DE3932451A1 - Doppelkammelektrode fuer oberflaechenwellenvorrichtungen und herstellungsverfahren hierfuer - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Doppelkammelektrode für Oberflächenwellenvorrichtungen sowie auf ein Verfahren zu deren Herstellung. Im einzelnen bezieht sich die Erfin­ dung auf eine Doppelkammelektrode für einen Oberflächen­ wellenwandler, die auf neuartige Weise durch Ätzen eines Aluminiumfilms erzeugt wird.

Eine Doppelkammelektroden-Oberflächenwellenvorrichtung für elastische Volumenwellen wurde für elektrische Filter, Oszillatoren und Verzögerungsleitungen eingesetzt, wobei anzunehmen ist, daß mit zunehmenden mobilen Nachrichtenver­ bindungen und einer geforderten Verkleinerung der Geräte und Verringerung des Energieverbrauchs in zunehmendem Maße Oberflächenwellenwandler als passive Schaltungselemente eingesetzt werden.

Ein Oberflächenwellenwandler ist hinsichtlich der Eigen­ schaften in starkem Ausmaß von einem piezoelektrischen Kristallsubstrat abhängig. Ein in der letzten Zeit genann­ ter Kristall zur Verwendung als Substrat für einen Wandler ist ein Lithiumboratkristall (Li₂B₄O₇), der eine durch eine Temperaturänderung bedingte Frequenzversetzung von nahezu "0" und einen hohen elektromechanischen Koppelfaktor hat. Zur Herstellung eines solchen Oberflächenwellenwand­ lers muß auf der Oberfläche des Kristallsubstrats auf genaue Weise eine Aluminiumelektrode mit einem fein ausgebildeten Muster ausgebildet sein. Der Lithiumboratkristall ist in Säure und Wasser etwas löslich, so daß daher die bei der Herstellung des Wandlers verwendete Menge an Säure und Wasser auf ein Mindestmaß herabzusetzen ist. Dies ist einer der Gründe dafür, daß an einem Wandler mit dem Lithium­ boratkristall nicht schnell entwickelt werden kann.

Das Herstellungsverfahren für die Wandlerelektrode nach dem Stand der Technik ist ein Verfahren zum Abtragen durch Belichtung mit Ultraviolettstrahlen (siehe Forschungsbericht von Shingaku-Gihou, "Denshi-Jouhou-Tsushin-gakkai", Bd. 87, Nr. 46 vom 25. Mai 1987 und JP-OSen Nr. 60-2 59 011 und 60-2 59 012).

Gemäß dem in Fig. 1a dargestellten Abtrageverfahren nach dem Stand der Technik wird ein piezoelektrischer Kristall 1 an seiner Oberfläche poliert und gewaschen, wonach auf die Oberfläche ein Photolack-, bzw. Resistschicht 2 aufge­ bracht und vorgebrannt wird; danach wird eine Photomaske 4 auf die Resistschicht 2 aufgelegt und diese mit Ultra­ violettstrahlen belichtet. Die Resistschicht 2 wird mit einer Alkalilösung entwickelt und mit reinem Wasser ge­ waschen, um ein der Photomaske 4 entsprechendes Muster zu erhalten. Das heißt, nach der Abdeckung eines gewünschten Musters wird durch Vakuumablagerung oder Aufsprühen ein Aluminiumfilm 3 gebildet, wonach dann zum Entfernen des auf dem Resistschichtmuster gebildeten Aluminiumfilms die Resistschicht 2 mit Aceton oder einer Ätzflüssigkeit ent­ fernt wird, wodurch der Aluminiumfilm 3 außerhalb der auf dem Resistfilmmuster gebildeten Bereiche die Wand­ lerelektroden bildet. Bei diesem Verfahren wird der Lithium­ tetraboratkristall in einer für Aluminium bestimmten Ätz­ lösung wie beispielsweise Phosphorsäure, Salpetersäure oder Essigsäure gelöst, so daß daher die Menge an Ätzlösung und die Anzahl der Schritte zur Herstellung geringer sein sollten als diejenigen bei einem normalen Ätzprozeß. Ferner sollten zum Abtragen der Resistschicht 2 von dem Aluminium­ film schwache Ultraschallwellen angewandt werden, um auf dem Substrat ein sauberes Muster zu erhalten. Ferner können Probleme hinsichtlich einer ungenauen Musterung an Stellen von Elementen entstehen, wenn auf einem Lithiumboratkristall- Substrat eine Anzahl von Elementen auszubilden ist.

