DE3843980A1 - Verfahren zum feinabgleich eines planarkondensators - Google Patents
Verfahren zum feinabgleich eines planarkondensatorsInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 239000010871 livestock manure Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/002—Details
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- Optics & Photonics (AREA)
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß
dem Oberbegriff des Anspruchs 1 zum Feinabgleich eines
Planarkondensators.
Aus der US-PS 35 97 579 ist ein Feinabgleichverfahren
für Kondensatoren bekannt, in welchem die Fläche der
Kondensatorelektrode durch Verwendung einer Strahlungs
energie verändert wird und im Interesse der Verhinde
rung des Auftretens von Kurzschlüssen wird eine Spannung
zwischen den Kondensatorelektroden angelegt.
Ein Nachteil der herkömmlichen Technologie ist, daß das
oben beschriebene Verfahren nur bei einer beschränkten
Auswahl von Materialien anwendbar ist. Der Feinabstim
mungsvorgang wird an der oberen Kondensatorelektrode
ausgeführt, wobei die fein abgestimmte Fläche, insbeson
dere bei der Verwendung in Feuchtigkeitssensoren, einer
Verunreinigung und Verschlechterung ausgesetzt ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Nachteile
der vorgenannten Technologie des Standes der Technik zu
überwinden und ein vollkommen neues Verfahren zum Fein
abstimmen eines Planarkondensators zu schaffen.
Die Erfindung basiert auf einer Feinabstimmung des Kon
densators durch Oxidieren der unteren Elektrode durch
Erhitzen der Elektrode durch das Substrat bei Verwen
dung, z. B. eines Lasers.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich
aus den Unteransprüchen.
Die Erfindung stellt wesentliche Vorteile zur Verfügung.
Der Kondensator kann genau auf einen gewünschten Kapa
zitätswert feinabgestimmt werden, wobei dieser Wert sta
bil sein wird, da die untere Elektrode geschützt unter
der Isolationsschicht verbleibt.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der vorlie
genden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Be
schreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung.
Es zeigt:
Fig. 1 eine longitudinal geschnittene Seitenansicht
einer typischen Kondensatorkonstruktion, welche
unter Verwendung des Verfahrens gemäß der vorlie
genden Erfindung bearbeitet wird; und
Fig. 2 eine Grundansicht einer anderen typischen Kon
densatorkonstruktion, welche kompatibel mit der
Verwendung des Verfahrens gemäß der vorliegenden
Erfindung ist.
Gemäß Fig. 1 weist der Kondensator ein Substrat 1 auf,
welches im allgemeinen aus Glas ist. Alternativ können
andere Substratmaterialien verwendet werden, welche
transparent für eine Laseremission sind. Auf dem Sub
strat 1 ist eine untere Elektrode 2 angebracht, deren
Material z. B. aus Aluminium sein kann. Die untere Elek
trode ist direkt bedeckt durch eine Isolationsschicht 3,
welche z. B. in einer Feuchtigkeitssensoranordnung aus
einem geeigneten wasserabsorbierenden Polymer gemacht
ist. Auf der Isolationsschicht 3 ist eine obere Elektro
de 4 angeordnet, welche in einer Feuchtigkeitssensor
anordnung aus einem feuchtigkeits-permeablen Material
hergestellt ist. Eine Kondensatorfeinabstimmung wird
erreicht durch Fokussieren eines Bündels 6 eines Lasers
5 durch das Substrat 1 auf die untere Elektrode 2, wobei
die untere Elektrode durch das Bündel 6 örtlich erhitzt
wird, welches zu einer Oxidation der unteren Elektrode 2
in einen elektrisch nichtleitenden Zustand führt. Mit
diesem Verfahren wird die aktive Fläche des Kondensators
verringert und die Kapazität auf einen gewünschten Wert
verringert. Der Laser 5 kann z. B. ein Q-geschalteter
Nd:YAG-Laser sein, wobei ein geeigneter Treiberstrom z.
B. 20 A ist.
Alternativ kann die untere Elektrode 2 aus Tantal her
gestellt sein.
Ein Kondensator gemäß der Fig. 2 hat Unterelektroden 8,
welche durch eine (nicht gezeigte) Isolationsschicht
bedeckt sind, auf dem Glassubstrat 7 dampf-abgeschieden.
Auf der Isolationsschicht ist desweiteren eine Oberflä
chenelektrode 9 plattiert. Der Oxidationsprozeß, wie er
oben im Zusammenhang mit Fig. 1 beschrieben wurde, wird
über die untere Elektrodenfläche ausgeführt, welche ge
mäß der Fig. 2 unterhalb der Oberflächenelektrode 9
verbleibt.
Claims (4)
1. Verfahren zum Feinabstimmen eines Planarkondensa
tors, in welchem
- - eine Laseremission fokussiert ist auf eine Elektrode (2) eines Kondensators, welcher auf einem Substrat (1) ausgebildet ist, welches transparent für die Laseremission ist, und welcher eine obere Elektrode (4), eine Iso lationsschicht (3) und eine untere Elektrode (2) aufweist, um einen Passivationseffekt auf der Elektrode zu erreichen,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - die Laseremission fokussiert ist, örtlich auf die untere Elektrode (2) durch das Substrat (1), um einen Erhitzungseffekt auf der unte ren Elektrode (2) zu erreichen, wodurch das Elektrodenmaterial oxidiert, so daß die un tere Elektrode (2) örtlich in einen elek trisch nicht leitenden Zustand konvertiert, während sie durch das Substrat (1) und die Isolationsschicht (3) geschützt ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das oxidierbare Material der unteren Elektrode
Aluminium ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das oxidierbare Material der unteren Elektrode
Tantal ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI875769A FI78577C (fi) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | Foerfarande foer avstaemning av en plankondensator. |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3843980A1 true DE3843980A1 (de) | 1989-07-13 |
Family
ID=8525641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3843980A Ceased DE3843980A1 (de) | 1987-12-30 | 1988-12-27 | Verfahren zum feinabgleich eines planarkondensators |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4924064A (de) |
JP (1) | JPH01204407A (de) |
DE (1) | DE3843980A1 (de) |
FI (1) | FI78577C (de) |
FR (1) | FR2625600B1 (de) |
GB (1) | GB2213323B (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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8131 | Rejection |