JPS60259012A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPS60259012A JPS60259012A JP11490384A JP11490384A JPS60259012A JP S60259012 A JPS60259012 A JP S60259012A JP 11490384 A JP11490384 A JP 11490384A JP 11490384 A JP11490384 A JP 11490384A JP S60259012 A JPS60259012 A JP S60259012A
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- JP
- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
- theta
- lambda
- single crystal
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は弾性表面波の変換効率が大きく、かつ遅延時間
温度係数が小さい硼酸リチウム単結晶基板を用いた弾性
表面波装置に関する。
温度係数が小さい硼酸リチウム単結晶基板を用いた弾性
表面波装置に関する。
弾性表面波装置に使われる圧電基板に重要な性能として
、弾性表面波の遅延時間温度係数（ＴＣＤ）と電気機械
結合係数（ｋ２）が挙げられる。
、弾性表面波の遅延時間温度係数（ＴＣＤ）と電気機械
結合係数（ｋ２）が挙げられる。
Ｔ Ｃ−’Ｄはその絶対値が小さい程、またに２は大き
い程弾性表面波基板として望ましい−。
い程弾性表面波基板として望ましい−。
従来より知られている代表的な弾性表面波装置用基板の
特性を第１図に示す。第１図は横軸にＴｃｏ、ｉ軸にに
２とって各基板特性をプロットしたものである。この図
かられかるように、例えばタンタル酸リチウム＜ＬｉＴ
ａ０ａ）では、ｋ２は約０．８％であるがＴＣＤは約２
０ｐｐｍ／’Ｃである。一方、ＳＴカット水晶では、Ｔ
ＣＤ零を実現できるかに２は１−ｉＴａｏ３に比べて１
１５程度である。従って従来より優れた性能の弾性表面
装置を実現するためには、ｋ２はし１ＴａｏＳ並みであ
り、ＴＣＤはＬ ｉ Ｔａ０ａの約１１５以下であるよ
うな圧電材料が望まれていた。
特性を第１図に示す。第１図は横軸にＴｃｏ、ｉ軸にに
２とって各基板特性をプロットしたものである。この図
かられかるように、例えばタンタル酸リチウム＜ＬｉＴ
ａ０ａ）では、ｋ２は約０．８％であるがＴＣＤは約２
０ｐｐｍ／’Ｃである。一方、ＳＴカット水晶では、Ｔ
ＣＤ零を実現できるかに２は１−ｉＴａｏ３に比べて１
１５程度である。従って従来より優れた性能の弾性表面
装置を実現するためには、ｋ２はし１ＴａｏＳ並みであ
り、ＴＣＤはＬ ｉ Ｔａ０ａの約１１５以下であるよ
うな圧電材料が望まれていた。
このような観点から、１［リチウム（シ１２Ｂ４０７）
が望ましい圧電材料として最近注目されている。即ち、
Ｌｉ２Ｂ＋０７はに２が１％近い値を有し１ｉＴａｏ３
を超える値を示す。また第１図に示したように、２’０
’Ｘ−ＺのＬｉ２８４０７ 、即ち基板の切出し角度を
、Ｚ軸を中心にＸ軸をＹ軸方向に２０°回転した軸に垂
直な面とし、弾性表面波の伝搬方向をＺ軸方向に選んだ
もの（オイラ角表示で（１１０’、９０’。
が望ましい圧電材料として最近注目されている。即ち、
Ｌｉ２Ｂ＋０７はに２が１％近い値を有し１ｉＴａｏ３
を超える値を示す。また第１図に示したように、２’０
’Ｘ−ＺのＬｉ２８４０７ 、即ち基板の切出し角度を
、Ｚ軸を中心にＸ軸をＹ軸方向に２０°回転した軸に垂
直な面とし、弾性表面波の伝搬方向をＺ軸方向に選んだ
もの（オイラ角表示で（１１０’、９０’。
９０°））はＴＣＤが零になることが、本発明者らの実
験により明らかになっている。
験により明らかになっている。
ところで基板上を伝搬する弾性表面波は伝搬に従って回
