem Sensorkopf,
der eine Elektrode trägt, an die ein Sensorpotential anlegbar ist, zeichnet sich
dadurch aus, daß
- - der Sensorkopf wenigstens eine benachbart zur Elektrode liegende weitere Elektrode trägt und
- - eine Umschalteinrichtung vorhanden ist, um wahlweise das Sensorpotential oder ein Schirmpotential an die einzelnen Elektroden anlegen zu können.
Durch die Umschalteinrichtung ist es möglich, in Übereinstimmung mit der
Aufgabenstellung und dem Verwendungszweck der Sensoreinrichtung die je
weils erforderlichen Potentiale an die entsprechenden Elektroden anzulegen.
Hierzu kann die Umschalteinrichtung beispielsweise von einem Mikroprozes
sor angesteuert werden.
An einer Position des Sensorkopfs läßt sich daher bei geeigneter Positionierung
der Elektroden ein Werkstück an einer der Anzahl der Elektroden entsprechen
den Anzahl von Positionen abtasten, so daß das Werkstückrelativ schnell kapazitiv
ausgemessen werden kann. Die jeweils aktive Elektrode wird auf Sensor
potential gelegt, während die restlichen Elektroden auf Schirmpotential liegen.
Danach wird eine andere Elektrode als aktive Elektrode ausgewählt, usw. Je
nach gewünschtem Auflösungsvermögen können pro Meßvorgang auch mehr
als eine Elektrode gleichzeitig auf Sensorpotential gelegt werden, falls dies ge
wünscht oder möglich ist.
Im Falle von düsenförmigen Sensorköpfen, die Elektrodenanordnungen an ihrer
Spitze tragen und die z. B. zum Laserschweißen eingesetzt werden, läßt sich
mit Hilfe der genannten Umschalteinrichtung die Beschaltung der Elektroden
an der Spitze des Sensorkopfs ändern, und zwar je nach Verwendung des Sen
sorkopfs. So kann im Falle des CO2-Laserschweißens die an der Spitze des Sen
sorkopfs liegende Elektrode auf Schirmpotential gelegt werden, während eine
unmittelbar darüberliegende Elektrode auf Sensorpotential zu liegen kommt,
um auf diesem Wege eine Abstands- oder Kollisionsmessung durchzuführen.
Wird der Sensorkopf für andere Aufgaben verwendet, bei denen sich kein leitfähiges
Medium zwischen seiner Spitzenelektrode und dem Werkstück bildet, so
kann die Spitzenelektrode auf Sensorpotential geschaltet werden, während
dann die darüberliegende Elektrode auf Schirmpotential zu liegen kommt.
Die Umschalteinrichtung erlaubt die verschiedensten Elektrodenkonfiguratio
nen und Gruppierungen, wie weiter unten näher erläutert wird. Die Sensorein
richtung ist daher sehr flexibel sowie preisgünstig, da sie mit nur einer einzigen
elektronischen Schaltung zum Auswerten der über die Elektroden gelieferten
Meßspannungen auskommt.
Nach einer sehr vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist das Schirmpo
tential ein aktives Schirmpotential. Das aktive Schirmpotential wird dadurch
erhalten, daß das Sensorpotential über einen Verstärker mit dem Verstär
kungsgrad V = 1 geführt wird. Das am Ausgang des Verstärkers erscheinende
Potential stellt dann das aktive Schirmpotential dar, das denjenigen Elektro
den zugeführt wird, die zu Schirmzwecken verwendet werden sollen. Hierdurch
wird erreicht, daß zwischen den auf Schirmpotential liegenden Elektroden und
den auf Sensorpotential liegenden Elektroden keine Potentialdifferenz auftritt,
also zwischen ihnen kein Feldlinienverlauf vorhanden ist, so daß sich über die
auf Sensorpotential liegenden Elektroden ein sehr genaues Meßsignal erzeugen
läßt.
Die einzelnen Elektroden des Sensorkopfs können z. B. in eindimensionaler
oder in zweidimensionaler Verteilung angeordnet sein. Beispielsweise können
sie entlang von geraden oder gekrümmten Linien liegen, aber auch in
zweidi
mensionaler Verteilung die Oberflächen von Quadern, Kugeln, Kegeln und Zy
lindern bedecken. Für den Fall der Anordnung mehrerer Elektroden entlang ei
ner Geraden oder Kreislinie kann eine Relativbewegung zwischen Sensorkopf
und abzutastendem Körper senkrecht zur Geraden bzw. Linie durchgeführt
werden, wenn größere Körperbereiche ausgemessen werden sollen. Befinden
sich dagegen die einzelnen Elektroden auf der gekrümmten Umfangsoberfläche
eines Sensorkopfs und koaxial zu diesem, so sind weitere Einsatzmöglichkeiten
denkbar, beispielsweise die Zentrierung des Sensorkopfs und mit ihm eines
Werkzeugs in einer entsprechenden Ausnehmung eines Werkstücks.
Nach einer sehr vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung sind die jeweiligen
Gruppen von Elektroden in einem auf Schirmpotential liegenden Sensorkopf
teil eingebettet und ihm gegenüber elektrisch isoliert. Der Sensorkopfteil um
schließt die Elektroden seitlich und deckt sie an ihrer Rückseite ab, so daß sie
möglichst vollständig gegenüber äußeren Störeinflüssen abgeschirmt sind.
Dieser Sensorkopfteil liegt permanent auf Schirmpotential. Dagegen sind die
von ihm eingeschlossenen Elektroden, deren Oberfläche frei liegt, wahlweise
auf Sensorpotential und Schirmpotential legbar. Das Schirmpotential des Sen
sorkopfteils ist auch hier wieder vorzugsweise aktives Schirmpotential, um pa
rasitäre Kapazitäten zwischen Sensorkopfteil und Elektroden vollständig aus
zuschließen.
Nach einer anderen sehr vorteilhaften Ausbildung der Erfindung ist eine der
Elektroden als eine an der Spitze eines düsenförmigen Sensorkopfs liegende
Sensorelektrode und eine andere der Elektroden als Ringelektrode ausgebildet,
die oberhalb der Sensorelektrode liegt. Sensorelektrode und Ringelektrode
sind gegeneinander und gegenüber dem Düsenkopf elektrisch isoliert und mit
Hilfe der Umschalteinrichtung auf Sensorpotential und Schirmpotential leg
bar.
