JPS62271514A - 弾性表面波共振子 - Google Patents
弾性表面波共振子Info
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- JPS62271514A JPS62271514A JP28195686A JP28195686A JPS62271514A JP S62271514 A JPS62271514 A JP S62271514A JP 28195686 A JP28195686 A JP 28195686A JP 28195686 A JP28195686 A JP 28195686A JP S62271514 A JPS62271514 A JP S62271514A
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- JCCYXJAEFHYHPP-OLXYHTOASA-L dilithium;(2r,3r)-2,3-dihydroxybutanedioate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O JCCYXJAEFHYHPP-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical group [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は弾性表面波共振子に関する。
(従来の技術)
従来から、弾性表面波共振器をインターディジタルトラ
ンスデエーサと弾性表面波を反射する多数本のストライ
プからなる反射器によって構成することが知られている
。この基本的な発明はクリントン・シルベルター・ハー
トマンラニヨリナされており(%開開5l−244)、
高周波のフィルターや発掘子などに応用、実用が広がシ
つつある。
ンスデエーサと弾性表面波を反射する多数本のストライ
プからなる反射器によって構成することが知られている
。この基本的な発明はクリントン・シルベルター・ハー
トマンラニヨリナされており(%開開5l−244)、
高周波のフィルターや発掘子などに応用、実用が広がシ
つつある。
しかしながら前述した弾性表面波反射用のストライプの
構造については、弾性表面波素子の基板の材料によシ大
きく制約を受けておシ、必ずしも製造プロセス上のこと
などを考えると自由に選択することはできなかった。
構造については、弾性表面波素子の基板の材料によシ大
きく制約を受けておシ、必ずしも製造プロセス上のこと
などを考えると自由に選択することはできなかった。
従来報告されている反射器の構造を示し反射のメカニズ
ムを説明する。第1図の構造の反射器はニオブ酸リチウ
ムの基板上1にアルミニウムの薄膜を被着しフォトエツ
チングによシ共振周波数における表面波波長の1/4の
線幅のストライプ2を前記波長の1/2のくシかえして
多数本配置された構造にしたものである。
ムを説明する。第1図の構造の反射器はニオブ酸リチウ
ムの基板上1にアルミニウムの薄膜を被着しフォトエツ
チングによシ共振周波数における表面波波長の1/4の
線幅のストライプ2を前記波長の1/2のくシかえして
多数本配置された構造にしたものである。
この構造の反射のメカニズムは、基板表面上が導電膜で
被われている部分と、いない部分での音響インピーダン
スの違いにより反射が生ずることを応用している。とこ
ろがこのニオブ酸すナウム基板上にアルミニウムの反射
器を形成した弾性表白波共振子はQがたかだか5ooo
程度であり低いという欠点があ−り実用化されていない
。
被われている部分と、いない部分での音響インピーダン
スの違いにより反射が生ずることを応用している。とこ
ろがこのニオブ酸すナウム基板上にアルミニウムの反射
器を形成した弾性表白波共振子はQがたかだか5ooo
程度であり低いという欠点があ−り実用化されていない
。
一方、第2図の構造の反射器は水晶やニオブ酸リチウム
、タルタル酸リチウム等の圧電性基板3の表面を共振周
波数における表面波波長の1/30以下程度の浅い溝4
を、第1図と同様の線幅、くりかえしで多数本配置して
成るものである。この反射のメカニズムは基板表面上に
、幾何学的に振動を与えることにより溝の端部のステッ
プでの音響的反射を応用したものである。溝の深さと、
反射率の関係は、理論的にも実験的にも多く発表されて
おり基板材料も、水晶ニオブ酸リチウムで試されている
が、溝を作成する技術として水晶では(材料がs to
2であるので)プラズマエツチングなどケミカルな方法
も使えるがニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムなど
の基板ではケミカルな方法は現在適当なものが見い出さ
れておらず物理的tC力ロエするイオンビームミリング
に頼らざるを得ない。イオンミリングでは、装置も高価
で量産性にも乏しく、広く生産されるには至っていない