折を生じ、波面が広がり、これが伝搬損失の′−因とな
る。この様な損失は回折層と呼ばれており、弾性表面波
を応用した、所謂ＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ遅延線では挿
入損失の増加或いは周波数特性の劣化を招くことになり
、一方、ＳＡＷ共振子では共振尖鋭度（Ｑ）の低下の原
因となる。
折を生じ、波面が広がり、これが伝搬損失の′−因とな
る。この様な損失は回折層と呼ばれており、弾性表面波
を応用した、所謂ＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ遅延線では挿
入損失の増加或いは周波数特性の劣化を招くことになり
、一方、ＳＡＷ共振子では共振尖鋭度（Ｑ）の低下の原
因となる。
回折層の少ない弾性表面波基板として、従来からＢ１１
２Ｇｅ０２ｏ結晶のオイラ角表示で（４５°、４０°、
９０°）カッ１〜基板やＬｉＴａＯ３結晶の−（０°、
６４°、９０’ ）カット基板等が知られている。一般
に主伝搬方向でのＳＡＷ伝搬゛速度をＶ口とし、主伝搬
方向からθ（ラジアン）ずれた方向への伝搬速度をＪ（
θ）としたとき、 ｖ（ｅ）押Ｖｏ［１＋（γ／２）ｅ２］・・・（１）の
ように表わせるが、これらの基板ではγ−−１である。
２Ｇｅ０２ｏ結晶のオイラ角表示で（４５°、４０°、
９０°）カッ１〜基板やＬｉＴａＯ３結晶の−（０°、
６４°、９０’ ）カット基板等が知られている。一般
に主伝搬方向でのＳＡＷ伝搬゛速度をＶ口とし、主伝搬
方向からθ（ラジアン）ずれた方向への伝搬速度をＪ（
θ）としたとき、 ｖ（ｅ）押Ｖｏ［１＋（γ／２）ｅ２］・・・（１）の
ように表わせるが、これらの基板ではγ−−１である。
このとき、回折で広がる波面のエネルギーの流れ方向は
主伝搬方向に平行となるので、励撮源のエネルギー分布
を保ったまま伝搬することになり、回折層は生じないこ
とになる。
主伝搬方向に平行となるので、励撮源のエネルギー分布
を保ったまま伝搬することになり、回折層は生じないこ
とになる。
しかしながら、上記最小カット基板はいずれもＴＣＤが
数１０ｐｌ）ｍ／’Ｃと大きく、温度安定度に難点があ
った。
数１０ｐｌ）ｍ／’Ｃと大きく、温度安定度に難点があ
った。
以上のような事情から、温度安定度に優れ、且つ回折層
の小さい圧電基板が望まれていた。
の小さい圧電基板が望まれていた。
Ｃ発明の目的〕
本発明はＬｉ２Ｂ４Ｏ７単結晶基板を用いた、温度安定
性に優れ、且つ回折層の小さい弾性表面波装置を提供す
ることを目的とする。
性に優れ、且つ回折層の小さい弾性表面波装置を提供す
ることを目的とする。
本発明は、Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７単結晶基板の結晶切り出し角
および弾性表面波伝搬方向をオイラ角表示で（９００＋
λ、９ｏ９＋μ、９ｏ°＋θ）とした時、λ＝○°±２
°、μ＝１３°〜１７°。
および弾性表面波伝搬方向をオイラ角表示で（９００＋
λ、９ｏ９＋μ、９ｏ°＋θ）とした時、λ＝○°±２
°、μ＝１３°〜１７°。
且つ、θ＝０°±３°の範囲に設定したことを特徴とす
る。
る。
Ｃ発明の効果〕
本発明によれば、Ｌ １２８４０７結晶の方位を上記の
ように選ぶことによって、ｋ２は１％と大きく、ＴＣＤ
が極めて小さい、温度特性に優れた弾性表面波素子が得
られる。しかも本発明の基板は回折の少ないいわゆる最
小回折カットとなっており、ＳＡＷ遅延線に応用すれば
伝搬路長が大きくなっても回折による波面の広がりによ
る損失が少なく、またＳＡＷフィルタに応用すればアボ
タイズ（交差長重みづけ）法による通過周波数特性実現
に際して回折による周波数特性の劣化が小さく抑えられ
る。更にＳＡＷ共振子に応用した場合には、グレーティ
ング反射器から回折にょる伝搬路外へのＳＡＷエネルギ
ーの放射損失が小さく、Ｑの高い共振子が実現出来る。
ように選ぶことによって、ｋ２は１％と大きく、ＴＣＤ