Kann ausgeschlossen werden, daß sich zwischen Sensorelektrode und Werk
stück ein leitfähiges Medium bildet, so kann die Sensorelektrode auf Sensorpo
tential gelegt werden, während die Ringelektrode auf Schirmpotential liegt. In
diesem Fall läßt sich eine sehr genaue Abstandsmessung relativ zum Werk
stück durchführen, um den Sensorkopf entlang der Werkstückoberfläche zu
führen. Tritt jedoch ein leitfähiges Medium z. B. beim CO2-Laserschweißen zwi
schen Sensorelektrode und Werkstück auf, so wird die Sensorelektrode auf
Schirmpotential gelegt, um den unter ihr liegenden Bereich bei der Abstands
messung auszublenden. Die darüberliegende Schirmelektrode liegt dann auf
Sensorpotential, um die Abstandsmessung durchzuführen.
Bei den beiden zuletzt genannten Elektrodenbeschaltungen bleiben die Potenti
ale nach ihrer Einstellung während des Meßvorgangs konstant. Dagegen ist es
aber auch möglich, während eines Meßvorgangs die genannten Potentiale peri
odisch zu vertauschen, um eine Abstandsmessung vorzunehmen, wenn das
Sensorpotential an der Sensorelektrode liegt, und um eine Kollisionsüberwa
chung durchzuführen, wenn das Sensorpotential an der Ringelektrode liegt.
Sowohl Abstandsmessung als auch Kollisionsüberwachung erfolgen mit Hilfe
derselben Meßschaltung, da ihr die jeweiligen Meßspannungen über die Um
schalteinrichtung zugeführt werden können.
Nach einer vorteilhaften anderen Ausgestaltung der Erfindung können Sensor
elektrode und/oder Ringelektrode in mehrere in Umfangsrichtung liegende
Sensor- bzw. Ringelektrodensegmente unterteilt sein, welche gegeneinander
elektrisch isoliert sind, um auf diese Weise der Sensoreinrichtung eine Rich
tungsempfindlichkeit zu verleihen. Die einzelnen Elektrodensegmente von
Sensorelektrode und Ringelektrode können gezielt auf Sensorpotential gelegt
werden, um Abstandsmessungen in gewünschten seitlichen Richtungen
durchführen zu können. Auf diese Weise läßt sich z. B. eine Nahtführung, etwa
bei Kehlnähten, realisieren.
Die bereits erwähnte Ringelektrode, die in axialer Richtung des Sensorkopfs
oberhalb der Sensorelektrode liegt, kann auch als flächige Mantelelektrode
ausgebildet sein, um auf diese Weise ein besonders großes und empfindliches
Sichtfeld in seitlicher Richtung für die Kollisionsüberwachung zu erhalten.
Nach einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung weist die Umschaltein
richtung mit den jeweiligen Elektroden bzw. Elektrodensegmenten verbundene
Wechselschalter auf. Die Wechselschalter können, wie bereits erwähnt, mit Hil
fe eines Mikroprozessors angesteuert werden, um die Elektroden gezielt auf
Sensorpotential und Schirmpotential zu legen. Vorzugsweise sind die Wechsel
schalter CMOS-Schalter, da diese die erforderliche geringe Eingangskapazität
aufweisen und im ausgeschalteten Zustand relativ hochohmig sind.
Wie bereits erwähnt, kann die Umschalteinrichtung durch einen Mikroprozes
sor angesteuert werden, um die einzelnen Wechselschalter z. B. programmge
steuert zu öffnen und zu schließen. Ein entsprechendes Programm zur Um
schaltung der Wechselschalter läßt sich z. B. in Abhängigkeit des verwendeten
Sensorkopfs automatisch auswählen, wenn der Sensorkopf mit der elektroni
schen Auswerteeinheit verbunden wird. Die von den Elektroden kommenden
Meßsignale werden dann zunächst in einem Zwischenspeicher der elektroni
schen Auswerteeinheit zwischengespeichert und können anschließend in ge
wünschter Weise weiterverarbeitet werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme
auf die Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine kapazitive Sensoreinrichtung mit einem Sensorkopf, der in einer
Zeile nebeneinander angeordnete Elektroden trägt,
Fig. 2 einen Sensorkopf mit matrixförmig angeordneten Elektroden,
Fig. 3 einen hohlzylindrischen Sensorkopf mit in Kopfumfangsrichtung ne
beneinanderliegend angeordneten Elektroden,
Fig. 4 einen düsenförmigen Sensorkopf mit einer Sensorelektrode im Spit
zenbereich sowie mit weiteren und an seiner äußeren Oberfläche lie
genden Ringelektroden,
Fig. 5 einen düsenförmigen Sensorkopf mit einer Sensorelektrode in seinem
Spitzenbereich sowie mit einer weiteren, an seiner äußeren Oberflä
che liegenden Mantelelektrode,
Fig. 6 den genaueren Aufbau eines düsenförmigen Sensorkopfs, teilweise im
Schnitt, wobei die Sensorelektrode durch die Ringelektrode gehalten
wird,
Fig. 7a bis 7c Draufsichten auf die Sensorelektrode von Fig. 6, die in Segmente
unterteilt ist,
Fig. 8 einen Schnitt durch einen anderen düsenförmigen Sensorkopf und
Fig. 9 einen Schnitt durch einen noch anderen düsenförmigen Sensorkopf.
Die Fig. 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel einer kapazitiven Sensoreinrich
tung nach der Erfindung. Diese Sensoreinrichtung enthält einen Sensorkopf 1,
der mehrere Elektroden 2 trägt, die nebeneinanderliegend entlang einer Gera
den angeordnet sind. Im vorliegenden Fall sind nur sechs Elektroden 2 darge
stellt, wobei die Anzahl der Elektroden 2 tatsächlich sehr viel größer ist und
z. B. 100 oder mehr betragen kann. Die Elektroden 2 sind im Sensorkopf 1 ein
gebettet, derart, daß sie seitlich und in ihrem hinteren Bereich vom Sensorkopf
1 abgedeckt bzw. abgeschirmt werden. Der Sensorkopf 1 besteht aus elektrisch
leitendem Material, beispielsweise aus Metall, und liegt auf aktivem Schirmpotential.
