DE3911880A1 - Verfahren zur herstellung von periklas-einkristallen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von periklas-einkristallenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
von Periklas-Einkristallen.
Die Herstellung von Periklas-Einkristallen ist grund
sätzlich bekannt. Dabei wird das Ausgangsmaterial (MgO)
aufgeschmolzen, zum Beispiel in einem Lichtbogen-Ofen,
um bei der anschließenden Abkühlung eine Kristallisation
zu erreichen. Abgesehen davon, daß bei der Rekristalli
sation nur ein Teil der gebildeten Kristalle als reine
Einkristalle gewonnen werden kann, ist das bekannte Ver
fahren vor allem deshalb nachteilig, weil hierbei Schmelz
temperaturen weit oberhalb der theoretischen Schmelz
temperatur des Periklas von etwa 2800 Grad Celsius not
wendig und die damit verbundenen Energiekosten erheblich
sind.
Es besteht jedoch ein dringendes Bedürfnis, in einem
leicht beherrschbaren Verfahren industriell Periklas-Ein
kristalle in großer Menge herstellen zu können, da
diese bezüglich ihrer physikalischen Eigenschaften
eine Reihe von Vorteilen aufweisen, auf die nachstehend
noch näher eingegangen wird.
Völlig überraschend wurde festgestellt, daß Periklas-Ein
kristalle als Sekundärkristalle, ausgehend von einem
MgO-Sinter üblicher Art, aus der Gasphase gewonnen werden
können. Dabei stellt es ein wesentliches Merkmal und
einen besonderen Vorteil des nachstehend näher beschriebe
nen Verfahrens dar, daß die Herstellung von Periklas-Ein
kristallen in einem konventionellen Ofen, zum Beispiel
einem Schachtofen, gegebenenfalls als nachfolgende
Stufe bei der Herstellung von MgO-Sinter quasi in-situ
erfolgen kann.
Dazu weist das Verfahren folgende Merkmale auf:
- - in einem Pyroprozeß gewonnener MgO-Primärsinter wird in Anwesenheit eines Reduktionsmittels, insbe sondere in Anwesenheit von freiem Kohlenstoff, zu elementarem Magnesium reduziert,
- - anschließend gelangt das elementare Magnesium als Metalldampf in die Gasphase,
- - wo der Magnesium-Metalldampf danach unter Bindung von Sauerstoff aus der Ofenatmosphäre zu Periklas Sekundär-Einkristallen oxidiert,
- - die anschließend aus dem Ofen abgezogen werden.
Es hat sich dabei herausgestellt, daß bei einer der
artigen "Umkristallisation" das Anionengitter des Periklas
völlig neu aufgebaut wird. Es kommt nach den bisher
vorliegenden Erkenntnissen nicht - wie man annehmen
könnte - zu einer Sublimation des MgO-Moleküls und
zu einer neuerlichen Kondensation, sondern es wird
zunächst das MgO zu Mg-Metalldampf reduziert, wonach
sich das Mg-Atom wieder mit Sauerstoff aus der Ofen
atmosphäre verbindet und zu den gewünschten Periklas-Ein
kristallen reoxidiert.
Zur anfänglichen Reduzierung des MgO-Primärsinters
wird die Zugabe eines sauerstoff-absorbierenden Reduktions
mittels vorgeschlagen, wobei sich vor allem elementarer
Kohlenstoff als bevorzugt herausgestellt hat.
Der Kohlenstoff kann als separate Komponente dem MgO-
Primärsinter zugegeben werden.
In reduzierend geführten Ofenzonen kommt es aber eben
falls zur Abscheidung von elementarem Kohlenstoff und
damit - abhängig von der Temperatur - zu einem definierten
Partialdruck des Kohlenstoffs. Insoweit sieht eine
alternative Ausführungsform der Erfindung vor, das
Verfahren im entsprechenden Ofenbereich mit einer reduzierenden
Brennerflamme zu führen.
Das Anionengitter der MgO-Primärkristalle wird aufgrund
der Affinität des Kohlenstoffs zum Sauerstoff unter
Bildung von CO zerstört, so daß das Magnesiumatom an
schließend als Magnesium-Metalldampf in die Gasphase
übergehen kann.
