DE69615944T2 - Siliziumnitrid-Sinterkörper hoher Festigkeit - Google Patents

Siliziumnitrid-Sinterkörper hoher Festigkeit

Info

Publication number
DE69615944T2
DE69615944T2 DE69615944T DE69615944T DE69615944T2 DE 69615944 T2 DE69615944 T2 DE 69615944T2 DE 69615944 T DE69615944 T DE 69615944T DE 69615944 T DE69615944 T DE 69615944T DE 69615944 T2 DE69615944 T2 DE 69615944T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon nitride
sintered body
nitride sintered
halogen element
powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69615944T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69615944D1 (de
Inventor
Toshihiko Honda
Hisayoshi Nonaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Publication of DE69615944D1 publication Critical patent/DE69615944D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69615944T2 publication Critical patent/DE69615944T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/584Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Siliziumnitrid-Sinterkörper mit verbesserter Festigkeit nahe Raumtemperatur sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumnitrid-Sinterkörpers.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Siliziumnitrid-Sinterkörper haben in letzter Zeit aufgrund ihrer hohen Festigkeit und chemischen Stabilität Aufmerksamkeit erregt, und ihre Verwendung in mechanischen Teilen und dergleichen ist ausgeweitet worden. Aufgrund dieser gesteigerten Verwendung werden die Wirkungen von in Siliziumnitrid-Sinterkörpern enthaltenen Verunreinigungen auf ihre Eigenschaften häufig untersucht.
  • Als eines der Ergebnisse aktueller Untersuchungen beschreibt das Protokoll des 1993 Annual Meeting of JAPAN Ceramic Society "The Effect of Halogen Impurities in Raw Powder on Mechanical Properties of Si&sub3;N&sub4; Sintered Bodies" (m. Asayama, A. Tsuge, S. Kanzaki, K. Watari, K. Isozaki, H. Hiroturu), dass Halogenelemente (Fluor, Chlor), die in Siliziumnitrid-Sinterkörpern enthalten sind, zu geringerer Hochtemperaturfestigkeit (Biegefestigkeit bei 1.250ºC) führen.
  • Der Artikel "High-Temperature Strength of Fluorine-Doped Silicon Nitride" im Journal of the American Ceramic Society, Band 77, Nr. 1 (1994), S. 275-227, beschreibt, dass in Siliziumnitrid-Sinterkörpern enthaltenes Fluor die Beeinträchtigung des Kriechfestigkeit bei hoher Temperatur (1.400ºC) bewirkt.
  • Beide der obigen Untersuchungen legen nahe, dass die Reduktion des Gehalts an Halogenelementen (Fluor, Chlor), insbesondere Fluor, wünschenswert ist, wenn ein Siliziumnitrid-Sinterkörper für mechanische Teile unter hohen Temperaturen verwendet wird.
  • Es ist jedoch festzustellen, dass, obwohl die Reduktion des Gehalts an Halogenelementen, insbesondere Fluor, bei Siliziumnitrid-Sinterkörpern die Hochtemperaturfestigkeit wirksam verbessert, die Reduktion des Gehalts an Halogenelementen, insbesondere Fluor, die Festigkeit bei Raumtemperatur tendenziell beeinträchtigt. Daher sind Siliziumnitrid-Sinterkörper mit verringertem Gehalt an Halogenelement, insbesondere Fluor, für Anwendungen, bei denen die Festigkeit bei Raumtemperatur wichtiger ist, wie als Materialien für Gleitelemente und dergleichen, nicht immer vorzuziehen.
  • Die vorliegende Erfindung wurde in Hinblick auf diese Situation gemacht, und es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, einen Siliziumnitrid-Sinterkörper bereitzustellen, der vorzugsweise als Material für mechanische Teile und dergleichen verwendet werden kann, die hohe Festigkeit bei Raumtemperatur erfordern.
  • Die JP-A-57-123868 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung einer Nicht-Oxid-Keramik, beispielsweise aus Siliziumnitrid, bei dem ein Pressling aus dem Keramikpulver vor dem Sintern im Vakuum oder in einer nicht-oxidierenden Atmosphäre mit Chlor- oder Fluorgas in Kontakt gebracht wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Erfinder des vorliegenden Anmeldungsgegenstandes haben die Wirkung von in Siliziumnitrid-Sinterkörpern enthaltenen Halogenelementen auf ihre Festigkeit bei Raumtemperatur bemerkt, die Festigkeit von Siliziumnitrid-Sinterkörpern bei Raumtemperatur mit verschiedenen Halogenelement-Gehalten bewertet und festgestellt, dass Siliziumnitrid-Sinterkörper mit höherem Halogenelement-Gehalt höhere Festigkeit bei Raumtemperatur aufweisen. Die vorliegende Erfindung basiert auf dem so erhaltenen Wissen.