Die Elektroden 2 sind plattenförmig ausgebildet und weisen beispielsweise eine
quadratische Form auf. Sie bestehen ebenfalls aus Metall und sind mit ihren
Seitenflächen dicht nebeneinanderliegend angeordnet. Dabei sind sie so weit in
den Sensorkopf 1 eingelassen, daß ihre freie Vorderfläche mit der Oberfläche
des Sensorkopfs 1 fluchtet. Zur Befestigung der Elektroden 2 am Sensorkopf 1
sind diese mit dem Sensorkopf 1 verklebt. Insgesamt kommen somit die Vorder
flächen der Elektroden 2 in einer Ebene zu liegen, in der auch die Vorderfläche
des Sensorkopfs 1 liegt, die die Elektroden 2 vollständig umgibt.
Die Elektroden 2 sind darüber hinaus untereinander und gegenüber dem Sen
sorkopf 1 elektrisch isoliert. Hierzu können die Elektroden 2 eine Oberflächen
beschichtung aus elektrisch isolierendem Material tragen, beispielsweise eine
Oxidschicht. Auch die Oberfläche des Sensorkopfs 1 kann mit einer elektrisch
isolierenden Oberflächenbeschichtung bzw. Oxidschicht versehen sein, so daß
keine Kurzschlüsse zwischen den Elektroden untereinander und dem Sensor
kopf 1 auftreten können, auch dann nicht, wenn versehentlich elektrisch lei
tende Partikel auf die Abtastoberfläche des Sensorkopfs 1 auftreffen sollten.
Jede Elektrode 2 ist über eine abgeschirmte Leitung 3 mit einem gemeinsamen
Anschluß 4a eines Wechselschalters 4 verbunden, dessen einer Umschaltkon
takt 4b auf aktivem Schirmpotential und dessen anderer Umschaltkontakt 4c
auf Sensorpotential liegen. Je nach Schaltstellung des Wechselschalters 4 läßt
sich somit an die genannte Elektrode 2 das aktive Schirmpotential oder das
Sensorpotential anlegen. Der Sensorkopf 1 liegt permanent auf aktivem
Schirmpotential. Die einen Umschaltkontakte 4b sämtlicher Wechselschalter 4
können über eine gemeinsame Leitung 5 miteinander verbunden sein, an der
das aktive Schirmpotential anliegt, während die anderen Umschaltkontakte 4c
sämtlicher Wechselschalter 4 mit einer gemeinsamen Leitung 6 verbunden
sind, die das Sensorpotential empfängt. Die Umschaltung der einzelnen Wech
selschalter 4 erfolgt jeweils über getrennte Steuerleitungen 7. Sämtliche Wech
selschalter 4 sowie mindestens die gemeinsame Leitung 6 sind durch eine
Schirmung 8 gegenüber äußeren Störeinflüssen abgeschirmt.
Die gemeinsamen Leitungen 5 und 6 sowie die Steuerleitungen 7 sind mit einer
nicht dargestellten Steuerelektronik verbunden, mit deren Hilfe sich z. B. pro
grammgesteuert die einzelnen Wechselschalter umschalten lassen. Hierzu
werden entsprechende Steuersignale über die Steuerleitungen 7 an die Wech
selschalter 4 übertragen. Die Wechselschalter 4 sind vorzugsweise CMOS-
Schalter, die eine relativ kleine Eingangskapazität aufweisen und im ausge
schalteten Zustand hochohmig sind. Die Ansteuerung der Wechselschalter 4
kann so erfolgen, daß beispielsweise zu einem ersten Zeitpunkt nur die ganz
links in Fig. 1 liegende Elektrode 2 auf Sensorpotential gelegt wird, während
sämtliche anderen Elektroden 2 auf aktivem Schirmpotential liegen. Danach
wird die benachbarte Elektrode 2 auf Sensorpotential gelegt, während wieder
um alle restlichen Elektroden 2, also auch die zuerst genannte Elektrode 2, auf
aktivem Schirmpotential liegen, usw. Mit anderen Worten wird die jeweils mes
sende Elektrode 2 von links nach rechts in Fig. 1 durchgeschaltet. Statt einer
können auch zwei oder mehrere Elektroden 2 als Gruppe in Zeilenrichtung
durchgeschaltet werden. Dies hängt unter anderem vom jeweils gewünschten
Auflösungsvermögen ab. Selbstverständlich ist es möglich, auch bei Durch
schalten nur einer einzigen Elektrode die dann erhaltenen Meßsignale zu einem
späteren Zeitpunkt auf rechnerischem Wege zusammenzufassen. Dies erfolgt
vorzugsweise mit Hilfe eines Mikroprozessors in der genannten Steuereinrich
tung.
Dadurch, daß die nichtmessenden Elektroden 2 sowie der Sensorkopf 1 auf ak
tivem Schirmpotential liegen, wird bezüglich der messenden Elektroden 2 eine
gewisse Richtwirkung erhalten. Diese Richtwirkung läßt sich noch dadurch
steigern, daß das aktive Schirmpotential über das Sensorpotential hinaus er
höht wird.
Das unter Fig. 1 beschriebene Prinzip läßt sich selbstverständlich auch auf kapazitive
Sensoreinrichtungen übertragen, bei denen Sensorkopf und Elektro
den in anderer Weise ausgebildet bzw. angeordnet sind.