が極めて小さい、温度特性に優れた弾性表面波素子が得
られる。しかも本発明の基板は回折の少ないいわゆる最
小回折カットとなっており、ＳＡＷ遅延線に応用すれば
伝搬路長が大きくなっても回折による波面の広がりによ
る損失が少なく、またＳＡＷフィルタに応用すればアボ
タイズ（交差長重みづけ）法による通過周波数特性実現
に際して回折による周波数特性の劣化が小さく抑えられ
る。更にＳＡＷ共振子に応用した場合には、グレーティ
ング反射器から回折にょる伝搬路外へのＳＡＷエネルギ
ーの放射損失が小さく、Ｑの高い共振子が実現出来る。
（発明の実施例）
本発明の詳細な説明する前に、第２図を用いてオイラ角
表示による一般的基板表示法を説明する。
表示による一般的基板表示法を説明する。
表面波伝播方向をＸｉ、結晶基板面に垂直な方向をＸ３
．それらに垂直な方向をＸ２とし、Ｍｑ！方位（０，Ｏ
，Ｏ）としＴＸｘ ＝Ｘ、Ｘ２ ＝Ｙ。
．それらに垂直な方向をＸ２とし、Ｍｑ！方位（０，Ｏ
，Ｏ）としＴＸｘ ＝Ｘ、Ｘ２ ＝Ｙ。
Ｘ３＝Ｚをとる。最初にＸ３軸を中心にして表面波伝播
方向×１をＸからＹ方向に向かってλだけ回転させ、次
に回転したＸ１軸を中心にして、基板面×３をＺ軸から
反時計方向にμだけ回転させた基板表面上を回転させた
Ｘ３軸を中心として伝播方向×１を再度反時計方向にθ
だけ回転させて得られる基板面方位を含む弾性表面波伝
播方向の表示を（λ、μ、θ）で表わし、これをオイラ
角表示と言う。
方向×１をＸからＹ方向に向かってλだけ回転させ、次
に回転したＸ１軸を中心にして、基板面×３をＺ軸から
反時計方向にμだけ回転させた基板表面上を回転させた
Ｘ３軸を中心として伝播方向×１を再度反時計方向にθ
だけ回転させて得られる基板面方位を含む弾性表面波伝
播方向の表示を（λ、μ、θ）で表わし、これをオイラ
角表示と言う。
この様なオイラ角表示を用いて以下本発明の詳細な説明
する。Ｌ＋２８４０７単結晶は立方晶光点群４ｍｍに属
し、その対称性から、実験する切断方位は第１象限だけ
でよい。本実施例で用い・たのは、オイラ角表示で（９
０°、９０°＋μ。
する。Ｌ＋２８４０７単結晶は立方晶光点群４ｍｍに属
し、その対称性から、実験する切断方位は第１象限だけ
でよい。本実施例で用い・たのは、オイラ角表示で（９
０°、９０°＋μ。
９０°）と表わした時、μｍ１３°〜１７°のものであ
る。但し実験のため試作はμｍ１０°〜３０°まで行っ
た。これは、Ｘカット板に対しＹ軸を中心にＸ軸をμだ
け回転させた軸に垂直な切断面上を、Ｚ軸を面上に投影
した方向に弾性表面波を伝搬させるよう、インタディジ
タルＮ極およびグレーティング反射器を構成したもので
ある。
る。但し実験のため試作はμｍ１０°〜３０°まで行っ
た。これは、Ｘカット板に対しＹ軸を中心にＸ軸をμだ
け回転させた軸に垂直な切断面上を、Ｚ軸を面上に投影
した方向に弾性表面波を伝搬させるよう、インタディジ
タルＮ極およびグレーティング反射器を構成したもので
ある。
第３図、第４図はそれぞれＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ共振
子の構成図で、上述の基板１１．２１にインタディジタ
ル電極１２．１３．２２およびグレーティング反射器２
３．２４を形成している。
子の構成図で、上述の基板１１．２１にインタディジタ
ル電極１２．１３．２２およびグレーティング反射器２
３．２４を形成している。
一般にインタディジタル電極およびグレーティング反射
器はアルミニウム薄膜ないしアルミニウムに微量のＣｕ
、３ｉなどを混入させた薄膜が用いられる。アルミニウ
ムのエツチングには通常リン酸系エツチング液が用いら
れるが、このエツチング液はｌ ｉ２ Ｂ４０７をもエ
ツチングし基板表面にダメージを与えるため、本実施例
ではリフトオフ法によりパターン形成を行なった。しか
しながら、電極材料やバターニング法は本発明では本質
的なものではなく適宜選択出来る。
器はアルミニウム薄膜ないしアルミニウムに微量のＣｕ
