DE4038003A1 - Sinterwerkstoff auf si(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts)n(pfeil abwaerts)4(pfeil abwaerts)-basis sowie verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Sinterwerkstoff auf si(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts)n(pfeil abwaerts)4(pfeil abwaerts)-basis sowie verfahren zu seiner herstellung

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Sinterwerkstoff auf Si3N4-Basis, der MgO und gegebenenfalls weitere Sin­ teradditive enthält sowie Verfahren zur Herstellung dieses Sinterwerkstoffes.
Zur Herstellung dichter Si3N4-Werkstoffe (mit Dichten 96% der theoretischen Dichte) bedarf es des Zusatzes geeigneter Additive, die während der Wärmebehandlung zur Verdichtung der Pulverformkörper (Sintern unter atmo­ sphärischem oder erhöhtem Gasdruck, Heißpressen, heiß­ isostatisches Pressen) zur Ausbildung einer flüssigen Phase beitragen und somit eine Verdichtung nach den be­ kannten Mechanismen des Flüssigphasensinterns ermögli­ chen. Derartige Additive sind Oxide oder Oxidmischungen, die bei den üblicherweise angewandten Sintertemperaturen mit dem in Si3N4-Ausgangspulvern immer vorhandenen Sau­ erstoff (betrachtet als SiO2) eine stabile silikatische oder oxinitridische Schmelzphase ausbilden, die Si3N4 gut benetzt und in der Si3N4 eine gewisse Löslichkeit aufweist. Neben den Oxiden kommen auch Nitride, Carbide, Boride oder Silicide zum Einsatz, einerseits unter dem Aspekt, den N-Gehalt der flüssigen Phase anzuheben, worin allgemein Vorteile hinsichtlich der Hochtempera­ tureigenschaften gesehen werden, andererseits mit der Zielsetzung, durch Inkorporation weiterer kristalliner Sekundärphasen in das Si3N4-Matrixmaterial die mechani­ schen Eigenschaften, bevorzugt bei Raumtemperatur, posi­ tiv zu beeinflussen.
Ein häufig verwendetes Sinteradditiv ist MgO, sowohl allein als auch in Kombination mit weiteren Zusätzen oder als Verbindung (DE-A 28 55 859, DE-A 23 53 093, DE-A 23 02 438, DE-A 29 45 146). Von technischer Rele­ vanz ist diesbezüglich bisher nur die Zumischung der Additive in Pulverform. Ein- bzw. Auffällungen werden zwar in der Literatur genannt, führen aber bisher nach­ weislich zu keinen Vorteilen bezüglich der erzielbaren Werkstoffeigenschaften und/oder der Verfahrenskosten.
Aber auch die Verwendung von pulverförmigem MgO- oder von MgO-Verbindungen bereitet Schwierigkeiten, vor allem, wenn unter der Zielsetzung, ein preßfähiges Granulat durch Sprühtrocknen oder eine Formgebung mittels Schlickerguß auszuführen, auf wäßriger Basis gearbeitet werden muß.
Die Schwierigkeiten sind:
  • - MgO hydratisiert und hydrolysiert in wäßrigen Sus­ pensionen während der Aufbereitung, was beim Sprüh­ trocknen zu sehr harten Granulaten führt, die beim Verpressen nicht mehr vollständig zerstört werden und somit festigkeitslimitierende Defekte in den gesinterten Teilen ausbilden.
  • - Aufgrund des hohen isoelektrischen Punktes von MgO (pH <11) muß, um Koagulation beim Einbringen von MgO in Si3N4-Basisschlickern zu vermeiden, mit sehr hohen pH-Werten < 11 gearbeitet werden, was zu vielfältigen technischen Schwierigkeiten führt, u. a. starke Korrosion von Gipsformen.
  • - Die MgO-Hydrolyse führt bei Schlickern zu einem starken Ansteifen, so daß die Verarbeitung durch Schlickerguß praktisch nicht mehr möglich ist.
Eine prinzipielle Vermeidung des Problems ergibt sich bei Verwendung nicht wäßriger Suspensionsmedien, was je­ doch zu außerordentlich starken technischen Erschwer­ nissen führt und umfangreiche verfahrenstechnische Maß­ nahmen erfordert. Zur Umgehung dieser Probleme wird häufig das MgO nicht als reines Oxid, sondern als Ver­ bindung, z. B. Mg-Spinell, MgAl2O4 oder Cordierit 2 MgO · 2 Al2O3 · 5 SiO2 eingebracht. Neben nur graduell möglichen Verbesserungen bezüglich des pH- Wertes, des isoelektrischen Punktes und der Hydrat­ ationsneigung hat dieses Verfahren auch den Nachteil, daß man bezüglich des MgO/Rest-MeO-Verhältnisses stark eingeengt ist.