Nach einer vorteilhaften Ausführungsform ist vorgesehen,
den MgO-Primärsinter in möglichst feinteiliger Form
bereitzustellen, da die vorstehend genannten Reaktionsab
läufe maßgeblich durch die Oberfläche der Primärkristalle
beeinflußt werden. Die Zersetzung der MgO-Primärkristalle
erfolgt von außen nach innen und insoweit führt ein
feinteiliges Gut zu einer höheren Reaktionsoberfläche
für das Reduktionsmittel und damit zu einer Beschleunigung
der genannten Reaktion.
Die Oxidation der in der Gasphase vorliegenden Magnesium
atome zu Periklas-Sekundär-Einkristallen wird nach
verschiedenen vorteilhaften Ausführungsformen des Verfahrens
dann begünstigt, wenn
- - in den entsprechenden, nachgeschalteten Ofenbereichen ein niedrigerer Kohlenstoff-Partialdruck und ein höherer Sauerstoffpartialdruck gegenüber den Ofenbereichen eingestellt wird, die zur Durchführung der eingangs genannten Verfahrensstufen dienen, beziehungsweise
- - in den entsprechenden, nachgeschalteten Ofenbereichen eine geringere Temperatur eingestellt wird als in den Ofenbereichen, in denen der Primärsinter zerstört wird.
Versuche haben gezeigt, daß Ofentemperaturen im Bereich
zwischen 1800 Grad Celsius und 2400 Grad Celsius völlig
ausreichen, um die gewünschte Rekristallisation zu
erreichen. Diese Temperaturen liegen deutlich unterhalb
der Temperaturen, die aus dem Stand der Technik zur
Herstellung von Periklas-Einkristallen über die Schmelz
phase notwendig sind.
Liegt der Kohlenstoff nicht fest, sondern gasförmig
vor, liegt das chemische Gleichgewicht bereits bei
noch niedrigeren Temperaturen auf der Seite des gas
förmigen Magnesium-Metalldampfes.
Versuche haben gezeigt, daß mit dem beschriebenen Ver
fahren Sekundär-Einkristalle mit Kantenlängen von mehreren
Millimetern ohne weiteres hergestellt werden können.
Wird das Verfahren in einem Schachtofen durchgeführt,
so bietet es sich an, zur Zerstörung der MgO-Primärkristalle
den entsprechenden Ofenabschnitt mit einer stark redu
zierend eingestellten, carbonisierenden Brennflamme
zu fahren. Alternativ kann aber auch - wie vorstehend
beschrieben - eine Vermengung der Primärkristalle mit
separat zugegebenem elementarem Kohlenstoff während
der Bemöllerung erfolgen.
Auch die Reoxidation der Magnesiumatome aus der Gasphase
kann durch entsprechende Einstellung der Ofenbrenner
unterstützt werden. Hierzu wird vorgeschlagen, die
entsprechende Brennerebene abwechselnd oxidierend und
reduzierend zu fahren, wobei die Zeit der oxidierenden
Fahrweise der Brenner vorzugsweise höher ist als die
Zeit der reduzierenden Fahrweise, um die Ofenatmosphäre
mit einem ausreichenden Sauerstoffanteil anzureichern.
Aus vorstehendem ergibt sich, daß die beschriebene
Herstellung von Periklas-Einkristallen quasi "in-situ"
aus der Gasphase und als nachgeschaltete Stufe in einem
konventionellen Sinterofen für Magnesit durchgeführt
werden kann. Die sich hieraus ergebenen Vorteile sind
offensichtlich.
Die Gewinnung der gebildeten Periklas-Einkristalle
kann auf verschiedene Art und Weise erfolgen.
Es ist möglich, insbesondere bei einer entsprechenden
Erniedrigung der Ofentemperatur, die Sekundärkristalle
auf entsprechenden Oberflächen niederzuschlagen. Diese
Oberflächen können zum Beispiel durch entsprechende,
in und aus dem Ofen verschwenkbare Abscheideflächen
zur Verfügung gestellt werden. Nach Herausschwenken
aus dem Ofen brauchen die dort niedergeschlagenen Peri
klas-Sekundärkristalle nur noch abgekratzt werden.
Ebenso ist es aber auch möglich, die Sekundärkristalle
auf dem im Ofen befindlichen Rest MgO-Primärsinter
niederzuschlagen und mit diesem auszutragen.