Andererseits wird zum Herstellen einer Aluminiumelektrode auf einem gewöhnlichen piezoelektrischen Kristall wie Li­ thiumniobat, Lithiumtantalat oder Quarz das normale Ätzver­ fahren gemäß Fig. 1b angewandt. Bei diesem Verfahren nach dem Stand der Technik wird ein piezoelektrischer Kristall 1 an seiner Oberfläche poliert und gewaschen, wonach dann auf der ganzen Oberfläche des Kristalls durch Vakuumablage­ rung oder einem Aufsprühverfahren ein Aluminiumfilm 3 ge­ bildet wird; danach wird auf dem ganzen Aluminiumfilm 3 ein Photolack- bzw. Resistfilm 2 gebildet, welcher durch eine Photomaske 4 hindurch mit Ultraviolettstrahlen 5 be­ lichtet wird; danach wird durch Ätzen mit einer Alkali­ lösung entwickelt und der nicht benötigte Resistschicht­ bereich durch Spülen entfernt, um ein Resistschichtmuster zu bilden; die nicht benötigten Metallbereiche werden durch Ätzen mit Phosphorsäurelösung entfernt, wonach die ver­ bliebene Resistschicht entfernt wird, um damit das Alumi­ niumelektrodenmuster zu erzeugen.

Es wurden vielerlei Bestrebungen zum Lösen dieser Probleme bei der Herstellung der Doppelkammelektrode auf einem Sub­ strat für einen Oberflächenwellenwandler unternommen.

In Anbetracht der vorstehenden Ausführungen liegt der Erfin­ dung die Aufgabe zugrunde, für einen Oberflächenwellen­ wandler eine Doppelkammelektrode zu schaffen, die dadurch hergestellt ist, daß auf der Oberfläche eines piezoelektri­ schen Kristallsubstrats ein Aluminiumfilm ausgebildet ist, auf diesem ein Positiv-Resist aufgeschichtet ist, die Re­ sistschicht durch eine Photomaske hindurch mit Ultraviolett­ strahlen bestrahlt ist und eine Behandlung mit einer organi­ schen Alkali-Entwicklungslösung zum Entwickeln und Ätzen im gleichen Schritt vorgenommen ist, wodurch sich die mit dem Muster versehene Elektrode ergibt. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, ein wirkungsvolles Verfahren zum Bearbeiten eines Metallfilms zu einer Doppelkammelektrode auf der Oberfläche eines Lithiumtetraborat-Einkristallsubstrats zum Erzeugen einer Oberflächenwellenvorrichtung zu schaffen.

Weiterhin soll mit der Erfindung ein neuartiges Verfahren zum Ätzen eines auf der Oberfläche eines Substrats ausgebil­ deten Aluminiumfilms für eine Oberflächenwellenvorrichtung nach einem photolithographischen Verfahren zum Erzeugen einer mit einem Muster versehenen Elektrode geschaffen werden. Mit der Erfindung soll ein Verfahren zum Herstellen einer Doppelkammelektrode für eine Oberflächenwellenvorrich­ tung geschaffen werden, das vereinfacht ist und das in einer Fertigungsstraße für eine Oberflächenwellenvorrich­ tung mit einem piezoelektrischen Kristallsubstrat wie einem Lithiumtantalatkristallsubstrat angewandt werden kann.

Die Erfindung wird nachstehend anhand eines Ausführungsbei­ spiels unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.

Fig. 1(a) und 1(b) zeigen zweierlei Verfahren nach dem Stand der Technik zur Herstellung einer Elektrode für einen Doppelkamm-Oberflächenwellenwandler in Schnittansichten in der Aufeinanderfolge der Schritte zur Herstellung der Elektrode.

Fig. 2 zeigt Schnittansichten eines Werkstücks in der Auf­ einanderfolge von Schritten des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer Aluminium-Doppelkamm-Wandlerelektrode, bei denen ein dünner Aluminiumfilm 3 direkt auf die Ober­ fläche eines Substrats 1 aufgebracht wird, dann eine Resist­ schicht 2 gebildet, durch eine Maske 4 hindurch mit Ultra­ violettlicht 5 belichtet und durch Ätzen entwickelt wird sowie im weiteren die verbliebene Resistschicht 2 wegge­ waschen wird.