、３ｉなどを混入させた薄膜が用いられる。アルミニウ
ムのエツチングには通常リン酸系エツチング液が用いら
れるが、このエツチング液はｌ ｉ２ Ｂ４０７をもエ
ツチングし基板表面にダメージを与えるため、本実施例
ではリフトオフ法によりパターン形成を行なった。しか
しながら、電極材料やバターニング法は本発明では本質
的なものではなく適宜選択出来る。
まず基板の温度特性すなわちＴＣＤをめるため、Ｓ Ａ
Ｗ共振子における測定結果を説明する。
Ｗ共振子における測定結果を説明する。
第５図は、試作したＳＡＷ共振子を５０Ω系に直列に挿
入した時の挿入損失の周波数特性の一例である。この時
の共振子は、インタディジタル電極およびグレーティン
グ反射器がいずれも０．５μｍ厚のアルミニウム蒸着膜
で、インタディジタル電極周期は５６μｍ、グレーティ
ング反射器ピッチは２８μｍ、開口長は１Ｍである。
入した時の挿入損失の周波数特性の一例である。この時
の共振子は、インタディジタル電極およびグレーティン
グ反射器がいずれも０．５μｍ厚のアルミニウム蒸着膜
で、インタディジタル電極周期は５６μｍ、グレーティ
ング反射器ピッチは２８μｍ、開口長は１Ｍである。
ところでアルミニウムの膜厚によりグレーティング反射
器の反射特性は変化する。既に実用化されているＬｉＴ
ａＯ３や水晶基板上にアルミニウム薄膜からなるグレー
ティング反射器を設けたものに比へ、１ｉ２Ｂｎｏ７基
板の場合にはアルミニウム薄膜の膜厚が１／４以下の薄
い膜厚でＬｉＴａＯ３や水晶基板の場合と同程度の反射
特性が得られることがわかった。そのデータを第６図に
示す。この結果から、膜厚０．３〜０．８μｍで極めて
良好な反射特性が得られることがわかったが、共振子の
要求条件から必ずしも上記範囲でのみ使用可能と云う訳
ではなく、０．１〜１．５μｍの範囲で十分実用になる
。なお膜厚０．８μｍ以上では反射量は大きくなるが、
グレーティング反射器内でのモード変換が大きくなり共
振子のＱ値が低下する。以上の膜厚は共振周波数が６０
ＭＨｚの場合であって、周波数によってその膜厚の最適
値は異なるため一般には弾性表面波波長で膜厚を割った
正規化膜厚で表示する。そうすると上記０．３〜０．８
ｕｍは０．００５〜０．０１５の正規化膜厚に相当する
。
器の反射特性は変化する。既に実用化されているＬｉＴ
ａＯ３や水晶基板上にアルミニウム薄膜からなるグレー
ティング反射器を設けたものに比へ、１ｉ２Ｂｎｏ７基
板の場合にはアルミニウム薄膜の膜厚が１／４以下の薄
い膜厚でＬｉＴａＯ３や水晶基板の場合と同程度の反射
特性が得られることがわかった。そのデータを第６図に
示す。この結果から、膜厚０．３〜０．８μｍで極めて
良好な反射特性が得られることがわかったが、共振子の
要求条件から必ずしも上記範囲でのみ使用可能と云う訳
ではなく、０．１〜１．５μｍの範囲で十分実用になる
。なお膜厚０．８μｍ以上では反射量は大きくなるが、
グレーティング反射器内でのモード変換が大きくなり共
振子のＱ値が低下する。以上の膜厚は共振周波数が６０
ＭＨｚの場合であって、周波数によってその膜厚の最適
値は異なるため一般には弾性表面波波長で膜厚を割った
正規化膜厚で表示する。そうすると上記０．３〜０．８
ｕｍは０．００５〜０．０１５の正規化膜厚に相当する
。
本実施例のアルミニウム膜厚０．５μｍの場合得られた
共振子の等価回路定数と性能指数は下記の通りで、性能
の良い共振子が得られた。
共振子の等価回路定数と性能指数は下記の通りで、性能
の良い共振子が得られた。
共振抵抗Ｒ＝１２４０
直列インダクタンスＬ＝２．６５ｍＨ
直列容量Ｃ＝０．００２６ｐＦ
並列容量Ｃ口＝１．６ｐＦ
無負荷Ｑ＝８０００
容量比γ＝Ｃｏ／Ｃ＝６００
性能指数−１３
温度特性は、温度による共振周波数の変化を測定するこ
とによってまる。第７図に、μに対する２５℃における
Ｔ（、Ｄの変化の実測値を示す。
とによってまる。第７図に、μに対する２５℃における
Ｔ（、Ｄの変化の実測値を示す。
この結果から、破線で示す範囲 μｍ１３°〜１７°で
