JPH01252581A - 窒化物セラミツクスの製造方法 - Google Patents
窒化物セラミツクスの製造方法Info
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- JPH01252581A JPH01252581A JP63080174A JP8017488A JPH01252581A JP H01252581 A JPH01252581 A JP H01252581A JP 63080174 A JP63080174 A JP 63080174A JP 8017488 A JP8017488 A JP 8017488A JP H01252581 A JPH01252581 A JP H01252581A
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- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、回路基板あるいは半導体集積回路積載用セラ
ミックパッケージ等に用いられる窒化物セラミックスの
製造方法に関する。
ミックパッケージ等に用いられる窒化物セラミックスの
製造方法に関する。
[従来の技術]
S ! 3Np、 (四窒化三けい素)やAIN(窒
化アルミニウム)等の窒化物セラミックスを常圧焼結法
で得るために、窒化物セラミックス原料に金属酸化物等
の焼結助剤を添加することは公知である。焼結助剤は高
温で液相になり、窒化物セラミックス原料粉末間に介在
し、原料粉末は液相焼結機構によって焼結する。そして
、焼結過程における焼結体中の液相は、冷却途中で酸化
物の粒界相に変化し、固定される。
化アルミニウム)等の窒化物セラミックスを常圧焼結法
で得るために、窒化物セラミックス原料に金属酸化物等
の焼結助剤を添加することは公知である。焼結助剤は高
温で液相になり、窒化物セラミックス原料粉末間に介在
し、原料粉末は液相焼結機構によって焼結する。そして
、焼結過程における焼結体中の液相は、冷却途中で酸化
物の粒界相に変化し、固定される。
[発明が解決しようとする課題]
ところが、窒化物セラミックスの粒界2次相酸分(酸化
物)は焼結体の機械的、熱的、電気的等の緒特性を悪化
させる。例えば、Si3N4の粒界2次相酸分は高温に
おける機械的強度を劣化させ、AINの粒界2次相酸分
は熱伝導率を低下させる。
物)は焼結体の機械的、熱的、電気的等の緒特性を悪化
させる。例えば、Si3N4の粒界2次相酸分は高温に
おける機械的強度を劣化させ、AINの粒界2次相酸分
は熱伝導率を低下させる。
そこで、本発明の目的は、粒界相成分を減少させて特性
を向上させることができる窒化物セラミックスの製造方
法を提供することにある。
を向上させることができる窒化物セラミックスの製造方
法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するための本発明は、窒化物セラミック
ス原料粉末と焼結助剤粉末との混合物を得る工程と、前
記混合物の成形体を作る工程と、前記成形体を窒素雰囲
気中で焼成する工程と、前記焼成で得られた焼結体を該
焼結体の粒界相成分と反応する物質を含むガス雰囲気中
で常温より十分高い温度で熱処理する工程とを有するこ
とを特徴とする窒化物セラミックスの製造方法に係わる
ものである。
ス原料粉末と焼結助剤粉末との混合物を得る工程と、前
記混合物の成形体を作る工程と、前記成形体を窒素雰囲
気中で焼成する工程と、前記焼成で得られた焼結体を該
焼結体の粒界相成分と反応する物質を含むガス雰囲気中
で常温より十分高い温度で熱処理する工程とを有するこ
とを特徴とする窒化物セラミックスの製造方法に係わる
ものである。
[作 用コ
窒化物セラミックスの液相焼結過程における液相は、原
料粉末と焼結助剤中の金属の酸化物または酸窒化物であ
る。液相は高温で粒界を経路として焼結体外に拡散する
。この拡散の駆動力は液相成分の焼結体内外における濃
度の差、即ち、濃度勾配に依存する6本発明ではこの濃
度勾配に依存する液相成分く粒界相成分)の除去以外に
、本発明に従って粒界相成分と反応する物質(例えばC
F4等の弗素化合物)を含むガス雰囲気で熱処理するこ
とに基づく除去作用が生じる。即ち、ガス中の物質と粒
界相成分とが反応し、これが焼結体外に排出される。こ
の結果、焼結体内の粒界相成分が減少し、焼結体の緒特
性が向上する。
料粉末と焼結助剤中の金属の酸化物または酸窒化物であ
る。液相は高温で粒界を経路として焼結体外に拡散する
。この拡散の駆動力は液相成分の焼結体内外における濃
度の差、即ち、濃度勾配に依存する6本発明ではこの濃
度勾配に依存する液相成分く粒界相成分)の除去以外に
、本発明に従って粒界相成分と反応する物質(例えばC
F4等の弗素化合物)を含むガス雰囲気で熱処理するこ
とに基づく除去作用が生じる。即ち、ガス中の物質と粒
界相成分とが反応し、これが焼結体外に排出される。こ
の結果、焼結体内の粒界相成分が減少し、焼結体の緒特
性が向上する。
[第1の実施例]
第1表の試料No、 1に従う窒化アルミニウム焼結体
を製造するために、金属中酸素濃度分析計によって0.