Auch erfüllt das Festigkeitsniveau der nach diesen Ver­ fahren hergestellten Sinterwerkstoffe nicht die immer höheren Ansprüche, die an solche Werkstoffe gestellt werden.
Aufgabe dieser Erfindung ist daher die Bereitstellung eines Werkstoffes, der diese Anforderungen erfüllt.
Diese Anforderungen werden erfüllt durch einen Sinter­ werkstoff auf Si3N4-Basis, der MgO und gegebenenfalls weitere Sinteradditive enthält, der dadurch gekennzeich­ net ist, daß er nach dem Sintern ein Festigkeitsniveau bei Raumtemperatur von 800 MPa (Vierpunkt-Methode) bei einem Weibullmodul von 15 aufweist. 800 MPa (Vierpunkt­ methode -DIN Entwurf 51 190) entsprechen ca. 950 MPa (Dreipunktmethode). Bevorzugt beträgt der Anteil an MgO 0,5 bis 10 Gew.-%, bezogen auf die Zusammensetzung des Werkstoffes. Besonders gute Eigenschaften weisen auch erfindungsgemäße Werkstoffe auf, die als weitere Sinteradditive Oxide, wie Al2O3, SiO2, Sc2O3, Y2O3, La2O3 und andere SE-Oxide, TiO2, ZrO2, HfO2 und/oder Nitride, wie AlN, BN, TiN, ZrN, HfN und/oder Carbide, wie Al4C3, B4C, SiC, TiC, ZrC und/oder Boride, wie TiB2 und/oder Silicide, wie MoSi2 in Mengen von 0,5 bis 20 Gew.-%, bezogen auf die Zusammensetzung des Werkstoffes, enthalten. Besonders bevorzugte weitere Sinteradditive sind dabei eines oder mehrere aus der Gruppe der Übergangsmetallnitride und/oder AlN. Besonders wirksam sind als weitere Sinteradditive AlN und/oder TiN.
Gegenstand dieser Erfindung sind auch Verfahren, nach denen die erfindungsgemäßen Sinterwerkstoffe hergestellt werden können.
Ein solches Verfahren zur Herstellung der erfindungsge­ mäßen Sinterwerkstoffe ist dadurch gekennzeichnet, daß MgO und gegebenenfalls weitere Sinteradditive mit einem Si3N4-Pulver vermischt, in sauerstoff-freier Atmosphäre geglüht, aufgemahlen und dann diese Vorsynthesemischung dem restlichen, nicht geglühten Si3N4-Pulver zugesetzt und diese Mischung zum Sinterwerkstoff weiterverarbeitet wird.
Dieses Verfahren kann zum Beispiel so durchgeführt wer­ den, daß das MgO mit gegebenenfalls weiteren Sinteraddi­ tiven zunächst zusammen mit einem Teil Si3N4 in einer wasserfreien organischen Flüssigkeit oder trocken vorge­ mahlen werden. Als organische Flüssigkeiten sind Aceton, Alkohole, Hexan, Benzin oder ähnliche geeignet. An­ schließend wird diese Mischung, gegebenenfalls nach er­ forderlicher Entfernung der organischen Flüssigkeit und Trocknung, bei Temperaturen von bevorzugt 1300°C bis 1700°C und vorzugsweise 30 Minuten bis zu 5 Stunden im Vakuum, Stickstoff oder anderen Inertgasen geglüht. Überraschenderweise nimmt die Hydrolyseneigung in H2O nach einer solchen Vorbehandlung markant ab.
Desweiteren verschiebt sich der IEP (isoelektrischer Punkt) solcher Glühsynthesen in H2O in Bereiche um pH = 7, so daß eine gute Übereinstimmung mit Si3N4 er­ reicht wird. Dies erlaubt eine Schlickerherstellung bei deutlich niedrigerem pH-Wert unter Ausschaltung der oben aufgeführten technischen Schwierigkeiten. Somit ist eine derartige Vorsynthese ein geeigneter Weg, Sinteransätze mit MgO als Additiv (und gegebenenfalls weiterer Zusät­ ze) sowohl für die Sprühtrocknung zu Preßgranulat als auch zu Schlickern für das Gießverfahren herzustellen unter Ausschaltung der oben aufgeführten technischen Schwierigkeiten.
