DE3937393C2 - - Google Patents
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- silicon
- semiconductor
- annealed
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-
- H10P36/20—
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3937393A DE3937393A1 (de) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3937393A DE3937393A1 (de) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3937393A1 DE3937393A1 (de) | 1991-05-16 |
| DE3937393C2 true DE3937393C2 (enExample) | 1993-08-05 |
Family
ID=6393232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3937393A Granted DE3937393A1 (de) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3937393A1 (enExample) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10150640A1 (de) * | 2001-10-12 | 2003-04-30 | Eupec Gmbh & Co Kg | Thyristor mit integriertem Überkopfzündschutz |
| DE102016125340A1 (de) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bilden eines Halbleitersubstrats, Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, Halbleitersubstrat und Halbleiterbauelement |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660569B1 (en) | 1998-10-23 | 2003-12-09 | Eupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leitungshalbleiter Mbh & Co. Kg | Method for producing a power semiconductor device with a stop zone |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1514934A1 (de) * | 1966-02-26 | 1969-08-14 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
-
1989
- 1989-11-10 DE DE3937393A patent/DE3937393A1/de active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10150640A1 (de) * | 2001-10-12 | 2003-04-30 | Eupec Gmbh & Co Kg | Thyristor mit integriertem Überkopfzündschutz |
| DE10150640B4 (de) * | 2001-10-12 | 2005-02-10 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Thyristor mit integriertem Überkopfzündschutz und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102016125340A1 (de) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bilden eines Halbleitersubstrats, Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, Halbleitersubstrat und Halbleiterbauelement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3937393A1 (de) | 1991-05-16 |
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