DE2521290A1 - Oberflaechenwellenresonatorvorrichtung - Google Patents
OberflaechenwellenresonatorvorrichtungInfo
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Description
$EXAS INSTRUMENTS IMO0RP0RA3?ED
15500 North Central Expressway
Dallas, Texas /V.St.A,
15500 North Central Expressway
Dallas, Texas /V.St.A,
Unser Zeichen: T 1775
Oberflächenwellenresonatorvorrichtung
Die Erfindung bezieht sich auf eine mit akustischen Oberflächenwellen
arbeitende Resonatorvorrichtung und insbesondere auf Bandfilter und auf Oszillatorfrequenz-Steuerelemente,
die im VHF- oder UHF-Bereich arbeiten und von solchen Resonatorvorrichtungen Gebrauch machen.
Bei Nachrichtenübertragungsanordnungen und bei anderen elektronischen Anordnungen werden häufig Filter mit einem
sehr schmalen Frequenzverlauf benötigt, d.h. Bandfilter oder Oszillatorfrequenz-Steuerelemente. Abhängig von den
speziellen Anforderungen und dem in Betracht zu ziehenden Frequenzbereich stehen mehrere Möglichkeiten zur Befriedigung
dieses Bedarfs zur Verfügung. Eine häufig verwendete Möglichkeit besteht darin, einen Kristallresonator
zu verwenden, bei dem ein Quarzkristall angewendet wird. Leider ist die Größe der Kristallresonatoren für die
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Verwendung im VHF- und im UHF-Bereich so bemessen, daß die Herstellung äußerst schwierig wird.
Mit dem Aufkommen von Oberflächenwellen-Verzögerungsleitungsbauelementen
ergibt sich eine neue vielversprechende Möglichkeit zur Lösung der Filterprobleme im VHF- und im UHF-Bereich.
Diese Bauelemente bestehen kurz gesagt zunächst aus einem Substrat aus piezoelektrischem Material wie Quarz, Lithiumniobat,
Zinkoxid oder Cadmiumsulfid oder auch aus Dünnfilmen aus piezoelektrischen Materialen auf nicht-piezoelektrischen
Substraten, beispielsweise Zinkoxid auf Silizium. Zum Umsetzen der eingegebenen elektrischen Energie
in akustische Energie innerhalb des Substrats ist auf der Anordnung ein Eingangswandler gebildet. Diese akustische
Energie durchläuft das Substrat zum Bereich eines zweiten Wandlers, des Ausgangswandlers, der die akustische Energie
in ein elektrisches Ausgangssignal umsetzt. Die Eingangsund Ausgangswandler bestehen häufig aus ineinander verzahnten
Wandlern, sog. Interdigitalwandlern, die dem Fachmann bekannt sind. Interdigitalwandler werden dadurch gebildet,
daß Dünnfilme aus elektrisch leitendem Material wie Aluminium oder Gold aufgebracht und zu einem Muster
mit zweckentsprechender Struktur geformt werden. An den Eingangsinterdigitalwandler angekoppelte elektrische Potentiale
erzeugen in dem piezoelektrischen Substrat mechanische Spannungen. Die daraus resultierenden inneren
Spannungen wandern längs der Oberfläche des Substrats in Form von Oberflächenwellen, beispielsweise in Form der
bekannten Rayleigh- oder Love-Wellen, vom Eingangsinterdigitalwandler
weg. Diese sich ausbreitenden inneren Spannungen gelangen zu dem zweiten Ausgangsinterdigitalwandler,
durch den sie in elektrische Ausgangssignale umgesetzt werden. Die Umsetzung der elektrischen Energie
in akustische Energie durch den Eingangsdigitalwandler oder die Umsetzung der akustischen Energie in elektrische
Energie durch den Ausgangsinterdigitalwandler weist einen Frequenzgang auf. Die Art dieser Frequenzgänge wird von
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der speziellen Ausgestaltung der Wandler selbst bestimmt. Auf diese Weise ist es möglich, den Frequenzgang der
Gesamtvorrichtung durch eine spezielle Ausgestaltung der Eingangs- und Ausgangsinterdigitalwandler zu gestalten.
Insbesondere ist es unter Bezugnahme auf die Erfindung möglich, die Oberflächenwellen-Verzögerungsleitungsvorrichtung
so zu gestalten, daß sie als schmalbandiges Bandfilter arbeitet..
In erster Näherung kann gesagt werden, daß die Bandbreite des resultierenden Bandfilters der Länge eines oder beider
Interdigitalwandler umgekehrt proportional ist. Zumindest theoretisch scheint es möglich, den Bandpaß durch eine
entsprechende Verlängerung der Interdigitalwandler so schmal wie gewünscht zu machen. Einer der Vorteile von
Oberflächenwellen-Verzögerungsleitungsvorrichtungen ergibt sich Jedoch aus der Tatsache, daß schwierige Frequenzgänge
mit Anordnungen erzielt werden können, die einen sehr kleinen Raum einnehmen. Eine Erweiterung des
Ausmaßes der Interdigitalwandler und die damit verbundene erforderliche Vergrößerung der Gesamtvorrichtung zur Erzielung
eines gewünschten Frequenzgangs hat die Tendenz, diesen Vorteil zunichte zu machen. Es ist daher erwünscht,
für die Fähigkeit zur Verbesserung der Frequenzselektivität der Vorrichtung zu sorgen, während gleichzeitig ihre
vorteilhafte kleine Größe beibehalten wird.
Es ist erkannt worden, daß dann, wenn sich die Oberflächenwellen über den Ausgangswandler hinaus bis zum äußersten
Ende des Substrats ausbreiten können, Randreflexionen auftreten, aus denen sich eine Ausbreitung der reflektierten
Energie zurück gegen den Eingangswandler ergibt. In gleicher Weise resultiert die Energie, die sich am
Eingangswandler vorbei zum anderen Ende des Substrats ausbreitet, ebenfalls zu Randreflexionen. Wenn die Reflexionskoeffizienten
dieser Randreflexionen genügend hoch sind, besteht die Möglichkeit, daß sie innerhalb
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des Substrats stehende Wellen bilden. Das heißt in anderen
Worten, daß die Oberflächenwellen-Verzögerungsleitungsvorrichtung als ein Resonator mit hohem Gütefaktor Q in Analogie
zu den Quarzkristallresonatoren arbeiten kann. Leider sind Randreflexionen von Oberflächenwellen ein äußerst schwieriger
Vorgang. Es tritt nicht nur eine Reflexion der Oberflächenwelle selbst auf, sondern es erfolgt auch eine beträchtliche
Umsetzung der Oberflächenwelle in andere Wellenausbreitungstypen, beispielsweise in Volumenwellen.
Dieser"Umstand macht den richtigen Entwurf und die Kontrolle
einer solchen Vorrichtung äußerst schwierig. Überdies erfordert die Erzielung des gewünschten Resonanzmusters eine
äußerst präzise Lokalisierung der Ränder des Substratmaterials, was bei der Herstellung nur mit großen Schwierigkeiten
erzielt werden kann. So ist die Erstellung einer Resonanzstruktur zwar ein vielversprechender Weg
zur Verwirklichung sehr selektiver Bandfilter, doch erscheint die Ausnutzung von Randreflexionen als Mittel zur
Verwirklichung dieses Ziels nicht ausführbar zu sein.
Eine weitere Möglichkeit zur Erzielung der gewünschten Reflexionen ist die Anwendung einer Gitterstruktur, die
an einer entsprechenden Stelle auf der Oberfläche des Substrats selbst angebracht ist. Diese Möglichkeit wird
von E.A. Ash in der Zusammenfassung einer Druckschrift mit dem Titel "Surface Wave Grating Reflectors and Resonators"
vorgeschlagen, die im Internationalen Mikrowellen-Symposion vorgelegt worden ist, das vom 11. bis
14. Mai 1970 in Newport Beach, Kalifornien, stattgefunden hat. Die Anstrengungen zur Erzielung eines in der Praxis
einsetzbaren Resonatorsmit zwei im Abstand voneinander
liegenden Gittern haben jedoch bisher noch nicht zu einem substantiellen Erfolg geführt, was sich aus dem
unbefriedigend niedrigen Q-Wert von 80 zeigt,, der angeblich mit der in dem oben erwähnten Artikel beschriebenen
Vorrichtung erzielt wurde.