Es zeigt sich weiterhin, daß durch Anpassung der Glüh­ bedingungen dieser Effekt nicht nur bei Zusatz von MgO alleine zu Si3N4-Pulvern eintritt, sondern daß das Ver­ fahren in entsprechender Weise auf Mischungen von MgO mit anderen Oxiden, wie Al2O3, SiO2, Sc2O3, La2O3 und der weiteren SE-Oxide, TiO2, ZrO2, HfO2 und deswei­ teren auf nichtoxidische Zusätze anwenden läßt. Die letztere Gruppe umfaßt dabei Carbide, wie SiC, B4C, Al4C3, TiC, ZrC, Nitride, wie BN, AlN, TiN, ZrN, HfN, Boride, wie z. B. TiB2 oder auch Silicide, wie z. B. MoSi2. In all diesen Fällen kann die Hydrolyse nach der erfindungsgemäßen Vorbehandlung soweit reduziert wer­ den, daß stabile Schlicker bei pH-Werten < 10 hergestellt werden können sowie die Ausbildung übermäßig harter Agglomerate nach dem Sprühtrocknen vermieden wird.
Eine bevorzugte Variante des erfindungsgemäßen Verfah­ rens ist somit dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatz der Vorsynthesemischung zum restlichen Si3N4-Pulver in wäßrigem Medium mit anschließendem Sprühtrocknen er­ folgt.
Eine andere ebenso vorteilhafte Variante besteht darin, daß der Zusatz der Vorsynthesemischung zum restlichen Si3N4-Pulver in wäßrigem Medium mit anschließendem Schlickergießen erfolgt.
In der EP-A 00 80 711 wird zwar bereits ein Verfahren beschrieben, bei dem sowohl das Si3N4-Ausgangspulver als auch eine Mischung aus Si3N4 und Sinteradditiven bei Temperaturen zwischen 1450 und 1800°C in nichtoxidie­ render Atmosphäre vorgeglüht wird. Als Ziel wird hierbei angegeben, den SiO2-Gehalt des Si3N4-Pulvers zu reduzie­ ren, was letztlich zu den guten Hochtemperatureigen­ schaften führen soll. Eine derartige Vorbehandlung des Si3N4-Rohstoffs verändert jedoch die physikalisch­ chemische Oberflächenbeschaffenheit des Si3N4-Pulvers derart, daß eine Weiterverarbeitung in Form wäßriger Suspensionen ausgeschlossen ist. Das Si3N4-Pulver wird in der Dispergierbarkeit verändert und unterliegt infolge einer fehlenden SiO2-Passivierungsschicht auf der Oberfläche einer starken Hydratation. Somit konnen derart vorbehandelte Ansätze nicht nach dem erfindungsgemäßen Verfahren der Erstellung wäßriger Suspensionen zum Schlickerguß oder Sprühtrocknen verarbeitet werden.
Derartige Vorsynthesen können somit ungeglühten reinen Si3N4-Pulvern als Sinteradditiv zugesetzt werden. Offen­ sichtlich aufgrund der Tatsachen, daß die Vorsynthesen bereits einen hohen Grad an Homogenität hinsichtlich der Verteilung Additive-Si3N4 aufweisen und daß bei Verwen­ dung dieser Vorsynthesen eine größere Zusatzmenge in eine entsprechend verminderte Menge Si3N4-Pulvervorlage eingearbeitet werden muß, da erstere bereits einen Teil des für die Gesamtzusammensetzung vorgesehenen Si3N4-An­ teils einbringen, kann eine deutlich bessere Gesamthomo­ genität erzielt werden als bei Ansätzen, die durch Zu­ satz der reinen Ausgangskomponenten erstellt werden.