In diesem Zusammenhang ist darauf hinzuweisen, daß
das erfindungsgemäße Verfahren - wie oben ausgeführt -
und damit die Herstellung von Periklas-Einkristallen
gemeinsam mit der Herstellung eines üblichen MgO-Sinters
ausgeführt werden kann, wobei lediglich ein Teil des
ursprünglichen Primärsinters (das heißt Teiloberflächen
des Primär-Sinters) auf die beschriebene Art und Weise
zersetzt und über die Dampfphase rekristallisiert wird.
Bei einem solchen Niederschlag der Sekundärkristalle
auf dem Primärsinter kann nach Entnahme aus dem Ofen
eine mechanische Trennung der beiden Kristalle erfolgen.
Schließlich ist es aber auch möglich, die aus der Gasphase
gebildeten Sekundärkristalle gemeinsam mit der Abluft
als Flugstaub aus dem Ofen abzuführen und dann zum
Beispiel über einen Filter abzuscheiden. Hierbei ent
fällt jede mechanische Nachbehandlung.
Die gebildeten Sekundärkristalle führen aufgrund ihrer
Größe zu einem relativ losen Einkristall-Haufwerk mit
einer - in Abhängigkeit von ihrer jeweiligen Größe -
relativ niedrigen Kornrohdichte (=scheinbare Dichte
an einer Körnung über 2 mm nach DIN 51 065 Teil 2).
Die einzelnen Kristalle weisen jedoch eine Dichte auf,
die der theoretischen Dichte von 3,56 g/cm3 weitest
gehend entspricht.
Werden die Einkristalle anschließend aufgemahlen, so
wird die Kornrohdichte entsprechend erhöht, ohne einen
Verlust der vorteilhaften Eigenschaften der Einkristalle,
nämlich ihre hohe Dichte, in Kauf nehmen zu müssen.
Gerade hierin liegt nun die Möglichkeit einer vorteilhaften
Verwendung der gebildeten Periklas-Einkristalle. Sie
können unter anderem zur Herstellung von feuerfesten
Formteilen dienen und dort insbesondere als Feinkorn-Kompo
nente zu einem gröberen Matrixmaterial zugesetzt werden.
Bekanntlich wird zum Beispiel die Schlackenanfälligkeit
von feuerfesten keramischen Formteilen maßgeblich durch
den Mehlkornanteil bestimmt. Der Mehlkornanteil ist
die schwächste Stelle des keramischen Produktes und
hier setzt ein Schlackenangriff zuerst an. Der Mehlkorn
anteil wird als die Fraktion kleiner 100 µm definiert,
wobei vorzugsweise 70 Gew.-% kleiner 50 µm sein sollten.
Durch Verwendung feinster, zum Beispiel aus der Gasphase
über die Abluft abgeschiedener Sekundär-Kristalle oder
den Einsatz von aufgemahlenen, ursprünglich gröberen
Sekundär-Einkristallen als Bestandteil, insbesondere
Feinstkomponente einer feuerfesten keramischen Werkstoff
mischung kann nun erreicht werden, daß gerade die kritische
Feinstkomponente der entsprechenden Formteile mechanisch
stabilisiert wird.
Die entsprechenden feuerfesten Formteile sind solchen
unter Verwendung eines Feinstkornanteils aus üblichem
MgO-Primärsinter deutlich überlegen und weisen einen
erheblich reduzierten Schlackenangriff auf.
Ebenso ist es auch denkbar, Formteile mehrschichtig
aufzubauen und dabei die äußeren, zum Beispiel einem
Metallschmelze- oder Schlackenangriff ausgesetzten
Flächen aus einer Werkstoffkomponente aufzubauen, die
ganz oder zumindest überwiegend die nach dem Verfahren
hergestellten MgO-Sekundärkristalle aufweist.
Demnach bietet sich die Verwendung der beschriebenen
Sekundärkristalle insbesondere für solche keramischen
Produkte an, die einem erhöhten mechanischen oder metallur
gischen Angriff ausgesetzt sind. Hierzu zählen zum
Beispiel feuerfeste Formteile von Ausguß- und/oder
Verschlußsystemen, wie Schieberplatten, Hülsen oder
dergleichen für metallurgische Schmelzgefäße.
Die entsprechenden keramischen Produkte sind solchen
aus Schmelzmagnesit nicht nur ebenbürtig, sondern sogar
überlegen und vor allen Dingen sehr viel einfacher
und preiswerter herzustellen.