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Nach der Erfindung wird vorgeschlagen, eine mit akustischen Oberflächenwellen arbeitende Resonatorvorrichtung zu schaffen,
bei der von zwei im Abstand voneinander liegenden Gitteranordnungen auf einem piezoelektrischen Substrat
oder auf einem piezoelektrischen Film auf einem Substrat Gebrauch gemacht wird, wobei zwischen den Gitteranordnungen
wenigstens ein mit akustischen Oberflächenwellen arbeitender Wandler angebracht ist, der als Antwort auf eine elektrische
Erregung akustische Oberflächenwellen in dem piezoelektrischen Material erzeugt, und wobei die Gitteranordnungen
bezüglich der beiden gegenüberliegenden Seiten des Wandlers so angebracht sind, daß sich aus der Reflexion
der vom Wandler erzeugten akustischen Oberflächenwellen eine Resonanzbedingung mit stehenden Wellen ergibt, was
zu einem elektroakustischen Resonator mit einem sehr hohen Gütefaktor Q führt. Vorzugsweise ist der Wandler
ein Interdigitalwandler. Die Gitteranordnungen können auf verschiedene Weise gebildet werden. Eine Möglichkeit besteht
darin, daß mehrere parallele, schmale Streifen aus leitendem oder nicht leitendem Dünnfilmmaterial aufgebracht
werden, wobei die Streifen so angeordnet sind, daß sich in dem piezoelektrischen Material ausbreitende
Oberflächenwellen auf die Streifen in Querrichtung zu ihrer Längsausdehnung treffen. Wenn eine Oberflächenwelle
einen dieser Streifen passiert, wird ein gewisser Anteil ihrer Energie reflektiert. Durch Vorsehen gleicher Abstände
zwischen aufeinanderfolgenden Streifen dieser jeweiligen Gitteranordnungen erfolgt bei der richtigen Frequenz
eine kohärente Addition der von den verschiedenen Streifen reflektierten Energie. Die Einfügung einer ausreichenden
Anzahl von Streifen in jeder Gitteranordnung ermöglicht eine im wesentlichen totale Reflexion der einfallenden
Oberflächenwelle. Im Zusammenhang mit der Bildung einer Gitteranordnung mit solchen reflektierenden
Streifen ist hinsichtlich ihres Abstandes, ihrer Größe und ihrer Position eine äußerst exakte Bearbeitungskontrolle
möglich. Ein weiteres Verfahren zur Erzielung
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einer Gitteranordnung besteht darin, daß in die Oberfläche
des piezoelektrischen Materials, das entweder als Substrat selbst oder als darauf gebildeter Dünnfilm vorliegen kann,,
direkt Nuten geätzt werden, wobei gleichfalls eine äußerst exakte Bearbeitungskontrolle aufrecht erhalten werden kann.
Somit kann eine mit akustischen Oberflächenwellen arbeitende Resonatorvorrichtung mit· einem relativ hohen Gütefaktor
Q in der Größenordnung von wenigstens 1OOO in einer wirtschaftlich durchführbaren Weise hergestellt
werden.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind
zwei akustische Oberflächenwellenwandler zwischen zwei im Abstand voneinander liegenden Gitteranordnungen auf
einem piezoelektrischen Substrat oder einem piezoelektrischen Film auf einem Substrat angebracht, wobei einer der
Wandler ein Eingangswandler ist, während der andere Wandler eine Ausgangswandler ist. Bei dieser Anordnung koppelt
der Ausgangswandler elektrische Energie aus der Resonatorvorrichtung,
die dann als Bandfilter dienen kann, dessen Frequenzselektivität wesentlich schärfer ist als diejenige,
die mit anderen bekannten Typen von Oberflächenwellen-Verzögerungslei tungs vorrichtungen mit vergleichbarer Größe
erreicht werden kann. Ebenso wie Quarzkristallresonatoren zur Bildung von Bandfiltern mit mehreren Polen verwendet
werden können, können auch diese Resonantorvorrichtungen in ähnlicher Weise eingesetzt werden, indem mehrere Resonatoranordnungen
nebeneinander auf dem gleichen Substrat hergestellt werden. Durch Verwendung der Interdigitalwandler
können diese mehreren Resonatoren elektrisch miteinander verbunden werden. Weitere Ausführungsformen der
Erfindung enthalten eine akustische Kopplung zwischen mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Eingangsund
Ausgangswandlern sowie andere Formen der elektrischen Kopplung, wie eine Kopplung mit Vielfachstreifen.
Mit Hilfe der Erfindung soll demgemäß eine im VHF- und im UHF-Bereich arbeitende sehr selektive Resonatorvor-
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richtung geschaffen werden, bei der von wenigstens einem mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Wandler Gebrauch
gemacht wird, der zwischen im Abstand voneinander liegenden Gitteranordnungen eingefügt ist. Die mit Hilfe
der Erfindung zu schaffende Resonatorvorrichtung soll durch die Verwendung von Bauelementen, die mit akustischen
Oberflächenwellen arbeiten, relativ klein sein. Ferner soll die mit Hilfe der Erfindung zu schaffende sehr selektive
Resonatorvorrichtung eine äußerst präzise Kontrolle des Frequenzgangs in wirtschaftlich durchführbarer Weise ermöglichen.
Mit Hilfe der Erfindung soll auch eine Vielfachresonatorvorrichtung geschaffen werden, bei der von
mehreren Oberflächenwellen-Resonatorvorrichtungen Gebrauch gemacht wird, die auf dem gleichen Oberflächenwellen-Verzögerungsleitungssubstrat
gebildet sind.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt. Darin zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer mit akustischen Oberflächenwellen
arbeitenden Resonatorvorrichtung nach der Erfindung,
Figur 2 eine schematisch Ansicht einer weiteren mit Oberflächenwellen arbeitenden Mehrfachresonator-Vorrichtung
nach der Erfindung,
Figur 3 eine ähnliche Ansicht wie in Fig. 1, wobei Jedoch
eine akustische Kopplung zwischen den Eingangsund Ausgangswandlern der Resonatorvorrichtung
dargestellt ist.
Figur 4 eine schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform der Resonatorvorrichtung, bei der zwischen
dem Eingangsabschnitt und dem Ausgangsab-
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schnitt eine Vielfachstreifenkopplung benutzt wird,
Figur 5 eine schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform der Resonatorvorrichtung, bei der
zwischen zwei im Abstand voneinander liegenden Gitteranordnungen ein einziger mit akustischen
Oberflächenwellen arbeitender Wandler angebracht ist, und
Figur 6 .eine schematische Ansicht eines mit akustischen
Oberflächenwellen arbeitenden Wandlers des Typs mit ineinander verzahnten geteilten Elektroden,
wie er auch in den Ausführungsformen der Fig. 1 bis 5 als Wandler verwendet werden kann.
In Fig. 1 ist eine Ausführungsform einer mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Resonatorvorrichtung dargestellt,
die ein Bandfilter oder ein Oszillatorfrequenz-Steuerelement bildet. Die Resonatorvorrichtung enthält
ein Substrat 10 aus piezoelektrischem Material wie Lithiumniobat oder Quarz. Auf dem Substrat 10 sind erste und zweite
reflektierende Gitteranordnungen 40, 42 gebildet, die mehrere Unstetigkeitsstellen 20, 30 aufweisen. Die Unstetigkeitsstellen
20, 30 sind auf der Oberfläche des Substrats 10 so gebildet, daß sie wenigstens einen Teil Jeder auf sie
treffenden Oberflächenwelle reflektieren können.
Die Unstetigkeitsstellen 20 und 30 der Gitteranordnungen 40 und 42 können in Form mehrerer schmaler Dünnfilmfinger
oder Dünnfilmstreifen gebildet sein, die auf der Oberfläche des Substrats abgeschieden sind. Die Streifen können aus
einem elektrisch leitenden Material wie Gold, Kupfer oder Aluminium gebildet sein. Sie können aber auch aus einem
dielektrischen Material wie Siliziumoxid, Siliziumnitrit oder Zinkoxid gebildet sein. Die reflektierenden Unstetigkeitsstellen
20 und 30 können auch durch selektives Ätzen von Teilen der Oberfläche des Substrats 10 hergestellt
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werden. Zur Veranschaulichung ist Jede der Gitteranordnungen
40, 42 zwar mit fünf Unstetigkeitselementen dargestellt, doch ist zu erkennen, daß die Gitteranordnungen auch eine
wesentlich größere Anzahl solcher Elemente, beispielsweise 100, enthalten können, damit der gesamte prozentuale
Anteil der Reflexion der auf die Gitteranordnungen 40 und 42 treffenden akustischen Oberflächenwellen erhöht wird.
Die Gitteranordnungen 40 und 42 sind auf dem Substrat im Abstand voneinander und aufeinander ausgerichtet angebracht.
