DE3937393A1 - Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementsInfo
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Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DE3937393A DE3937393A1 (de) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| DE3937393A DE3937393A1 (de) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
Publications (2)
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| DE3937393C2 DE3937393C2 (enExample) | 1993-08-05 |
Family
ID=6393232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3937393A Granted DE3937393A1 (de) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3937393A1 (enExample) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000025356A1 (de) * | 1998-10-23 | 2000-05-04 | Eupec, Europ. Gesellschaft Für Leistungshalbleiter Mbh & Co. Kg | Verfahren zur herstellung eines leistungshalbleiters mit einer stoppzone |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
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| DE102016125340A1 (de) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bilden eines Halbleitersubstrats, Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, Halbleitersubstrat und Halbleiterbauelement |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1514934A1 (de) * | 1966-02-26 | 1969-08-14 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
-
1989
- 1989-11-10 DE DE3937393A patent/DE3937393A1/de active Granted
Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| DE1514934A1 (de) * | 1966-02-26 | 1969-08-14 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Appl. Phys. Lett., 52 (25), 20. Juni 1988, S. 2139-2141 * |
| IEEE Trans. on El. Devices, Vol.-ED-23, Nr. 8, August 1976, S. 803-805 * |
| JP 63-90 140 A. In: Patents Abstr. of Japan, Sect. E, Vol. 12 (1988), Nr. 324(E653) * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2000025356A1 (de) * | 1998-10-23 | 2000-05-04 | Eupec, Europ. Gesellschaft Für Leistungshalbleiter Mbh & Co. Kg | Verfahren zur herstellung eines leistungshalbleiters mit einer stoppzone |
| US6660569B1 (en) | 1998-10-23 | 2003-12-09 | Eupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leitungshalbleiter Mbh & Co. Kg | Method for producing a power semiconductor device with a stop zone |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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