89重量%の酸素を含むことが確認された平均粒径0.
6μmのAIN(窒化アルミニウム)粉末100重量部
に対し、焼結助剤としてCa CO3(炭酸カルシウム
)をCa O(酸化カルシウム)換算で1重量部となる
ように添加し、エタノール中で均一に混合した。
を製造するために、金属中酸素濃度分析計によって0.
89重量%の酸素を含むことが確認された平均粒径0.
6μmのAIN(窒化アルミニウム)粉末100重量部
に対し、焼結助剤としてCa CO3(炭酸カルシウム
)をCa O(酸化カルシウム)換算で1重量部となる
ように添加し、エタノール中で均一に混合した。
次に、この混合粉末を乾燥後、混合粉末(100重量部
)に対して結合剤(バインダー)として7重量部のステ
アリン酸を添加し、5t/cm2の圧力を加えて直径1
511m、厚さ3關の円板状成形体を得た。
)に対して結合剤(バインダー)として7重量部のステ
アリン酸を添加し、5t/cm2の圧力を加えて直径1
511m、厚さ3關の円板状成形体を得た。
得られた成形体を黒鉛るつぼに納め、500℃に加熱す
ることによって、結合剤(バインダー)を除去した後、
1気圧、純度99.999%の窒素雰囲気中で1800
℃まで7.5℃/minノ温度勾配で昇温し、1800
℃を3時間保持し、次に炉内温度を1600℃に変え、
炉内に純度99゜99%のCF4 (弗化炭素)ガス(
フロンガス)を導入し、このCF4ガスを1ρ/min
の割合で流し、この状態を2時間保持した後に常温に戻
した。なお、CF4は高温において分解し、弗素ガスに
なる。
ることによって、結合剤(バインダー)を除去した後、
1気圧、純度99.999%の窒素雰囲気中で1800
℃まで7.5℃/minノ温度勾配で昇温し、1800
℃を3時間保持し、次に炉内温度を1600℃に変え、
炉内に純度99゜99%のCF4 (弗化炭素)ガス(
フロンガス)を導入し、このCF4ガスを1ρ/min
の割合で流し、この状態を2時間保持した後に常温に戻
した。なお、CF4は高温において分解し、弗素ガスに
なる。
得られた焼結体の表面を研磨し、金蒸着及びカーボン蒸
着した後、レーザーフラッシュ法によって熱伝導率を測
定したところ、第1表の試料N111の欄に示すように
267 (W/m −K)であった。
着した後、レーザーフラッシュ法によって熱伝導率を測
定したところ、第1表の試料N111の欄に示すように
267 (W/m −K)であった。
また、ICPによりカルシウム濃度を測定したところ第
1表に示すように460 ppnであった。また金属中
酸素濃度分析装置によって酸素濃度を測定したところ、
第1表に示すように31011111Nであった。
1表に示すように460 ppnであった。また金属中
酸素濃度分析装置によって酸素濃度を測定したところ、
第1表に示すように31011111Nであった。
弗化炭素(CF4)ガス雰囲気による処理温度とこの保
持時間を第1表の試料N022〜13に示すように変え
た他は、試料量1と同様にAIN焼結体を作り、同様に
熱伝導率、Ca濃度、酸素濃度を測定したところ、第1
表に示す結果が得られた8比較のために、第1表の試料
量、14の欄に示すように、弗化炭素ガス雰囲気による
処理を省いた他は試料量1と同一の方法で焼結体を作り
、同一の方法で熱伝導率、Ca濃度、酸素濃度を測定し
た。
持時間を第1表の試料N022〜13に示すように変え
た他は、試料量1と同様にAIN焼結体を作り、同様に
熱伝導率、Ca濃度、酸素濃度を測定したところ、第1
表に示す結果が得られた8比較のために、第1表の試料
量、14の欄に示すように、弗化炭素ガス雰囲気による
処理を省いた他は試料量1と同一の方法で焼結体を作り
、同一の方法で熱伝導率、Ca濃度、酸素濃度を測定し
た。
又、第1表の試料No、 15.16.17の欄に示す
ように、試料110.1における弗化炭素ガスの代りに
窒素(N2)ガスを使用し、1600℃で2時間、0.
25時間、10時間の熱処理をした化は試料量、1と同
一の方法で焼結体を作り、熱伝導率、Ca濃度、酸素濃
度を測定した。
ように、試料110.1における弗化炭素ガスの代りに
窒素(N2)ガスを使用し、1600℃で2時間、0.
25時間、10時間の熱処理をした化は試料量、1と同
一の方法で焼結体を作り、熱伝導率、Ca濃度、酸素濃
度を測定した。
第1表におけるガス、温度及び保持時間の欄は各試料を
製作する時の粒界相成分除去工程におけるガス雰囲気、
熱処理温度及び処理時間を示し、Ca濃度、酸素濃度、
熱伝導率の欄は各試料の測定結果を示す。
製作する時の粒界相成分除去工程におけるガス雰囲気、
熱処理温度及び処理時間を示し、Ca濃度、酸素濃度、