Der Anteil der Vorsynthesemischung kann in relativ weiten Grenzen variieren. Je nach dem gewünschten Additivgehalt im Sinterkörper und dem gewählten Additiv- Si3N4-Verhältnis im Vorsyntheseprodukt beträgt die Zusatzmenge 5 bis 40 Gew-%, bezogen auf die Gesamtmischung. Das Additiv-Si3N4-Verhältnis im Vorsyntheseprodukt kann ohne Beeinträchtigung der Wirksamkeit gewichtsbezogen zwischen 4 : 1 bis 1 : 4 variiert werden.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Ansätze weisen nach einer Sinterung, die zur weitgehen­ den Verdichtung führte (Sinterdichte 96% der theore­ tischen Dichte) eine Raumtemperaturbiegefestigkeit von <800 MPa (Vierpunkt-Methode) bei einem Weibullmodul von 15 auf, während Vergleichsansätze auf Basis nicht vorsynthetisierter Additivmischungen aufgrund des oben beschriebenen, durch harte Agglomerate induzierten Fehlertyps dieses Festigkeitsniveau nicht erreichten.
Im folgenden wird die Erfindung beispielhaft erläutert, ohne daß hierin eine Einschränkung zu sehen ist.
Beispiele Beispiel 1
Verglichen werden Sinteransätze, die jeweils 2,5 Gew.-% MgO als Sinteradditiv enthalten. Dabei wurde der erfin­ dungsgemäße Ansatz A wie folgt aufbereitet:
Mahlung einer Mischung von 50 Gew.-% MgO und 50 Gew.-% Si3N4 in Isopropanol mittels Fliehkraftkugelmühle, 10 h (Mindestfeinheit 10 m2/g); Eindampfen, Siebgranulieren, Glühen in N2 bei 1500°C, 1 h; Mörsern des Synthesepro­ duktes; Zusatz von 5 Gew.-% des Syntheseproduktes zu 95 Gew.-% eines sinterfähigen Si3N4-Pulvers mit einer spezifischen Oberfläche von 15 m2/g und einer Gesamt­ menge an metallischen Verunreinigungen von 0,5 Gew.-%; Mahlung mittels Fliehkraftkugelmühle in H2O bei pH = 9, eingestellt mittels NH4OH (und gegebenenfalls Zusatz geeigneter Dispergier- und/oder Preßhilfsmittel) und einem Feststoffgehalt von 60 Gew.-%, 10 h; Sprühtrock­ nen, Verpressen zu Platten geeigneter Größe zur Herstellung von Festigkeitsprüfkörpern der Abmessung 3×4×45 mm.
Der Vergleichsansatz B wurde aufbereitet, indem die A entsprechende Menge von 2,5 Gew.-% MgO als MgO-Pulver zu 97,5 Gew.-% des identischen Si3N4-Pulvers zugesetzt wurde. Dieser Ansatz wurde wie Ansatz A als wäßriger Schlicker mit 60% Feststoff bei pH = 10 mittels Flieh­ kraftkugelmühle 10 h gemahlen und entsprechend Ansatz A nachbehandelt.
Die röntgenographische Phasenanalyse des bei Ansatz A eingesetzten Syntheseproduktes ergab ca. 45% α-Si3N4, ca. 5% β-Si3N4, ca. 20% MgO, Rest unidentifizierbare kleine Reflexe, vielfach nahe den Reflexen von Forsterit Mg2SiO4.
Die Bestimmung der elektrokinetischen Mobilität des bei A eingesetzten Syntheseproduktes in einer 0.001 n KNO3- Lösung ergab in Abhängigkeit vom pH-Wert (eingestellt durch Zusatz von HNO3/KOH) einen stetigen Kurvenzug mit einem IEP bei pH = 7 (im Gegensatz zum reinen MgO bei pH∼13).
Die Bestimmung der Extrahierbarkeit von MgO aus dem bei Ansatz A eingesetzten Syntheseprodukt ergab bei pH = 10 0,96% MgO, bei reinem MgO (eingesetzt bei Ansatz B) unter identischen Bedingungen jedoch 18% MgO.
Somit weist das Syntheseprodukt einen technisch viel günstigeren IEP und eine technisch bedeutsame Verbesse­ rung der Hydrolysebeständigkeit gegenüber reinem MgO auf.
Die aus den Ansätzen A und B hergestellten Proben wur­ den, eingebettet in eine Pulvermischung aus 67,5 Gew.-% Si3N4 + 2,5 Gew.-% MgO + 30 Gew.-% BN bei 1850°C, 1 h unter 100 bar N2 (Enddruck) Gasdruckgesintert. Dabei wurden folgende Ergebnisse erzielt:
Somit wird mit dem erfindungsgemäßen Werkstoff A eine deutliche Steigerung des Festigkeitsniveaus bei gleich­ zeitig verminderter Streuung der Meßwerte, charakteri­ siert durch den markant besseren Weibull-Modul erreicht, was auf die bessere Homogenität des Werkstoffes A zu­ rückzuführen ist.