。
、タルタル酸リチウム等の圧電性基板3の表面を共振周
波数における表面波波長の1/30以下程度の浅い溝4
を、第1図と同様の線幅、くりかえしで多数本配置して
成るものである。この反射のメカニズムは基板表面上に
、幾何学的に振動を与えることにより溝の端部のステッ
プでの音響的反射を応用したものである。溝の深さと、
反射率の関係は、理論的にも実験的にも多く発表されて
おり基板材料も、水晶ニオブ酸リチウムで試されている
が、溝を作成する技術として水晶では(材料がs to
2であるので)プラズマエツチングなどケミカルな方法
も使えるがニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムなど
の基板ではケミカルな方法は現在適当なものが見い出さ
れておらず物理的tC力ロエするイオンビームミリング
に頼らざるを得ない。イオンミリングでは、装置も高価
で量産性にも乏しく、広く生産されるには至っていない
。
第3図の構造の反射器は、考え方は溝と同じであるが溝
ではなく基板50表面に誘電体、金属膜力どで凸部のス
トライプ6を形成し、前記溝の方式と同様に音響的反射
を生ぜしめるものである。
ではなく基板50表面に誘電体、金属膜力どで凸部のス
トライプ6を形成し、前記溝の方式と同様に音響的反射
を生ぜしめるものである。
このメカニズムは溝の方式と同様であるということ既知
である。
である。
この方式の実験報告例として水晶の基板上に、弾性表面
波波長のl/30程度の厚さのアルミニウムのストライ
プをつけた構造のものと、水晶基板上に酸化亜鉛のスト
ライプをつけた構造のものが試されている。この結果は
良好な反射器が得られているが、水晶板と上記の材料に
よる組合せでは別の問題がある。それは、ストライプ材
の膜厚により、反射器内の表面波伝搬速度が大きく変化
し、共振周波数が変化することである。
波波長のl/30程度の厚さのアルミニウムのストライ
プをつけた構造のものと、水晶基板上に酸化亜鉛のスト
ライプをつけた構造のものが試されている。この結果は
良好な反射器が得られているが、水晶板と上記の材料に
よる組合せでは別の問題がある。それは、ストライプ材
の膜厚により、反射器内の表面波伝搬速度が大きく変化
し、共振周波数が変化することである。
このことは、′目的の共振周波数の表面波共振子を製作
するのにストライプ材の膜厚を極めて高精度に形成しな
ければならないことになる。
するのにストライプ材の膜厚を極めて高精度に形成しな
ければならないことになる。
このことはit量産時は非常に大きな問題となり、1つ
1つの共振子を何らかの方法でトリミングをする必要が
生じることになる。
1つの共振子を何らかの方法でトリミングをする必要が
生じることになる。
(発明が解決しようとする問題点)
このように従来の弾性表面波共振子では、良好な反射特
性が得られない、またストライプの膜厚の変化に対する
共振周波数の変化が大きい等の問題があり、実用化に至
っていなかった。
性が得られない、またストライプの膜厚の変化に対する
共振周波数の変化が大きい等の問題があり、実用化に至
っていなかった。
本発明は、以上の欠点を除去し、良好な反射特性を有し
、かつストライプ材の膜厚に対し、共振周波数の変化が
少ない基板とストライプ材の組合せの反射器をもった弾
性表面波共振子を提供するものである。
、かつストライプ材の膜厚に対し、共振周波数の変化が
少ない基板とストライプ材の組合せの反射器をもった弾
性表面波共振子を提供するものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は上記問題点を解決するために、タンタル酸リチ
ウム基板と、この基板上に設けられた電気信号を弾性表
面波に変換するためのトランスデユーサと、このトラン
スデユーサによυ励振された弾性表面波を反射し共振状
態を生ぜしめるよう前記タンタル酸リチウム基板の前記
弾性表面波伝搬路に設けられ九膜厚0.5μm以上のア
ルミニウム膜からなる反射器とを備えることを特徴とす
る弾性表面波共振子を提供するものである。
ウム基板と、この基板上に設けられた電気信号を弾性表
面波に変換するためのトランスデユーサと、このトラン
スデユーサによυ励振された弾性表面波を反射し共振状
態を生ぜしめるよう前記タンタル酸リチウム基板の前記
弾性表面波伝搬路に設けられ九膜厚0.5μm以上のア
ルミニウム膜からなる反射器とを備えることを特徴とす
る弾性表面波共振子を提供するものである。
(作 用)
このようなタンタル酸リチウム基板にアルミニウムの反
射器を設けた本発明の弾性表面波共振子によると、水晶
やニオブ酸リチウム基板にアルミニウムの反射器を設け
た本のに比べて、アルはニウムの膜厚の変化に対する弾
性表面波伝搬速度の変化が小さく、その結果、弾性表面
波共振子の共振周波数のばらつきが小さく、量産時の周
波数再現性に優れるという効果を奏する。
射器を設けた本発明の弾性表面波共振子によると、水晶