Fig. 3 ist eine graphische Darstellung der Verteilung von Resonanzfrequenzen, die in "Hohlraumresonatoren" von Ober­ flächenwellenwandlern mit erfindungsgemäß hergestellten Doppelkammelektroden entstehen.

Fig. 4 ist eine graphische Darstellung, in der der Ein­ schaltverlust des Wandlers mit einer erfindungsgemäßen Elektrode gegen die Übertragungsfrequenz aufgetragen ist.

Erfindungsgemäß wird eine Doppelkammelektrode für eine Oberflächenwellenvorrichtung in Schritten dadurch herge­ stellt, daß (a) ein Einkristall in einer gewünschten Schnitt­ ausrichtung als Einkristall-Substrat hergestellt wird, (b) direkt auf der Oberfläche des hergestellten Substrats ein Metallfilm gebildet wird, (c) auf dem ganzen Metall­ film eine Positiv-Resistschicht gebildet wird, (d) durch eine Photomaske hindurch mit Ultraviolettstrahlen belichtet wird, (e) mit einer organischen Alkali-Entwicklerlösung gleichzeitig die Resistschicht entwickelt und der Aluminium­ film geätzt wird und (f) die verbliebene Resistschicht weggewaschen wird, um auf diese Weise auf dem Einkristall- Substrat die mit dem gewünschten Muster versehene Doppel­ kammelektrode zu formen.

Der bei dem Schritt (a) als Substrat verwendete Einkristall kann ein Lithiumtetraborat-Kristall oder ein anderer piezo­ elektrischer Kristall sein, der in einer wäßrigen Lösung, einer Ätzlösung oder einer Behandlungslösung besonders gut löslich sein kann.

Ferner kann die auf dem Kristall-Substrat zu bildende, als zu einem Muster geformte Doppelkammelektrode zu verwen­ dende Metallschicht ein auf der Oberfläche des Substrats gebildeter Abscheidungsfilm aus Aluminium oder einem ande­ ren Metall sein, der insbesondere für Hochfrequenzstrom ausgezeichnet leitfähig ist.

Ein Lithiumboratkristall ist in Alkalilösung unlöslich, während ein Aluminiumfilm in Alkalilösung löslich ist, so daß er mit der Alkalilösung geätzt werden kann. Insbe­ sondere ist Lithiumborat in einer Alkalilösung mit einem pH-Wert über 12 im wesentlichen unlöslich, so daß daher als Ätzlösung eine Lösung einer organischen Alkalisubstanz verwendet werden kann. Nach der Ultraviolettbelichtung der auf die Oberfläche des Substrats aufgebrachten Zusammen­ setzung aus der Positiv-Resistschicht und dem Aluminiumfilm durch eine Positiv-Photomaske hindurch wird die Ätzbehand­ lung derart ausgeführt, daß auf der Kristalloberfläche entsprechend der Resistschicht ein Positiv-Muster des Alu­ miniumfilms gebildet wird. Danach wird die verbliebene Resistschicht von dem Aluminiumfilm abgehoben bzw. entfernt, um auf dem piezoelektrischen Kristallsubstrat für eine Oberflächenwellenvorrichtung eine Aluminiumelektrode mit dem gewünschten Leitermuster zu erhalten.

Demgemäß wird bei dem erfindungsgemäßen Prozeß zur Herstel­ lung einer Doppelkammelektrode auf einem Oberflächenwellen- Substrat mit der organischen Alkalilösung gleichzeitig entwickelt und geätzt. Ferner kann bei diesem Prozeß zur Herstellung einer Doppelkammelektrode die bei einer normalen Ätzung angewandte herkömmliche Prozedur oder Behandlung angewandt werden. Daher kann für diesen Prozeß eine Ferti­ gungsstraße für einen anderen piezoelektrischen Kristall wie einen Lithiumniobat-, Lithiumtantalat- oder Quarz-Kristall verwendet werden, wobei lediglich die herkömmliche Ätzlösung durch eine organische Alkalilösung ersetzt wird, um auf dem Lithiumtetraboratkristall-Substrat die Doppelkammelek­ trode für eine Oberflächenwellenvorrichtung zu bilden.