Beispiel 2
Hierbei werden folgende Ansätze verglichen, wobei die Aufbereitung identisch dem in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren erfolgte:
Die Analyse der Syntheseprodukte ergab im Vergleich zu den Reinsubstanzen folgende Ergebnisse:
Aus den Ansätzen C bis F wurden, wie im ersten Beispiel, Proben hergestellt und im Pulverbett bei 1820°C, 2h, 1 bar N2 gesintert. Hierbei ergaben sich folgende Ergeb­ nisse:
Somit erreichen auch hier die erfindungsgemäßen Werk­ stoffe C und E markant bessere Eigenschaften als die jeweiligen Vergleichsansätze.
Beispiel 3
In diesem Beispiel werden Ansätze verglichen, die bis zu drei verschiedene oxidische, nitridische oder carbi­ dische Zusätze umfaßten.
Die folgende Tabelle zeigt die Extrahierbarkeit und die IEP- Werte der eingesetzten reinen Stoffe bei pH 10; ermittelt wie in Beispiel 1 beschrieben.
Die Extrahierbarkeit und die IEP- Werte der bei den Ansätzen G, I, K und M eingesetzten Syntheseprodukte sind in der folgenden Tabelle zusammengestellt. Auf die Auflistung der Ergebnisse der röntgenographischen Phasenanalyse wird hierbei verzichtet, da sich neben leicht variierenden α/β-Si3N4-Anteilen und einem Rest TiN bei (M) nur unidentifizierbare Reflexe zeigten.
Aus diesen beiden Tabellen ist ersichtlich, daß durch die Vorsynthese die Hydrolyseneigung der Additivkompo­ nenten markant reduziert wird. Desweiteren zeigen die Ansätze einen stetigen Verlauf der elektrokinetischen Beweglichkeit in Abhängigkeit vom pH-Wert mit isoelek­ trischen Punkten zwischen 7 und 8. Vergleichsansätze zeigten dagegen unstetige, meist mehrgipfelige Verläufe ohne eindeutigen IEP, was sich auch in äußerst hochvis­ kosen Schlickern äußert, die außerdem eine starke Zeit­ abhängigkeit der Viskosität aufweisen.
In der folgenden Tabelle sind Ergebnisse von Sinterver­ suchen und von Festigkeitsbestimmungen zusammengestellt:
Auch diese Beispiele zeigen, daß mit dem Verfahren der Vorsynthese der Additivmischungen Werkstoffe erhalten werden können, die erfindungsgemäß deutlich bessere Eigenschaften aufweisen als Vergleichswerkstoffe, herge­ stellt nach dem konventionellen Verfahren des Mischens der reinen Ausgangsstoffe.

Claims (10)

1. Sinterwerkstoff auf Si3N4-Basis, der MgO und gegebenenfalls weitere Sinteradditive enthält, dadurch gekennzeichnet, daß er nach dem Sintern ein Festigkeitsniveau bei Raumtemperatur von 800 MPa (Vierpunkt-Methode) bei einem Weibull­ modul von < 15 aufweist.
2. Sinterwerkstoff gemäß Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Anteil an MgO 0,5 bis 10 Gew.-% beträgt.
3. Sinterwerkstoff gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß er als weitere Sinteradditive Oxide, wie Al₂O3, SiO2, Sc2O3, Y2O3, La2O3 und andere SE-Oxide, TiO2, ZrO2, HfO2 und/oder Nitride, wie AlN, BN, TiN, ZrN, HfN und/oder Carbide, wie Al4C3, B4C, SiC, TiC, ZrC und/oder Boride, wie TiB2 und/oder Silicide, wie MoSi2 in Mengen von 0,5 bis 20 Gew.-% enthält.
4. Sinterwerkstoff gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die weiteren Sinteradditive eines oder mehrere aus der Gruppe der Übergangsmetallnitride und/oder AlN sind.
5. Sinterwerkstoff gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die weiteren Sinteradditive AlN und/oder TiN sind.
6. Verfahren zur Herstellung von Sinterwerkstoffen gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß MgO und gegebenenfalls weitere Sinteradditive mit einem Si3N4-Pulver ver­ mischt, in sauerstoff-freier Atmosphäre geglüht, aufgemahlen und dann diese Vorsynthesemischung dem restlichen nicht geglühten Si3N4-Pulver zugesetzt wird, diese Mischung zum Sinterwerkstoff weiterver­ arbeitet wird.