やニオブ酸リチウム基板にアルミニウムの反射器を設け
た本のに比べて、アルはニウムの膜厚の変化に対する弾
性表面波伝搬速度の変化が小さく、その結果、弾性表面
波共振子の共振周波数のばらつきが小さく、量産時の周
波数再現性に優れるという効果を奏する。
また大きな弾性表面波反射率を得るには、圧電性基板の
電気−機械結合係数に2が大きいこと、反射器の重量が
大きいことが条件とされており、この点タンタル酸リチ
ウムのkはニオブ酸リチウムのそれよりも小さく、シか
もタンタル酸リチウムの比重は約7.5であるのに対し
アルミニウムの比重は約2.4であることから、当初タ
ンタル酸リチウム基板上にアルミニウムの反射器を設け
ても十分な反射率が得られないのではないかとの危惧が
あったが、実際にはアルミニウムの膜厚を0.51rr
r1以上にすると良好な反射特性が得られ、従来の弾性
表面波共振子に比べばはるかに大きいQを得ることがで
きることが見い出された。
電気−機械結合係数に2が大きいこと、反射器の重量が
大きいことが条件とされており、この点タンタル酸リチ
ウムのkはニオブ酸リチウムのそれよりも小さく、シか
もタンタル酸リチウムの比重は約7.5であるのに対し
アルミニウムの比重は約2.4であることから、当初タ
ンタル酸リチウム基板上にアルミニウムの反射器を設け
ても十分な反射率が得られないのではないかとの危惧が
あったが、実際にはアルミニウムの膜厚を0.51rr
r1以上にすると良好な反射特性が得られ、従来の弾性
表面波共振子に比べばはるかに大きいQを得ることがで
きることが見い出された。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図を参照しながら説明する。第
4図は本発明の一実施例を示すもので基板7にタンタル
酸リチウムのXカット板を使用し、バルクスプリアスの
少ない112°Y方向に弾性表面波が伝搬するように入
出カドランスデューサ8を適当な間隔を隔って形成し、
その入出カドランスデューサ80間に、アルミニウムの
膜をフォトエツチングする方法で凸形のストライプ9を
設けである。
4図は本発明の一実施例を示すもので基板7にタンタル
酸リチウムのXカット板を使用し、バルクスプリアスの
少ない112°Y方向に弾性表面波が伝搬するように入
出カドランスデューサ8を適当な間隔を隔って形成し、
その入出カドランスデューサ80間に、アルミニウムの
膜をフォトエツチングする方法で凸形のストライプ9を
設けである。
このストライプ9は弾性表面波波長λRの1/4゜くり
かえし間隔はλRの172で中央部のみλRの3/4隔
てられている。ストライプ9の本数は合計400本設け
られている。各ストライプ9の端部でもし反射が生ずれ
ば、各部の反射波は相加され、ストライプ部で弾性表面
波の定在波がたつことになる。このとき、入出カドラン
スデューサ8間の透過特性を見ると第5図のような特性
となる。
かえし間隔はλRの172で中央部のみλRの3/4隔
てられている。ストライプ9の本数は合計400本設け
られている。各ストライプ9の端部でもし反射が生ずれ
ば、各部の反射波は相加され、ストライプ部で弾性表面
波の定在波がたつことになる。このとき、入出カドラン
スデューサ8間の透過特性を見ると第5図のような特性
となる。
第5図11のディップ部はストライプ反射器の反射率に
よシ決定され1反射率が大きい程、ディップが深くなり
、このディップの形状から逆に反射率が推定出来る。ま
た図中12のピーク部は、共振状態を生じていることを
示し、このピークの半値巾から共振のQが算出できる。
よシ決定され1反射率が大きい程、ディップが深くなり
、このディップの形状から逆に反射率が推定出来る。ま
た図中12のピーク部は、共振状態を生じていることを
示し、このピークの半値巾から共振のQが算出できる。
この素子で、凸形ストライプの膜厚(高さ)hを変化さ
せたときのストライプ1本尚りの反射率を測定した結果
を第6図に示す。図から明らかなように膜厚0.5μm
で1%11.5μmで3チ程度の反射率が得られる。な
お第5図から明らかなようにこの測定値は中心周波数1
00MI(zでの結果であるから、弾性表面波波長λR
で正規化した膜厚は0.5μmは0.015 、1.5
師は0.05に当たる。この結果は従来例で述べた水晶
板にアルミニウムの凸形ストライプの反射器を設けた結
果とほぼ等しい良好な結果を示している。またQについ
ても同様の値を呈し、従来のニオブ酸リチウム基板にア
ルミニウムの反射器を形成した共振子のQよシもはるか
に大きい15000程度のQを得ることができた。次に
、ストライプ材の膜厚の変化に対する共振周波数の変化
率を測定した結果を第7図に示す。この測定は、各膜厚
に対する第5図中の12の周波数を測定することで行な
える。第7図の実線13は本発明の反射器の場合で、破
線14は水晶基板にアルミニウムのストライプを設けた
反射器の場へ鎖線15はニオブ酸リチウム基板にアルミ