Erfindungsgemäß wird das Leitermuster des Aluminiumfilms auf dem Kristallsubstrat durch die Anwendung von Positiv- Photolack bzw. Positiv-Resist zusammen mit einer Entwickler­ lösung für das Entwickeln der Positiv-Resistschicht gebil­ det. Daher ist bei dem erfindungsgemäßen Prozeß die Anzahl der Schritte geringer als bei dem herkömmlichen Prozeß zur Herstellung der Elektrode.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann zum Herstellen einer Doppelkammelektrode aus Aluminium auf der Oberfläche eines Lithiumtetraborat-Einkristalls zum Anregen, Empfangen, Reflektieren und Fortleiten von elastischen Oberflächenwel­ len sowie ferner zum Herstellen einer Aluminiumfilmelektrode auf einem anderen Substrat, insbesondere auf einem anderen piezoelektrischen Kristall angewandt werden.

Erfindungsgemäß wird auf der Oberfläche eines piezoelek­ trischen Einkristalls durch Dampfabscheidung ein Aluminium­ film gebildet, auf dessen Oberfläche im weiteren eine Po­ sitiv-Resistschicht aufgebracht wird. Die gebildete Resist­ schicht wird dann an der Oberfläche durch eine Photomaske hindurch Ultraviolettstrahlen ausgesetzt und danach mit Lösen in der organischen Alkalilösung der Resist des belich­ teten Bereichs geätzt bzw. abgetragen wird und dann der direkt unterhalb des belichteten und abgetragenen Bereichs gelegene Aluminiumfilm geätzt bzw. abgetragen wird. Daher kann an der auf das Borat-Kristallsubstrat aufgebrachten Zusammensetzung aus der Resistschicht und dem Aluminiumfilm im gleichen Schritt entwickelt und geätzt werden.

Als nächstes wird die direkt auf dem Leitermuster des Alu­ miniumfilms zurückgebliebene Resistschicht abgetragen bzw. entfernt, wodurch auf der Oberfläche des Kristallsubstrats einer Oberflächenwellenvorrichtung die Aluminiumelektrode mit dem gewünschten Muster hergestellt ist.

Es wurden Ätzversuche an einem auf der Oberfläche des Borat­ kristalls ausgebildeten Aluminiumfilm unter Verwendung von verschiedenerlei Alkalilösungen ausgeführt, um den Aluminiumfilm auf dem Borat-Kristall zu ätzen. Die Ver­ suchsergebnisse haben gezeigt, daß das Ätzen mit einer anorganischen wäßrigen Alkalilösung eine geringe Ätzungs­ geschwindigkeit für den Aluminiumfilm ergibt, so daß es schwierig war, auf zuverlässige Weise eine mit einem Muster versehene Elektrode herzustellen. Es hat sich ferner ge­ zeigt, daß bei der Verwendung einer organischen Alkali- Entwicklerlösung zum Ätzen eines Positiv-Resists auf ver­ hältnismäßig einfache Weise eine Elektrode geformt werden kann und dann in dem gleichen Schritt in dem gleichen Lö­ sungsbad sowohl die Resistschicht entwickelt als auch die Aluminiumschicht geätzt werden kann. Daher wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren für die Herstellung der Doppel­ kammerelektrode auf dem Kristallsubstrat die Anzahl der Schritte geringer als bei dem herkömmlichen Verfahren.

Die Verwendung einer organischen Alkali-Entwicklerlösung als Ätzlösung ermöglicht es, sowohl die Resistschicht zu entwickeln als auch die Aluminiumschicht zu ätzen, wodurch die Prozedur wie auch die Schritte bei der Herstellung des Leitermusters der Doppelkamm-Aluminiumelektrode auf dem Kristallsubstrat weiter vereinfacht sind.

Die Entwicklung gemäß dem beschriebenen Verfahren erfolgt an dem Substrataufbau, der durch das Ausbilden des Alu­ miniumfilms auf der Oberfläche des Lithiumborat-Einkristalls und durch das Aufbringen der Positiv-Resistschicht auf dem Aluminiumfilm gebildet ist.

Ein für die Positiv-Resistschicht verwendbares Positiv- Resistmaterial kann das als OFPR-2 oder OFPR-800 von Tokyo Ouka Ltd. oder das als MICROPOSIT 1400 von Shipley Far East Corporation erhältliche Resistmaterial sein.