は、ＴＣＤが±５１） ｌ）ｍ／℃以内であることがわ
かる。μｍ１５°において零ＴＣＤが得られている。こ
の零ＴＣＤが得られる角度はインタディジタル電極、グ
レーティング反射器の材料や構造により僅かに変化する
が、μの角度をその分僅かに変化させることにより上記
範囲で補正することが可能である。
は、ＴＣＤが±５１） ｌ）ｍ／℃以内であることがわ
かる。μｍ１５°において零ＴＣＤが得られている。こ
の零ＴＣＤが得られる角度はインタディジタル電極、グ
レーティング反射器の材料や構造により僅かに変化する
が、μの角度をその分僅かに変化させることにより上記
範囲で補正することが可能である。
電気機械結合係数（ｋ２）は第３図に示すＳＡＷフィル
タを試作し、インタディジタル電極のインピーダンス特
性からめ、μｍ１０°〜３０゜でほぼ１％程度であり、
μに対する依存性は殆どないことが確認された。
タを試作し、インタディジタル電極のインピーダンス特
性からめ、μｍ１０°〜３０゜でほぼ１％程度であり、
μに対する依存性は殆どないことが確認された。
次にＳＡＷフィルタの周波数特性、ＳＡＷ共振子のＱ特
性に関して基板結晶の切断角による比較実験を行なった
が、ＳＡＷフィルタではバルク波スプリアスなどの影響
、Ｓ Ａ Ｗ共振子では表面研磨条件の影響が大きく、
現状の技術レベルでは本発明の効果を直接確認ツ”るこ
とは困難であった。
性に関して基板結晶の切断角による比較実験を行なった
が、ＳＡＷフィルタではバルク波スプリアスなどの影響
、Ｓ Ａ Ｗ共振子では表面研磨条件の影響が大きく、
現状の技術レベルでは本発明の効果を直接確認ツ”るこ
とは困難であった。
そこで、次のようにして間接的に最小回折績の効果を確
めた。即ち第８図に示すように、本実施例のＬｆ２Ｂ＋
０７基板４１に主伝搬方向に対してθだけ傾けた方向に
弾性表面波が伝搬するようにインタディジタル電極４２
．グレーティング反射器４３．４４を形成し、ｅに対す
る弾性表面波伝搬速度の変化をめた。この時、ｅに対し
て前述の（１）式の近似が成立ち、更にγ＃−１の時、
この基板は最小回折績となる基板であることが確認され
る。第８図にμｍ１５°の基板上での実験結果を示す。
めた。即ち第８図に示すように、本実施例のＬｆ２Ｂ＋
０７基板４１に主伝搬方向に対してθだけ傾けた方向に
弾性表面波が伝搬するようにインタディジタル電極４２
．グレーティング反射器４３．４４を形成し、ｅに対す
る弾性表面波伝搬速度の変化をめた。この時、ｅに対し
て前述の（１）式の近似が成立ち、更にγ＃−１の時、
この基板は最小回折績となる基板であることが確認され
る。第８図にμｍ１５°の基板上での実験結果を示す。
横軸が主伝搬方向からの角度θ（度）であり、実測の伝
搬速度変化を実線で示した。破線は（１）式でγ−−１
の場合、即ち回折損がない場合の理論値である。この結
果から、μｍ１５°の時、γ−−０．８とまる。１ｉ２
Ｂｑ０７結晶のＸカット板Ｚ方向伝搬基板では、γ＝−
０，１、また（１１０°、９０’ 、９０’ ）基板で
は、γ＝→−０，３であり、これらは等方性基板並酸い
は等方性基板より劣る回折損を示すのに対し、本実施例
では回折損が極めて小ざくなっていることが間接的に確
認された。
搬速度変化を実線で示した。破線は（１）式でγ−−１
の場合、即ち回折損がない場合の理論値である。この結
果から、μｍ１５°の時、γ−−０．８とまる。１ｉ２
Ｂｑ０７結晶のＸカット板Ｚ方向伝搬基板では、γ＝−
０，１、また（１１０°、９０’ 、９０’ ）基板で
は、γ＝→−０，３であり、これらは等方性基板並酸い
は等方性基板より劣る回折損を示すのに対し、本実施例
では回折損が極めて小ざくなっていることが間接的に確
認された。
なお本発明は、その趣旨、効果を損わない条件として、
λ方向にＯ°〜±２°、ｅ方向にＯ°〜±３°の偏差は
許容することが出来る。また実施例では、ＳＡＷフィル
タ、ＳＡＷ共振子を具体例として説明したが、これに限
定されず、遅延線その他の信号処理用に本発明を適用す