7. Verfahren gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatz der Vorsynthesemischung zum restli­ chen Si3N4-Pulver in wäßrigem Medium mit anschlie­ ßendem Sprühtrocknen erfolgt.
8. Verfahren gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatz der Vorsynthesemischung zum restli­ chen Si3N4-Pulver in wäßrigem Medium mit anschlie­ ßendem Schlickergießen erfolgt.
9. Verfahren gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil der Vorsynthesemischung in der Gesamtmischung 5 bis 40 Gew.-% beträgt.
10. Verfahren gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Gewichts­ verhältnis von Si3N4 und Sinteradditiven in der Vorsynthesemischung 4 : 1 bis 1 : 4 beträgt.
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JP3334589A JP2981042B2 (ja) 1990-11-29 1991-11-25 Si3N4に基づく焼成材料及びその製造方法
GB9125043A GB2251627B (en) 1990-11-29 1991-11-26 A process for the production of a sintered material based on Si3N4
FR919114707A FR2669919B1 (fr) 1990-11-29 1991-11-28 Materiau fritte a base de si3n4 et son procede de production.
US07/995,328 US5362691A (en) 1990-11-29 1992-12-23 Sintered material based on Si3 N4 and processes for its production

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19754235C2 (de) * 1997-07-01 2001-11-15 Fct Systeme Der Strukturkerami Verfahren zur Herstellung eines Kochfeldes mit mindestens einer eingesetzten Kochplatte aus Keramik und Kochfeld mit Kochplatte, das nach dem Verfahren hergestellt ist
DE4401589C5 (de) * 1993-01-22 2008-02-14 Ngk Insulators, Ltd., Nagoya Siliziumnitridkeramik und Verfahren zur Herstellung der Nitridkeramik

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2116395T3 (es) * 1992-12-23 1998-07-16 Hoechst Ag Material ceramico de nitruro de silicio resistente a altas temperaturas y procedimiento para su fabricacion.
JP4346151B2 (ja) * 1998-05-12 2009-10-21 株式会社東芝 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびそれを用いた回路基板並びに集積回路
JP3401560B2 (ja) * 2000-01-14 2003-04-28 独立行政法人物質・材料研究機構 スピネル型窒化ケイ素粉末の合成法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2302438A1 (de) * 1972-01-20 1973-07-26 Norton Co Dichte siliciumnitrid-gegenstaende und verfahren zu deren herstellung
DE2353093A1 (de) * 1972-10-24 1974-05-02 Toyoda Chuo Kenkyusho Kk Verfahren zur herstellung von gesinterter keramik auf siliziumnitridbasis
DE2855859A1 (de) * 1977-12-23 1979-07-05 Fiat Spa Verfahren zur herstellung eines gesinterten siliciumnitrid-gegenstands
DE2945146A1 (de) * 1978-11-08 1980-05-29 Battelle Memorial Institute Sintermasse auf der basis von siliziumnitrid
EP0080711B1 (de) * 1981-11-26 1987-03-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Herstellung von Sinterkörper auf der Basis von Siliziumnitrid
DE3800536A1 (de) * 1987-01-12 1988-07-28 Ngk Insulators Ltd Verfahren zur herstellung keramischer siliziumnitrid-gegenstaende
EP0339107A1 (de) * 1988-04-26 1989-11-02 BRG Mechatronikai Vállalat Kupplungsanordnung, insbesondere zum Antrieb der Magnetbandspindel von Magnetbandaufnahme- und/oder Abspielgeräten
DE3824835A1 (de) * 1988-07-21 1990-01-25 Kempten Elektroschmelz Gmbh Verfahren zur herstellung von gruenkoerpern durch formgebung von sinterfaehigen keramischen massen auf basis von siliciumnitrid
DE3939989A1 (de) * 1988-12-03 1990-07-05 Ngk Spark Plug Co Siliziumnitridgrundstoff-sinterkoerper

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1301083A (en) * 1968-12-05 1972-12-29 Secr Defence Improvements in or relating to rotary piston engines
US3836374A (en) * 1972-01-20 1974-09-17 Norton Co Hot pressed silicon nitride
US4004937A (en) * 1972-10-24 1977-01-25 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Method for producing a sintered silicon nitride base ceramic and said ceramic