Im Raum zwischen den Gitteranordnungen 40 und sind auf dem Substrat 10 mit akustischen Oberflächenwellen
arbeitende Eingangs- und Ausgangswandler 21 bzw. 25 angebracht, die vorzugsweise sog. Interdigitalwandler sind.
Zu diesem Zweck enthält der Eingangsinterdigitalwandler 21 Elektroden 22 und 24. Die Elektroden 22 und 24 können
aus einem mit einem geeigneten Muster versehenen Dünnfilm aus elektrisch leitendem Material wie Gold, Kupfer
oder Aluminium hergestellt sein. Nach Fig. 1 enthalten die Elektroden 22 und 24 Jeweils zwei Finger; die Elektroden
können natürlich auch eine größere Anzahl von Fingern aufweisen. Der Eingangsinterdigitalwandler 21
ist mit Hilfe von Leitungen 14 und 16 an eine elektrische Eingangsanregungsquelle 12 angeschlossen. Der Ausgangsinterdigitalwandler
25 enthält Elektroden 26 und 28; die Elektroden dieses Wandlers sind in der gleichen Weise
wie die den Eingangsinterdigitalwandler bildenden Elektroden hergestellt. Der Ausgangsinterdigitalwandler 25 ist
mit Hilfe von Leitungen 32 und 34 an eine externe Last
angeschlossen. Die Enden des Substrats 10 können in geeigneter Weise so behandelt sein, daß alle dort auftreffenden
Oberflächenwellen absorbiert werden, damit eine Reflexion von Oberflächenwellen von den Enden des Substrats
10 verhindert wird. Diese Behandlung kann aus der Aufbringung eines absorbierenden Materials auf der Oberfläche
des Substrats 10 im Bereich der beiden Enden bestehen. Die Endbereiche 18 und 38 des Substrats bilden in dieser
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Hinsicht Oberflächenwellen-Absorptionsbereiche.
Im Betriebszustand wird die von der Eingangsanregungsquelle 12 gelieferte elektrische Energie vom Eingangsinterdigitalwandler
21 in eine akustische Oberflächenwellenenergie umgewandelt, die sich-längs der Oberfläche des Substrats
10 ausbreitet. Wenn diese sich ausbreitenden Oberflächenwellen die Unstetigkeitsstellen 20 und 30 der Gitteranordnungen
40 und 42 erreichen, werden sie wenigstens teilweise von jedem der Unstetigkeitselemente reflektiert.
Die einzelnen reflektierenden Unstetigkeitsstellen 20 und 30 jeder der Gitteranordnungen 40 und 42 liegen im
gleichen Abstand voneinander, wobei der Mittenabstand benachbarter Unstetigkeitsstellen gleich der halben Wellenlänge
der Mittenfrequenz der Resonatorvorrichturig ist. Somit verstärken sich die von den verschiedenen Unstetigkeitsstellen
20 und 30 der entsprechenden Gitteranordnungen 40 und 42 reflektierten Wellen in kohärenter Weise. Wenn
eine geeignete Anzahl reflektierender Unstetigkeitsstellen vorhanden ist, erfolgt fast eine vollständige Reflexion
der eintreffenden akustischen Welle. Die Anwesenheit von zwei reflektierenden Gitteranordnungen 40, 42 auf der
Oberfläche des Substrats 10 führt zu einer Stehwellenresonanz zwischen den zwei Reflektoren mit einer Bandbreite,
die von den Restverlusten des Systems kontrolliert ist. Die saubere Verwirklichung dieser Stehwellenresonanz
erfordert, daß der Abstand zwischen den zwei reflektierenden Gitteranordnungen 40 und 42 ein ganzzahliges Vielfaches
der halben Wellenlänge längs der Oberfläche des Substrats 10 ist. Zur wirksamsten Anregung der Stehwellenresonanz
sollte der Eingangsinterdigitalwandler 21 in einer speziellen Weise bezüglich der Positionen der
reflektierenden Gitteranordnungen 40 und 42 angebracht sein. Die Bereiche der maximalen Oberflächenwellenanregung
in dem Substrat 10-unterhalb des Eingangsinterdigitalwandlers
21 sollte in diesem Zusammenhang mit den Maximalwerten in dem Stehwellenmuster zusammenfallen.
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Die Auskopplung der Energie bei der Stehwellenresonanz erfolgt mit Hilfe des Ausgangsinterdigitalwandlers 25 zur
Last 36. Wie im Fall des Eingangsinterdigitalwandlers 21
sollte der Ausgangsinterdigitalwandler 25 so angebracht sein, daß seine Bereiche mit maximaler Empfindlichkeit
mit den Maximalwerten in dem Stehwellenmuster zusammenfallen.
Für den Fachmann sind verschiedene Abwandlungen der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform erkennbar. Die reflektierenden
Gitteranordnungen 40 und 42 können beispielsweise als geätzte Nuten in dem Substrat 10 gebildet
sein, wie bereits erörtert worden ist. Während in ders-.·
Ausführungsform von Fig. 1 zum Einkoppeln und zum Auskoppeln in und aus der Resonatorvorrichtung Interdigitalwandler
21 und 25 verwendet worden sind, können zum Ein- und Auskoppeln von Energie für die Resonatorvorrichtung
auch andere Formen von mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Wandlern verwendet werden. Die Eingangsund
Ausgangswandler 21 bzw. 25 sind zwar im Bereich des Substrats 10 zwischen den zwei reflektierenden Gitteranordnungen
40 und 42 dargestellt worden, doch können auch einer oder beide Wandler außerhalb dieses Bereichs
angebracht sein. Die dargestellte Vorrichtung enthält genau zwei reflektierende Gitteranordnungen; es ist auch
möglich, mehr als zwei reflektierende Gitteranordnungen zu verwenden, was Anlaß für zwei oder mehr Bereiche mit
Stehwellenresonanz gibt. Es hat sich gezeigt, daß gemäß den obigen Ausführungen hergestellte Oberflächenwellen-Resonatorvorrichtungen
Gütefaktoren Q mit dem Wert 1000 oder höher bis zum Wert 10 000 aufweisen.
Fig. 2 zeigt schematisch die Kombination mehrerer Resonatorvorrichtungen
der oben beschriebenen Art zur Bildung einer Vielfachresonatoranordnung. Die gesamte Anordnung
ist auf einem Substrat 44 aus piezoelektrischem Material gebildet, und sie enthält mehrere einzelne Resonator-
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vorrichtungen 46, 48, 50 und 52. Jeder Resonator enthält erste und zweite, im Abstand voneinander liegende Gitteranordnungen
70 bis 77. Ferner enthält Jede Resonatorvorrichtung jeweils einen Eingangsinterdigitalwandler 54, 56,
58 und 60 sowie einen Ausgangsinterdigitalwandler 62, 64,
66 und 68.-Der Eingangsinterdigitalwandler 54 der ersten
Resonatorvorrichtung ist über Leitungen 90 und 92 an eine externe elektrische Signalquelle 88 angekoppelt. Das Ausgangssignal
der ersten Resonatorvorrichtung, das an dessen Ausgangsinterdigitalwandler 62 erscheint, wird über Leitungen
94 und 96 dem Eingangsinterdigitalwandler 56 der zweiten
Resonatorvorrichtung zugeführt. In gleicher Weise wird das Ausgangssignal Jeder folgenden Resonatorvorrich^
tung an den Eingang der nächstfolgenden Resonatorvorrichtung
angelegt. Der Ausgangsinterdigitalwandler der letzten Resonatorvorrichtung ist schließlich mit Hilfe von Leitungen
106 und 108 an eine externe Last 110 angekoppelt.
Der Frequenzgang jeder einzelnen Resonatorvorrichtung wird in erster Linie vom Ort und von der Anzahl der Elemente
der zugehörigen reflektierenden Gitteranordnungen bestimmt. Die in Fig. 2 dargestellten reflektierenden Gitteranordnungen
sind zwar in der gleichen Anordnung wiedergegeben worden, doch kann es allgemein erwünscht sein, bei jeder
der einzelnen Resonatorvorrichtungen geringfügig unterschiedliche Anordnungen vorzusehen, damit ein gewünschter
Gesamtfrequenzgang erzielt wird. Die Kopplung zwischen den einzelnen Resonatorvorrichtungen der Vielfachresonatoranordnung
wird von der Ausführung der jeweiligen Interdigitalwandler unter Anwendung bekannter Techniken bestimmt.
Die Möglichkeit der Steuerung des Frequenzgangs der einzelnen Resonatorvorrichtungen und der Kopplung zwischen
ihnen ermöglicht eine große Flexibilität bei der Verwirklichung eines gewünschten Gesamtfrequenzgangs.