ることが出来る。電極材料についてもアルミニウムに限
られないことはもちろんである。
λ方向にＯ°〜±２°、ｅ方向にＯ°〜±３°の偏差は
許容することが出来る。また実施例では、ＳＡＷフィル
タ、ＳＡＷ共振子を具体例として説明したが、これに限
定されず、遅延線その他の信号処理用に本発明を適用す
ることが出来る。電極材料についてもアルミニウムに限
られないことはもちろんである。
第１図は各種弾性表面波基板の特性を比較して示す図、
第２図はオイラ角表示を説明するための図、第３図およ
び第４図はそれぞれＳＡＷフィルタおよびＳＡＷ共振子
を示す図、第５図は本発明の実施例のＳＡＷ共振子の挿
入損失周波数特性を示す図、第６図は同じくそのグレー
ティング反射器の反射特性を従来基板と比較して示す図
、第７図はＴＣＤのμ方向角度依存性を示す図、第８図
は最小回折績を確認するためのＳＡＷ共振子の構成を示
す図、第９図はその角度θに対する伝搬速度変化率を測
定した結果を示す図である。 １１．２１： ４１・・・Ｌｉ２Ｂ＋０７基板、１２゜
１３．２２．４２・・・インタディジタル電極、２３゜
２４．４３．４４・・・グレーティング反射器。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 ７ ｓ３図 １ 第４図 ＴＣＤ ［ｐｐｍ／’Ｃ１ ０ （Ｎ −ｓ Ｃｏ の
第２図はオイラ角表示を説明するための図、第３図およ
び第４図はそれぞれＳＡＷフィルタおよびＳＡＷ共振子
を示す図、第５図は本発明の実施例のＳＡＷ共振子の挿
入損失周波数特性を示す図、第６図は同じくそのグレー
ティング反射器の反射特性を従来基板と比較して示す図
、第７図はＴＣＤのμ方向角度依存性を示す図、第８図
は最小回折績を確認するためのＳＡＷ共振子の構成を示
す図、第９図はその角度θに対する伝搬速度変化率を測
定した結果を示す図である。 １１．２１： ４１・・・Ｌｉ２Ｂ＋０７基板、１２゜
１３．２２．４２・・・インタディジタル電極、２３゜
２４．４３．４４・・・グレーティング反射器。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 ７ ｓ３図 １ 第４図 ＴＣＤ ［ｐｐｍ／’Ｃ１ ０ （Ｎ −ｓ Ｃｏ の
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１−）硼酸リチウム単結晶基板を用いた弾性表面波装
置において、前記ｍｕリチウム単結晶基板の結晶からの
切り出し角および弾性表面波伝搬方向をオイラ角表示で
（９０°十λ、９０°＋μ。 ９０°＋θ）とした時、λ＝０°±２°、μ＝１３°〜
１７°、かつ、θ＝０°±３°の範囲に設定したことを
特徴とする弾性表面波装置。 （２）硼酸単結晶基板に、アルミニウムを主成分とする
薄膜により電気−音響変換用の複数のインタディジタル
電極が形成された弾性表面波フィルタである特許請求の
範囲第１項記載の弾性表面波装置。 （３）硼酸単結晶基板に、アルミニウムを主成分とする
薄膜により電気−音響変換用のインタディジタル電極と
弾性表面波を反射させるグレーティング反射器が形成さ
れた弾性表面波共振子であるラム薄膜を主成分とする薄
膜の・膜厚が弾性表面波の波長の０．００５ないし０．
０１５の範囲に設定された特許請求の範囲第３項記載の
弾性表面波装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11490384A JPS60259012A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 弾性表面波装置 |
| DE8585104553T DE3575248D1 (de) | 1984-06-05 | 1985-04-15 | Akustische oberflaechen-wellen-anordnung. |
| EP85104553A EP0166880B1 (en) | 1984-06-05 | 1985-04-15 | Surface acoustic wave device |
| US06/896,327 US4672255A (en) | 1984-06-05 | 1986-08-14 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11490384A JPS60259012A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60259012A true JPS60259012A (ja) | 1985-12-21 |
Family
ID=14649510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11490384A Pending JPS60259012A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60259012A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3932451A1 (de) * | 1988-09-30 | 1990-05-10 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Doppelkammelektrode fuer oberflaechenwellenvorrichtungen und herstellungsverfahren hierfuer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817901A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-02 | 興和化成株式会社 | スラブ軌道用可変パツキング |
| JPS594310A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-11 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
| JPS594309A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-11 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
-
1984
- 1984-06-05 JP JP11490384A patent/JPS60259012A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817901A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-02 | 興和化成株式会社 | スラブ軌道用可変パツキング |
| JPS594310A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-11 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
| JPS594309A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-11 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3932451A1 (de) * | 1988-09-30 | 1990-05-10 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Doppelkammelektrode fuer oberflaechenwellenvorrichtungen und herstellungsverfahren hierfuer |
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