熱伝導率の欄は各試料の測定結果を示す。
また、上記試料N011と同様に、窒素雰囲気中で焼成
して得られた焼結体を、−旦、室温まで冷却した後、上
記資料No、1〜9と同様に弗化炭素(CF4 )ガス
雰囲気中で熱処理して試料No。
して得られた焼結体を、−旦、室温まで冷却した後、上
記資料No、1〜9と同様に弗化炭素(CF4 )ガス
雰囲気中で熱処理して試料No。
18〜26のAIN焼結体を作り、同様に熱伝導率、C
a濃度、酸素濃度を測定したところ、第2表に示す結果
が得られた。
a濃度、酸素濃度を測定したところ、第2表に示す結果
が得られた。
第1表の試料No、1〜13のCa濃度と試料No、
i4〜17のCa濃度との比較から明らかなように、C
F4ガス雰囲気で熱処理すると、CF4が分解して得ら
れる弗素ガスが粒界相成分(焼結助剤)であるCaを除
去することが分る。
i4〜17のCa濃度との比較から明らかなように、C
F4ガス雰囲気で熱処理すると、CF4が分解して得ら
れる弗素ガスが粒界相成分(焼結助剤)であるCaを除
去することが分る。
試料N111〜9に示すように、熱処理温度が1000
℃〜1900’Cの範囲、保持時間(処理時間)が2〜
10時間の範囲になるように処理すると、−次粒子(A
t N粒子)の蒸発を抑えつつ粒界相成分く焼結助剤)
を除去することができ、熱伝導率を向上させることがで
きる。
℃〜1900’Cの範囲、保持時間(処理時間)が2〜
10時間の範囲になるように処理すると、−次粒子(A
t N粒子)の蒸発を抑えつつ粒界相成分く焼結助剤)
を除去することができ、熱伝導率を向上させることがで
きる。
第2表の試料NO,18〜26に示すように、窒素雰囲
気中で焼成して得られた焼結体を、−旦室温まで冷却し
た後、弗化炭素(CF4)ガス雰囲気中で熱処理を行っ
た場合でも、同様に粒界相を除去することができ熱伝導
率を向上させることができる。
気中で焼成して得られた焼結体を、−旦室温まで冷却し
た後、弗化炭素(CF4)ガス雰囲気中で熱処理を行っ
た場合でも、同様に粒界相を除去することができ熱伝導
率を向上させることができる。
試料懇10に示すように保持時間が短い場合、及び試料
N013に示すように熱処理温度が低い場合には粒界相
成分を十分に除去することができない。
N013に示すように熱処理温度が低い場合には粒界相
成分を十分に除去することができない。
一方、試料No、 11に示すように保持時間が長過ぎ
る場合、及び試料Nα12に示すように処理温度が高過
ぎる場合には、粒界相成分く焼結助剤)と共に一次粒子
(AI N)も過剰に蒸発し、焼結体内に空隙が発生し
、熱伝導率が低下する。
る場合、及び試料Nα12に示すように処理温度が高過
ぎる場合には、粒界相成分く焼結助剤)と共に一次粒子
(AI N)も過剰に蒸発し、焼結体内に空隙が発生し
、熱伝導率が低下する。
従って、CF4ガスを使用する場合の好ましい処理温度
は1000℃〜1900℃であり、好ましい保持時間は
2〜10時間である。
は1000℃〜1900℃であり、好ましい保持時間は
2〜10時間である。
[第2の実施例]
第3表の試料N0.27の窒化けい素の焼結体を製造す
るために、金属中酸素濃度分析計によって1゜4 w
t%の酸素を含むことが確認された平均粒径1、Ocz
mのs i s N4 (四窒化三けい素)100重
量部に対し焼結助剤としてAl2O3(酸化アルミニウ
ム)とY2O3(酸化イツトリウム)とをそれぞれ5重
量部添加し、エタノール中で均一に混合した。
るために、金属中酸素濃度分析計によって1゜4 w
t%の酸素を含むことが確認された平均粒径1、Ocz
mのs i s N4 (四窒化三けい素)100重
量部に対し焼結助剤としてAl2O3(酸化アルミニウ
ム)とY2O3(酸化イツトリウム)とをそれぞれ5重
量部添加し、エタノール中で均一に混合した。
次に、この混合物を乾燥後、混合粉末(100重量部)
に対して結合剤(バインダー)として2重量部のステア
リン酸を添加し、5t/cn2の圧力を加えて直径15
1、厚さ40n+mの円板状成形体を得た。
に対して結合剤(バインダー)として2重量部のステア
リン酸を添加し、5t/cn2の圧力を加えて直径15
1、厚さ40n+mの円板状成形体を得た。
得られた成形体を第1の実施例の試料慝1の場合と同様
に焼成し、且つ熱処理した。但し、第3表の試料No、
27においては、CF4ガス雰囲気での処理温度を14
00℃、保持時間を4時間とした。
に焼成し、且つ熱処理した。但し、第3表の試料No、
27においては、CF4ガス雰囲気での処理温度を14
00℃、保持時間を4時間とした。