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Es ist zwar eine spezielle Ausführungsform der Vielfachresonatoranordnung
beschrieben worden, doch sind für den Fachmann Abwandlungen dieser Anordnung offensichtlich,
die den oben im Zusammenhang mit dem Ausführungsbeispiel von Fig. 1 beschriebenen Abwandlungen ähnlich sind. Manchmal
kann es notwendig sein, den Wert der Kreuzkopplung der akustischen Wellen zwischen benachbarten Resonatorvorrichtungen
zu reduzieren. Beispielsweise kann dies dadurch erreicht werden, daß auf der Oberfläche des Substrats
zwischen benachbarten Resonatorvorrichtungen ein absorbierendes Material angebracht wird oder daß zwischen
benachbarten Resonatorvorrichtungen eine mehrere Wellenlängen tiefe Ausnehmung gebildet wird. Falls es erwünscht
ist, können die einzelnen Resonatorvorrichtungen einer gegebenen Anordung jeweils auf ihrem eigenen Substrat
hergestellt werden. Bei dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel der Vielfachresonatoranordnung sind die
einzelnen Resonatorvorrichtungen zwar in einer Kaskadenschaltung miteinander verbunden, doch können auch Parallel-
oder Serien/Parallel-Schaltungen der einzelnen Resonatorvorrichtungen vorgesehen sein.
In Fig. 3 ist eine weitere Ausführungsform einer Resonatorvorrichtung
nach der Erfindung dargestellt. Bei dieser in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform ist zwischen die
mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Eingangsund Ausgangsinterdigitalwandler der Resonatorvorrichtung
eine akustische Kopplungseinrichtung eingefügt. Die Resonatorvorrichtung von Fig. 3 gleicht sonst vollständig
der Ausführungsform von Fig. 1. Zur Vermeidung von Wiederholungen sind daher entsprechende Teile in Fig. 3
mit den gleichen Bezugszeichen versehen worden, die auch in der Ausführungsform von Fig. 1 verwendet wurden, doch
sind sie jeweils mit einem Strich ergänzt. Die akustische Kopplungseinrichtung zwischen den Eingangs- und Ausgangsinterdigitalwandlern
21', 25' ist in Form einer dritten
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reflektierenden Zwischengitteranordnung 43 ausgeführt, die
aus mehreren Unstetigkeitsstellen 44 der gleichen Art wie die Unstetigkeitsstellen 20', 30' der ersten und zweiten
Gitteranordnungen 40', 42' bestehen, die in Richtung nach
außen auf dem Substrat 10' bezüglich des Eingangsinterdigi
talwandlers 21· bzw. des Ausgangsinterdigitalwandlers 25' angebracht sind. Die Unstetigkeitsstellen 44 der
Zwischengitteranordnung 43 sind vorzugsweise ebenso ausgebildet wie die Unstetigkeitsstellen 20·, 30» der ersten
bzw. zweiten Gitteranordnungen 40', 42'. Die Unstetigkeitsstellen
44 der Zwischengitteranordnung 43 können daher aus mehreren schmalen Dünnfilmfingern oder Dünnfilmstreifen
bestehen, die auf der Oberfläche des Substrats 10· im Raum zwischen dem Eingangsinterdigitalwandler
21' und dem Ausgangsinterdigitalwandler 25' angebracht
sind. Die Streifen 44 können aus elektrisch leitendem Material oder aus einem dielektrischen Material
bestehen, wie sie oben im Zusammenhang mit den Unstetigkeitsstellen 20 und 30 der ersten und zweiten Gitteranordnungen
40 bzw. 42 der Ausführungsform von Fig. 1 angegeben worden sind. Es ist zu erkennen, daß die Unstetigkeitsstellen
44 der Zwischengitteranordnung 43 auch durch Ätzen von Nuten in dem Substrat 10' gebildet werden können.
Die einzelnen reflektierenden Unstetigkeitsstellen 44 der Zwischengitteranordnung 43 bilden eine akustische Kopplung
zwischen dem Eingangsinterdigitalwander 21' und dem Ausgangsinterdigitalwandler
25'j die Unstetigkeitsstellen 44 liegen dabei im gleichen Abstand voneinander, wobei
der Mittenabstand zwischen benachbarten Unstetigkeitsstellen im wesentlichen gleich der halben Wellenlänge
der Mittenfrequenz der Resonatorvorrichtung ist. Verbesserte Filtereigenschaften der Resonatorvorrichtung
von Fig. 3 können dadurch erzielt werden, daß die akustische Kopplungseinrichtung in Form der Zwischengitteranordnung
43 auf dem Substrat 10' zwischen dem Eingangsinterdigitalwandler
21' und dem Ausgangsinterdigitalwandler 25* angebracht wird. In dieser Hinsicht sollten
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die Eingangs- und Ausgangsinterdigitalwandler 21' bzw. 25'
nicht nur bezüglich der reflektierenden Gitteranordnungen 40', 42', sondern auch bezüglich der dritten Zwischengitteranordnung
43 besonders plaziert werden. Zu diesem Zweck sollten die Bereicheder maximalen Oberflächenwellenanregung
im Substrat 10' unterhalb des Eingangsinterdigitalwandlers
21' mit den Maximalwertbereichen der Stehwellenverteilung
zusammenfallen, wobei die Bereiche der maximalen Empfindlichkeit im Ausgangsinterdigitalwandler 25f
mit den Maximalwertbereichen der Stehwellenverteilung zusammenfallen. In der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform arbeiten die Gitteranordnungen 40' und 43 mit dem
Wandler 21' unter Bildung einer Resonatorvorrichtung zusammen, während die Gitteranordnungen 42f und 43 mit dem
Wandler 25f zur Bildung einer zweiten Resonatorvorrichtung
zusammenarbeiten. Die zwei Resonatorvorrichtungen können so ausgebildet sein, daß sie geringfügig versetzte Resonanzfrequenzen
aufweisen, damit der gewünschte Frequenzgang über die vollständige Vorrichtung erzielt wird, oder sie
können nach der Erfindung auch gleiche Resonanzfrequenzen haben. Die Kopplung zwischen den zwei Resonatorvorrichtungen
wird durch die Durchlässigkeit durch die Zwischengitteranordnung 43 erzielt.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, die in Fig. 4 dargestellt ist, ist zwischen den Eingangs- und
Ausgangsabschnitten einer Resonatorvorrichtung eine weitere Form der elektrischen Kopplung vorgesehen. Die Resonatorvorrichtung
von Fig. 4 enthält ein Substrat 120 aus einem geeigneten piezoelektrischen Material, auf dem Eingangsund
Ausgangsresonatorabschnitte 121 bzw. 122 angebracht sind. Der Eingangsresonatorabschnitt 121 enthält erste
und zweite reflektierende Gitteranordnungen 123, 124, die in einer Linie liegend, im Abstand voneinander auf dem
Substrat zu beiden Seiten eines akustischen Oberflächenwellen-Eingangswandlers 125 liegen. Der Eingangswandler
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ist vorzugsweise ein Interdigitalwandler, der mit Hilfe von Leitungen 127 und 128 an eine externe elektrische Eingangsanregungsquelle
126 angeschlossen ist. In gleicher Weise enthält der Ausgangsresonatorabschnitt 122 erste und zweite
reflektierende Gitteranordnungen 130, 131» die in einer Linie liegend, im Abstand voneinander zu beiden Seiten
eines als Interdigitalwandler ausgeführten akustischen Oberflächenwellen-Ausgangswandlers 132 auf dem Substrat
120 liegen. Der Ausgangswandler 132 ist über Leitungen 134 und 135 an eine Last 133 angeschlossen. Die Eingangsund
Ausgangsresonatorabschnitte 121 bzw. 122 sind über eine elektrische Kopplungseinrichtung miteinander gekoppelt,
die in Form von Vielfachstreifenkopplern 136 und 137 ausgeführt
ist, die sich Jeweils zwischen den Eingangs- und Ausgangsresonatorabschnitten 121 bzw. 122 erstrecken. Die
Vielfachstreifenkoppler 136 und 137 liegen zu beiden Seiten
der Eingangs- und Ausgangswandler 125 bzw. 132, und sie
bestehen aus mehreren extrem dünnen, parallelen Metallstreifen, die auf dem Substrat 120 angebracht sind. Jeder
der länglichen Metallstreifen der Vielfachstreifenkoppler
136 und 137 verläuft quer zur Breite des Substrats 120,
damit sie zugehörige Abschnitte mit den Eingangs- und Ausgangswandlern 125 bzw. 132 zusammenhängend umfassen.