  • Gemäß vorliegender Erfindung wird ein Siliziumnitrid-Sinterkörper bereitgestellt, wie in Anspruch 1 dargelegt.
  • In ihrem Verfahrensaspekt ist die Erfindung in Anspruch 4 dargelegt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Bei herkömmlichen Sinterverfahren für Siliziumnitrid-Sinterkörper wird zunächst durch die Umsetzung von SiO&sub2;, das auf der Oberfläche von Teilchen aus α-Siliziumnitrid vorhanden ist, mit als Sinterhilfen zugegebenen Oxiden eine flüssige Phase gebildet. Als nächstes werden α-Siliziumnitrid-Teilchen in dieser Flüssigphase gelöst und als β- Siliziumnitrid-Teilchen gefällt. Die gefällten β-Siliziumnitrid-Teilchen wachsen mit fortschreitendem Sintern.
  • Wichtig ist hier für die Struktur von Sinterkörpern die Größe und Dichte der β- Siliziumnitrid-Teilchen. Für die Verdichtung der Sinterkörper ist es auch wichtig, dass die Viskosität der gebildeten Flüssigphase niedrig ist, so dass die Flüssigkeit zwischen die Siliziumnitrid-Teilchen eindringt.
  • Der Siliziumnitrid-Sinterkörper gemäß vorliegender Erfindung enthält 500 ppm oder mehr eines Halogenelements. Siliziumnitrid-Sinterkörper, die eine so große Menge an Halogenelement enthalten, werden unter Verwendung von Siliziumnitridpulver hergestellt, das eine entsprechende Menge des Halogenelements enthält. Wenn im Siliziumnitridpulver eine große Menge des Halogenelements enthalten ist, wird die Flüssigphasen-Bildungstemperatur gesenkt, und β-Siliziumnitrid-Teilchen werden rasch gefällt. Daher wachsen die gefällten β-Siliziumnitrid-Teilchen zu größeren Teilchen als in herkömmlichen Fällen (wo der Halogenelement-Gehalt niedrig ist). Die Halogenelemente verringern die Viskosität der Flüssigphase und eine große Menge der Flüssigkeit dringt zwischen Siliziumnitrid-Teilchen ein, wodurch dichtere Sinterkörper gebildet werden. Aufgrund der Wirkung der Halogenelemente während des Sinterverfahrens weist der Siliziumnitrid-Sinterkörper gemäß vorliegender Erfindung nahe Raumtemperatur hohe Festigkeit auf.
  • Eine derartige Wirkung der Verbesserung der Festigkeit bei Raumtemperatur wird zwar erzielt, wenn der Siliziumnitrid-Sinterkörper ein beliebiges Halogenelement enthält, aber Fluor und Chlor sind unter den Halogenelementen besonders wirksam, und Fluor hat die höchste Wirkung.
  • Gemäß vorliegender Erfindung ist der Grund, weshalb der Gehalt an Halogenelement 500 ppm oder mehr ist, folgender: Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Anwendung auf mechanische Teile und dergleichen, deren Festigkeit bei Raumtemperatur wichtig ist, wie Gleitelemente, und um dieses Ziel zu erreichen, hat der Siliziumnitrid- Sinterkörper wünschenswerterweise eine Festigkeit bei Raumtemperatur von zumindest etwa 800 MPa. Die Erfinder des vorliegenden Anmeldungsgegenstandes haben Siliziumnitrid-Sinterkörper erzeugt, die verschiedene mengen an Halogenelementen enthalten, haben ihre Festigkeit bei Raumtemperatur gemessen und festgestellt, dass eine Festigkeit bei Raumtemperatur von 800 MPa oder darüber erreicht wird, wenn ein Sinterkörper 500 ppm oder mehr eines Halogenelements enthält, auch wenn dieser Wert in Abhängigkeit von den Eigenschaften des Materialpulvers und den Herstellungsbedingungen unterschiedlich ist.
  • Es gibt zwar keine Obergrenze für den Halogenelement-Gehalt in Sinterkörpern, es ist jedoch vorzuziehen, den Gehalt auf bis 2.000 ppm zu begrenzen, weil sich, wenn der Gehalt zu hoch ist, die Härte und die Abnutzungsbeständigkeit verringern, die Hitzebeständigkeit der Korngrenzenphase beeinträchtigt wird und die Festigkeit insbesondere bei einer Temperatur von 800ºC oder darüber stark beeinträchtigt wird.
  • Der Siliziumnitrid-Sinterkörper gemäß vorliegender Erfindung wird unter Einsatz von Siliziumnitrid-Pulver hergestellt, das ein Halogenelement in einer Menge enthält, die dem Halogenelement-Gehalt im Sinterkörper von 500 ppm oder mehr entspricht. (Beim tatsächlichen Verfahren wird, da der Halogenelement-Gehalt des Sinterkörpers aufgrund des Verdampfens des Halogenelements während des Sinters etwa 70 bis 80% des Halogenelement-Gehalts des Ausgangsmaterialpulvers ausmacht, ein Pulver verwendet, das das Halogenelement in einer größeren Menge als jener des Halogenelement-Gehalts des fertigen Sinterkörpers verwendet.) Wenn der Gehalt des Halogenelements niedrig ist, wird der Halogenelement-Gehalt des Ausgangsmaterialpulvers eingestellt, indem das Pulver mit einer wässrigen Wasserstofffluorid- oder Wasserstoffchlorid-Lösung behandelt wird, oder indem dem Pulver Kalziumfluorid, Kalziumchlorid, Magnesiumfluorid oder Magnesiumchlorid zugegeben wird.