得られた試料間、27の焼結体について、大気中120
0℃でJIS1601に従う3点曲げ強度を測定しなと
ころ、第2表に示すように103k(1/ mm2であ
った。またICPによりAI (アルミニウム)濃度
及びY(イツトリウム)濃度を測定したところ、270
0111)Ill 、420011CIIWであった。
0℃でJIS1601に従う3点曲げ強度を測定しなと
ころ、第2表に示すように103k(1/ mm2であ
った。またICPによりAI (アルミニウム)濃度
及びY(イツトリウム)濃度を測定したところ、270
0111)Ill 、420011CIIWであった。
また、金属中酸素濃度分析装置で焼結体の酸素濃度を測
定したところ1700 ppnであった。
定したところ1700 ppnであった。
弗化炭素(CF4)ガス雰囲気による処理温度とこの保
持時間を第3表の試料愁28〜39に示すように変えた
他は、上述の試料No、27と同様に窒化けい素の焼結
体を作り、同様に曲げ強度、A1濃度、Y濃度、酸素濃
度を測定したところ、第3表に示す結果が得られた。
持時間を第3表の試料愁28〜39に示すように変えた
他は、上述の試料No、27と同様に窒化けい素の焼結
体を作り、同様に曲げ強度、A1濃度、Y濃度、酸素濃
度を測定したところ、第3表に示す結果が得られた。
比較のために、第3表の試料No、 40の欄に示すよ
うに、弗化炭素ガス雰囲気による処理を省いた後は試料
(資)、27と同一の方法で焼結体を作り、同一の方法
で曲げ強度、A1濃度、Y濃度、酸素濃度を測定した。
うに、弗化炭素ガス雰囲気による処理を省いた後は試料
(資)、27と同一の方法で焼結体を作り、同一の方法
で曲げ強度、A1濃度、Y濃度、酸素濃度を測定した。
又、第3表の試料Nα41.42.43の欄に示すよう
に、試料懇27における弗化炭素ガスの代りに窒素(N
2)ガスを使用し、1400°Cで4時間、0.5時間
、10時間の熱処理をした他は試料!1027と同一の
方法で焼結体を作り、曲げ強度、A1濃度、Y濃度、酸
素濃度を測定した。
に、試料懇27における弗化炭素ガスの代りに窒素(N
2)ガスを使用し、1400°Cで4時間、0.5時間
、10時間の熱処理をした他は試料!1027と同一の
方法で焼結体を作り、曲げ強度、A1濃度、Y濃度、酸
素濃度を測定した。
第3表のガス、温度、・保持時間の欄は、各試料の作製
時の粒界相成分除去工程におけるガス雰囲気、熱処理温
度及び処理時間を示し、A1濃度、Y濃度、酸素濃度、
曲げ強度の欄は各試料の測定結果を示す。
時の粒界相成分除去工程におけるガス雰囲気、熱処理温
度及び処理時間を示し、A1濃度、Y濃度、酸素濃度、
曲げ強度の欄は各試料の測定結果を示す。
試料NQ27〜35のAI濃度及びY濃度と試料No4
0〜43の各濃度との比較から明らかなように、CF4
ガス雰囲気で熱処理すると、粒界相成分(焼結助剤)で
あるAI及びYが除去されることが分る。
0〜43の各濃度との比較から明らかなように、CF4
ガス雰囲気で熱処理すると、粒界相成分(焼結助剤)で
あるAI及びYが除去されることが分る。
試料NO,27〜35に示すように、熱処理温度が10
00’C〜1600℃の範囲、保持時間(処理時間)が
0.25〜10時間の範囲になるように処理すると、−
成粒子(窒化けい素粒子)の蒸発を抑えつつ液相成分(
焼結助剤)を除去することができ、曲げ強度を向上させ
ることができる。
00’C〜1600℃の範囲、保持時間(処理時間)が
0.25〜10時間の範囲になるように処理すると、−
成粒子(窒化けい素粒子)の蒸発を抑えつつ液相成分(
焼結助剤)を除去することができ、曲げ強度を向上させ
ることができる。
試料間、36に示すように保持時間が短い場合、及び試
料N039に示すように処理温度が低い場合には液相成
分を除去することができない。
料N039に示すように処理温度が低い場合には液相成
分を除去することができない。
一方、試料Fto、37に示すように保持時間が長過ぎ
る場合、及び試料嵩38に示すように処理温度が高温過
ぎる場合には、粒界相成分く焼結助剤)と共に1次粒子
(窒化けい素)も過剰に蒸発し、焼結体内に空隙が発生
し、曲げ強度が低下する。
る場合、及び試料嵩38に示すように処理温度が高温過
ぎる場合には、粒界相成分く焼結助剤)と共に1次粒子
(窒化けい素)も過剰に蒸発し、焼結体内に空隙が発生
し、曲げ強度が低下する。
従って、CF、ガスを使用する場合の好ましい処理温度
は1000°C〜1600℃であり、好ましい保持時間
は0.25〜10時間である。
は1000°C〜1600℃であり、好ましい保持時間