Im Vergleich zu den Unstetigkeitsstellen der reflektierenden Gitteranordnungen 123, 134 und 130, 131 der Eingangsund
Ausgangsresonatotfabschnitte 121 bzw. 122 sind die einzelnen Metallstreifen der Vielfachstreifenkoppler 136,
137 relativ dünn und so angeordnet, daß der Abstand zwischen den Mitten benachbarter Metallstreifen wesentlich
kleiner als eine halbe Wellenlänge bei der Mittenfrequenz der Resonatorvorrichtung, nämlich beispielsweise ein Viertel
der Wellenlänge beträgt. Die Unstetigkeitselemente der
Gitteranordnungen 123, 124 und 130, I3I sind dicker als
die Metallstreifen der Vielfachstreifenkoppler 136 und 137, wobei der Abstand zwischen den Mitten benachbarter
Unstetigkeitselemente im wesentlichen gleich der halben Wellenlänge bei der Mittenfrequenz der Resonatorvorrich-
5098A9/0676
tung ist. Die beiden Enden des Substrats 120 sind jeweils
mit Absorptionsbereichen 140, 141 versehen, wie im Zusammenhang
mit der Ausführungsfora von Fig. 1 beschrieben worden ist, so daß ein Reflektieren der akustischen
Oberflächenwellen an den Enden des Substrats 120 verhindert wird.
Im Betrieb wird die in Fig. 4 dargestellte Ausführungsform durch Anlegen eines elektrischen Signals aus der Eingangsquelle
126 an den Eingangswandler 125 im Eingangsresonatorabschnitt
121 erregt. Der Eingangswandler 125 erzeugt dadurch eine akustische Oberflächenwellenenergie , die sich
längs der Oberfläche des Substrats 120 fortpflanzt. Die Reflexion der sich ausbreitenden Oberflächenwellen an den
Unstetigkeitselementen der Gitteranordnungen 123, 124 geschieht in der oben beschriebenen Weise, wobei die metallischen
Vielfachstreifenkoppler 136 und 137 die zusätzliche
Funktion eines gerichteten Kopplers ausüben, damit sich sowohl erzeugte als auch reflektierte akustische Oberflächenwellen
zwischen den Eingangs- und Ausgangsresonatorabschnitten 121 bzw. 122 frei ausbreiten. Die von den
Unstetigkeitselementen der Gitteranordnungen 123, 124 reflektierten Oberflächenwellen werden demnach zu den
Unstetigkeitselementen der Gitteranordnungen 130, 131
von den Vielfachstreifenkopplern 136 und 137 übertragen,
die so angebracht sind, daß zwischen den Eingangs- und Ausgangsresonatorabschnitten 121 bzw. 122 ein Stehwellen-Resonanzmuster
entsteht. Der Ausgangswandler 132 des Ausgangsresonatorabschnitts
122 wandelt die akustische Oberflächenwellenenergie in der Resonatorvorrichtung in
elektrische Energie um, die über die Leitungen 134, 135
an die Last 133 angelegt wird.
In Fig. 5 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung dargestellt, die der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform bis auf die Tatsache gleicht, daß nur ein einziger
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akustischer Oberflächenwellenwandler 150 zwischen zwei im Abstand voneinander angebrachten reflektierenden Gitteranordnungen
151 und 152 auf einem Substrat 153 aus piezoelektrischen Material eingefügt ist. Eine externe elektrische
Signalquelle 154· ist über Leitungen 155, 156 an
den Oberflächenwellenwandler 150 angekoppelt, der vorzugsweise
ein Interdigitalwandler ist. Die externe elektrische Signalquelle 154 dient als Anregungsvorrichtung für den
Wandler 150 zur Erzeugung akustischer Oberflächenwellen in dem Substrat 153, die dann von den Unstetigkeitselementen
reflektiert werden, die die auf den beiden Seiten des Wandlers 150 angebrachten reflektierenden Gitteranordnungeh
151 und 152 bilden. Das Substrat 153 ist mit Oberflächenwellen-Absorptionsbereichen
157, 158 versehen, die an seinen beiden Enden angebracht sind, damit die Reflexion
von Oberflächenwellen von den Enden des Substrats 153 verhindert wird. Aufeinanderfolgende Unstetigkeitselemente
in den Gitteranordnungen 151, 152 liegen im gleichen
Abstand voneinander, wobei der Mittenabstand benachbarter Unstetigkeitselemente im wesentlichen gleich der halben
Wellenlänge bei der Mittenfrequenz der Resonatorvorrichtung ist. Die -beiden Gitteranordnungen 151 und 152
liegen in einem Abstand voneinander, der gleich einem ganzzahligen Vielfachen von halben Wellenlängen längs
der Oberfläche des Substrats 153 ist; der Wandler 150
ist dabei auf dem Substrat so angeordnet, daß eine Stehwellenresonanzbedingung erfüllt wird. In dieser Ausführungsform
dient die Resonatorvorrichtung als ein abgestimmtes Impedanzelement mit hohem Gütefaktor Q, das
als Oszillatorsteuerung oder in Filteranwendungsfällen
benutzt werden kann.
Fig. 6 zeigt eine andere Form eines akustischen Oberfläehenwellenwandlers
160 vom Typ des Interdigitalwandlers,. bei dem die jeweiligen Finger oder Elektroden paarweise
ausgebildet sind, die nacheinander abwechselnd von den gegenüberliegenden Anschlüssen 161, 162 des Wandlers
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ausgehen. Der Anschluß 161 ist also mit jeweiligen Elektrodenpaaren
163 versehen, während der Anschluß 162 die Elektrodenpaare 164 aufweist, die abwechselnd mit den Elektrodenpaaren
163 aufeinanderfolgen. Diese Form des Interdigitalwandlers ist als Wandler mit gespaltenen Elektroden bekannt.
Interdigitalwandler 160 von Fig. 6 mit gespaltenen Elektroden können anstelle der in den zuvor beschriebenen
Ausführungsformen der Erfindung nach Fig. 1 bis 5 verwendet werden. Die Verwendung des Wandlers 160 mit gespaltenen
Elektroden bewirkt eine beträchtliche Reduzierung oder Unterdrückung von Wandlerreflexionen, die sonst den
Schwingungstyp der Resonatorvorrichtung stören würden. Der Schwingungstyp einer Resonatorvorrichtung mit einem
oder mit mehreren Interdigitalwandlern mit gespaltenen Elektroden nach Fig. 6 wird somit im wesentlichen frei
von Störungen aus Reflexionen, die vom Wandler erzeugt werden.
Von den oben beschriebenen Wandlervorrichtungen ist zwar angegeben worden, daß sie auf einem Substrat aus piezoelektrischem
Material gebildet sind, doch können solche Resonatorvorrichtungen auch auf einem Film aus piezoelektrischem
Material hergestellt sein, der auf einem Substrat aus nicht piezoelektrischem Material aufgebracht
ist. Ferner kann auch die akustische Kopplung zwischen Resonatorvorrichtungen durch eine andere akustische Vorrichtung
als die reflektierende Zwischengitteranordnung 43 der Ausführungsform von Fig. 3 erzielt werden. Beispielsweise
könnten Plattenschwingungstypen, die normalerweise in akustischen Oberflächenwellenvorrichtungen zu"
einem Störansprechverhalten führen, in einer Resonatorvorrichtung der hier beschriebenen Art, die der Übertragung
von Energie zwischen jeweiligen Resonatorvorrichtungen dient, zur Erzielung einer akustischen Kopplung zwischen
diesen Resonatorvorrichtungen eingesetzt werden.
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Insbesondere läßt sich feststellen, daß jede nach der Erfindung ausgebildete Resonatorvorrichtung als Ausgangssignal
eine ausgewählte Resonanzfrequenz erzeugt, wobei der Abstand zwischen benachbarten Reflektoren oder Unstetigkeitselementen
in den reflektierenden Gitteranordnungen einer Verschiebung der Ausbreitungsgeschwindigkeit
der Oberflächenwellen aufgrund der Anwesenheit der Jeweiligen Gitteranordnungen Rechnung trägt. Der Abstand
zwischen den reflektierenden Gitteranordnungen auf beiden Seiten eines Kopplungswandlers, beispielsweise eines akustischen
Oberflächenwellen-Interdigitalwandlers, ist durch die folgende Formel bestimmt:
d = λ(N/2 - Θγ/360),
wobei gilt: d = Abstand zwischen den reflektierenden
Gitteranordnungen auf beiden Seiten des Kopplungswandlers;
λ = Wellenlänge der gewünschten Mittenfrequenz
N « eine Ganzzahl und Or β Reflexionsphasenwinkel.