IT1117334B (it) * 1977-12-23 1986-02-17 Fiat Spa Procedimento per la sinterizazzione di nitruro di silicio reaction bonded
JPS55116671A (en) * 1979-02-27 1980-09-08 Tokyo Shibaura Electric Co Manufacture of silicon nitride sintered body
US4777822A (en) * 1981-02-05 1988-10-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of hot rolling copper
JPS5841770A (ja) * 1981-09-01 1983-03-11 株式会社東芝 セラミツクス焼結体及びその製造方法
JPS58151371A (ja) * 1982-02-25 1983-09-08 住友電気工業株式会社 窒化珪素焼結体の製造法
JPS59501630A (ja) * 1982-09-30 1984-09-13 フオ−ド モ−タ− カンパニ− その後の圧密のための粉末成分の製造方法
DE3443817A1 (de) * 1983-12-02 1985-06-27 Director General of Agency of Industrial Science and Technology Itaru Todoriki, Tokio/Tokyo Verfahren zur herstellung von keramik
US4628039A (en) * 1984-03-06 1986-12-09 Kyocera Corporation Sintered silicon nitride body
JPS6144770A (ja) * 1984-08-10 1986-03-04 宇部興産株式会社 窒化珪素質焼結体の製法
US4764490A (en) * 1985-04-08 1988-08-16 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process for preparation of sintered silicon nitride
US4892848A (en) * 1985-07-30 1990-01-09 Kyocera Corporation Silicon nitride sintered body and process for preparation thereof
US4652276A (en) * 1986-03-10 1987-03-24 Gte Valeron Corporation High toughness silicon nitride cutting tools
DE3662872D1 (en) * 1986-11-25 1989-05-24 Battelle Memorial Institute Pulverulent silicon nitride composition reinforced with silicon carbide whiskers and its use for the manufacturing of sintered parts
US4820665A (en) * 1986-12-16 1989-04-11 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic sintered bodies and a process for manufacturing the same
JPS63310785A (ja) * 1987-06-12 1988-12-19 Nkk Corp 窒化ケイ素焼結体の製造方法
US4943401A (en) * 1987-12-21 1990-07-24 Eaton Corporation Process for making silicon nitride articles

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2302438A1 (de) * 1972-01-20 1973-07-26 Norton Co Dichte siliciumnitrid-gegenstaende und verfahren zu deren herstellung
DE2353093A1 (de) * 1972-10-24 1974-05-02 Toyoda Chuo Kenkyusho Kk Verfahren zur herstellung von gesinterter keramik auf siliziumnitridbasis
DE2855859A1 (de) * 1977-12-23 1979-07-05 Fiat Spa Verfahren zur herstellung eines gesinterten siliciumnitrid-gegenstands
DE2945146A1 (de) * 1978-11-08 1980-05-29 Battelle Memorial Institute Sintermasse auf der basis von siliziumnitrid
EP0080711B1 (de) * 1981-11-26 1987-03-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Herstellung von Sinterkörper auf der Basis von Siliziumnitrid
DE3800536A1 (de) * 1987-01-12 1988-07-28 Ngk Insulators Ltd Verfahren zur herstellung keramischer siliziumnitrid-gegenstaende
EP0339107A1 (de) * 1988-04-26 1989-11-02 BRG Mechatronikai Vállalat Kupplungsanordnung, insbesondere zum Antrieb der Magnetbandspindel von Magnetbandaufnahme- und/oder Abspielgeräten
DE3824835A1 (de) * 1988-07-21 1990-01-25 Kempten Elektroschmelz Gmbh Verfahren zur herstellung von gruenkoerpern durch formgebung von sinterfaehigen keramischen massen auf basis von siliciumnitrid
DE3939989A1 (de) * 1988-12-03 1990-07-05 Ngk Spark Plug Co Siliziumnitridgrundstoff-sinterkoerper

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4401589C5 (de) * 1993-01-22 2008-02-14 Ngk Insulators, Ltd., Nagoya Siliziumnitridkeramik und Verfahren zur Herstellung der Nitridkeramik
DE19754235C2 (de) * 1997-07-01 2001-11-15 Fct Systeme Der Strukturkerami Verfahren zur Herstellung eines Kochfeldes mit mindestens einer eingesetzten Kochplatte aus Keramik und Kochfeld mit Kochplatte, das nach dem Verfahren hergestellt ist

Also Published As

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