ニウムのストライプ反射器を設けた場合である。14m
厚付近で見ると共振周波数に0.1%程度の¥f1度で
製作しようとすると従来例では膜厚を500λ程度の精
度で形成しなければならないが本発明の反射器では膜厚
aoooX程度の精度でよい。
せたときのストライプ1本尚りの反射率を測定した結果
を第6図に示す。図から明らかなように膜厚0.5μm
で1%11.5μmで3チ程度の反射率が得られる。な
お第5図から明らかなようにこの測定値は中心周波数1
00MI(zでの結果であるから、弾性表面波波長λR
で正規化した膜厚は0.5μmは0.015 、1.5
師は0.05に当たる。この結果は従来例で述べた水晶
板にアルミニウムの凸形ストライプの反射器を設けた結
果とほぼ等しい良好な結果を示している。またQについ
ても同様の値を呈し、従来のニオブ酸リチウム基板にア
ルミニウムの反射器を形成した共振子のQよシもはるか
に大きい15000程度のQを得ることができた。次に
、ストライプ材の膜厚の変化に対する共振周波数の変化
率を測定した結果を第7図に示す。この測定は、各膜厚
に対する第5図中の12の周波数を測定することで行な
える。第7図の実線13は本発明の反射器の場合で、破
線14は水晶基板にアルミニウムのストライプを設けた
反射器の場へ鎖線15はニオブ酸リチウム基板にアルミ
ニウムのストライプ反射器を設けた場合である。14m
厚付近で見ると共振周波数に0.1%程度の¥f1度で
製作しようとすると従来例では膜厚を500λ程度の精
度で形成しなければならないが本発明の反射器では膜厚
aoooX程度の精度でよい。
次に本発明の反射器を用いた共振子でフィルタを構成し
た実施例を示す。タンタル酸リチウムX板上にlIrm
厚のアルミニウムストライプで構成された2つの反射器
を入出カドランスデューサの両端に設けた2ボート形共
振子を4段カスケードに接続したフィルタの特性を第8
図に示す。中心周波数100 MHz比帯域幅1/10
00挿入損失3 dBの良好なフィルタが平易な製造プ
ロセスで安価に提供できることを示すものである。
た実施例を示す。タンタル酸リチウムX板上にlIrm
厚のアルミニウムストライプで構成された2つの反射器
を入出カドランスデューサの両端に設けた2ボート形共
振子を4段カスケードに接続したフィルタの特性を第8
図に示す。中心周波数100 MHz比帯域幅1/10
00挿入損失3 dBの良好なフィルタが平易な製造プ
ロセスで安価に提供できることを示すものである。
また反射ストライプは、必ずしも実施例のようになって
なくとも、第9図のように、所定の段差がついているス
トライプ18であってもよい。
なくとも、第9図のように、所定の段差がついているス
トライプ18であってもよい。
以上述べたように、本発明による基板材料、凸形反射ス
トライプの材料の組合せの反射器で構成された弾性表面
波共振子及びこれを応用したフィルタは、共振層波数、
中心周波数の製造バラツキが小さくなり高品質の共幾子
、フィルタが提供できることになる。、また逆に見れば
製造プロセスが平易となり歩留が向上してコストが下げ
られるという効果がもたらされることになる。
トライプの材料の組合せの反射器で構成された弾性表面
波共振子及びこれを応用したフィルタは、共振層波数、
中心周波数の製造バラツキが小さくなり高品質の共幾子
、フィルタが提供できることになる。、また逆に見れば
製造プロセスが平易となり歩留が向上してコストが下げ
られるという効果がもたらされることになる。
なお実施例ではアルミニウムの反射器を直接タンタル[
リチウム基板上に被着形成した場合を示したが1例えば
クロムのような付着性を高める物質を介して被着しても
よい。この場合に高パワーの弾性表向波に対して強くな
る。
リチウム基板上に被着形成した場合を示したが1例えば
クロムのような付着性を高める物質を介して被着しても
よい。この場合に高パワーの弾性表向波に対して強くな
る。
第1図乃至第3図は従来の弾性表面波共振子を示す図、
第4図は本発明の弾性表面波共振子の一実施例を示す図
%第5図は%第4図の素子による透過特性を示す図、第
6図は本発明の反射器のアルミニウム膜厚に対する反射
率の測定結果を示す図、第7図は従来例と本発明の反射
器のアルミニウム膜厚に対する共振周波数の変化率の測
定結果を示す図、第8図は第6図の共振子を4段カスケ
ード接続して構成したフィルタの周波数特性図、(り 第9図は本発明の変2例を示す図である。 7・・・タンタル酸リチウム基板、8・・・入出力トラ
ンスジコーザ、9・・・反射用ストライプ。 代理人弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第1図 第2図 第3図 其携」uI受の 第8図 第9図
第4図は本発明の弾性表面波共振子の一実施例を示す図
%第5図は%第4図の素子による透過特性を示す図、第
6図は本発明の反射器のアルミニウム膜厚に対する反射
率の測定結果を示す図、第7図は従来例と本発明の反射