Wenn die Ganzzahl N eine ungerade Anzahl von Wellenlängen angibt, dann sollte der Kopplungswandler mit einer ungeraden
Anzahl von ineinandergreifenden Fingern oder Elektroden versehen sein; der Kopplungswandler sollte an einer
Stelle angebracht werden, die mit dem Maximalwertbereich der Stehwellenresonanzverteilung zusammenfällt. Wenn die
Ganzzahl N eine ungerade Anzahl von Wellenlängen angibt, wenn der Kopplungswandler mit einer geraden Anzahl von
Fingern oder Elektroden versehen ist, dann ist die Position des Wandlers bezüglich der reflektierenden Gitteranordnungen
auf Jeder seiner Seiten versetzt, damit der Kopplungswandler an einem Ort plaziert wird, der mit dem
Maximalwertbereich der Stehwellenresonanzverteilung zusammenfällt.
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Es sind hier zwar spezielle Ausführungsformen einer Resonatorvorrichtung
dargestellt und beschrieben worden, doch sind im Rahmen der Erfindung auch offensichtlich weitere
Abwandlungen möglich.
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Claims (20)
- PatentansprücheOberflächenwellen-Resonantorvorrichtung mit einem Substrat, das wenigstens eine Oberflächenschicht aus piezoelektrischem Material aufweist und wenigstens einem mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Wandler auf der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats, der ein elektrisches Eingangssignal in sich auf der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats ausbreitende akustische Oberflächenwellen umwandelt, dadurch gekennzeichnet, daß auf der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats auf den beiden Seiten des Oberflächenwellenwandlers erste und zweite reflektierende Gitteranordnungen angebracht sind, die auf die von dem Oberflächenwellenwandler erzeugten akustischen Oberflächenwellen so ansprechen, daß sie auf der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats wenigstens einen Bereich erzeugen, in dem eine Stehwellenresonanzbedingung eintritt.
- 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der mit akustischen Oberflächenwellen arbeitende Wandler aus einem Interdigitalwandler besteht.
- 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Interdigitalwandler gegenüberliegende Anschlußstreifen aufweist, die zur Bildung eines Wandlers mit gespaltenen Elektroden mit abwechselnden, fingerartig ineinander verzahnten Elektrodenpaaren versehen sind.
- 4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Bit akustischen Oberflächenwellen arbeitende Wandler Eingangs- und Ausgangsinterdigitalwandler bildet.
- 5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur akustischen Kopplung der zwischen den Ein-509849/0676gangs- und Ausgangsinterdigitalwandlern übertragenen Energie eine akustische Kopplungseinrichtung zwischen den Wandlern angebracht ist.
- 6. Vorrichtung nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die akustische Kopplungseinrichtung aus einer reflektierenden Gitteranordnung besteht, die zum Reflektieren wenigstens eines Teils der auf sie treffenden Oberflächenwellenenergie mit mehreren, auf der piezoelektrischen Oberflächenschicht angebrachten Unstetigkeitsstellen versehen ist.
- 7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß jede der reflektierenden Gitteranordnungen aus mehreren, im Abstand voneinander bei der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats angebrachten Unstetigkeitsstellen besteht,die wenigstens einen Teil der auf sie treffenden Oberflächenwellenenergie reflektieren.
- 8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Unstetigkeitsstellen aus einem schmalen Streifen aus elektrischen Material besteht, der auf der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats angebracht ist.
- 9. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Unstetigkeitsstellen aus einem schmalen Streifen aus dielektrischem Material besteht, der auf der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats angebracht ist.
- 10. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Unstetigkeitsstellen aus einer schmalen Vertiefung besteht, die in der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats gebildet ist.
- 11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die reflektierenden Gitteranord-509849/0676nungen um etwa ein ganzzahliges Vielfaches von halben Wellenlängen bei der Mittenfrequenz der Resonatorvorrichtung voneinander entfernt sind und daß der Abstand zwischen benachbarten Unstetigkeitsstellen jeder der Gitteranordnungen im wesentlichen gleich einer halben Wellenlänge bei dieser Mittenfrequenz ist..
- 12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an den beiden Enden der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats zur Unterdrückung von Kantenreflexionen der akustischen Oberflächenwellen jeweils ein absorbierender Bereich angebracht ist.
- 13. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats im Abstand voneinander gegenüberliegende Eingangs- und Ausgangsresonatorabschnitte vorgesehen sind, daß die Eingangs- und Ausgangsresonatorabschnitte jeweils einen mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Wandler und zwei reflektierende Gitteranordnungen mit jeweils mehreren Unstetigkeitselementen im Abstand voneinander in einer Linie zu beiden Seiten des Wandlers enthalten, daß der Wandler des Eingangsresonatorabschnitts in Abhängigkeit von einem elektrischen Signal in der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats akustische Oberflächenwellen erzeugt, daß zwischen dem Eingangsresonatorabschnitt und dem Ausgangsresonatorabschnitt eine elektrische Kopplungseinrichtung verläuft, die bezüglich der zwei reflektierenden Gitteranordnungen der Eingangs- und Ausgangsresonatorabschnitte so angeordnet ist, daß akustische Energie zur Erzielung einer Stehwellenresonänzverteilung zwischen den Abschnitten koppelt, und daß der Wandler des Ausgangsresonatorabschnitts abhängig von der Stehwellenresonänzverteilung ein elektrisches Ausgangssignal erzeugt.509849/0676
- 14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Kopplungseinrichtung aus ersten und zweiten Vielfachstreifenkopplern besteht, von denen jeweils einer zu beiden Seiten der in den Eingangs- und Ausgangsresonatorabschnitten enthaltenen Wandler angebracht ist, wobei die Koppler jeweils zwischen den reflektierenden Gitteranordnungen und den beiden Seiten der Wandler liegen, und daß jeder der Vielfachstreifenkoppler mehrere längeliche Metallstreifen enthält, die in Querrichtung zur piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats verlaufen, so daß sie jeweilige Abschnitte aufweisen, die in zusammenhängender Beziehung mit den Wandlern der Eingangsund Ausgangsresonatorabschnitte verlaufen.
- 15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen aufeinanderfolgenden Metallstreifen jedes der Vielfachstreifenkoppler gemessen jeweils von Mitte zu Mitte im wesentlichen gleich einer Viertel Wellenlänge der Mittenfrequenz der Resonatorvorrichtung ist und daß der Abstand zwischen aufeinanderfolgenden ünstetigkeitselementen jeder der reflektierenden Gitteranordnungen im wesentlichen gleich der halben Wellenlänge bei dieser Mittenfrequenz ist.
- 16. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat vollständig aus piezoelektrischem Material besteht.
- 17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat aus einem Substratkörper aus nicht-piezoelektrischem Material besteht und daß auf dem Substratkörper eine Schicht aus piezoelektrischem Material aufgebracht ist, die die piezoelektrische Oberflächenschicht bildet.509849/0676
- 18. Vielfachresonatoranordnung mit mehreren nach Anspruch 1 aufgebauten Resonatorvorrichtungen für akustische Oberflächenwellen, dadurch gekennzeichnet, daß die Resonatorvorrichtungen zur Erzielung eines speziellen Gesamtfrequenzgangs gekoppelt sind, daß wenigstens eine der Resonatorvorrichtungen so angeordnet ist, daß sie direkt auf ein elektrisches Eingangssignal anspricht, daß wenigstens eine der Resonatorvorrichtungen so angeordnet ist, daß sie direkt ein elektrisches Ausgangssignal abgibt, und daß jede der Resonatorvorrichtungen aus folgenden Teilen besteht: einem Substrat mit wenigstens einer Oberflächenschicht aus piezoelektrischem Material, einem mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Eingangswandler zum Aussenden akustischer Oberflächenwellen auf der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats abhängig von einer elektrischen Eingangsenergie, erste und zweite reflektierende Gitteranordnungen auf der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats, die abhängig von den akustischen Oberflächenwellen in wenigstens einem Bereich der piezoelektrischen Oberflächenschicht des Substrats eine Stehwellenresonanzverteilung erzeugen, und einen mit akustischen Oberflächenwellen arbeitenden Ausgangswandler, der abhängig von der Stehwellenresonanzverteilung eine elektrische Ausgangsenergie liefert.
- 19. Anordnung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet,daß alle Resonatorvorrichtungen auf dem gleichen Substrat angebracht sind.