Die wäßrige organische Alkali-Entwicklerlösung kann eine im Handel für das Entwickeln eines Positiv-Photoresists erhältliche Alkali-Entwicklerlösung, beispielsweise eine als NMD-3 von Tokyo Ouka Ltd. oder als MICROPOSIT- Entwickler MF-319 von Shipley Far East Corporation erhält­ liche Entwicklerlösung sein.

Als Metall für das Bilden einer Doppelkammelektrode kann ein elektrisch leitendes Metall benutzt werden, das in einer Alkalilösung lösbar ist.

Das beschriebene Verfahren zur Herstellung einer Elektrode auf einer Oberflächenwellenvorrichtung kann auf dem Gebiet der Benutzung eines Aluminiumfilms sowie auch bei der Her­ stellung einer Vorrichtung mit einem Lithiumtetraborat- Einkristall als Substrat angewandt werden. Die Anwendung dieses Verfahrens ist nicht allein auf eine Oberflächen­ wellenvorrichtung eingeschränkt.

Das Verfahren wird nachstehend anhand des folgenden Bei­ spiels erläutert, das die Herstellung der Doppelkammelek­ trode für einen Oberflächenwandler veranschaulicht.

Beispiel

Die Fig. 2 zeigt Schnittansichten eines Werkstücks bei der Herstellung einer Aluminium-Doppelkammelektrode für eine Oberflächenwellenvorrichtung in der Reihenfolge der Schritte bei dem Verfahren.

Aus einem Lithiumtetraboratkristall wurde durch Schneiden in X-Schnitt ein Einkristall-Substrat 1 mit einer Flächen­ drehung um 45 Grad zur Z-Fortpflanzung hergestellt.

Das Substrat 1 aus Lithiumtetraborat wurde an seiner Ober­ fläche poliert und gereinigt (Fig. 2A). Dann wurde durch Aufdampfen auf die Oberfläche des Substrats 1 eine Alumi­ niumschicht aufgebracht, so daß auf der Oberfläche des Substrats 1 eine dünne Aluminiumschicht 3 gebildet war (Fig. 2B), wonach dann im weiteren auf die Aluminiumschicht 3 aus einem Resistmaterial, das als MICROPOSIT 1400-31 (Handelsbezeichnung) von Shipley Far East Corporation er­ hältlich ist, eine Resistschicht aufgebracht wurde, um eine Photolack-Schicht bzw. Resistschicht 2 (Fig. 2C) zu bilden, wobei ferner eine Wärmevorbehandlung ausgeführt wurde.

Danach wurde durch eine Photomaske 4 mit dem gewünschten Elektrodenmuster hindurch die Oberfläche der Resistschicht auf dem Substrat mit Ultraviolettstrahlen bestrahlt. Das belichtete Substrat 1 wurde mittels einer Ätzlösung, wie beispielsweise der Lösung MF-319 von Shipley Far East Cor­ poration oder NMD-3 von Tokyo Ouyou Kagaku Ltd. behandelt, wobei im gleichen Bad in einem Schritt entwickelt, geätzt und gespült wurde (Fig. 2E). Ferner wurde die direkt auf dem gewünschten Muster der Aluminiumschicht 3 verbliebene Resistschicht 2 durch Wegwaschen abgetragen und entfernt, wodurch sich das Lithiumtetraborat-Substrat mit der er­ wünschten Aluminiumelektrode 3 auf seiner Oberfläche ergab (Fig. 2).

Das sich ergebende Substrat 1 war ein Oberflächenwellenreso­ nator mit einer Interdigital- bzw. Doppelkammelektrode 3 mit der periodischen Teilung von 40 µm und einem Stufen­ reflektorelement von 20 µm. Danach wurde die Verteilung der Resonanzfrequenzen in den Einkristallen gemessen. Die Meßergebnisse sind in Fig. 3 dargestellt, gemäß der die Resonanzfrequenzen an einer Anzahl von auf die vorstehend beschriebene Weise hergestellten Oberflächenwellenresona­ toren gemessen wurden. Die gemessenen Resonanzfrequenzen haben die Verteilung gemäß der Darstellung in Fig. 3.

Die Streuung der gemessenen Resonanzfrequenzen liegt inner­ halb von 0,1 Prozent, was ein beträchtlich gutes Ergebnis ist.