  • Der Halogenelement-Gehalt im Pulver und im Sinterkörper kann nach dem Thermohydrolyse-Ionen-Chromatographieverfahren gemessen werden (einem Verfahren zum quantitativen Bestimmen von Halogenelementen, die durch thermische Hydrolyse extrahiert werden, unter Einsatz von Ionenchromatographie). Genauer gesagt kann die Bestimmung nach den Verfahren durchgeführt werden, die in der JIS H 1698 (Verfahren zum Bestimmen von Fluor in Tantal) beschrieben, wird, wobei jedoch anstelle von Absorptionsphotometrie Ionenchromatographie eingesetzt wird.
  • Der Siliziumnitrid-Sinterkörper gemäß vorliegender Erfindung wird hergestellt, indem eine gewünschte Menge der Sinteradditive, wie Y&sub2;O&sub3;, Yb&sub2;O&sub3;, CeO&sub2;, MgO, SrO und ZrO&sub2; dem obigen Siliziumnitridpulver zugegeben und damit vermischt wird, das Gemisch in einer gewünschten Gestalt geformt wird und der resultierende Formkörper bei einer zum Sintern geeigneten Temperatur gesintert wird. Das Mischen und Formen kann nach wohlbekannten Verfahren erfolgen. Beispielsweise kann zum Formen eines aus Formpressen, Spritzguss, Gießen oder Extrudieren verwendet werden. Zum Sintern wird druckloses Sintern eingesetzt.
  • Die Erfindung wird nun detaillierter unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsformen beschrieben, die Erfindung ist jedoch nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt.
  • Beispiele 1 und 2
  • Zu Siliziumnitridpulver (α-Phasen-Gehalt = 93%, mittlerer Teilchendurchmesser = 0,6 um, spezifische Oberfläche = 10 m²/g) mit einem Gehalt an Halogenelementen, wie in Tabelle 1 gezeigt, wurden 1% SrO, 4% MgO und 5% CeO&sub2; als Sinteradditive zugegeben, und Wasser wurde zugegeben und gemischt. Die so erhaltene Aufschlämmung wurde durch Sprühtrocknen granuliert, um Granulat zum Formen zu bilden. Als nächstes wurde das Granulat zum Formen durch isostatisches Kaltpressen unter einem Druck von 3.000 kg/cm² zu einer Platte (60 · 60 · 6 mm) geformt, und der erhaltene Formkörper wurde in einer Stickstoffatmosphäre bei 1.750ºC 1 h lang gesintert, um einen Siliziumnitrid-Sinterkörper zu erhalten. Teststücke mit den Maßen 3 · 4 · 40 mm wurden aus dem erhaltenen Siliziumnitrid-Sinterkörper ausgeschnitten, und die Vierpunkt-Biegefestigkeit bei Raumtemperatur wurde nach der JIS R 1601 gemessen. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt. Der Gehalt an Halogenelementen in Siliziumnitrid-Sinterkörpern wird ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt.
  • Beispiele 3 und 4
  • Siliziumnitridpulver (α-Phasen-Gehalt = 93%, mittlerer Teilchendurchmesser = 0,6 um, spezifische Oberfläche = 10 m²/g), das 100 ppm oder weniger an Halogenelementen enthielt, wurde mit einer wässrigen Fluorwasserstofflösung behandelt, um den Gehalt an Halogenelementen des Siliziumnitridpulvers auf in Tabelle 1 gezeigte Werte einzustellen. Unter Einsatz eines solchen Siliziumnitridpulvers wurden Siliziumnitrid-Sinterkörper auf die gleiche Weise wie in den Beispielen 1 und 2 hergestellt, und die Vierpunkt-Biegefestigkeit wurde gemessen. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt. Der Gehalt an Halogenelementen in den Siliziumnitrid-Sinterkörpern wird ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt.
  • Beispiel 5
  • Siliziumnitridpulver (α-Phasen-Gehalt = 93%, mittlerer Teilchendurchmesser = 0,6 um, spezifische Oberfläche = 10 m²/g), das 100 ppm oder weniger an Halogenelementen enthielt, wurde mit einer wässrigen Chlorwasserstofflösung behandelt, um den Gehalt an Halogen-Elementen des Siliziumnitridpulvers auf in Tabelle 1 gezeigte Werte einzustellen. Unter Einsatz dieses Siliziumnitridpulvers wurden Siliziumnitrid- Sinterkörper auf die gleiche Weise wie in den Beispielen 1 und 2 hergestellt, und die Vierpunkt-Biegefestigkeit wurde gemessen. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt. Der Gehalt an Halogenelementen im Siliziumnitrid-Sinterkörper wird ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt.
  • Beispiel 6