- 20. Anordnung nach Anspruch 19» dadurch gekennzeichnet, daß sie zur Verminderung der akustischen Kreuzkopplung zwischen zwei Resonatorvorrichtungen angeordnet ist.509849/0676
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US471616A US3886504A (en) | 1974-05-20 | 1974-05-20 | Acoustic surface wave resonator devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2521290A1 true DE2521290A1 (de) | 1975-12-04 |
Family
ID=23872333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752521290 Ceased DE2521290A1 (de) | 1974-05-20 | 1975-05-13 | Oberflaechenwellenresonatorvorrichtung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3886504A (de) |
JP (1) | JPS5646289B2 (de) |
DE (1) | DE2521290A1 (de) |
FR (1) | FR2272530B1 (de) |
GB (1) | GB1513911A (de) |
NL (1) | NL185120C (de) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2600393A1 (de) * | 1975-01-15 | 1976-07-22 | Philips Nv | Elektrische filter mit gekoppelten resonatoren |
DE2802795A1 (de) * | 1977-02-04 | 1978-08-10 | Philips Nv | Akustischer oberflaechenwellenresonator |
DE2937775A1 (de) * | 1978-09-22 | 1980-04-03 | Philips Nv | Akustische wellenanordnungen |
DE3021013A1 (de) * | 1980-06-03 | 1981-12-17 | Franz Prof. Dr.-Ing. Wien Seifert | Interdigitalwandler fuer oberflaechenwellen-(saw)einrichtung und volumenwellen-(ssb)einrichtung |
EP0054723A1 (de) * | 1980-12-22 | 1982-06-30 | Hewlett-Packard Company | Akustischer Oberflächenwellenresonator |
DE3438051A1 (de) * | 1984-10-09 | 1986-04-24 | X-Cyte, Inc., Mountain View, Calif. | Akustische reflektoren aufweisender, passiver transponder auf akustische oberflaechenwellen |
US5986382A (en) | 1997-08-18 | 1999-11-16 | X-Cyte, Inc. | Surface acoustic wave transponder configuration |
US6060815A (en) | 1997-08-18 | 2000-05-09 | X-Cyte, Inc. | Frequency mixing passive transponder |
US6107910A (en) | 1996-11-29 | 2000-08-22 | X-Cyte, Inc. | Dual mode transmitter/receiver and decoder for RF transponder tags |
US6114971A (en) | 1997-08-18 | 2000-09-05 | X-Cyte, Inc. | Frequency hopping spread spectrum passive acoustic wave identification device |
US6208062B1 (en) | 1997-08-18 | 2001-03-27 | X-Cyte, Inc. | Surface acoustic wave transponder configuration |
DE102006042546A1 (de) * | 2006-09-11 | 2008-03-27 | Epcos Ag | Mit Oberflächenwellen arbeitendes elektrisches Bauelement |
DE10015608B4 (de) * | 1999-03-29 | 2008-08-21 | Sanyo Electric Co., Ltd., Moriguchi | Akustische Oberflächenwellenfiltervorrichtung und damit ausgerüstetes transportables Telefon |
Families Citing this family (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1431112A (en) * | 1973-08-31 | 1976-04-07 | Mullard Ltd | Acoustic surface-wave devices |
DE2363701A1 (de) * | 1973-12-21 | 1975-06-26 | Licentia Gmbh | Akustisches oberflaechenwellenfilter |
GB1445782A (en) * | 1974-03-05 | 1976-08-11 | Standard Telephones Cables Ltd | Surface acoustic wave filter device |
DE2435751A1 (de) * | 1974-07-25 | 1976-02-12 | Licentia Gmbh | Akustisches oberflaechenwellenfilter |
JPS5824971B2 (ja) * | 1974-07-31 | 1983-05-24 | ハギワラデンキ カブシキガイシヤ | オンキヨウデンキキヨウシンシ |
FR2290786A1 (fr) * | 1974-11-08 | 1976-06-04 | Thomson Csf | Dispositif a reflexion selective d'ondes elastiques de surface |
US3961293A (en) * | 1975-02-03 | 1976-06-01 | Texas Instruments Incorporated | Multi-resonant surface wave resonator |
GB1513466A (en) * | 1975-09-19 | 1978-06-07 | Mullard Ltd | Acoustic surface wave devices |
US4048594A (en) * | 1976-01-02 | 1977-09-13 | Hughes Aircraft Company | Surface acoustic wave filter |
US4009924A (en) * | 1976-03-18 | 1977-03-01 | General Motors Corporation | Spark plug connector assembly |
US4114119A (en) * | 1976-05-24 | 1978-09-12 | Raytheon Company | Wide band low loss acoustic wave device |
US4081769A (en) * | 1976-09-13 | 1978-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Acoustic surface wave resonator with suppressed direct coupled response |
US4144507A (en) * | 1976-09-29 | 1979-03-13 | Texas Instruments Incorporated | Surface acoustic wave resonator incorporating coupling transducer into reflecting arrays |
JPS5393231A (en) * | 1977-01-28 | 1978-08-16 | Toyota Motor Corp | Ignitor secondary cable |
GB1583295A (en) * | 1977-04-07 | 1981-01-21 | Woodhead R W | Cases for throwing darts |
US4254387A (en) * | 1977-10-06 | 1981-03-03 | U.S. Philips Corporation | Acoustic wave devices |
CA1132211A (en) * | 1978-02-23 | 1982-09-21 | Martin Redwood | Acoustic wave devices |
US4255726A (en) * | 1978-03-20 | 1981-03-10 | Hitachi, Ltd. | Surface acoustic wave filter |
JPS54138480A (en) * | 1978-04-20 | 1979-10-26 | Toshiba Corp | Temperature detector |
US4263571A (en) * | 1978-11-15 | 1981-04-21 | Hitachi, Ltd. | Surface acoustic wave filter |
US4237433A (en) * | 1979-03-13 | 1980-12-02 | Sperry Corporation | Surface acoustic wave resonators with integrated internal coupler reflectors |
JPS55158720A (en) * | 1979-05-28 | 1980-12-10 | Clarion Co Ltd | Surface elastic wave device |
US4353046A (en) * | 1980-11-04 | 1982-10-05 | R F Monolithics, Inc. | Surface acoustic wave device with reflectors |
JPS57101413A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Toshiba Corp | Surface acoustic wave resonator |
JPS57119509A (en) * | 1981-01-19 | 1982-07-26 | Toshiba Corp | Surface acoustic wave resonator |
US4410823A (en) * | 1981-11-13 | 1983-10-18 | Zenith Radio Corporation | Surface acoustic wave device employing reflectors |
JPS5892783U (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-23 | オムロン株式会社 | 機器取付装置 |
GB2117992B (en) * | 1982-03-24 | 1985-09-18 | Philips Electronic Associated | Parallel-series acoustic wave device arrangement |
US4454488A (en) * | 1982-07-08 | 1984-06-12 | R F Monolithics, Inc. | Surface acoustic wave resonator with middle grating |
GB2145892A (en) * | 1983-08-31 | 1985-04-03 | Philips Electronic Associated | Surface acoustic wave device |
EP0146077B1 (de) | 1983-12-15 | 1991-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Akustischer Oberflächenwellenresonator |
JPH0773177B2 (ja) * | 1984-12-17 | 1995-08-02 | 株式会社東芝 | 弾性表面波共振子 |
JPS61251223A (ja) * | 1985-04-27 | 1986-11-08 | Pioneer Electronic Corp | 弾性表面波共振子 |
US4609891A (en) * | 1985-10-16 | 1986-09-02 | Sperry Corporation | Staggered SAW resonator for differential detection |
US4731595A (en) * | 1986-01-24 | 1988-03-15 | Rf Monolithics, Inc. | Resonator structure |
JPS62271514A (ja) * | 1986-11-28 | 1987-11-25 | Toshiba Corp | 弾性表面波共振子 |
US4965479A (en) * | 1987-01-12 | 1990-10-23 | Hewlett-Packard Company | Surface transverse wave resonator |
JP2632407B2 (ja) * | 1989-02-14 | 1997-07-23 | 国際電気株式会社 | 単一モード2端子対弾性表面波共振子 |
JPH02203609A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-08-13 | Toshiba Corp | 弾性表面波共振子 |
JPH02153613A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-06-13 | Toshiba Corp | 弾性表面波共振子の製造方法 |
JPH02131608A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-05-21 | Toshiba Corp | 弾性表面波共振子 |
US5212420A (en) * | 1991-09-03 | 1993-05-18 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for surface acoustic wave reflector grating |
US5296824A (en) * | 1991-12-02 | 1994-03-22 | Motorola, Inc. | Low loss wide bandwidth parallel channel acoustic filter |
US5287036A (en) * | 1992-03-02 | 1994-02-15 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for acoustic wave inductance |