は0.25〜10時間である。
[変形例コ
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。
次の変形が可能なものである。
(1) 焼結助剤(粒界念立相物質)を除去するための
ガス雰囲気として、常温において安定で、高温でF(弗
素)ガスに分解するCF4が適当であるが、この他に、
CCI F、CC12F2、CBr CI F 、
CCI F3、CBr F3、CH2゜ CI F2、CHF3、CCI 2F−CC12F、C
C12F−CCI F2、CCI F2−CCl F2
、CBr F −CBr F2、CCI F2−CF
3、CF3−CF3.CH3−CCl F2、CH3−
CHF2、CCl2F2とC2H4F2との共沸混合物
、CHCl F とCClF3との共沸混合物、CC
I F とCHF3との共沸混合物、CF2−CF2
CF2−CF2、等のフロンガスを使用することができ
る。
ガス雰囲気として、常温において安定で、高温でF(弗
素)ガスに分解するCF4が適当であるが、この他に、
CCI F、CC12F2、CBr CI F 、
CCI F3、CBr F3、CH2゜ CI F2、CHF3、CCI 2F−CC12F、C
C12F−CCI F2、CCI F2−CCl F2
、CBr F −CBr F2、CCI F2−CF
3、CF3−CF3.CH3−CCl F2、CH3−
CHF2、CCl2F2とC2H4F2との共沸混合物
、CHCl F とCClF3との共沸混合物、CC
I F とCHF3との共沸混合物、CF2−CF2
CF2−CF2、等のフロンガスを使用することができ
る。
(2) 焼結助剤として実施例で示されているもの以外
のアルカリ土類金属及びその化合物、希土類元素及び希
土類化合物等を使用する場合にも適用可能である。
のアルカリ土類金属及びその化合物、希土類元素及び希
土類化合物等を使用する場合にも適用可能である。
[発明の効果]
上述のように、本発明によれば、熱伝導率の大きい又は
曲げ強度の大きい窒化物セラミックスを提供することが
できる。
曲げ強度の大きい窒化物セラミックスを提供することが
できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [1]窒化物セラミックス原料粉末と焼結助剤粉末との
混合物を得る工程と、 前記混合物の成形体を作る工程と、 前記焼成で得られた焼結体を該焼結体の粒界相成分と反
応する物質を含むガス雰囲気中で常温より十分高い温度
で熱処理する工程と を有することを特徴とする窒化物セラミックスの製造方
法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63080174A JPH01252581A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 窒化物セラミツクスの製造方法 |
US07/326,365 US5006491A (en) | 1988-03-31 | 1989-03-21 | Process for production of nitride ceramic shapes |
DE3910161A DE3910161A1 (de) | 1988-03-31 | 1989-03-29 | Verfahren zur herstellung von nitridkeramischen formstuecken |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63080174A JPH01252581A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 窒化物セラミツクスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01252581A true JPH01252581A (ja) | 1989-10-09 |
JPH0582347B2 JPH0582347B2 (ja) | 1993-11-18 |
Family
ID=13710980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63080174A Granted JPH01252581A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 窒化物セラミツクスの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5006491A (ja) |