So zeigt die Fig. 2 einen zweidimensionalen bzw. flächigen Sensorkopf 9, der als
ebene, quadratische Platte ausgebildet ist. Er weist an seiner einen Hauptober
fläche 10 eine quadratische Vertiefung 11 auf, die zur Aufnahme einer Vielzahl
von Elektroden 12 dient. Die Elektroden 12 sind in der quadratischen Vertie
fung 11 matrixförmig angeordnet, so daß Elektrodenzeilen und Elektroden
spalten entstehen. Auch hier sind die Elektroden 12 plattenförmig ausgebildet,
wobei sie so weit in die quadratische Vertiefung 11 eingebettet sind, daß ihre
Oberfläche mit der Hauptoberfläche 10 des Sensorkopfs 9 fluchtet. Ansonsten
entspricht der Aufbau des in Fig. 2 gezeigten Sensorkopfs 9 dem Aufbau des in
Fig. 1 gezeigten Sensorkopfs 1. Dabei ist wiederum jede Elektrode 12 über einen
nicht dargestellten Wechselschalter 4 auf aktives Schirmpotential oder auf
Sensorpotential legbar. Über die Steuerelektronik lassen sich in Abhängigkeit
vom Anwendungsfall die einzelnen Elektroden 12 dann in gewünschter Weise
zur kapazitiven Messung ansteuern.
In der Fig. 3 ist ein hohlzylindrischer Sensorkopf 13 dargestellt, bei dem Elek
troden 14 an seiner äußeren Umfangsfläche angeordnet sind. Die Elektroden
14 sind in Umfangsrichtung des zylinderförmigen Sensorkopfs 13 nebeneinanderliegend
angeordnet, und zwar in zwei übereinanderliegenden Ringen. Die
Anzahl der Ringe kann auch kleiner oder größer sein. Die Elektroden 14 sind so
in die äußere Oberfläche des zylindrischen Sensorkopfs 13 eingebettet, daß
stirnseitige Bereiche 15 und 16 des Sensorkopfs 13 verbleiben und die Elektro
den 14 ferner an ihrer rückwärtigen Fläche vom Sensorkopf 13 abgedeckt bzw.
abgeschirmt werden. Der gesamte Sensorkopf 13 liegt permanent auf aktivem
Schirmpotential, während die Elektroden 14 wiederum über Wechselschalter 4
(nicht dargestellt) wahlweise auf aktives Schirmpotential oder auf Sensorpo
tential gelegt werden können. So lassen sich die Elektroden 14 mit Hilfe der
nicht dargestellten Steuereinrichtung in Umfangsrichtung nacheinander auf
Sensorpotential legen, so daß das Sichtfeld des Sensorkopfs 13 um 360° ge
dreht werden kann. Wie viele Elektroden 14 in wie vielen Ringen gleichzeitig auf
Sensorpotential gelegt werden, hängt vom gewünschten Auflösungsvermögen
ab. Ansonsten entspricht der Aufbau des zylindrischen Sensorkopfs 13 demje
nigen des in Fig. 1 gezeigten Sensorkopfs 1.
Der Aufbau des in Fig. 3 gezeigten Sensorkopfs läßt sich ohne weiteres auch auf
kugelförmige oder kegelförmige Sensorköpfe übertragen, um geeignete Sensor
köpfe für spezielle Anwendungszwecke zur Verfügung stellen zu können. Dabei
können die Oberflächen der Elektroden der jeweiligen Sensorköpfe die gleiche
Oberflächenkrümmung wie die Sensorköpfe selbst aufweisen. Sind die Elektro
den klein genug, so können sie auch bei gekrümmten Sensorköpfen eine ebene
Oberfläche besitzen.
Die Fig. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer kapazitiven Sensorein
richtung nach der Erfindung. Diese Sensoreinrichtung weist einen düsenförmigen
Sensorkopf 17 auf, der z. B. beim Laserschweißen zum Einsatz kommt. Der
düsenförmige Sensorkopf 17 trägt an seiner Spitze eine Sensorelektrode 18, die
eine zentrale Öffnung zum Durchtritt des Laserstrahls aufweist. Ein Werkstück
ist in Fig. 4 mit dem Bezugszeichen 19 versehen. In Axialrichtung oberhalb der
Sensorelektrode 18 sind am äußeren Umfang des Sensorkopfs 17 hintereinanderliegend
ringförmige Elektroden 20 angeordnet, deren Oberflächen parallel
zur Oberfläche des Sensorkopfs verlaufen. Die ringförmigen Elektroden 20, die
Hohlkegel darstellen, liegen dicht aneinander und sind untereinander sowie ge
genüber dem düsenförmigen Sensorkopf 17 elektrisch isoliert. Hierzu können
sie ebenfalls eine elektrisch isolierende Oberflächenbeschichtung, beispiels
weise eine Oxidschicht, tragen. Darüber hinaus ist auch die Sensorelektrode 18
gegenüber dem Sensorkopf 17 und den ringförmigen Elektroden 20 elektrisch
isoliert, z. B. ebenfalls durch eine Oxidschicht.
Sämtliche Elektroden 18 und 20 sind wiederum über abgeschirmte elektrische
Leitungen mit jeweiligen Wechselschaltern 4 (nicht dargestellt) verbunden, um
wahlweise Sensorpotential oder aktives Schirmpotential zu empfangen.
Soll mit Hilfe der in Fig. 4 gezeigten Sensoreinrichtung der Abstand eines nicht
dargestellten Werkzeugs relativ zur Oberfläche des Werkstücks 19 konstantge
halten werden, so erfolgt im allgemeinen eine Messung mit Hilfe der Sensorelek
trode 18, die dann auf Sensorpotential liegt. Die von der Sensorelektrode 18 ab
genommene Meßspannung wird mit einer vorgegebenen Spannung verglichen,
um somit den Abstand der Sensorelektrode 18 relativ zum Werkstück 19 und
damit den Abstand des Werkzeugs relativ zum Werkstück 19 konstantzuhalten.
Zu diesem Zeitpunkt befinden sich die Elektroden 20 auf aktivem Schirmpoten
tial, um eine möglichst exakte Messung des Abstands vornehmen zu können.
Ist der Sichtbereich der Sensorelektrode 18 zu klein, so kann auf einen größe
ren Sichtbereich umgeschaltet werden. Hierzu wird z. B. aktives Schirmpotential
an die Sensorelektrode 18 gelegt, während eine oder mehrere benachbarte
Ringelektroden 20 das Sensorpotential empfangen. In Fig. 4 ist der Fall darge
stellt, daß jeweils die beiden oberen und unteren Ringelektroden 20 sowie die
Sensorelektrode 18 auf aktivem Schirmpotential liegen, während nur die bei
den mittleren Ringelektroden das Sensorpotential empfangen. Der Feldlinien
verlauf ist jetzt wesentlich ausgedehnter als im Falle der Einschaltung der Sen
sorelektrode 18, wobei zusätzlich eine Richtwirkung durch die auf aktivem
Schirmpotential liegenden Ringelektroden erhalten wird.