Die nach dem beschriebenen Verfahren hergestellte Doppel­ kammelektrode sowie das zu deren Herstellung angewandte Verfahren ergeben folgende beträchtliche Vorteile:

Erstens können das Entwickeln des Photolacks bzw. Photore­ sists und das Ätzen des Aluminiumfilms auf dem Einkristall- Substrat gleichzeitig ausgeführt werden, so daß das Bilden des Leitermusters der metallischen Doppelkammelektrode für einen Oberflächenwellenwandler vereinfacht ist und die Anzahl der Schritte zu dessen Herstellung auf ein Min­ destmaß herabgesetzt ist.

Zweitens ist das leichtere Herstellen einer Doppelkammelek­ trode auf einem Lithiumboratkristall allein durch Photo­ ätzung ermöglicht, so daß sich ein Oberflächenwellen-Wandler oder -Filter mit hervorragenden Eigenschaften hinsichtlich der Fortpflanzung elastischer Wellen ergibt.

Gemäß der vorstehenden Beschreibung ermöglicht die be­ schriebene Elektrode für einen Doppelkamm-Oberflächenwel­ lenübertrager ein wirtschaftliches Herstellungsverfahren zum Herstellen eines Doppelkamm-Oberflächenwellen-Wandlers oder -Filters. Ferner ist auf einfachere Weise die Elektrode für den Doppelkamm-Oberflächenwellen-Übertrager bzw. der Doppelkamm-Wandler mit überragenden Gütefaktoren herstell­ bar.

Es wird ein vereinfachtes und wirtschaftliches Verfahren zur Herstellung einer Doppelkammelektrode für eine Ober­ flächenwellenvorrichtung angegeben; das Verfahren besteht darin, daß als Einkristall-Substrat ein Einkristall in einer gewünschten Schnittausrichtung hergestellt wird, direkt auf der Oberfläche des Substrats ein Metallfilm gebildet wird, auf die Oberfläche des Metallfilms eine Positiv-Resistschicht aufgebracht wird, durch eine Foto­ maske hindurch mit Ultraviolettstrahlen belichtet wird, mit einer organischen Alkali-Entwicklerlösung gleichzeitig die Resistschicht entwickelt und der Aluminiumfilm geätzt wird und dann die verbliebene Resistschicht durch Waschen entfernt wird, wodurch auf dem Einkristall-Substrat eine Doppelkammelektrode mit dem gewünschten Leitermuster herge­ stellt wird.

Claims (6)

1. Doppelkammelektrode für einen Oberflächenwellen­ wandler zum Erzeugen, Empfangen, Reflektieren und/oder Fortleiten elastischer Wellen, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Einkristall in gewünschter Schnittorientierung als Substrat (1) angefertigt ist,
direkt auf der Oberfläche des Substrats ein Metallfilm (3) ausgebildet ist,
die Oberfläche des Metallfilms mit einer Schicht (2) aus Positiv-Resist beschichtet ist,
die Schicht über eine Photomaske (4) mit Ultraviolett­ licht bestrahlt ist,
durch Behandlung mit einer organischen Alkali-Entwick­ lungslösung gleichzeitig die Resistschicht entwickelt und der Metallfilm geätzt ist und
die direkt auf dem Flächenmuster des Metallfilms ver­ bliebene Resistschicht entfernt ist, so daß auf dem Ein­ kristall-Substrat die Doppelkammelektrode mit dem gewünsch­ ten Flächenmuster hergestellt ist.

2. Doppelkammelektrode nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Einkristall (1) aus Lithiumtetraborat besteht.

3. Doppelkammelektrode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallfilm (3) ein Aluminiumfilm ist.

4. Verfahren zur Herstellung der Doppelkammelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
als Substrat ein Einkristall in einer gewünschten Schnittorientierung angefertigt wird,
direkt auf der Oberfläche des Substrats ein Metallfilm ausgebildet wird,
der gesamte Metallfilm mit Positiv-Resist beschichtet wird,
über eine Photomaske mit Ultraviolettlicht bestrahlt wird,
mittels einer organischen Alkali-Entwicklungslösung gleichzeitig die Resistschicht entwickelt und der Metall­ film geätzt wird und
durch Waschen die verbliebene Resistschicht entfernt wird, wodurch auf dem Einkristall-Substrat die Doppelkamm­ elektrode in dem gewünschten Muster entsteht.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Einkristall ein Lithiumtetraborat-Einkristall verwendet wird.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß als Metallfilm ein Aluminiumfilm verwendet wird.