JP (1) | JPH01252581A (ja) |
DE (1) | DE3910161A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0248468A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-19 | Nissan Motor Co Ltd | 窒化珪素質焼結体およびその製造方法 |
JPH06216481A (ja) * | 1993-01-19 | 1994-08-05 | Toshiba Corp | セラミックス銅回路基板 |
JPH0832204A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Dowa Mining Co Ltd | セラミックス配線基板の製造方法 |
JP2001261446A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 窒化珪素質焼結体とその製造方法、及び窒化珪素質部品の製造方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2968539B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1999-10-25 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム構造物の製造方法 |
US5401680A (en) * | 1992-02-18 | 1995-03-28 | National Semiconductor Corporation | Method for forming a ceramic oxide capacitor having barrier layers |
JPH0925168A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Ngk Insulators Ltd | 高強度窒化珪素焼結体 |
RU2309732C1 (ru) * | 2006-03-13 | 2007-11-10 | Олег Ильич Эпштейн | Спрессованная твердая оральная форма лекарственного препарата и способ получения твердой оральной формы лекарственного препарата |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1906522B2 (de) * | 1968-02-10 | 1972-01-13 | Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd., Kawasaki, Kanagawa (Japan) | Verfahren zur herstellung eines gesinterten aluminiumnitrid yttriumoxid gegenstands |
US3591668A (en) * | 1968-05-28 | 1971-07-06 | Henry P Kirchner | Strengthening fully sintered alumina and titania articles by reheating in a fluorine atmosphere |
US3786124A (en) * | 1971-02-08 | 1974-01-15 | Ceramic Finishing Co | Method of sintering fused silica ceramic for strengthening it |
JPS5855377A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPS60138913A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体拡散炉管の製造方法 |
US4698320A (en) * | 1984-06-26 | 1987-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminum nitride sintered body |
US4672046A (en) * | 1984-10-15 | 1987-06-09 | Tdk Corporation | Sintered aluminum nitride body |