  • Siliziumnitridpulver (α-Phasen-Gehalt = 93%, mittlerer Teilchendurchmesser = 0,6 um, spezifische Oberfläche = 10 m²/g), das 100 ppm oder weniger Halogenelemente enthält, wird Magnesiumfluorid zugegeben und gemischt, um den Halogenelement- Gehalt des Siliziumnitridpulvers auf in Tabelle 1 gezeigte Werte einzustellen. Unter Verwendung dieses Siliziumnitridpulvers wurde ein Siliziumnitrid-Sinterkörper auf die gleiche Weise wie in den Beispielen 1 und 2 hergestellt. Für MgO, das als Sinteradditiv zugegeben wurde, wurde die Magnesiummenge aus der Menge an Magnesiumfluorid berechnet, die zugegeben wurde, um den Halogenelement-Gehalt einzustellen, und abgezogen von der Menge an Magnesium in MgO, das als Sinteradditiv zugegeben wurde, um die Gesamtmenge an Magnesium, das ins Ausgangsmaterialpulver gemischt wurde, auf die gleiche wie in den Beispielen 1 und 2 einzustellen. Die Vierpunkt-Biegefestigkeit des erhaltenen Siliziumnitrid-Sinterkörpers wurde gemessen. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt. Der Gehalt an Halogenelementen im Siliziumnitrid-Sinterkörper wird ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt.
  • Beispiel 7
  • Siliziumnitridpulver (α-Phasen-Gehalt = 97%, mittlerer Teilchendurchmesser = 0,4 um, spezifische Oberfläche = 10 m²/g), das 100 ppm oder weniger an Halogenelementen enthielt, wurde mit einer wässrigen Fluorwasserstofflösung behandelt, um den Gehalt an Halogenelementen des Siliziumnitridpulvers auf die in Tabelle 1 gezeigten Werte einzustellen. Unter Einsatz dieses Siliziumnitridpulvers wurde ein Siliziumnitrid-Sinterkörper auf die gleiche Weise wie in den Beispielen 1 und 2 hergestellt, und die Vierpunkt-Biegefestigkeit wurde gemessen. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt. Der Gehalt an Halogenelementen im Siliziumnitrid-Sinterkörper wird ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiele 1 bis 3
  • Unter Einsatz von Siliziumnitridpulver (α-Phasen-Gehalt = 93%, mittlerer Teilchendurchmesser = 0,6 um, spezifische Oberfläche = 10 m²/g) mit einem Gehalt an Halogenelementen, wie in Tabelle 1 gezeigt, wurden Siliziumnitrid-Sinterkörper auf die gleiche Weise wie in Beispielen 1 und 2 hergestellt, und die Vierpunkt-Biegefestigkeit wurde gemessen. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt. Der Gehalt an Halogenelementen in den Siliziumnitrid-Sinterkörpern wird ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiel 4
  • Unter Einsatz von Siliziumnitridpulver (α-Phasen-Gehalt = 97%, mittlerer Teilchendurchmesser = 0,4 um, spezifische Oberfläche = 10 m²/g) mit einem Gehalt an Halogenelementen, wie in Tabelle 1 gezeigt, wurden Siliziumnitrid-Sinterkörper auf die gleiche Weise wie in den Beispielen 1 und 2 hergestellt, und die Vierpunkt-Biegefestigkeit wurde gemessen. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt. Der Gehalt an Halogenelementen im Siliziumnitrid-Sinterkörper wird ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1
  • * Detektionsgrenze: 10 ppm oder weniger
  • Wie die Ergebnisse in Tabelle 1 zeigen, wiesen Siliziumnitrid-Sinterkörper der Beispiele 1 bis 10, deren Gehalt an Halogenelementen 500 ppm oder darüber ausmachte, höhere Festigkeit bei Raumtemperatur auf als Siliziumnitrid-Sinterkörper der Vergleichsbeispiele 1 bis 3, deren Gehalt an Halogenelementen geringer als 200 ppm war. Auch wenn Siliziumnitridpulver mit unterschiedlichen Pulvereigenschaften, wie β-Phasen-Gehalt und mittlerem Teilchendurchmesser, eingesetzt wurden, wiesen Siliziumnitrid-Sinterkörper, deren Gehalt an Halogenelementen 500 ppm oder darüber ausmachte, höhere Festigkeit bei Raumtemperatur auf als Siliziumnitrid-Sinterkörper, deren Gehalt an Halogenelementen geringer als 200 ppm war, wie aus den Ergebnissen von Beispiel 7 und Vergleichsbeispiel 4 zu entnehmen. Aus den obigen Ergebnissen geht hervor, dass Siliziumnitrid-Sinterkörper, deren Gehalt an Halogenelementen 500 ppm oder darüber war, unabhängig von den Pulvereigenschaften von Siliziumnitridpulver höhere Festigkeit bei Raumtemperatur aufwiesen als Siliziumnitrid-Sinterkörper, deren Gehalt an Halogenelementen geringer als 200 ppm war.
  • Wie oben beschrieben, weisen die Siliziumnitrid-Sinterkörper gemäß vorliegender Erfindung nahe Raumtemperatur hohe Festigkeit auf. Daher können solche Sinterkörper vorteilhaft als Strukturmaterial für mechanische Teile und dergleichen, wie Gleitelemente, verwendet werden, deren Festigkeit nahe Raumtemperatur wichtig ist.