Eine derartige Sichtbereichserweiterung wird z. B. dann durchgeführt, wenn
eine Kollisionsvorwarnung erfolgen soll. Durch das größere Sichtfeld lassen
sich frühzeitig Strukturen im Bereich der Bewegungsbahn des Sensorkopfs er
kennen, gegen die der Sensorkopf unter Umständen gefahren werden könnte.
Wird eine solche Struktur detektiert, so wird die Bewegung des Sensorkopfs un
verzüglich gestoppt oder so geändert, daß keine Kollision mehr auftreten kann.
In einem solchen Fall kann auch das Werkzeug ausgeschaltet werden, in diesem
Fall ein Laser.
Je nach zu bearbeitendem Werkstück kann ein unterschiedliches Sichtfeld für
die Kollisionsüberwachung erforderlich sein, so daß sich in Übereinstimmung
damit eine entsprechende Anzahl von Ringelektroden 20 auf Sensorpotential
legen läßt. Die Umschaltung des Sensorpotentials von der Sensorelektrode auf
eine entsprechende Anzahl von Ringelektroden und umgekehrt, kann zyklisch
bzw. periodisch erfolgen, so daß sich während der Bewegung des Sensorkopfs
17 relativ zum Werkstück 19 sowohl eine Abstandsmessung als auch eine Kolli
sionsüberwachung durchführen lassen. Zu diesem Zweck werden mit Hilfe der
Steuereinrichtung die jeweiligen Wechselschalter 4 (nicht dargestellt) über ihre
zugehörigen Steuerleitungen 7 entsprechend umgeschaltet.
In der Fig. 5 ist ein zum Sensorkopf 17 nach Fig. 4 ähnlicher Sensorkopf 17a
dargestellt, der ebenfalls düsenförmig ausgebildet ist, an seiner äußeren Um
fangsfläche aber statt der einzelnen Ringelektroden eine durchgehende Man
telelektrode 21 trägt. Genauer gesagt liegt auf einem Düsenkörper 17b des Sen
sorkopfs 17a zunächst eine Schirmelektrode 22, die permanent mit aktivem
Schirmpotential verbunden ist. Die Schirmelektrode 22 wird von der Mantele
lektrode 21 abgedeckt, wobei zwischen Schirm- und Mantelelektrode ein elek
trisch isolierendes Material 23 vorhanden ist. An der Spitze des Düsenkörpers
17b befindet sich wiederum die Sensorelektrode 18, die ihm gegenüber und ge
genüber der Mantelelektrode 21 elektrisch isoliert ist.
Sowohl die Sensorelektrode 18 als auch die Mantelelektrode 21 sind über nicht
dargestellte Leitungen mit jeweiligen Wechselschaltern verbunden, um an sie
wahlweise das Sensorpotential oder das aktive Schirmpotential anlegen zu
können. Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 5 kann somit ebenfalls wie beim
Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 eine Umschaltung des Sichtbereichs des Sen
sorkopfs erfolgen, wobei jedoch der Sichtbereich im Falle der Ansteuerung der
Mantelelektrode 21 fest vorgegeben ist, da sie nicht in mehrere Teilelektroden
unterteilt ist. Dafür läßt sich die Ausführungsform nach Fig. 5 leichter und ko
stengünstiger herstellen.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel einer kapazitiven Sensoreinrichtung nach
der Erfindung ist in der Fig. 6 gezeigt. Diese kapazitive Sensoreinrichtung weist
einen Düsenkörper 25 auf, zu dem ein Spitzenbereich 26 und ein verbleibender
Bereich 27 des Düsenkörpers 25 gehören. Der Düsenkörper 25 ist konusförmig
ausgebildet, und zwar sowohl außen wie auch innen. Lediglich das freie Ende
des Spitzenbereichs 26 weist einen hohlzylinderförmigen Verlauf auf, so daß
ein im Inneren des Düsenkörpers 25 vorhandener Düsenkanal 28 sich zur Spit
ze hin konisch verjüngt und schließlich in einen zylindrischen Kanal übergeht.
Der Spitzenbereich 26 und der verbleibende Bereich 27 des Düsenkörpers 25
sind, wie die Fig. 6 erkennen läßt, passend ineinandergesteckt und gegeneinan
der isoliert, so daß keine elektrisch leitende Verbindung zwischen ihnen vor
handen ist.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel besteht der verbleibende Bereich 27 des
Düsenkörpers 25 aus Aluminium, das oberflächeneloxiert ist. Diese Eloxal
schicht bildet die elektrische Isolation zwischen dem verbleibenden Bereich 27
und dem Spitzenbereich 26. Der Spitzenbereich 26 ist aus Messing hergestellt.
Beide Teile 26 und 27 sind fest miteinander verklebt, und zwar mittels einer
sehr dünnen Schicht eines Keramik-Klebers, was besonders vorteilhaft ist, da
dieser sehr temperaturstabil ist und zusätzlich isolierend wirkt.
Der Düsenkörper 25 ist mit seinem oberen Teil in einem hülsenförmigen Ele
ment 29 gelagert, durchragt eine zentrale Öffnung 30 des hülsenförmigen Ele
ments 29 und stützt sich mit einem nicht dargestellten äußeren Umfangs
flansch im Inneren des hülsenförmigen Elements 29 ab. Die Öffnung 30 im hül
senförmigen Element 29 ist in ihrem oberen Teil ebenfalls konisch ausgebildet,
so daß die äußere Umfangsfläche im oberen Bereich des Düsenkörpers 25 auf
ihr zu liegen kommt. Dadurch wird eine Zentrierung des Düsenkörpers 25 rela
tiv zum hülsenförmigen Element 29 erreicht. Ferner weist die zentrale Öffnung
30 in ihrem unteren und der Düsenspitze zugewandten Bereich einen zylindrischen
Verlauf auf, wobei sich dort ein Innengewinde 31 befindet.