器のアルミニウム膜厚に対する共振周波数の変化率の測
定結果を示す図、第8図は第6図の共振子を4段カスケ
ード接続して構成したフィルタの周波数特性図、(り 第9図は本発明の変2例を示す図である。 7・・・タンタル酸リチウム基板、8・・・入出力トラ
ンスジコーザ、9・・・反射用ストライプ。 代理人弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第1図 第2図 第3図 其携」uI受の 第8図 第9図
Claims (1)
- タンタル酸リチウム基板と、この基板上に設けられた電
気信号を弾性表面波に変換するためのトランスデューサ
と、このトランスデューサにより励振された弾性表面波
を反射し共振状態を生ぜしめるよう前記タンタル酸リチ
ウム基板の前記弾性表面波伝搬路に設けられた膜厚0.
5μm以上のアルミニウム膜からなる反射器とを備える
ことを特徴とする弾性表面波共振子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28195686A JPS62271514A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 弾性表面波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28195686A JPS62271514A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 弾性表面波共振子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11676979A Division JPS5915564B2 (ja) | 1979-09-13 | 1979-09-13 | 弾性表面波共振子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62271514A true JPS62271514A (ja) | 1987-11-25 |
JPH0584089B2 JPH0584089B2 (ja) | 1993-11-30 |
Family
ID=17646246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28195686A Granted JPS62271514A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 弾性表面波共振子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62271514A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02250413A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-08 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51244A (ja) * | 1974-05-20 | 1976-01-05 | Texas Instruments Inc | |
JPS51150251A (en) * | 1975-06-09 | 1976-12-23 | Western Electric Co | Ultrasonic wave device |
JPS5481246U (ja) * | 1977-11-18 | 1979-06-08 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP28195686A patent/JPS62271514A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51244A (ja) * | 1974-05-20 | 1976-01-05 | Texas Instruments Inc | |
JPS51150251A (en) * | 1975-06-09 | 1976-12-23 | Western Electric Co | Ultrasonic wave device |
JPS5481246U (ja) * | 1977-11-18 | 1979-06-08 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02250413A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-08 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0584089B2 (ja) | 1993-11-30 |
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