US4746637A (en) * | 1984-11-08 | 1988-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminum nitride sintered body and process for producing the same |
DE3684821D1 (de) * | 1985-06-28 | 1992-05-21 | Toshiba Kawasaki Kk | Aluminiumnitridsinterkoerper und verfahren zu seiner herstellung. |
US4719187A (en) * | 1985-10-10 | 1988-01-12 | Corning Glass Works | Dense sintered bodies of nitride materials |
FR2597087B1 (fr) * | 1986-04-15 | 1988-06-24 | Centre Nat Rech Scient | Utilisation comme flux, dans la preparation de nitrure de bore cubique, d'un fluoronitrure et procede de preparation du nitrure de bore cubique a l'aide d'un tel flux |
JPS6311572A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-19 | 日本鋼管株式会社 | 非酸化物セラミツク粉体の精製方法 |
US4810679A (en) * | 1986-07-21 | 1989-03-07 | General Electric Company | Rare earth fluoride additive for sintering aluminum nitride |
US4857140A (en) * | 1987-07-16 | 1989-08-15 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching silicon nitride |
US4877482A (en) * | 1989-03-23 | 1989-10-31 | Motorola Inc. | Nitride removal method |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP63080174A patent/JPH01252581A/ja active Granted
-
1989
- 1989-03-21 US US07/326,365 patent/US5006491A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-29 DE DE3910161A patent/DE3910161A1/de active Granted
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0248468A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-19 | Nissan Motor Co Ltd | 窒化珪素質焼結体およびその製造方法 |
JPH06216481A (ja) * | 1993-01-19 | 1994-08-05 | Toshiba Corp | セラミックス銅回路基板 |
JPH0832204A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Dowa Mining Co Ltd | セラミックス配線基板の製造方法 |
JP2001261446A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 窒化珪素質焼結体とその製造方法、及び窒化珪素質部品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3910161A1 (de) | 1989-10-12 |
JPH0582347B2 (ja) | 1993-11-18 |
DE3910161C2 (ja) | 1990-06-07 |
US5006491A (en) | 1991-04-09 |
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