Claims (15)
1. Verfahren zur Herstellung von Periklas-Einkristallen
in einem Ofen mit folgenden Merkmalen:
- 1.1 in einem Pyroprozeß gewonnener MgO-Primärsinter wird in Anwesenheit eines Reduktionsmittels, insbesondere freiem Kohlenstoff, zu elementarem Magnesium reduziert,
- 1.2 das elementare Magnesium wird als Metalldampf anschließend in die Gasphase überführt,
- 1.3 der Magnesium-Metalldampf wird anschließend unter Bindung von Sauerstoff aus der Ofenatmosphäre zu Periklas-Sekundär-Einkristallen oxidiert und
- 1.4 die sekundär gebildeten Periklas-Einkristalle werden danach aus dem Ofen abgezogen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Kohlenstoff
als separate Komponente dem MgO-Primärsinter zugegeben
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Kohlenstoff
phase durch eine reduzierend eingestellte Brennerflamme
des Ofens eingestellt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei
der Ofen in dem Bereich zur Durchführung der Ver
fahrensstufe gemäß Merkmal 1.3 abwechselnd oxidierend
und reduzierend gefahren wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei
die Verfahrensstufe gemäß Merkmal 1.3 in einem Ofen
bereich mit niedrigerem Kohlenstoff-Partialdruck
und höherem Sauerstoff-Partialdruck gegenüber den
Ofenbereichen zur Durchführung der Verfahrensstufen
gemäß den Merkmalen 1.1 und 1.2 durchgeführt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei
die Verfahrensstufe gemäß Merkmal 1.3 in einem kühleren
Ofenbereich als die Verfahrensstufen gemäß den Merkmalen
1.1 und 1.2 durchgeführt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei
die Ofentemperatur in der Verfahrensstufe 1.3 zwischen
1800 und 2400 Grad Celsius eingestellt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem
MgO-Primärsinter in einer Korngröße über 4 mm, vor
zugsweise zwischen 4 und 30 mm eingesetzt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8 mit der
Maßgabe, daß zum Niederschlag und Austrag der aus
der Gasphase gebildeten MgO-Sekundärkristalle in
und aus dem Ofen verschiebbare Abscheideflächen vorge
sehen werden.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8 mit der
Maßgabe, daß der MgO-Primärsinter nur teilweise reduziert
und die gebildeten MgO-Sekundärkristalle auf dem
verbleibenden MgO-Primärsinter niedergeschlagen und
mit diesem ausgetragen werden.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10 mit der
Maßgabe, daß die gebildeten MgO-Sekundärkristalle
mit der Ofenabluft als Flugstaub abgezogen und an
schließend an einem Filter abgeschieden werden.
12. Verwendung von Periklas-Einkristallen, hergestellt
gemäß Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11
zur Herstellung von feuerfesten Formteilen.
13. Verwendung nach Anspruch 12 mit der Maßgabe, daß
die Periklas-Einkristalle zuvor auf eine Korngröße
kleiner 100 µm aufgemahlen worden sind.
14. Verwendung aufgemahlener Periklas-Einkristalle gemäß
Anspruch 13 als Mehlkornkomponente zu einem üblichen
feuerfesten Matrixmaterial.
15. Verwendung nach einem der Ansprüche 12 bis 14 zur
Herstellung von feuerfesten Formteilen eines Ausguß
und/oder Verschlußsystems für metallurgische Schmelz
gefäße.
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DE3736704A1 (de) * | 1986-10-31 | 1988-05-11 | Canon Kk | Verstellungsmessvorrichtung |
Non-Patent Citations (6)
Title |
---|
J. American Ceramic Society, 48, 6, 1965, S. 279-285 * |
J. Chemical Society of Japan, 6, 1984, S. 1075/6 * |
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Kristall und Technik, 2, 4, 1967, S. 549-553 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3911880C2 (de) | 1992-09-03 |
IT9019994A0 (it) | 1990-04-11 |
GB9008173D0 (en) | 1990-06-13 |
IT1246377B (it) | 1994-11-18 |
NL9000823A (nl) | 1990-11-01 |
IT9019994A1 (it) | 1991-10-11 |
GB2231865B (en) | 1992-08-19 |
ATA85390A (de) | 1994-10-15 |
GB2231865A (en) | 1990-11-28 |
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