Um den Düsenkörper 25 im hülsenförmigen Element 29 festzuklemmen, wird in
dieses von der der Düsenspitze gegenüberliegenden Seite ein Klemmelement 32
hineingeschraubt, das aus einem Innenkörper 33 und einem Außenkörper 34
besteht. Der Innenkörper 33 besteht z. B. aus Stahl und ist in seinem Inneren
derart konisch ausgebildet, daß durch ihn der Düsenkanal 28 zum oberen Ende
der Düse hin erweitert wird, wenn das Klemmelement 32 mit dem hülsenförmi
gen Element 29 verbunden ist. In diesem Zustand drückt der Innenkörper 33
auf den oberen Rand des Düsenkörpers 25 und verhindert somit ein Herausfal
len des Düsenkörpers 25 aus dem hülsenförmigen Element 29. Der Innenkörper
33 ist dabei mit dem hülsenförmigen Element 29 verschraubt, wozu ein Gewindeabschnitt
35 am äußeren Umfangsrand des Innenkörpers 33 in ein ent
sprechendes Innengewinde einer axialen Bohrung im oberen Bereich des hül
senförmigen Elements 29 greift.
Der Außenkörper 34 liegt oberhalb des Gewindeabschnitts 35 und umgibt den
Innenkörper 33 vollständig. Innenkörper 33 und Außenkörper 34 können bei
spielsweise miteinander verklebt sein, wobei der Außenkörper 34 aus elek
trisch isolierendem Material besteht. Der Außenkörper 34, der beispielsweise
aus Kunststoff hergestellt ist, weist eine zylindrische Umfangsfläche auf, die
koaxial zur Zentralachse der Düse liegt und ein Außengewinde 36 trägt. Über
dieses Außengewinde 36 ist die Düse in eine nicht dargestellte Halterung einer
Materialbearbeitungseinrichtung einschraubbar. Dabei ist die Düse gleichzei
tig gegenüber der Materialbearbeitungseinrichtung elektrisch isoliert, und
zwar aufgrund der nichtleitenden Eigenschaften des Außenkörpers 34.
Das hülsenförmige Element 29 weist ferner einen radialen Durchgangskanal 37
mit einem Innengewinde 38 auf, so daß in den radialen Durchgangskanal eine
nicht dargestellte Anschlußbuchse hineinschraubbar ist. Die Anschlußbuchse
besitzt zentrale und isolierte Innenleiter sowie einen mit einem Außengewinde
versehenen Außenleiter, wobei dieses Außengewinde in das Innengewinde 38
greift und in elektrischem Kontakt mit dem hülsenförmigen Element 29 steht.
Die Anschlußbuchse dient zum Anschluß eines geschirmten Kabels.
Eine Düsenelektrode, die z. B. aus Kupfer besteht, trägt das Bezugszeichen 39.
Die Düsenelektrode ist außen zylindrisch ausgebildet und weist einen äußeren
Umfangsflansch 40 auf. Sie ist passend in den zylindrischen Teil des Spitzenbereichs
26 eingesetzt und liegt mit ihrem äußeren Umfangsflansch 40 auf der
Stirnseite des Spitzenbereichs 26 auf. Dabei setzt ein im Inneren der Düsen
elektrode 39 verlaufender und konischer Kanal den Düsenkanal 28 bis zur Spit
ze der Düsenelektrode 39 hin fort. Der Düsenkanal 28 verjüngt sich also gleich
mäßig, ausgehend vom oberen Rand des Klemmelements 32 bis zum spitzenseitigen
Ende der Düsenelektrode 39 und geht erst im letzten Teil an der Stirnseite
der Düsenelektrode 39 in einen axialen Kanal 39a über.
Die Düsenelektrode 39 steht unmittelbar in elektrischem Kontakt mit dem Spit
zenbereich 26, so daß beide Teile auf demselben Potential liegen.
Zur Befestigung der Düsenelektrode 39 am Spitzenbereich 26 dient ein Über
wurfelement 41, das in diesem Fall als Überwurfmutter ausgebildet ist. Das
Überwurfelement 41 besteht ebenfalls aus elektrisch leitendem Material, ist je
doch gegenüber der Düsenelektrode 39 elektrisch isoliert. Hierzu trägt das
Überwurfelement eine Isolierschicht, beispielsweise eine Oberflächen-Oxid
schicht. Das Überwurfelement kann aus Aluminium hergestellt werden, so daß
die genannte Oxid- bzw. Isolierschicht eine Eloxalschicht wäre.
Ein Rand 42 des Überwurfelements 41 greift hinter den äußeren Umfangs
flansch 40 der Düsenelektrode 39 und zieht somit die Düsenelektrode 39 gegen
die Stirnseite des Spitzenbereichs 26, wenn das Überwurfelement 31 mit einem
zum hülsenförmigen Element 29 gerichteten Außengewinde in das Innengewinde
31 der zentralen Öffnung 30 eingeschraubt wird. Dabei kommt das Über
wurfelement 41 im Abstand zum Düsenkörper 25 zu liegen und umgibt dieses
vollständig.
Wie bereits erwähnt, trägt das Überwurfelement 31 eine Oberflächen-Isolier
schicht, so daß es auch gegenüber dem hülsenförmigen Element 29 elektrisch
isoliert ist, das permanent auf aktivem Schirmpotential liegt. Das Überwurfele
ment 41 ist andererseits über eine nicht dargestellte und abgeschirmte Leitung
mit einem Wechselschalter 4 verbunden, über den es wahlweise aktives
Schirmpotential oder Sensorpotential empfangen kann. Die Leitungsverbin
dung erfolgt über die genannte Steckerbuchse.
Demgegenüber sind der Spitzenbereich 26 und die Düsenelektrode 39 elek
trisch leitend miteinander verbunden. Dabei ist jedoch der Spitzenbereich 26
gegenüber dem verbleibenden Bereich 27 durch die zwischen ihnen liegende
Isolierschicht elektrisch isoliert, während die Düsenelektrode 39 gegenüber
dem Überwurfelement 41 durch die genannte Oberflächenbeschichtung des
Überwurfelements 41 im Verbindungsbereich beider Teile elektrisch isoliert
ist.