US5374908A (en) * | 1992-11-25 | 1994-12-20 | Rf Monolithics, Inc. | Surface acoustic wave device for generating an output signal with only a symmetric or only an asymmetric vibration mode acoustic wave |
US5434466A (en) * | 1994-05-31 | 1995-07-18 | Motorola, Inc. | Acoustic wave filter with reduced bulk-wave scattering loss and method |
JP3244386B2 (ja) * | 1994-08-23 | 2002-01-07 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置 |
DE69636897T2 (de) * | 1995-05-29 | 2007-10-25 | Sanyo Electric Co., Ltd., Moriguchi | Akustischer Oberflächenwellenfilter |
WO2004102797A1 (ja) * | 1997-07-17 | 2004-11-25 | Michiaki Takagi | 2ポートsaw共振子 |
US6335667B1 (en) | 1998-08-28 | 2002-01-01 | Seiko Epson Corporation | Multi-longitudinal mode coupled saw filter |
KR100316383B1 (ko) * | 1998-10-30 | 2002-02-19 | 윤덕용 | 모노리딕직접회로위에박막또는후막단결정압전소자를집적한단일칩라디오구조및그제조방법 |
JP3432492B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2003-08-04 | 富士通株式会社 | 弾性表面波共振器及びこれを用いた弾性表面波フィルタ |
JP2003037467A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
DE10304470B4 (de) * | 2003-02-04 | 2013-09-05 | Epcos Ag | Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes elektronisches Bauelement |
US7215214B1 (en) | 2003-09-26 | 2007-05-08 | Cypress Semiconductor Corp. | Resonator and amplifying oscillator circuit having a high resolution skew-compensated frequency synthesizer integrated on a single substrate |
ATE414336T1 (de) * | 2003-09-30 | 2008-11-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Elektroakustisches kabel für magnetresonanzanwendungen |
US20100095740A1 (en) * | 2007-12-07 | 2010-04-22 | The Ohio State University Research Foundation | Determining physical properties of structural members in multi-path clutter environments |
US20110001655A1 (en) * | 2007-12-07 | 2011-01-06 | The Ohio State University Research Foundation | Determining physical properties of structural members in dynamic multi-path clutter environments |
US8342027B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-01-01 | The Ohio State University | Determining physical properties of objects or fluids in multi-path clutter environments |
CN103117728A (zh) * | 2013-03-07 | 2013-05-22 | 浙江工商大学 | 声表面波谐振器 |
DE102013010014A1 (de) * | 2013-06-14 | 2014-12-18 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Temperatursensor für ein fluides Medium |
CN107040234A (zh) * | 2016-02-03 | 2017-08-11 | 中国科学院声学研究所 | 一种高灵敏度的双端对谐振式声表面波检测器 |
RU2633658C2 (ru) * | 2016-03-09 | 2017-10-16 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" | Резонатор на поверхностных акустических волнах |
KR20230069710A (ko) * | 2021-11-12 | 2023-05-19 | 삼성전자주식회사 | 지향성 음향 센서 |
CN114257206B (zh) * | 2022-01-18 | 2023-03-24 | 深圳新声半导体有限公司 | 声表面波谐振器、滤波器和通讯装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2133634A1 (de) * | 1971-07-06 | 1973-01-25 | Siemens Ag | Elektrisches filter nach dem oberflaechenwellenprinzip |
US3716809A (en) * | 1971-08-11 | 1973-02-13 | Us Air Force | Acoustic surface wave resonator |
US3723919A (en) * | 1972-03-20 | 1973-03-27 | Zenith Radio Corp | Acoustic surface wave filters with reflection suppression |
DE2309520A1 (de) * | 1972-03-01 | 1973-09-13 | Motorola Inc | Akustischer oberflaechenschwingungsresonator |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3836876A (en) * | 1971-05-05 | 1974-09-17 | Secr Defence | Acoustic surface wave devices |
-
1974
- 1974-05-20 US US471616A patent/US3886504A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-05-06 GB GB18940/75A patent/GB1513911A/en not_active Expired
- 1975-05-13 DE DE19752521290 patent/DE2521290A1/de not_active Ceased
- 1975-05-19 JP JP5953175A patent/JPS5646289B2/ja not_active Expired
- 1975-05-20 NL NLAANVRAGE7505903,A patent/NL185120C/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-05-20 FR FR7515621A patent/FR2272530B1/fr not_active Expired
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2133634A1 (de) * | 1971-07-06 | 1973-01-25 | Siemens Ag | Elektrisches filter nach dem oberflaechenwellenprinzip |
US3716809A (en) * | 1971-08-11 | 1973-02-13 | Us Air Force | Acoustic surface wave resonator |
DE2309520A1 (de) * | 1972-03-01 | 1973-09-13 | Motorola Inc | Akustischer oberflaechenschwingungsresonator |
US3723919A (en) * | 1972-03-20 | 1973-03-27 | Zenith Radio Corp | Acoustic surface wave filters with reflection suppression |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
ASH, E.A.: Surface wave grating reflectors and resonators. In: G-MTT 1970 International microwave Symposium, Digest of technical papers, S.385 u. 386 * |
Electronics Letters, 4th Nov.1971, Vol.7, No.22, S.653-654 * |
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol.MTT-21, No.4, S.216-225 (April 1973) * |
Proc. of the IEEE, Vol.58, No.8, S.1244, 1245,1249,1264,1265, Aug.1970 * |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2600393A1 (de) * | 1975-01-15 | 1976-07-22 | Philips Nv | Elektrische filter mit gekoppelten resonatoren |
DE2802795A1 (de) * | 1977-02-04 | 1978-08-10 | Philips Nv | Akustischer oberflaechenwellenresonator |
DE2937775A1 (de) * | 1978-09-22 | 1980-04-03 | Philips Nv | Akustische wellenanordnungen |
DE3021013A1 (de) * | 1980-06-03 | 1981-12-17 | Franz Prof. Dr.-Ing. Wien Seifert | Interdigitalwandler fuer oberflaechenwellen-(saw)einrichtung und volumenwellen-(ssb)einrichtung |
EP0054723A1 (de) * | 1980-12-22 | 1982-06-30 | Hewlett-Packard Company | Akustischer Oberflächenwellenresonator |
DE3438051A1 (de) * | 1984-10-09 | 1986-04-24 | X-Cyte, Inc., Mountain View, Calif. | Akustische reflektoren aufweisender, passiver transponder auf akustische oberflaechenwellen |
US6107910A (en) | 1996-11-29 | 2000-08-22 | X-Cyte, Inc. | Dual mode transmitter/receiver and decoder for RF transponder tags |
US6531957B1 (en) | 1996-11-29 | 2003-03-11 | X-Cyte, Inc. | Dual mode transmitter-receiver and decoder for RF transponder tags |
US7741956B1 (en) | 1996-11-29 | 2010-06-22 | X-Cyte, Inc. | Dual mode transmitter-receiver and decoder for RF transponder tags |
US6060815A (en) | 1997-08-18 | 2000-05-09 | X-Cyte, Inc. | Frequency mixing passive transponder |
US5986382A (en) | 1997-08-18 | 1999-11-16 | X-Cyte, Inc. | Surface acoustic wave transponder configuration |
US6114971A (en) | 1997-08-18 | 2000-09-05 | X-Cyte, Inc. | Frequency hopping spread spectrum passive acoustic wave identification device |
US6208062B1 (en) | 1997-08-18 | 2001-03-27 | X-Cyte, Inc. | Surface acoustic wave transponder configuration |
US6611224B1 (en) | 1997-08-18 | 2003-08-26 | X-Cyte, Inc. | Backscatter transponder interrogation device |
DE10015608B4 (de) * | 1999-03-29 | 2008-08-21 | Sanyo Electric Co., Ltd., Moriguchi | Akustische Oberflächenwellenfiltervorrichtung und damit ausgerüstetes transportables Telefon |
DE102006042546A1 (de) * | 2006-09-11 | 2008-03-27 | Epcos Ag | Mit Oberflächenwellen arbeitendes elektrisches Bauelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1513911A (en) | 1978-06-14 |
FR2272530A1 (de) | 1975-12-19 |
JPS5646289B2 (de) | 1981-11-02 |
NL7505903A (nl) | 1975-11-24 |
JPS51244A (de) | 1976-01-05 |
NL185120B (nl) | 1989-08-16 |
NL185120C (nl) | 1990-01-16 |
FR2272530B1 (de) | 1980-07-25 |
US3886504A (en) | 1975-05-27 |
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