Claims (6)

1. Siliziumnitrid-Sinterkörper, im Wesentlichen bestehend aus Siliziumnitrid und zumindest einem Sinteradditiv, wobei der Körper einen Halogenelement-Gehalt von 500 ppm oder mehr und eine Vierpunkt-Biegefestigkeit bei Raumtemperatur von 800 MPa oder mehr aufweist.
2. Siliziumnitrid-Sinterkörper nach Anspruch 1, worin das Halogenelement Fluor ist.
3. Siliziumnitrid-Sinterkörper nach Anspruch 1 oder 2, worin der Halogenelement- Gehalt im Bereich von 500 bis 2.000 ppm liegt.
4. Verfahren zur Herstellung eines Siliziumnitrid-Sinterkörpers, umfassend die Schritte des Herstellens eines Formkörpers aus einem Siliziumnitridpulver und zumindest einem Sinteradditiv, sowie des Sinterns des Formkörpers, worin das Pulver einen solchen Halogenelement-Gehalt besitzt, dass der Sinterkörper einen Halogenelement- Gehalt von 500 ppm oder mehr aufweist, worin der Formkörper durch druckloses Sintern gesintert wird, und der Sinterkörper eine Vierpunkt-Biegefestigkeit bei Raumtemperatur von 800 MPa oder mehr aufweist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, worin im Pulver Kalziumfluorid, Kalziumchlorid, Magnesiumfluorid oder Magnesiumchlorid enthalten ist.
6. Verfahren nach Anspruch 4, worin das Pulver mit einer wässrigen Fluorwasserstoff- oder Chlorwasserstoff-Lösung behandelt wird.
DE69615944T 1995-07-11 1996-07-09 Siliziumnitrid-Sinterkörper hoher Festigkeit Expired - Fee Related DE69615944T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7174607A JPH0925168A (ja) 1995-07-11 1995-07-11 高強度窒化珪素焼結体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69615944D1 DE69615944D1 (de) 2001-11-22
DE69615944T2 true DE69615944T2 (de) 2002-04-25