Um Sensorpotential oder aktives Schirmpotential an die Düsenelektrode 39
über den Spitzenbereich 26 legen zu können, ist der Spitzenbereich 26 mit einer
geschirmten Ader verbunden, die durch einen Bereich 43 zwischen Düsenkör
per 25 und Überwurfelement 41 bzw. Hülsenelement 39 hindurchläuft und an
der Steckerbuchse angeschlossen ist. Auch diese Ader führt zu einem Wechsel
schalter 4. Somit lassen sich wahlweise, wie auch bei den obigen Ausführungs
beispielen, Sensorpotential bzw. aktives Schirmpotential an die Düsenelektro
de 39 bzw. das Überwurfelement 41 anlegen, und zwar ganz nach den entspre
chenden Betriebsbedingungen.
Entsprechend den Fig. 7a bis 7c kann die Düsenelektrode 39 in mehrere Sekto
ren 43 unterteilt sein, wobei es im vorliegenden Fall acht Sektoren sind. Im Zen
trum liegt wieder der Düsenkanal 39a. Die Sektoren 43 sind gegeneinander
elektrisch isoliert, und zwar durch geeignete Oberflächenbeschichtungen.
Auch diese Oberflächenbeschichtungen können wiederum durch Oxidschichten
gebildet sein. Die Sektoren 43 werden dann zur Bildung der Düsenelektrode
39 miteinander verklebt. Jeweils ein Sektor 43 ist über eine eigene abgeschirmte
Leitung, die ebenfalls im Bereich 43 verläuft, mit einem Wechselschalter 4
verbunden, und zwar über die bereits genannte Steckerbuchse im Bereich 37.
Es ist somit möglich, die einzelnen Sektoren 43 wahlweise mit Sensorpotential
oder aktivem Schirmpotential zu versorgen. In diesem Fall sind die Sektoren 43
auch gegenüber dem Spitzenbereich 26 elektrisch isoliert.
Um eine Richtungsempfindlichkeit der Düsenelektrode 39 zu erhalten, können
die Sektoren 43 gruppenweise auf Sensorpotential und aktives Schirmpotential
gelegt werden, wobei in Umfangsrichtung der Düsenelektrode 39 nacheinander
verschiedene Gruppen zusammengeschaltet werden, wie die Fig. 7 erkennen
läßt. Die gestrichelt dargestellten Sektoren liegen in aufeinanderfolgenden
Zeitpunkten gemäß den Fig. 7a bis 7c jeweils auf Sensorpotential, während die
restlichen Sektoren aktives Schirmpotential empfangen. Die Fig. 7 zeigt eine
Draufsicht auf die Stirnseite der Düsenelektrode 39, so daß die Sektoren 43 in
Axialrichtung verlaufen.
Eine Modifikation der Ausführungsform nach Fig. 6 ist in Fig. 8 gezeigt. Gleiche
Elemente sind dort mit den gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 6 versehen. Ge
mäß Fig. 8 weist die Düsenelektrode 39 an ihrem einen axialen Ende ein Außengewinde
44 auf, mit dem es in ein stirnseitiges Innengewinde 45 des Überwurf
elements 41 eingeschraubt ist. Dabei wird die Düsenelektrode 39 so weit in das
Innengewinde 45 eingeschraubt, daß sie gegen die Spitze des Spitzenbereichs
26 schlägt. Wie bereits im Zusammenhang mit Fig. 6 erwähnt, sind einerseits
die Düsenelektrode 39 und das Überwurfelement 41 sowie andererseits das
Überwurfelement 41 und das hülsenförmige Element 29 elektrisch gegeneinan
der isoliert, so daß wiederum wahlweise Düsenelektrode 39 und Überwurfele
ment 41 mit Sensorpotential bzw. aktivem Schirmpotential versorgt werden
können. Da die Düsenelektrode 39 mit dem Spitzenbereich 26 elektrisch in
Kontakt steht, kann das entsprechende Potential auch an diesen Spitzenbe
reich angelegt werden. Die Leitungsverbindung zu den jeweiligen Wechsel
schaltern 4 erfolgt wie im Falle der Fig. 6.
Wie bereits im Zusammenhang mit Fig. 6 beschrieben, kann einerseits die Dü
senelektrode 39 in Sektoren unterteilt sein, um Messungen in bestimmten
Richtungen vornehmen zu können. Aber auch das Überwurfelement 41 in den
Fig. 6 und 8 kann in Sektoren unterteilt sein, z. B. in zwei Hälften. Die Untertei
lung erfolgt dabei in axialer Richtung, wie zuvor bei der Düsenelektrode 39. Die
beiden Hälften des Überwurfelements 41 können an ihrer Oberfläche vollstän
dig eloxiert und dann miteinander verklebt sein. Die beiden Hälften des Über
wurfelements lassen sich z. B. für eine Links-Rechts-Seitenregelung verwen
den, z. B. für die Mittensteuerung bei einer Kehlnaht, wobei die Hälften abwech
selnd Sensorpotential und aktives Schirmpotential empfangen. Wird an beide
Hälften gleichzeitig Sensorpotential angelegt, so können sie auch zur Höhenre
gelung herangezogen werden. Natürlich läßt sich die Überwurfmutter auch in
mehr als zwei Sektoren unterteilen, beispielsweise in vier oder mehr, um sie zur
Lochfindung oder zur Positionierung des Sensorkopfs symmetrisch zu einem
Punkt verwenden zu können.
Es sei nochmals darauf hingewiesen, daß zur Auswertung sämtlicher Meßspan
nungen, die von den jeweiligen Elektroden erhalten werden, nur eine einzige
Auswerteelektronik erforderlich ist, da die Meßspannungen mit Hilfe der Um
schalteinrichtung nacheinander der Auswerteelektronik zugeführt werden.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Sensoreinrichtung
ist in Fig. 9 dargestellt. Gleiche Elemente wie in Fig. 6 sind wiederum mit den
gleichen Bezugszeichen versehen und werden nicht nochmals beschrieben. In
Abweichung von Fig. 6 ist beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 9 die Düsenelek
trode 39 mit einem stirnseitigen Außengewinde 46 in ein axiales Innengewinde
47 des Spitzenbereichs 26 hineingeschraubt. Hierbei stehen Düsenelektrode
39 und Spitzenbereich 26 elektrisch in Kontakt miteinander, während der Spit
zenbereich 26 gegenüber dem verbleibenden Bereich 27 elektrisch isoliert ist,
und zwar durch die Verbindungsschicht zwischen beiden Teilen. Der verblei
bende Bereich 27 kann z. B. permanent auf aktivem Schirmpotential liegen.
Entsprechendes gilt für eine konusförmige Hülse 48, die im Abstand zu den Teilen
26 und 27 angeordnet ist. Sie kann ebenfalls permanent auf aktivem
Schirmpotential liegen. In die Spitze der konusförmigen Hülse 48 ist eine Ring
elektrode 49 eingesetzt, beispielsweise über ein koaxiales Gewinde einge
schraubt. Die Ringelektrode 49 ist gegenüber der Hülse elektrisch isoliert und
trägt beispielsweise auf ihrer gesamten Oberfläche, auch im Bereich des even
tuell vorhandenen Gewindes, eine elektrisch isolierende Schicht, z. B. eine Elo
xalschicht. Dabei umgreift die Ringelektrode 49 das obere Ende der Düsenelek
trode 39, schirmt also den schlanken Hals der Düsenelektrode 39 nach außen
ab. Das aktive Schirmpotential wird über eine Leitung L1 direkt zur Hülse 48
geführt, während die Ringelektrode 49 und der Spitzenbereich 26 jeweils über
Leitungen L2 und L3 mit je einem Wechselschalter 4 verbunden sind, um an
diese Elemente 49, 26 wahlweise aktives Schirmpotential oder Sensorpotential
anlegen zu können. Auch die Düsenelektrode 39 kann bis auf ihr Außengewinde
46 mit einer Eloxalschicht versehen sein, so daß sich mit Sicherheit Kurz
schlüsse im Bereich zwischen Düsenelektrode 39 und Ringelektrode 49 verhin
dern lassen.
Claims (20)
1. Kapazitive Sensoreinrichtung mit einem Sensorkopf, der eine Elektrode
trägt, an die ein Sensorpotential anlegbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß
- - der Sensorkopf (1, 10, 13, 17, . . .) wenigstens eine benachbart zur Elektrode (2, 12, 14, 18, 39) liegende weitere Elektrode (2, 12, 14, 21, 41, 49) trägt und
- - eine Umschalteinrichtung (4 bis 8) vorhanden ist, um wahlweise das Sensor potential oder ein Schirmpotential an die einzelnen Elektroden anlegen zu können.
2. Kapazitive Sensoreinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß das Schirmpotential ein aktives Schirmpotential ist.
3. Kapazitive Sensoreinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Sensorkopf (1, 13) mehrere entlang einer Linie angeord
nete Elektroden (2, 14) trägt.
4. Kapazitive Sensoreinrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Sensorkopf (10, 13, 17) mehrere Elektroden (12, 14, 20)
entlang von parallel zueinander verlaufenden Linien trägt.
5. Kapazitive Sensoreinrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Linien Geraden sind.
6. Kapazitive Sensoreinrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Linien Kreislinien sind.
7. Kapazitive Sensoreinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeich
net, daß die Elektroden (2, 12) auf einer ebenen Oberfläche des Sensorkopfs (1,
10) angeordnet sind.
8. Kapazitive Sensoreinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Elektroden (14, 20) auf der gekrümmten Umfangsfläche eines kugel-,
halbkugel-, kegel- oder zylinderförmigen Sensorkopfs (. . ., 13, 17, . . .) und
koaxial zu diesem angeordnet sind.
9. Kapazitive Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 8, da
durch gekennzeichnet, daß die Gruppen von Elektroden in einen auf Schirm
potential liegenden Sensorkopfteil eingebettet und ihm gegenüber elektrisch
isoliert sind.
10. Kapazitive Sensoreinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß eine der Elektroden (18, 39) als eine an der Spitze eines dü
senförmigen Sensorkopfs liegende Sensorelektrode und eine andere der Elek
troden als Ringelektrode (20, 41, 49) ausgebildet ist, die oberhalb der Sensore
lektrode liegt.
11. Kapazitive Sensoreinrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Sensorelektrode (39) über die Ringelektrode (41) am Sensor
kopf befestigt und zwischen beiden Elektroden eine Isolationsschicht vorhan
den ist.
12. Kapazitive Sensoreinrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Sensorelektrode (39) in mehrere in Umfangsrichtung
liegende Sensorelektrodensegmente (43) unterteilt ist, welche gegeneinander
elektrisch isoliert sind.
13. Kapazitive Sensoreinrichtung nach Anspruch 10, 11 oder 12, dadurch
gekennzeichnet, daß die Ringelektrode (41, 49) in mehrere in Umfangsrich
tung liegende Ringelektrodensegmente unterteilt ist, welche gegeneinander
elektrisch isoliert sind.
14. Kapazitive Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, da
durch gekennzeichnet, daß die Ringelektrode (41) als Überwurfmutter ausge
bildet ist.
15. Kapazitive Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, da
durch gekennzeichnet, daß die Ringelektrode (41, 49) an einem auf Schirmpotential
liegenden Teil (29, 48) des Sensorkopfs befestigt und gegenüber dem ge
nannten Teil (29, 48) elektrisch isoliert ist.
16. Kapazitive Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, da
durch gekennzeichnet, daß die Sensorelektrode (39), die Sensorelektroden
segmente (43), die Ringelektrode (41, 49) und die Ringelektrodensegmente eine
elektrisch isolierende Oberflächenbeschichtung tragen.
17. Kapazitive Sensoreinrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Oberflächenbeschichtung eine Oxidschicht ist.
18. Kapazitive Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, da
durch gekennzeichnet, daß die Umschalteinrichtung mit den jeweiligen Elek
troden bzw. Elektrodensegmenten verbundene Wechselschalter (4) aufweist.
19. Kapazitive Sensoreinrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Wechselschalter (4) CMOS-Schalter sind.
20. Kapazitive Sensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 19, da
durch gekennzeichnet, daß sie einen Verstärker mit dem Verstärkungsgrad
V = 1 aufweist, der an seinem Eingang das Sensorpotential empfängt und an
seinem Ausgang das aktive Schirmpotential liefert.
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