Family

ID=15981549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69615944T Expired - Fee Related DE69615944T2 (de) 1995-07-11 1996-07-09 Siliziumnitrid-Sinterkörper hoher Festigkeit

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5635432A (de)
EP (1) EP0753492B1 (de)
JP (1) JPH0925168A (de)
DE (1) DE69615944T2 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19714708A1 (de) 1997-04-09 1998-10-15 Bayer Ag Gesintertes Siliciumnitrid, Bauteile daraus, insbesondere Ventile, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
US6319813B1 (en) 1998-07-06 2001-11-20 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of forming integrated circuitry and integrated circuitry constructions
US6247519B1 (en) * 1999-07-19 2001-06-19 Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of Natural Resources Preform for magnesium metal matrix composites
US7695521B2 (en) * 2001-05-01 2010-04-13 Amedica Corporation Hip prosthesis with monoblock ceramic acetabular cup
US7074717B2 (en) * 2003-03-04 2006-07-11 Micron Technology, Inc. Damascene processes for forming conductive structures
JP2016153764A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 三菱重工業株式会社 有機ハロゲン化合物の分析方法
CN110178236B (zh) 2017-01-24 2023-09-26 国立大学法人东北大学 隧道磁阻元件的制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57123868A (en) * 1981-01-27 1982-08-02 Sumitomo Electric Industries Manufacture of non-oxide ceramics
JPH01252581A (ja) * 1988-03-31 1989-10-09 Taiyo Yuden Co Ltd 窒化物セラミツクスの製造方法
JPH07223863A (ja) * 1994-02-15 1995-08-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 窒化珪素焼結体

Also Published As

Publication number Publication date
DE69615944D1 (de) 2001-11-22
US5635432A (en) 1997-06-03
JPH0925168A (ja) 1997-01-28
EP0753492A1 (de) 1997-01-15
EP0753492B1 (de) 2001-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3877566T2 (de) Keramisches verbundmaterial und daraus hergestellte gegenstaende.
DE69403054T2 (de) Gesinterter keramischer Körper, der hauptsächlich Alumina enthält
DE3786765T2 (de) Gesinterte keramische Formkörper und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE69104862T2 (de) Keramisches Material auf Basis von Tonerde.
DE69131247T2 (de) Wärmebehandlungsapparate für Halbleiter und hochreine Siliciumcarbidteile für die Apparate und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3344050A1 (de) Siliciumcarbid-graphit-verbundmaterial und verfahren zu seiner herstellung
DE69601256T2 (de) Aluminiumnitrrid-sinterkörper und verfahren zu dessen herstellung
DE69004735T2 (de) Siliciumnitrid-Sinterkörper und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE68910363T2 (de) Siliciumnitrid-Sinterkörper.
DE69615944T2 (de) Siliziumnitrid-Sinterkörper hoher Festigkeit
DE69201910T2 (de) Siliciumnitrid-Sinterkörper und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE68903505T2 (de) Verfahren zur herstellung eines siliciumcarbid-sinterkoerpers hoher dichte.
DE69427510T2 (de) Auf Siliziumnitrid basierende Sinter
DE3875331T2 (de) Leitender, gesinterter keramikkoerper.
DE19519864B4 (de) Siliciumnitridsinterprodukt und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3853322T2 (de) Gesinterter Formkörper aus Siliciumcarbid und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE4401589C5 (de) Siliziumnitridkeramik und Verfahren zur Herstellung der Nitridkeramik
DE4102426C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines gesinterten Siliciumcarbid- und Siliciumnitrid-Basiskörpers
DE69026492T2 (de) Siliciumnitridkörper
DE3706209C1 (de) Sinterformkoerper auf Basis von Aluminiumtitanat und Verfahren zu seiner Herstellung,sowie dessen Verwendung
DE69212574T2 (de) Siliciumnitrid-Sinterprodukt mit ausgezeichneter Abriebsbeständigkeit
DE4233602C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines dichten Si¶3¶N¶4¶-Werkstoffes sowie dessen Verwendung
DE69512349T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Kompositsinterkörpern aus Siliciumkarbid und Siliciumnitrid
DE69107760T2 (de) Sinterkörper des Typs Sialon.
DE69207613T2 (de) Werkzeug aus gesintertem Siliciumnitrid

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee